TWI246160B - Method to divide a wafer to chips - Google Patents
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Description
1246160 五、發明說明（2) 第2圖切斷過程中晶圓之橫切面。 第1圖中以橫切面所示之晶圓1具有基板2及一施加 在基板2上之磊晶層3(其含有個依序生長之半導體層） 。正確之層序列由磊晶層3之功能來決定。本方法特別 適用於發光二極體晶片之製造，其中該磊晶層如可具有一 種單一異質（Hetero)結構，一種雙（double)異質結構，一種 單一量子井結構或一種多（multi)量子井結構。此種發光二 極體結構已由此行之專家所知悉，此處不再說明。 基板2之厚度典型上是在100 μηι之範圍中。磊晶層3 之厚度是1 〇μηι或更小。在磊晶層3之遠離基板2之此 側（以下以前側4表示）上形成各接觸區5。由基板2之 遠離磊晶層3之背面6而來之方向中，在晶圓1中形成 狹縫式之凹口 7，藉此使晶圓1局部地被削弱，使凹口 7之網目大小8大於或等於凹口 7下方之晶圓1之仍存 在之厚度d之二倍。所謂網目大小是指二個相鄰凹口 7 之中央之間之距離。 各凹口 7以適當方式藉由切鋸而形成。但須注意：各 凹口 7亦可藉由其它去除材料所用之方法（例如，硏磨或 切割）藉助於雷射來形成。亦可形成一系列以較小間距而 相鄰配置之鑽孔以取代狹縫形之各凹口 7。 在晶圓1之背面上施加各凹口 7之後，此晶圓1之基 板側施加在承載箔9上（即，各凹口面向此承載箔9)且 由前側4而來之方向中對應於網目大小8 (即，各凹口成 垂直方向）來對晶圓1進行刻劃。然後對晶圓1及承載箔 1246160 五、發明說明（3) 進行拖拉（pull)使經由三角件10，承載箔因此面向三角 件ί 〇，以此種方式使晶圓劃分成各別之晶片11。 本方法特別是在劃分晶圓1時是有利的，晶圓以III-V-半導體化合物（例如，GaAs或Inp)爲主而製成。晶片之長 度大小（S卩，晶片之平行於晶圓而延伸之邊緣之長度）通常 必須是晶圓厚度之至少二倍大，以確保一種無缺陷之切割 過程。 所謂長度大小是指晶圓1之網目大小8，即，由晶圓所 製成之晶片1 1之寬度或長度。利用此處所述之方法，則可 使晶圓1劃分成晶片1 1，其中該長度大小較晶圓1之厚度 D之二倍還小。在形成此種對晶片大小之比値較大之厚度 D時，在切割過程中缺陷（特別是背面裂縫）只會造成很小 之損耗。 本發明之方法例如可用來使晶圓1劃分成晶片1 1 ’其中 晶圓1之長度大小對厚度D之比（ratio)是1.66:1。切割過 程中效益損耗此時小於〇 · 5 %。反之，未使用各切鋸狹縫7 時，則效益損耗是15-20%。 符號之說明 1 晶圓 2 基板 3 嘉晶層 4 前側 5 接觸區 6 背面 1246160 五、發明說明（4) 7 凹 □ 8 網 S 大小 9 承 載 箔 10 二 角 件 11 晶 片
Claims (1)
1246160 六、申請專利範圍 第9 1 1 0 0 3 6 9號「使晶圓劃分成晶片所用之方法」專利案 (92 年 7 月修正） 申請專利範圍 ... '：；'......^ 1. 一種使晶圓（1 )劃分成晶片（11 )所用之方法，晶圓（1 ) 首先沿著切割線而被削弱且隨後沿著切割線而斷開， 其特徵爲：切割線之網目大小（8 )小於晶圓（1 )之厚度 D之二倍且晶圓（1 )沿著切割線而設有凹口（ 7 )，使網 目大小對各凹口（ 7 )區中晶圓剩餘厚度之比（r a t i 〇 )等 於或大於2 : 1，然後使此晶圓斷開，使凹口之各邊緣 一起被擠壓且裂縫在與凹口相面對之此側上開始形成 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中各凹口（ 7 )藉由 切鋸而製成。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中晶圓（1 )在劃分 之前設有磊晶層（3 )。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中由晶圓（1 )之面 對磊晶層（3 )之此側而來之方向對晶圓（1 )進行切鋸。 5. 如申請專利範圍第3或4項之方法，其中由設有磊晶 層（3 )之前側而來之方向中在晶圓（1 )斷開之前對晶圓 (1 )之進行刻劃。 6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之方法，其中晶 圓（1 )在斷開之前施加在承載箔（9 )上，使各凹口（ 7 ) 面向此承載箔（9 )。 1246160 t、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中對晶圓（1 )及承 載箔（9 )進行拖拉使經由三角件（1 0 )。 8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之方法，其中磊 晶層（3 )以I I I - V -半導體化合物材料爲主而製成。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中磊晶層（3 )以 GaAs或Inp爲主而製成。 10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之方法，其中沿 著切割線而延伸之斷裂面是雷射共振器之鏡面。 11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之方法，其中磊 晶層（3 )具有發光二極體結構。
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