JP2004521740A5 - - Google Patents

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  1. 化学式1で表示されるキラルサレン触媒であって、
    Figure 2004521740
    上記の式中、R、R、R’、R’、X、X、X、X、X、X、X、X、Y及びYは互いに独立して水素原子、C〜Cアルキル基、C〜Cアルケン基、C〜Cアルキン基、C〜Cアルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、チオール基、ニトロ基、アミン基、イミン基、アミド基、カルボニル基、カルボキシル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、セレノエーテル基、ケトン基、アルデヒド基、エステル基、ホスホリル基、ホスホネート基、ホスフィン基、スルホニル基、または(CH−Rであり、Rはフェニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を示し、kは0から8までの整数である)か、またはいずれか二個以上の近接した R、R、R’、R’、X、X、X、X、X、X、X、X、Y及びYが環をなし、4個ないし10個の原子で構成された炭素環、または複素環を形成でき、Rは直接結合、−CH−、−CHCH−、−NH−、−O−、または−S−を示し、MはCo、Cr、Mn、Fe、Mo及びNiからなる群から選択された金属原子を示し、LはBまたはAlを示し、QはF、Cl、Br及びIからなる群から選択されたハロゲン原子であり は0から4までの整数である触媒。
  2. 上記のX、X、X、X、X、X、X、X、Y及びYは、互いに独立して水素原子、C〜Cアルキル基及びC〜Cアルコキシ基からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のキラルサレン触媒。
  3. 上記のX、X、X、X、X、X、X及びXは、互いに独立して水素原子またはt−ブチル基であり、上記のY及びYはすべて水素原子である請求項2に記載のキラルサレン触媒。
  4. 及びR’が、互いに組合わさってC〜Cの炭素環を形成して、R’及びRが水素原子、C〜Cアルキル基、またはC〜Cアルコキシ基であるか、またはR’及びRが素原子、C〜Cアルキル基、及びC〜Cアルコキシ基であり、R及びR’が互いに組合わさってC〜Cの炭素環を形成することを特徴とする請求項1に記載のキラルサレン触媒。
  5. LQが、BF、BCl、BBrまたはAlClであることを特徴とする請求項1に記載のキラルサレン触媒。
  6. LQが、BFであることを特徴とする請求項1に記載のキラルサレン触媒。
  7. 上記のMは、Coであることを特徴とする請求項1に記載のキラルサレン触媒。
  8. 上記の触媒が、次の化学式1aまたは化学式1bで表示され、
    Figure 2004521740
    Figure 2004521740
    上記の化学式1aまたは1bで、nは0から4までの整数である請求項1に記載のキラルサレン触媒。
  9. 請求項1に記載の化学式1で表示されるキラルサレン触媒の製造方法であって、次の化学式3で表示される化合物を0.5当量のLQと反応させることを含み、
    Figure 2004521740
    上記式中、R、R、R’、R’、R、X、X、X、X、X、X、X、X、Y、Y、M、L及びQは、上記の請求項1で定義したものと同様であるキラルサレン触媒の製造方法。
  10. 上記の X、X、X、X、X、X、X、X、Y及びYは、互いに独立して水素原子、C〜Cアルキル基、及びC〜Cアルコキシ基からなる群から選択されることを特徴とする請求項9に記載のキラルサレン触媒の製造方法。
  11. 上記のX、X、X、X、X、X、X及びXは、互いに独立して水素原子またはt−ブチル基であり、上記のY及びYはすべて水素原子である請求項10に記載のキラルサレン触媒の製造方法。
  12. 及びR’が互いに組合わさってC〜Cの炭素環を形成し、R’及びRが水素原子、C〜Cアルキル基、またはC〜Cアルコキシ基であるか、またはR’及びRが水素原子、C〜Cアルキル基、及びC〜Cアルコキシ基であり、R及びR’が互いに組合わさってC〜Cの炭素環を形成することを特徴とする請求項9に記載のキラルサレン触媒の製造方法。
  13. LQが、BF、BCl、BBrまたはAlClであることを特徴とする請求項9に記載のキラルサレン触媒の製造方法。
  14. LQが、BFであることを特徴とする請求項9に記載のキラルサレン触媒の製造方法。
  15. 上記のBFが、ホウ素トリフルオライド−ジハイドレート、ホウ素トリフルオライド−酢酸、ホウ素トリフルオライド−t−ブチルメチルエーテレート、ホウ素トリフルオライド−ジブチルエーテレート、ホウ素トリフルオライド−ジエチルエーテレート、ホウ素トリフルオライド−ジメチルエーテレート、ホウ素トリフルオライド−エチルアミン、ホウ素トリフルオライド−メタノール、ホウ素トリフルオライド−メチルスルファイド、ホウ素トリフルオライド−フェノール、ホウ素トリフルオライド−リン酸、ホウ素トリフルオライド−プロパノール、及びホウ素トリフルオライド−テトラヒドロフランで構成された群から選択されるホウ素トリフルオライド誘導体の形態で添加されることを特徴とする請求項14に記載のキラルサレン触媒の製造方法。
  16. 上記のMは、Coであることを特徴とする請求項9に記載のキラルサレン触媒の製造方法。
  17. 上記の触媒が次の化学式1aまたは化学式1bで表示され、
    Figure 2004521740
    Figure 2004521740
    上記の化学式1aまたは1bにおいて、nは0から4までの整数である請求項9に記載のキラルサレン触媒の製造方法。
  18. ラセミックエポキシドを立体選択的に加水分解反応させてキラルエポキシド、またはキラル1,2−ジオールのキラル化合物を製造する方法において、上記の反応に、請求項1に記載された化学式1のキラルサレン触媒を使用することを特徴とするキラル化合物の製造方法。
  19. 上記の X、X、X、X、X、X、X、X、Y及びYは、互いに独立して水素原子、C〜Cアルキル基、及びC〜Cアルコキシ基で構成された群から選択されることを特徴とする請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  20. 上記のX、X、X、X、X、X、X及びXは、互いに独立して水素原子またはt−ブチル基であり、上記のY及びYはすべて水素原子である請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  21. 及びR’が互いに組合わさってC〜Cの炭素環を形成して、R’及びRが水素原子、C〜Cアルキル基、またはC〜Cアルコキシ基であるか、またはR’及びRが水素原子、C〜Cアルキル基及びC〜Cアルコキシ基であり、R及びR’が互いに組合わさってC〜Cの炭素環を形成することを特徴とする請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  22. LQが、BF、BCl、BBrまたはAlClであることを特徴とする請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  23. LQが、BFであることを特徴とする請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  24. 上記のMは、Coであることを特徴とする請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  25. 上記の触媒が、次の化学式1aまたは化学式1bで表示され、
    Figure 2004521740
    Figure 2004521740
    上記の化学式1aまたは1bにおいて、nは0から4までの整数である請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  26. 上記のラセミックエポキシドが次の化学式4で表示され、
    Figure 2004521740
    上記の化学式4において、RはC〜C10のアルキル基、C〜Cアルケン基、C〜Cアルキン基、C〜Cのシクロアルキル基、C〜C10のアルコキシ基、フェニル基、カルボニル基、カルボキシル基、ケトン基、アルデヒド基、エステル基、ホスホリル基、ホスホネート基、ホスフィン基、スルホニル基、または(CH−Rであり、RはC〜Cアルケン基、C〜Cアルキン基、C〜Cアルコキシ基、フェニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、チオール基、ニトロ基、アミン基、イミン基、アミド基、カルボニル基、カルボキシル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、セレノエーテル基、ケトン基、アルデヒド基、エステル基、ホスホリル基、ホスホネート基、ホスフィン基またはスルホニル基を示し、lは0から8までの整数である請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  27. 上記の方法が、
    a) ラセミックエポキシドを請求項1に記載された化学式1のキラルサレン触媒の存在下で水と反応させて加水分解させる工程と、
    b) 未反応のキラルエポキシドまたは加水分解され生成されたキラル1,2−ジオールを精製する工程とを含むことを特徴とする請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  28. 上記の精製されたキラル化合物が、未反応のキラルエポキシドであることを特徴とする請求項18に記載のキラル化合物の製造方法。
  29. または Cl である請求項1に記載のキラルサレン触媒。
  30. である請求項1に記載のキラルサレン触媒。
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