JP2004342622A - セラミックヒータ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発熱部及び少なくとも一つのリード部からなる発熱体と、該発熱体に接合された、アルミナを含む少なくとも一つのセラミック基材と、を有するセラミックヒータであって、前記発熱部の比抵抗が前記リード部の比抵抗よりも小さいことを特徴とするセラミックヒータを提供する。
【選択図】 図1
Description
(1)セラミック基板の作製
Al2O3粉末、SiO2粉末、CaCO3粉末、MgCO3粉末を配合させた混合物に、ポリビニルブチラール、ジブチルフタレート、メチルエチルケトン、トルエンを添加し、ボールミルで混合してスラリー状とした。その後、減圧脱泡し、ドクターブレード法により0.4mm厚のグリーンシートを作成して、セラミック基板1a及び1bを得た(図1)。
W粉末(純度99.9%,粒度1.5μm)と、Re粉末(純度99.9%,粒度1.5μm)又はAl2O3粉末を配合させた混合物に、ポリビニルブチラールと、ブチルカルビドールアセテートと、アセトンと、を添加し、ボールミルで混合してスラリー状とした。その後、アセトンを乾燥させ、タングステン/レニウムペースト又はタングステン/アルミナペーストとした。
図1に示す通り、1bのセラミック基板の表面に(2)で作製されたタングステン/レニウムペーストを厚膜印刷法により約30μmの厚さにスクリーン印刷し、発熱体の発熱部2を形成した。印刷された発熱部が乾燥した後、タングステン/アルミナペーストを同様に印刷し、リード部3a,3b及び端子部4a,4bを形成した。なお、発熱部2の両端2a、2bとリード部3a、3bの発熱部側の端末3c、3dと、およびリード部3a、3bの端子部側の端末3e、3fと端子部4a、4bのリード部側端末4c、4dとをそれぞれオーバーラップするように印刷して形成するとよい。
1aのセラミック基板で、端子部4a,4bを覆わず、発熱体の発熱部2及びリード部3a,3bを覆うように積層した。
(4)のヒータ成形体を250℃で、バインダーであるポリビニルブチラールとジブチルブタレートを樹脂抜きし、その後、水素雰囲気中で1550℃で焼成し、2枚のセラミック基板と発熱部2、リード部3a,3b、及び端子部4a,4bを一体化してセラミックヒータを得た。
図2及び図3(図2のX−X断面図)に示すとおり、セラミック基板1aに覆われていないセラミックヒータの両端子部4a、4bをニッケルメッキ6し、その後ロー材7を用いてリード線5を接合した。
(1)発熱部を100%タングステンとして、リード部の組成において、タングステンに対するアルミナの添加量が異なったセラミックヒータ1−1〜1−10を実施例1(1)〜(5)までと同様の方法で各々複数枚作製した。
発熱部を80%タングステン、20%レニウムとして、実施例2同様リード部の組成において、タングステンに対するアルミナの添加量ごとに破損確率を算出し、2−1〜2−10とした。この結果を表2に示す。
発熱部を70%タングステン、30%レニウムとして、実施例2同様リード部の組成において、タングステンに対するアルミナの添加量ごとに破損確率を算出し、3−1〜3−10とした。この結果を表3に示す。
発熱部を80%タングステン、20%レニウムとして、実施例2のリード部の組成にアルミナのかわりにスピネル(MgO・Al2O3)を用いた他は実施例2同様リード部の組成ごとに破損確率を算出し、4−1〜4−10とした。この結果を表4に示す。
発熱部を80%タングステン、20%レニウムとして、実施例2のリード部の組成にアルミナのかわりにジルコニア(ZrO2)を用いた他は実施例2同様リード部の組成ごとに破損確率を算出し、5−1〜5−10とした。この結果を表5に示す。
2 ・・・ 発熱部
3a,3b ・・・ リード部
4a,4b ・・・ 端子部
5 ・・・ リード線
6 ・・・ Niメッキ
7 ・・・ ロー材
Claims (3)
- 発熱部及び少なくとも一つのリード部からなる発熱体と、該発熱体に接合された、アルミナを含む少なくとも一つのセラミック基材と、を一体焼成してなるセラミックヒータであって、
前記発熱部の比抵抗が前記リード部の比抵抗よりも小さいことを特徴とするセラミックヒータ。 - 請求項1において前記リード部にマイグレーションを起こしにくいセラミックスを含むことを特徴とするセラミックヒータ。
- 請求項1又は2において、前記発熱部がタングステン及びレニウムを含むことを特徴とするセラミックヒータ。
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- 2004-07-16 JP JP2004209779A patent/JP2004342622A/ja active Pending
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