JP2004522303A - 集積された半導体デバイスのためのコンタクト構造 - Google Patents
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- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
Abstract
第1の導電領域(6A)と、第2の導電領域(11A)と、第1と第2の導電領域の間に配置された絶縁層(9)と、第1と第2の導電領域の間の絶縁層(9)内に伸びる少なくとも1つのスルー開口(36)と、スルー開口内に形成され、第1の導電領域(6A)と第2の導電領域(11B)を電気的に接続するコンタクト構造(10A)とを備える集積デバイスで。コンタクト構造(10A)は、導電材料層(30)で形成され、導電材料層(30)はスルー開口(36)の側面と底面をコートし、第2の導電領域(11A)により上が閉じられた空の領域(35)を囲む。導電材料層(30)は、互いに上に配置されたチタン層(31)と窒化チタン層(32)を備えることが望ましい。
【選択図】図3
【選択図】図3
Description
【技術分野】
【0001】
本発明は、集積された半導体デバイスのための接触(コンタクト)構造及びそれの製造プロセスに関する。
さらにいえば、本発明は、半導体基板に集積され、適当な制御回路及び強誘電体メモリセルのアレイを備えたタイプの強誘電体メモリデバイスのためのコンタクト構造に関する。
本発明は、これに限定されるものではないが、特に「スタック(積み重ね)」型の強誘電体メモリデバイスに関し、以下の説明は、発明の提示を簡単にするためだけの目的でこれへの応用を参照して行われる。実際、スタックされた構成は、新しいCMOS技術の集積化の要求に特に適している。
【背景技術】
【0002】
スタックされた光電子メモリデバイスにおいては、各メモリセルは半導体材料の基板に集積されたMOSトランジスタを有し、それはMOSトランジスタの上に配置された強誘電体の容量に接続されている。
MOSトランジスタは、基板に形成された第1及び第2の導電端子(ターミナル)(ソース及びドレイン領域)と、基板の上で、基板を覆う絶縁層内に形成された制御電極とを備える。強誘電体容量は、絶縁層上の、第1の導電ターミナルを有する電気的コンタクトの上及び内部に作られた底電極を備える。底電極は、強誘電体材料層でコートされ、上電極に容量的に結合される。
【0003】
既知のように、強誘電体メモリは、従来の非揮発性メモリに比べて同等の高い読出及び消去速度と共にその低消費電力により、展開する集積回路の分野で重要な役割を果たし始めている。
したがって、同一の半導体基板に集積されたMOSデバイスと組み合わされる強誘電体メモリデバイスを作るのを可能にすることが大きな注目を集めている。
【0004】
強誘電体メモリデバイスを組み込む既知のプロセスは、基板にMOSトランジスタの導電ターミナルを形成した後に、チップの表面全体を覆う絶縁層を形成することに直面する。
制御電極は、絶縁層の内側に形成され、そして次に絶縁層の上に強誘電体容量が形成される。
【0005】
Yamazakiらによる論説「半ミクロンメートルのCMOS論理デバイスと完全互換性を有する先端0.5μmのFRAMデバイス技術」(proceedings of IEDM '97, Washington, DC, December 1997)は、強誘電体デバイスの組み込み及び対応するコンタクトのための第1の既知の解決方法を記載している。
特に、上記の論説は、コンタクト領域を通して強誘電体デバイスとMOSデバイスを電気的に接続することを意図したコンタクトの製造を記載している。コンタクト領域は、絶縁層に開口を開け、それをタングステン(W)のような導電材料で埋めることにより形成される。
【0006】
Wプラグ技術と言われるこの技術は、高アスペクト比の、すなわち高コンタクト深さ対幅比有するコンタクトを形成できるが、Wプラグが次のプロセス工程で酸化環境での熱処理を受ける時には、容易には使用できない。
これは強誘電体材料の場合である。これらの材料の処理は、強誘電体材料を堆積した後、実際に酸素のある状態で500°Cと850°Cの間の温度でアニーリング及び結晶化が行われる。
【0007】
しかし、これらの処理には問題がある。実際に、酸素(O2)と反応するタングステンは、強烈な発熱プロセスに従って、五酸化タングステン(W2O2)に、すなわち非導電材料に変換される。この「火山」現象として知られる現象は、W2O2の形成の結果コンタクトの爆発さえ生じ、さらに酸化オーブンの汚染の危険を含む。同様の考察が、コンタクト領域がポリシリコンで埋められる(polySiプラグの)場合に適用され、強誘電体材料の結晶化に必要な処理が行われるなら、ポリシリコンは酸化して絶縁性になる。
【0008】
さらに、酸素と反応するポリシリコンは、堆積の増加を含み、それゆえ構造に高いストレスを呈するプロセスにより、二酸化シリコン(SiO2)に、すなわち非導電材料に変換される。この問題を解決するため、タングステン又はポリシリコンで埋められたコンタクトは、集積回路の製造プロセスでは標準でない材料で作られたバリア層で「シール」される。
バリア層を形成するプロセス工程の導入は、製造プロセスをかなり複雑にする。
【0009】
上記の公知例に記載されたデバイスは、部分的な相互接続として使用される窒化チタン(TiN)層を通して得られるMOSデバイスとの相互接続を有する。
1998年10月12日付けで出願された本出願人名義の欧州特許出願EP0996160は、MOSトランジスタ(N+型又はP+型接合)のターミナルと絶縁層の上に重ねられた容量との間の導電を確実にするために、プラグの前に堆積されるTi/TiNバリア層(図1)を使用する半導体デバイスのためのコンタクト構造を形成することを開示している。残りの空間は二酸化シリコン(「酸化プラグ」)で埋められる。
【0010】
この解決方法は、上記の「火山」の問題を避けることを可能にする。
しかし、上記の解決方法は、タングステンで埋められた構造に対する接触抵抗を増加させることになる。この欠点は、容量をバイアスする、それゆえメモリデバイスの問題には関係しないが、制御回路の性能を悪化させる。
【0011】
本出願人名義で出願された欧州特許出願EP00830762.1は、酸化プラグとタングステンプラグの使用を異ならせることにより上記の問題を解決し、それは、(a)(メモリアレイにおける)MOSトランジスタのソース領域と強誘電体容量の底電極間のコンタクトのための酸化プラグと、MOSトランジスタのドレイン領域とのコンタクト及び回路のCMOS部品の全てのコンタクトのためのタングステンプラグを使用し、(b)MOSトランジスタのターミナルの両方のコンタクト(メモリアレイにおけるソース領域と容量の底電極間と、ドレイン領域とビットラインのメタル領域の間の両方)のための酸化プラグを使用する2つの可能な方法に従って、解決する。
【0012】
たとえ、これらの解決方法が有効であっても、コンタクトを埋め及びそれに続く残りの酸化物の平坦化又はエッチングの工程により、製造プロセスには負担になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
したがって、本発明の目的は、上記の欠点を回避可能なプロセスを提供することであり、特にコンタクト構造として既知のデバイスになお影響する制限及び欠点を克服するような構造的及び機能的な特徴を有する、特に強誘電体タイプの半導体デバイスのコンタクト構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明によれば、請求項1及び9にそれぞれ記載された集積デバイス及びその製造プロセスが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
本発明をより理解するために、好適な実施例が、付属の図面を参照して説明されるが、この例は単に説明のためであり、本発明を制限するものではない。
図2は、半導体材料の基板5に集積され、数個のメモリセル2を有する強誘電体タイプのメモリアレイ1の一部を示す。
各メモリセル2は、MOSトランジスタ3と共に、それに直列に接続された強誘電体容量4とを備える。
【0016】
メモリアレイ1のメモリセル2は、既知の方法で、ワード線WLとビット線BLで組織され、各セル2はワード線とビット線との交点により一義的に規定される。
各MOSトランジスタ3は、基板5に形成され、N+型又はP+型がドープされた各ソース領域6Aとドレイン領域6Bとを備える。
【0017】
さらに、2重ポリシリコン及びシリサイド層により形成された制御電極7は、基板5のチャンネル領域に重ねられ、チャンネル領域はソース領域6Aとドレイン領域6Bの間に備えられ、薄い酸化層8により基板5の表面から絶縁される。この構成で、隣接し且つ同一のビット線BLに属する1組のトランジスタは、共通のドレインターミナル6Bを有する。
【0018】
例えばボロン(ホウ素)及びりんがドープされた酸化物(BPSG)である第1の絶縁層9が基板5をコートする。
開口36は、第1の絶縁層9内の、ソース領域6Aとドレイン領域6B上に形成され、それぞれのコンタクト10A,10Bを収容する。
【0019】
コンタクト10A,10Bは、(図3に示すように)互いに上に配置されたチタン層31と窒化チタン層32とを備える導電材料層30である。コンタクト10A,10Bのそれぞれは、第1の絶縁層9の開口の側壁と底をコートするコーティング部20A,20Bと、第1の絶縁層9の上面に伸びる水平部分21A,21Bとを備える。コンタクト10A,10Bの各コーティング部分20A,20Bの内側の領域又は体積35は空である。
【0020】
例えば、白金(プラチナ)でできた第1及び第2の導電領域11A,11Bは、コンタクト10A,10Bの水平部分21A,21Bを覆い、その上面でコンタクト10A,10Bをシールする。第1の導電領域11Aは強誘電体容量4の底板を形成し、少なくとも部分的にはトランジスタ3の制御電極7の上に伸びる。
【0021】
さらに、各容量4は、強誘電体材料領域12と上板13とを備える。強誘電体材料領域12は、共通なドレイン領域11Bを有さない2個のメモリセル2に属する1組の隣接する第1の導電領域11Aの上及び間に、(1999年4月30日付けで出願されたイタリア国特許出願TO99A000356)に記載されたように)図の平面に対して垂直な方向に伸びる帯を形成する。
【0022】
上電極13は、例えば白金などの金属で、図の平面に対して垂直に強誘電体材料領域12の上面に伸びる帯により形成される。特に、図2の断面図から分かるように、上面電極13は、強誘電体容量4の底面電極を形成する第1の導電領域11Aより狭い幅を有する。
強誘電体容量4の上には、連続して第2の絶縁層14、ビット線を形成し且つ図の水平方向に伸びる第1の金属線18(メタル1)、第3の絶縁層15、及びワード線を形成し且つ第3の絶縁層15の内側を図の平面に垂直な方向に伸びる第2の金属線19(メタル2)が伸びている。コンタクト領域22は、第2の絶縁層14を通って、第1の金属線18と第2の導電領域11Bの間に伸びて、第2の導電領域11Bと第2のコンタクト10Bを通って、第1の金属線18をドレイン領域6Bに電気的に接続する。
【0023】
図2の構造は、以下に説明する方法で得られる。最初に、厚い酸化(フィールド酸化)領域16が基板5内に形成され、強誘電体メモリデバイス1の導電部分又は活性部分を規定する。活性部分の内部及び上面には、MOSトランジスタ3、すなわち薄い酸化層8、制御ゲート電極7、及びソース領域6Aとドレイン領域6Bが形成される。詳細は説明しない公知の方法で、ソース領域6Aとドレイン領域6Bの接合(ジャンクション)(P+又はN+)が、本発明によるコンタクト構造を通して順に接触される酸化物スペーサにより、可能な限り離すことができる。
【0024】
次に、第1の絶縁層9が基板5の上に堆積される。第1の絶縁層9には、コンタクトマスク及び続く酸化エッチを使用して、開口36がソース領域6Aとドレイン領域6Bの上に作られ、第1の絶縁層9を通して基板5にアクセス可能にする。
次に、本発明の主題を形成するコンタクト構造10A,10Bが、導電性材料層30を堆積することにより形成される。
【0025】
可能な実行方法では、限定的でない例として、チタン層31がプラズマ堆積(PVD)又は他の堆積技術を使用して第1の絶縁層9の上に堆積され、そしてTiN層32が化学的堆積(CVD)又は他の堆積技術を使用して堆積される。例えば、チタン層31は10と100nmの間の厚さを有し、好ましくは35nmの厚さを有し、TiN層32は50と200nmの間の厚さを有し、好ましくは100nmの厚さを有する。
【0026】
チタン層だけ又は窒化チタン層だけを形成することも可能であるが、できれば両方の層を有することが望ましい。
それにより、導電材料層30は、開口36の側壁と底面をほぼ適合した方法でコートし、コンタクト10A,10Bを形成する。この点において、コンタクト10A,10Bの壁の間に構成された領域35は、空のまま残る。
【0027】
次に、例えば白金で作られた導電層が非適合な方法で堆積され、導電層が導電材料層と一緒に整形され、コンタクト10A,10Bの水平部分21Aと21B及び第1と第2の導電領域11A,11Bが同時に形成される。
実験的な試験から、第1及び第2の導電領域11A,11Bを形成する導電層が上面でコンタクト10A,10Bをシールし、十分な平坦を維持することが注目される。いずれにしろ、空領域35の幅は導電材料層30の幅に類似している(又は少し大きい)ことが望ましい。MOSトランジスタ3のソース領域6Aとドレイン領域6Bを形成するN+,P+接合と、第1及び第2の導電領域11A,11Bを形成する導電層との間の導電は、Ti/TiN導電材料層30により保証され、それは、開口36の形状により、基板5から第1の絶縁層9の上表面まで届く。
【0028】
最後に、強誘電体容量4は、現在の技術及び前述の1999年4月30日付けで出願されたイタリア国特許出願TO99A000356に記載されたプロセス工程に従って形成される。
上記のコンタクト構造10A,10Bは、公知の構造で議論した上記の問題を解決する。さらに、タングステン堆積のような水素の存在下で行うプロセス工程の省略は、強誘電体材料が水素により劣化するので、その品質の観点から利点がある。
【0029】
最後に、これまで説明し例示したデバイス及び製造プロセスについて、本発明の範囲を離れること無しに、付属の請求項で定義した変形例が可能であることが明らかである。特に、説明したコンタクト構造は、第1の導電領域を電気的に接続する必要があり、異なる高さに配置された第2の導電領域(例えば、金属領域)を有するように(基板内に埋め込んで又は基板の上面に絶縁層で囲んで)形成するいかなる電子デバイスでも使用できる。特に、本発明は、連続する金属領域を、図4に例示として示したように、第1の金属線41と第2の金属線42の間に形成されたコンタクト構造40に接続する領域にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】図1は、既知の強誘電体メモリアレイの部分の断面を示す。
【図2】図2は、本発明のコンタクト構造を備える強誘電体メモリアレイの断面を示す。
【図3】図3は、図2の拡大した詳細図を示す。
【図4】図4は、本発明のコンタクト構造の変形例を示す。
【0001】
本発明は、集積された半導体デバイスのための接触(コンタクト)構造及びそれの製造プロセスに関する。
さらにいえば、本発明は、半導体基板に集積され、適当な制御回路及び強誘電体メモリセルのアレイを備えたタイプの強誘電体メモリデバイスのためのコンタクト構造に関する。
本発明は、これに限定されるものではないが、特に「スタック(積み重ね)」型の強誘電体メモリデバイスに関し、以下の説明は、発明の提示を簡単にするためだけの目的でこれへの応用を参照して行われる。実際、スタックされた構成は、新しいCMOS技術の集積化の要求に特に適している。
【背景技術】
【0002】
スタックされた光電子メモリデバイスにおいては、各メモリセルは半導体材料の基板に集積されたMOSトランジスタを有し、それはMOSトランジスタの上に配置された強誘電体の容量に接続されている。
MOSトランジスタは、基板に形成された第1及び第2の導電端子(ターミナル)(ソース及びドレイン領域)と、基板の上で、基板を覆う絶縁層内に形成された制御電極とを備える。強誘電体容量は、絶縁層上の、第1の導電ターミナルを有する電気的コンタクトの上及び内部に作られた底電極を備える。底電極は、強誘電体材料層でコートされ、上電極に容量的に結合される。
【0003】
既知のように、強誘電体メモリは、従来の非揮発性メモリに比べて同等の高い読出及び消去速度と共にその低消費電力により、展開する集積回路の分野で重要な役割を果たし始めている。
したがって、同一の半導体基板に集積されたMOSデバイスと組み合わされる強誘電体メモリデバイスを作るのを可能にすることが大きな注目を集めている。
【0004】
強誘電体メモリデバイスを組み込む既知のプロセスは、基板にMOSトランジスタの導電ターミナルを形成した後に、チップの表面全体を覆う絶縁層を形成することに直面する。
制御電極は、絶縁層の内側に形成され、そして次に絶縁層の上に強誘電体容量が形成される。
【0005】
Yamazakiらによる論説「半ミクロンメートルのCMOS論理デバイスと完全互換性を有する先端0.5μmのFRAMデバイス技術」(proceedings of IEDM '97, Washington, DC, December 1997)は、強誘電体デバイスの組み込み及び対応するコンタクトのための第1の既知の解決方法を記載している。
特に、上記の論説は、コンタクト領域を通して強誘電体デバイスとMOSデバイスを電気的に接続することを意図したコンタクトの製造を記載している。コンタクト領域は、絶縁層に開口を開け、それをタングステン(W)のような導電材料で埋めることにより形成される。
【0006】
Wプラグ技術と言われるこの技術は、高アスペクト比の、すなわち高コンタクト深さ対幅比有するコンタクトを形成できるが、Wプラグが次のプロセス工程で酸化環境での熱処理を受ける時には、容易には使用できない。
これは強誘電体材料の場合である。これらの材料の処理は、強誘電体材料を堆積した後、実際に酸素のある状態で500°Cと850°Cの間の温度でアニーリング及び結晶化が行われる。
【0007】
しかし、これらの処理には問題がある。実際に、酸素(O2)と反応するタングステンは、強烈な発熱プロセスに従って、五酸化タングステン(W2O2)に、すなわち非導電材料に変換される。この「火山」現象として知られる現象は、W2O2の形成の結果コンタクトの爆発さえ生じ、さらに酸化オーブンの汚染の危険を含む。同様の考察が、コンタクト領域がポリシリコンで埋められる(polySiプラグの)場合に適用され、強誘電体材料の結晶化に必要な処理が行われるなら、ポリシリコンは酸化して絶縁性になる。
【0008】
さらに、酸素と反応するポリシリコンは、堆積の増加を含み、それゆえ構造に高いストレスを呈するプロセスにより、二酸化シリコン(SiO2)に、すなわち非導電材料に変換される。この問題を解決するため、タングステン又はポリシリコンで埋められたコンタクトは、集積回路の製造プロセスでは標準でない材料で作られたバリア層で「シール」される。
バリア層を形成するプロセス工程の導入は、製造プロセスをかなり複雑にする。
【0009】
上記の公知例に記載されたデバイスは、部分的な相互接続として使用される窒化チタン(TiN)層を通して得られるMOSデバイスとの相互接続を有する。
1998年10月12日付けで出願された本出願人名義の欧州特許出願EP0996160は、MOSトランジスタ(N+型又はP+型接合)のターミナルと絶縁層の上に重ねられた容量との間の導電を確実にするために、プラグの前に堆積されるTi/TiNバリア層(図1)を使用する半導体デバイスのためのコンタクト構造を形成することを開示している。残りの空間は二酸化シリコン(「酸化プラグ」)で埋められる。
【0010】
この解決方法は、上記の「火山」の問題を避けることを可能にする。
しかし、上記の解決方法は、タングステンで埋められた構造に対する接触抵抗を増加させることになる。この欠点は、容量をバイアスする、それゆえメモリデバイスの問題には関係しないが、制御回路の性能を悪化させる。
【0011】
本出願人名義で出願された欧州特許出願EP00830762.1は、酸化プラグとタングステンプラグの使用を異ならせることにより上記の問題を解決し、それは、(a)(メモリアレイにおける)MOSトランジスタのソース領域と強誘電体容量の底電極間のコンタクトのための酸化プラグと、MOSトランジスタのドレイン領域とのコンタクト及び回路のCMOS部品の全てのコンタクトのためのタングステンプラグを使用し、(b)MOSトランジスタのターミナルの両方のコンタクト(メモリアレイにおけるソース領域と容量の底電極間と、ドレイン領域とビットラインのメタル領域の間の両方)のための酸化プラグを使用する2つの可能な方法に従って、解決する。
【0012】
たとえ、これらの解決方法が有効であっても、コンタクトを埋め及びそれに続く残りの酸化物の平坦化又はエッチングの工程により、製造プロセスには負担になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
したがって、本発明の目的は、上記の欠点を回避可能なプロセスを提供することであり、特にコンタクト構造として既知のデバイスになお影響する制限及び欠点を克服するような構造的及び機能的な特徴を有する、特に強誘電体タイプの半導体デバイスのコンタクト構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明によれば、請求項1及び9にそれぞれ記載された集積デバイス及びその製造プロセスが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
本発明をより理解するために、好適な実施例が、付属の図面を参照して説明されるが、この例は単に説明のためであり、本発明を制限するものではない。
図2は、半導体材料の基板5に集積され、数個のメモリセル2を有する強誘電体タイプのメモリアレイ1の一部を示す。
各メモリセル2は、MOSトランジスタ3と共に、それに直列に接続された強誘電体容量4とを備える。
【0016】
メモリアレイ1のメモリセル2は、既知の方法で、ワード線WLとビット線BLで組織され、各セル2はワード線とビット線との交点により一義的に規定される。
各MOSトランジスタ3は、基板5に形成され、N+型又はP+型がドープされた各ソース領域6Aとドレイン領域6Bとを備える。
【0017】
さらに、2重ポリシリコン及びシリサイド層により形成された制御電極7は、基板5のチャンネル領域に重ねられ、チャンネル領域はソース領域6Aとドレイン領域6Bの間に備えられ、薄い酸化層8により基板5の表面から絶縁される。この構成で、隣接し且つ同一のビット線BLに属する1組のトランジスタは、共通のドレインターミナル6Bを有する。
【0018】
例えばボロン(ホウ素)及びりんがドープされた酸化物(BPSG)である第1の絶縁層9が基板5をコートする。
開口36は、第1の絶縁層9内の、ソース領域6Aとドレイン領域6B上に形成され、それぞれのコンタクト10A,10Bを収容する。
【0019】
コンタクト10A,10Bは、(図3に示すように)互いに上に配置されたチタン層31と窒化チタン層32とを備える導電材料層30である。コンタクト10A,10Bのそれぞれは、第1の絶縁層9の開口の側壁と底をコートするコーティング部20A,20Bと、第1の絶縁層9の上面に伸びる水平部分21A,21Bとを備える。コンタクト10A,10Bの各コーティング部分20A,20Bの内側の領域又は体積35は空である。
【0020】
例えば、白金(プラチナ)でできた第1及び第2の導電領域11A,11Bは、コンタクト10A,10Bの水平部分21A,21Bを覆い、その上面でコンタクト10A,10Bをシールする。第1の導電領域11Aは強誘電体容量4の底板を形成し、少なくとも部分的にはトランジスタ3の制御電極7の上に伸びる。
【0021】
さらに、各容量4は、強誘電体材料領域12と上板13とを備える。強誘電体材料領域12は、共通なドレイン領域11Bを有さない2個のメモリセル2に属する1組の隣接する第1の導電領域11Aの上及び間に、(1999年4月30日付けで出願されたイタリア国特許出願TO99A000356)に記載されたように)図の平面に対して垂直な方向に伸びる帯を形成する。
【0022】
上電極13は、例えば白金などの金属で、図の平面に対して垂直に強誘電体材料領域12の上面に伸びる帯により形成される。特に、図2の断面図から分かるように、上面電極13は、強誘電体容量4の底面電極を形成する第1の導電領域11Aより狭い幅を有する。
強誘電体容量4の上には、連続して第2の絶縁層14、ビット線を形成し且つ図の水平方向に伸びる第1の金属線18(メタル1)、第3の絶縁層15、及びワード線を形成し且つ第3の絶縁層15の内側を図の平面に垂直な方向に伸びる第2の金属線19(メタル2)が伸びている。コンタクト領域22は、第2の絶縁層14を通って、第1の金属線18と第2の導電領域11Bの間に伸びて、第2の導電領域11Bと第2のコンタクト10Bを通って、第1の金属線18をドレイン領域6Bに電気的に接続する。
【0023】
図2の構造は、以下に説明する方法で得られる。最初に、厚い酸化(フィールド酸化)領域16が基板5内に形成され、強誘電体メモリデバイス1の導電部分又は活性部分を規定する。活性部分の内部及び上面には、MOSトランジスタ3、すなわち薄い酸化層8、制御ゲート電極7、及びソース領域6Aとドレイン領域6Bが形成される。詳細は説明しない公知の方法で、ソース領域6Aとドレイン領域6Bの接合(ジャンクション)(P+又はN+)が、本発明によるコンタクト構造を通して順に接触される酸化物スペーサにより、可能な限り離すことができる。
【0024】
次に、第1の絶縁層9が基板5の上に堆積される。第1の絶縁層9には、コンタクトマスク及び続く酸化エッチを使用して、開口36がソース領域6Aとドレイン領域6Bの上に作られ、第1の絶縁層9を通して基板5にアクセス可能にする。
次に、本発明の主題を形成するコンタクト構造10A,10Bが、導電性材料層30を堆積することにより形成される。
【0025】
可能な実行方法では、限定的でない例として、チタン層31がプラズマ堆積(PVD)又は他の堆積技術を使用して第1の絶縁層9の上に堆積され、そしてTiN層32が化学的堆積(CVD)又は他の堆積技術を使用して堆積される。例えば、チタン層31は10と100nmの間の厚さを有し、好ましくは35nmの厚さを有し、TiN層32は50と200nmの間の厚さを有し、好ましくは100nmの厚さを有する。
【0026】
チタン層だけ又は窒化チタン層だけを形成することも可能であるが、できれば両方の層を有することが望ましい。
それにより、導電材料層30は、開口36の側壁と底面をほぼ適合した方法でコートし、コンタクト10A,10Bを形成する。この点において、コンタクト10A,10Bの壁の間に構成された領域35は、空のまま残る。
【0027】
次に、例えば白金で作られた導電層が非適合な方法で堆積され、導電層が導電材料層と一緒に整形され、コンタクト10A,10Bの水平部分21Aと21B及び第1と第2の導電領域11A,11Bが同時に形成される。
実験的な試験から、第1及び第2の導電領域11A,11Bを形成する導電層が上面でコンタクト10A,10Bをシールし、十分な平坦を維持することが注目される。いずれにしろ、空領域35の幅は導電材料層30の幅に類似している(又は少し大きい)ことが望ましい。MOSトランジスタ3のソース領域6Aとドレイン領域6Bを形成するN+,P+接合と、第1及び第2の導電領域11A,11Bを形成する導電層との間の導電は、Ti/TiN導電材料層30により保証され、それは、開口36の形状により、基板5から第1の絶縁層9の上表面まで届く。
【0028】
最後に、強誘電体容量4は、現在の技術及び前述の1999年4月30日付けで出願されたイタリア国特許出願TO99A000356に記載されたプロセス工程に従って形成される。
上記のコンタクト構造10A,10Bは、公知の構造で議論した上記の問題を解決する。さらに、タングステン堆積のような水素の存在下で行うプロセス工程の省略は、強誘電体材料が水素により劣化するので、その品質の観点から利点がある。
【0029】
最後に、これまで説明し例示したデバイス及び製造プロセスについて、本発明の範囲を離れること無しに、付属の請求項で定義した変形例が可能であることが明らかである。特に、説明したコンタクト構造は、第1の導電領域を電気的に接続する必要があり、異なる高さに配置された第2の導電領域(例えば、金属領域)を有するように(基板内に埋め込んで又は基板の上面に絶縁層で囲んで)形成するいかなる電子デバイスでも使用できる。特に、本発明は、連続する金属領域を、図4に例示として示したように、第1の金属線41と第2の金属線42の間に形成されたコンタクト構造40に接続する領域にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】図1は、既知の強誘電体メモリアレイの部分の断面を示す。
【図2】図2は、本発明のコンタクト構造を備える強誘電体メモリアレイの断面を示す。
【図3】図3は、図2の拡大した詳細図を示す。
【図4】図4は、本発明のコンタクト構造の変形例を示す。
Claims (18)
- 少なくとも1つの第1の導電領域(6A;6B;40)と、
少なくとも1つの第2の導電領域(11A;11B;41)と、
前記第1と第2の導電領域の間に伸びる絶縁層(9;43)と、
前記第1と第2の導電領域の間の前記絶縁層(9;43)内に伸びる少なくとも1つのスルー開口(36)と、
前記スルー開口内に形成され、前記第1と第2の導電領域を電気的に接続する導電材料層(30)を備えるコンタクト構造(10A;10B;40)とを備える集積デバイスであって、
前記コンタクト構造(10A;10B;40)は、空の領域(35)を備えることを特徴とする集積デバイス。 - 請求項1に記載の集積デバイスであって、
前記スルー開口(36)は、側方の範囲を限る表面と、前記第1の導電領域(6A;6B;41)に面する底面とを有し、
前記導電材料層(30)は、前記スルー開口(36)の前記側面と前記底面とをコートし、
前記空の領域(35)は、前記導電材料層(30)により囲まれていることを特徴とする集積デバイス。 - 請求項1又は2に記載の集積デバイスであって、
前記導電材料層(30)は、チタン層(31)を備えることを特徴とする集積デバイス。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の集積デバイスであって、
前記導電材料層(30)は、窒化チタン層(32)を備えることを特徴とする集積デバイス。 - 請求項2から4のいずれか1項に記載の集積デバイスであって、
前記空の領域(35)は、前記第2の導電領域(11A;11B;42)により上面で閉じていることを特徴とする集積デバイス。 - 請求項5に記載の集積デバイスであって、
前記第2の導電領域(11A,11B)は、白金を含むことを特徴とする集積デバイス。 - 請求項2から6のいずれか1項に記載の集積デバイスであって、
前記導電材料層(30)は、前記スルー開口(36)の前記側面と前記底面とをコートするコーティング部分(20A,20B)と、前記絶縁層(9)の上面と前記第2の導電領域(11A,11B)の下に伸びる水平部分(21A,21B)とを備えることを特徴とする集積デバイス。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の集積デバイスであって、
当該集積デバイスは、
基板(5)と、前記基板に形成された第1の導電領域(6A,6B)を有するトランジスタ(3)と、強誘電体材料領域(12)により分離された第1のプレート(11A)及び第2のプレート(13)を有する強誘電体容量(4)とを備え、前記第1の導電領域(6A)は前記トランジスタ(3)の前記第1導電領域を形成し、前記第2の導電領域(11A)は前記強誘電体容量の前記第1のプレートを形成する強誘電体メモリ(1)であることを特徴とする集積デバイス。 - 半導体デバイス(1)を製造する方法であって、
少なくとも1つの第1の導電領域(6A;6B;41)を形成するステップと、
前記第1の導電領域をコートする絶縁層(9;43)を形成するステップと、
前記第1の導電領域の上の前記絶縁層(9;43)内に少なくとも1つのスルー開口(36)を形成するステップと、
領域(35)を限る導電材料層(30)を備えるコンタクト構造(10A;10B;40)を前記スルー開口内に形成するステップと、
前記絶縁層の前記スルー開口の上に第2の導電領域(11A;11B;42)を形成するステップとを備える方法であって、
前記コンタクト構造(10A;10B;40)により限られる前記領域(35)は、空で残されることを特徴とする方法。 - 請求項9に記載の半導体デバイスを製造する方法であって、
前記導電材料層(30)は、チタン層(31)を堆積して得られることを特徴とする方法。 - 請求項10に記載の半導体デバイスを製造する方法であって、
前記チタン層(31)はPVDにより堆積されることを特徴とする方法。 - 請求項10又は11に記載の半導体デバイスを製造する方法であって、
前記チタン層(31)は、10nmと100nmの間の厚さを有し、好ましくは35nmの厚さを有することを特徴とする方法。 - 請求項9から12のいずれか1項に記載の半導体デバイスを製造する方法であって、
前記導電材料層(30)は、窒化チタン層(32)の堆積により得られることを特徴とする方法。 - 請求項13に記載の半導体デバイスを製造する方法であって、
前記窒化チタン層(32)はCVDにより堆積されることを特徴とする方法。 - 請求項13又は14に記載の半導体デバイスを製造する方法であって、
前記窒化チタン層(32)は、50nmと200nmの間の厚さを有し、好ましくは100nmの厚さを有することを特徴とする方法。 - 請求項9から15のいずれか1項に記載の半導体デバイスを製造する方法であって、
前記第2の導電領域(11A;11B;42)を形成するステップは、前記領域(35)上に非適合方法で導電材料を堆積することを備えることを特徴とする方法。 - 請求項16に記載の半導体デバイスを製造する方法であって、
第2の導電領域(11A;11B)は、白金を含むことを特徴とする方法。 - 請求項9から17のいずれか1項に記載の半導体デバイスを製造する方法であって、
当該集積回路は、少なくとも1つのトランジスタ(3)と少なくとも1つの強誘電体容量(4)とを備える強誘電体メモリ(1)であり、
前記第1の導電領域(6A;6B;41)を形成するステップは、半導体材料の基板(5)内に前記トランジスタ(3)の第1の導電領域(6A)を形成することを備え、
前記絶縁層(9)を形成するステップは、前記基板(5)の上に絶縁材料を堆積することを備え、そして
前記第2の導電領域を形成するステップは、前記強誘電体容量(4)の第1のプレート(11A)を形成することを備え、そしてさらに
前記第1プレートの上に強誘電体材料領域(12)を形成するステップと、前記強誘電体材料領域の上に前記強誘電体容量の第2のプレート(13)を形成するステップとを特徴とする方法。
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