JP2004517501A - ウエハをチップに分割する方法 - Google Patents
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Abstract
ウエハを長さ寸法の小さいチップに分割しようとすると、ウエハの厚みが大きい場合ウエハの裏側に割れが生じ、収量が低下する。本発明はこれを避けるべく、ウエハ(1)をチップ(11)に分割するにあたり、裏側からウエハ(1)の破断個所を薄くするように凹部(7)を形成する。こうして長さ寸法、即ちその幅がチップの厚さの2倍以下のチップ(11)とし、チップ化のための破断時の、ウエハの裏側からの破れを防いで収量を向上する。
Description
【0001】
本発明は、ウエハをまず分割線に沿って薄くし、次いでこの分割線に沿って破断するウエハのチップへの分割方法に関する。
【0002】
この種の方法は、一般に公知である。通常ウエハの破断前に刻み目を付ける。この方法は分割工程により材料の損失と結びつかず、極めて有利である。しかし材料の損失は、材料に依存するウエハの厚さの、チップのエッジ長さに対する比率がある限界を越えない場合にだけ回避される。ウエハがGaAsやInPの化合物半導体の場合、この比率は約2〜2.5:1である。もしこの限界を越えると、特に裏側の破れが生じ、収量が低下する。従って、チップを小さくする必要がある際、チップの厚さも薄くせねばならない。しかし市販のウエハは規定の厚さを持つので、チップの長さ寸法の縮小は限定的に可能であるに過ぎない。
【0003】
この従来技術から出発して、本発明の課題は厚いウエハを長さ寸法の小さいチップに分割できる分割方法を提供することにある。
【0004】
この課題は、分割線の格子寸法がウエハの厚さの2倍以下であり、該ウエハに分割線に沿って凹部を設け、次にこの線に沿って破断することで解決される。
【0005】
ウエハを鋸挽きすることで、ウエハの厚さを局所的に許容寸法にする。次いでこのウエハに、従来法により更に割れ目を形成し、破れる危険性なく破断することができる。従ってこの方法は、厚いウエハを長さ寸法の小さいチップに分割することを可能にする。
【0006】
本発明の他の有利な実施形態は、従属請求項の対象である。
【0007】
本発明を添付図面に基づき以下に詳述する。
【0008】
図1に概略的に断面を示すウエハ1は、基板2とその上に次々と成長させた多数の半導体層を含むエピタキシャル層3を備える。厳密な層の順序は、各エピタキシャル層3が備える機能に依存する。本方法は、特に発光ダイオードチップの製造に使用するのに適する。その場合、エピタキシャル層は、例えば単層ヘテロ構造、二重ヘテロ構造、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を有していてもよい。このような発光ダイオード構造は、この分野の専門家に公知であり、従ってここでは詳述しない。
【0009】
基板2の厚さは典型的には100μm以内である。エピタキシャル層3の厚さは典型的には10μm又はそれ以下である。エピタキシャル層3の基板2に面していない側(以後表側4と呼ぶ)に、接触部5が形成されている。エピタキシャル層3に面していない基板2の裏側6から、ウエハ1内にスリット状の凹部7を設けてあり、該凹部によりウエハ1は、凹部7の格子寸法8が、凹部7の下のウエハ1の残りの厚さdの2倍以上となるよう局部的に薄くされている。格子寸法とは、2つの隣接する凹部7の中間のそれぞれの間隔のことである。
【0010】
この凹部7を、鋸挽きにより形成するとよい。しかし、凹部7は例えばレーザにより研削又は切断して形成できるような、他の材料除去法によっても形成できる。しかしまたスリット状の凹部7の代わりに、一連の僅かな間隔あけて並列に配置した穿孔を形成することも考えられる。
【0011】
ウエハ1の裏側に凹部7を形成した後、ウエハ1のその基板の側(即ち凹部が担体箔9に面している側)に担体箔9を施し、この表側4から格子寸法8に応じて、即ち凹部に対して垂直に、刻み目を設ける。引続きウエハ1を担体箔9と共に、担体箔9を破断用楔に向けた状態で、破断用楔10上で引っ張り、こうして個々のチップ11に分割する。
【0012】
この方法は、例えばGaAsやInPのようなIII−V化合物半導体をベースとして形成されるウエハ1の分割に特に有効である。通常チップの長さ寸法、即ちウエハに平行に延びるチップのエッジの長さは、十分に欠陥のない分割工程を保証するため、少なくともウエハの厚さの2倍なければならない。
【0013】
ここに長さ寸法とは、ウエハ1の格子寸法8、つまりウエハから形成されたチップ11の幅又は長さのことである。ここに記載した方法により、それら長さ寸法がウエハ1の厚さDの2倍以下のチップ11にウエハ1を分割することができる。チップの寸法に比べて厚さDが大きい場合も、分割工程時の失敗、特に裏側の破れによる損失はごく僅かに過ぎない。
【0014】
本発明方法は、ウエハ1を例えばウエハ1の長さ寸法の、厚さDに対する比率が1.66:1であるチップ11に分割するために利用できる。この場合、分離プロセス中の収量の損失は0.5%以下である。それに対して鋸挽きを凹部7の形成に使用しない場合は、その収量の損失は15〜20%である。
【図面の簡単な説明】
【図1】裏側から鋸挽きしたウエハの概略断面図。
【図2】破断工程中のウエハの概略断面図。
【符号の説明】
1 ウエハ、2 基板、3 エピタキシャル層、4 接触部、5 表側、 6 裏側、7 凹部、8 格子寸法、9 担体箔、10 破断用楔、11 チップ、D ウエハの全厚み、d ウエハの残りの厚み
本発明は、ウエハをまず分割線に沿って薄くし、次いでこの分割線に沿って破断するウエハのチップへの分割方法に関する。
【0002】
この種の方法は、一般に公知である。通常ウエハの破断前に刻み目を付ける。この方法は分割工程により材料の損失と結びつかず、極めて有利である。しかし材料の損失は、材料に依存するウエハの厚さの、チップのエッジ長さに対する比率がある限界を越えない場合にだけ回避される。ウエハがGaAsやInPの化合物半導体の場合、この比率は約2〜2.5:1である。もしこの限界を越えると、特に裏側の破れが生じ、収量が低下する。従って、チップを小さくする必要がある際、チップの厚さも薄くせねばならない。しかし市販のウエハは規定の厚さを持つので、チップの長さ寸法の縮小は限定的に可能であるに過ぎない。
【0003】
この従来技術から出発して、本発明の課題は厚いウエハを長さ寸法の小さいチップに分割できる分割方法を提供することにある。
【0004】
この課題は、分割線の格子寸法がウエハの厚さの2倍以下であり、該ウエハに分割線に沿って凹部を設け、次にこの線に沿って破断することで解決される。
【0005】
ウエハを鋸挽きすることで、ウエハの厚さを局所的に許容寸法にする。次いでこのウエハに、従来法により更に割れ目を形成し、破れる危険性なく破断することができる。従ってこの方法は、厚いウエハを長さ寸法の小さいチップに分割することを可能にする。
【0006】
本発明の他の有利な実施形態は、従属請求項の対象である。
【0007】
本発明を添付図面に基づき以下に詳述する。
【0008】
図1に概略的に断面を示すウエハ1は、基板2とその上に次々と成長させた多数の半導体層を含むエピタキシャル層3を備える。厳密な層の順序は、各エピタキシャル層3が備える機能に依存する。本方法は、特に発光ダイオードチップの製造に使用するのに適する。その場合、エピタキシャル層は、例えば単層ヘテロ構造、二重ヘテロ構造、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を有していてもよい。このような発光ダイオード構造は、この分野の専門家に公知であり、従ってここでは詳述しない。
【0009】
基板2の厚さは典型的には100μm以内である。エピタキシャル層3の厚さは典型的には10μm又はそれ以下である。エピタキシャル層3の基板2に面していない側(以後表側4と呼ぶ)に、接触部5が形成されている。エピタキシャル層3に面していない基板2の裏側6から、ウエハ1内にスリット状の凹部7を設けてあり、該凹部によりウエハ1は、凹部7の格子寸法8が、凹部7の下のウエハ1の残りの厚さdの2倍以上となるよう局部的に薄くされている。格子寸法とは、2つの隣接する凹部7の中間のそれぞれの間隔のことである。
【0010】
この凹部7を、鋸挽きにより形成するとよい。しかし、凹部7は例えばレーザにより研削又は切断して形成できるような、他の材料除去法によっても形成できる。しかしまたスリット状の凹部7の代わりに、一連の僅かな間隔あけて並列に配置した穿孔を形成することも考えられる。
【0011】
ウエハ1の裏側に凹部7を形成した後、ウエハ1のその基板の側(即ち凹部が担体箔9に面している側)に担体箔9を施し、この表側4から格子寸法8に応じて、即ち凹部に対して垂直に、刻み目を設ける。引続きウエハ1を担体箔9と共に、担体箔9を破断用楔に向けた状態で、破断用楔10上で引っ張り、こうして個々のチップ11に分割する。
【0012】
この方法は、例えばGaAsやInPのようなIII−V化合物半導体をベースとして形成されるウエハ1の分割に特に有効である。通常チップの長さ寸法、即ちウエハに平行に延びるチップのエッジの長さは、十分に欠陥のない分割工程を保証するため、少なくともウエハの厚さの2倍なければならない。
【0013】
ここに長さ寸法とは、ウエハ1の格子寸法8、つまりウエハから形成されたチップ11の幅又は長さのことである。ここに記載した方法により、それら長さ寸法がウエハ1の厚さDの2倍以下のチップ11にウエハ1を分割することができる。チップの寸法に比べて厚さDが大きい場合も、分割工程時の失敗、特に裏側の破れによる損失はごく僅かに過ぎない。
【0014】
本発明方法は、ウエハ1を例えばウエハ1の長さ寸法の、厚さDに対する比率が1.66:1であるチップ11に分割するために利用できる。この場合、分離プロセス中の収量の損失は0.5%以下である。それに対して鋸挽きを凹部7の形成に使用しない場合は、その収量の損失は15〜20%である。
【図面の簡単な説明】
【図1】裏側から鋸挽きしたウエハの概略断面図。
【図2】破断工程中のウエハの概略断面図。
【符号の説明】
1 ウエハ、2 基板、3 エピタキシャル層、4 接触部、5 表側、 6 裏側、7 凹部、8 格子寸法、9 担体箔、10 破断用楔、11 チップ、D ウエハの全厚み、d ウエハの残りの厚み
Claims (11)
- ウエハ(1)を、まず分割線に沿って薄くし、次いでこの分割線に沿って破断する、ウエハ(1)をチップ(11)に分割する方法において、分割線の格子寸法(8)が、ウエハ(1)の全厚み(D)の2倍以下であり、かつ凹部(7)の部分における格子寸法(8)の、ウエハ(1)の残りの厚み(d)に対する比率が2:1と等しいかそれ以上となるように、ウエハ(1)に分割線に沿って凹部(7)を設け、その後ウエハを破断することを特徴とするウエハ(1)をチップ(11)に分割する方法。
- 凹部(7)を鋸挽きにより形成することを特徴とする請求項1記載の方法。
- 各チップに分割する前に、ウエハ(1)にエピタキシャル層(3)を設けることを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- ウエハ(1)のエピタキシャル層(3)に面する側から、ウエハ(1)に鋸挽きで刻み目を付けることを特徴とする請求項3記載の方法。
- ウエハ(1)に、エピタキシャル層(3)のある表側(4)からの破断前に刻み目を付けることを特徴とする請求項3又は4記載の方法。
- ウエハ(1)の破断前に、凹部(7)のあるウエハの裏側を担体箔(9)の方に向けてから、担体箔(9)上に設けることを特徴とする請求項1乃至5の1つに記載の方法。
- ウエハ(1)を担体箔(9)と共に破断用楔(10)上で引っ張ることを特徴とする請求項6記載の方法。
- エピタキシャル層(3)を、III−V化合物半導体物質をベースとして形成することを特徴とする請求項4乃至7の1つに記載の方法。
- エピタキシャル層(3)を、GaAs又はInPをベースとして形成することを特徴とする請求項8記載の方法。
- 分割線に沿って延びる破断面がレーザ共振器の鏡面であることを特徴とする請求項1乃至9の1つに記載の方法。
- エピタキシャル層(3)が発光ダイオード構造を有することを特徴とする請求項1乃至9の1つに記載の方法。
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