JP2004335509A - ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 - Google Patents
ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004335509A JP2004335509A JP2003124910A JP2003124910A JP2004335509A JP 2004335509 A JP2004335509 A JP 2004335509A JP 2003124910 A JP2003124910 A JP 2003124910A JP 2003124910 A JP2003124910 A JP 2003124910A JP 2004335509 A JP2004335509 A JP 2004335509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- frame electrode
- electrode portion
- fixing
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4901—Structure
- H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【課題】フレーム電極の高さのバラツキを矯正することなくフレーム電極部を固定する。
【解決手段】ワイヤボンダの固定用ステージ2に、各フレーム電極部4a〜4fの位置に対応させて、上下動可動な複数の部分固定用ステージピン2a〜2fを設ける。その上で、搬送レール3上にあるリードフレーム4の周縁部をフレーム押さえ1で固定し、その後、固定用ステージ2をリードフレーム4に向けて上昇させていきながら、各可動ピン2a〜2fの頭部2Tをそれに対応するフレーム電極部4a〜4fの下面に接触させて、固定用ステージ2を停止させる。その接触状態で、各固定用爪6をリードフレーム4に向けて下降させて、各固定用爪6を対応するフレーム電極部4a〜4fの上面に接触させることで、フレーム電極部4a〜4fを固定する。尚、頭部2Tを局部的に加熱しつつワイヤボンドしても良い。
【選択図】 図1
【解決手段】ワイヤボンダの固定用ステージ2に、各フレーム電極部4a〜4fの位置に対応させて、上下動可動な複数の部分固定用ステージピン2a〜2fを設ける。その上で、搬送レール3上にあるリードフレーム4の周縁部をフレーム押さえ1で固定し、その後、固定用ステージ2をリードフレーム4に向けて上昇させていきながら、各可動ピン2a〜2fの頭部2Tをそれに対応するフレーム電極部4a〜4fの下面に接触させて、固定用ステージ2を停止させる。その接触状態で、各固定用爪6をリードフレーム4に向けて下降させて、各固定用爪6を対応するフレーム電極部4a〜4fの上面に接触させることで、フレーム電極部4a〜4fを固定する。尚、頭部2Tを局部的に加熱しつつワイヤボンドしても良い。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、リードフレーム上に、半導体素子(例えばIGBT又はパワーMOSFETより成るスイッチング用パワー素子、及び/又は、制御用素子)を実装、又はチップ部品を実装、又は半導体素子とチップ部品とを混載実装して成る、半導体装置(例えば樹脂封止型半導体装置)を、ワイヤボンディングを通じて、製造する技術に関しており、特にワイヤボンダ(ワイヤボンディング装置)の、ワーク固定技術に関する。換言すれば、本発明は、ワイヤボンディング装置のワーク固定用ステージの改良技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
リードフレーム上に、半導体素子を、あるいはチップ部品を、あるいは半導体素子とチップ部品とから成る混載部品を実装して成る樹脂封止型半導体装置においては、殆どの場合、ワイヤボンディング工程時に、内部回路配線を実施しているが、機能の増大化に応じてフレーム電極部数が増え、そのために配線の引き回しが煩雑化すると共に、フレーム電極部の高さ方向におけるバラツキが生じる。
【0003】
この様なフレーム電極部の高さ方向におけるバラツキ解消を兼ねた、従来におけるワイヤボンディング時のフレーム電極部固定方法としては、リードフレーム下面側に位置するワイヤボンダの固定用ステージを上昇させ(ステップ1)、リードフレーム上面側に位置するワイヤボンダの各固定用爪を下降させる(ステップ2)ことで、リードフレームの各フレーム電極を固定用ステージと対応する固定用爪とで押さえ込み(ステップ3)、以って、フレーム電極部(ワークに該当)を固定している。これにより、各フレーム電極部の高さのバラツキは上記ステップ3で矯正される。
【0004】
【特許文献1】
特開昭56―158441号公報
【特許文献2】
特開2001―68499号公報
【特許文献3】
特開昭62―115732号公報
【特許文献4】
特開2001―244292号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のワイヤボンダを用いた方法では、以下の問題点(1)及び(2)が生じている。
【0006】
(1)フレーム電極部の高さバラツキ解消方法として上記の従来方法を採用する場合、ワイヤボンディング工程におけるワーク固定時に、フレーム電極部が変位し、チップ部品を搭載している半導体装置においては、チップの半田、又は、チップ部品自身が割れると言う問題点が発生し得る。即ち、前工程で橋渡しされたチップ部分の半田、及び、チップ部品自身に、ストレスが加わる。
【0007】
(2) 加えて、上記従来方法においてワークの固定を解除した際に、変位していたフレーム電極部が、金属フレームのバネ性によって、元の位置に戻る為、ボンディングを行ったワイヤ、及び、その接合部にストレスが生じ、信頼性が低下し、ワイヤ破断及び/又は接合部の剥離と言う問題点が、早期に発生する結果となる。即ち、ボンディング後に固定用爪と固定用ステージとが開放されると、フレーム電極部等は元の位置に戻る為、その変位量分のストレスが、ワイヤ及び/又はワイヤの接合部に、発生する。
【0008】
この発明は斯かる問題点(1)及び(2)に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、「樹脂封止型半導体装置において、ワイヤボンディング工程のワーク固定時に、フレーム電極部の高さにバラツキがあっても、リードフレームを変位させる事無くフレーム電極部を固定すること」を可能にする点にある。
【0009】
以下、添付図面を参照しつつ、リードフレーム上に、半導体素子を実装、又はチップ部品を実装、又は半導体素子とチップ部品とを混載実装して成る樹脂封止型半導体装置における、本発明の主題の適用例を、具体的に詳述する。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明の主題は、半導体素子及び/又はチップ部品がその上に実装されて成るリードフレームの各フレーム電極部を固定した上で、固定されたフレーム電極部に対してワイヤボンディングを行うワイヤボンディング方法であって、前記リードフレームの周縁部を固定し、各フレーム電極部毎に設けられた上下動可能な各可動ピンの頭部をそれぞれ対応するフレーム電極部の下面に向けて上昇させて前記フレーム電極部下面に接触させ、前記可動ピン頭部と前記フレーム電極部下面との各接触を保持しつつ、各固定用爪を当該爪に対応するフレーム電極部の上面に向けて下降させて前記フレーム電極部上面に接触させることで、前記各フレーム電極部を固定することを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
図1は、本実施の形態における、ワイヤボンディング工程におけるワーク固定方法を模式的に示す縦断面工程図であり、しかも、本工程で使用される本実施の形態に係るワイヤボンダの一部を示す装置構成図でもある。
【0012】
尚、図1の一例においては、チップ部品5a〜5cのみをリードフレーム4のフレーム電極部4a〜4f上に実装搭載している場合を示しているが、これは説明の便宜上の理由によるものであり、本実施の形態の技術的特徴(部分固定用ステージピンを備えるワイヤボンダ及びそれを用いたワーク固定方法)は、リードフレームの素子搭載部上に半導体素子のみを搭載して当該半導体素子とその周囲のフレーム電極部とをワイヤボンドする場合、あるいは、チップ部品と共に半導体素子をもリードフレーム上に搭載してワイヤボンドする場合の、何れにも、適用可能である。
【0013】
図1に示す通り、本ワイヤボンダは、フレーム電極部の固定を担うシステムとして、▲1▼搬送レール3に搭載されたリードフレーム4の周縁部を圧接によって固定するための、上下動可能なフレーム押さえ1と、▲2▼リードフレーム4の下面側に配置されており、例えばコントローラ(図示せず)によって上下動可能な(但し、後述するセンサ方式で以って各可動ピンの動作を制御する場合には、上下動せずに固定であっても良い)、固定用ステージ2と、▲3▼リードフレーム4の各フレーム電極部4a〜4fの配設位置に対応して固定用ステージ2に上下動自在に設けられている複数の可動ピン2P(2a〜2f)(部分固定用ステージピンとも称す)と、▲4▼各フレーム電極部4a〜4fの配設位置に対応してリードフレーム4の上面側に上下動可能に配置されており、それぞれは対応するフレーム電極部4a〜4fの上面に向けて下降してフレーム電極部上面に接触可能な、複数の固定用爪6とを備えている。ここで、各可動ピン2a〜2fは、その上下動により、当該ピン2Pに対応するフレーム電極部4FEP(4a〜4f)の下面に、当該フレーム電極部4FEPを変位させること無く、接触・支持することが可能である。例えば、各可動ピン2a〜2fは、対応フレーム電極部4FEP(4a〜4f)の下面に面接触してこれを支持する頭部2Tと、その一端部が頭部2Tに結合されており、当該一端部と他端部との間の部分が、固定用ステージ2に設けられた貫通孔(図示せず)に遊び(若干のクリアランス)を以って挿入された柱状部2Lとから、成立っている。
【0014】
この様に、本実施の形態においては、図1に示す様に、上下動可能な複数の可動ピン2a〜2fを固定用ステージ2に設けた上で、各可動ピン2a〜2fの頭部2Tをそれに対応するフレーム電極部4a〜4fの下面の位置まで上昇させて、頭部2Tで以って当該下面を支持することにより、各フレーム電極部4a〜4fの高さ方向のバラツキを矯正することなく、各フレーム電極部4a〜4fを固定する。この場合、各可動ピン2a〜2fは、それぞれ独立して上下動を行う。
【0015】
ここで、各可動ピン2P(2a〜2f)の上下動の一構成例として、各可動ピン2Pに対応するフレーム電極部4a〜4fのバネ力よりも軽いバネ力ないしは弾性力を有する弾性バネ(図示せず)で以って、各可動ピン2P(2a〜2f)の上下動制御ないしは位置制御を機械的に行うこととしても良い。この一例を採用する場合には、各可動ピン2Pの柱状部2Lにおける他端部に関する図1の図示(柱状部他端部は固定用ステージ2の貫通孔を介して下面から突出している状態が図示されている)とは異なり、柱状部2Lをその中に遊挿するための固定用ステージ側孔は固定用ステージ2の下面にまでは達しておらず(非貫通孔)、各固定用ステージ側孔の中には、当該孔の底面に一端が結合された弾性バネが配設されており、当該弾性バネの他端が当該孔内に遊挿された柱状部2Lの他端に結合されることとなる。従って、各固定用ステージ側孔内の弾性バネの伸長・伸縮により、各可動ピン2Pの柱状部2Lの上下動が制御される。
【0016】
これに対して、フレーム電極部4a〜4fのバネ力よりも軽いバネ力を有するバネを柱状部2Lに取り付けない方法としては、例えば、各可動ピン2Pにセンサーを設け、各可動ピン2Pの頭部2Tと対応するフレーム電極部4a〜4fの下面との距離を上記センサーで検出しながら各可動ピン2Pの上昇を外部のコントローラで電気的に制御し、上記センサーが頭部2Tとフレーム電極部下面との接触を検知した時点で、当該可動ピン2Pの上昇を停止させる様に、各可動ピン2Pの位置制御を個別に行っても良い。この制御方式においては、各可動ピン2Pの他端部は、図1に図示する通りに、固定用ステージ2の下面より突出する様に、上下動する。
【0017】
次に、図1の各ステップ1〜3を参照しつつ、ワイヤボンディングを行うための前工程である、フレーム電極部固定方法について記載する。
【0018】
<ステップ1>
リードフレーム4の周縁部は、搬送レール3の断面L字型切欠き部の底面上に載置されており、この状態において、外部コントローラ(図示せず)によって制御されたフレーム押さえ1が下降して、リードフレーム4の周縁部を固定する。その上で、外部コントローラ(図示せず)によって制御された固定用ステージ2が、リードフレーム4の下面に向けて(図1中の矢印方向へ)上昇する。その上昇に伴ない、各可動ピン2a〜2fの各々は、それに対応するフレーム電極部4a〜4fの下面に接触していく。
【0019】
図1の一例では、固定用ステージ2の上昇によって、平均的な下面位置よりも下方に位置するフレーム電極部4eの下面に、最初に、対応する可動ピン2eが面接触し、更に固定用ステージ2が上昇するので、可動ピン2eの頭部2Tとフレーム電極部4eの下面との接触を保ちつつ、可動ピン2eの柱状部2Lの他端は、固定用ステージ2の上昇が停止するまで、下方に移動し続ける。更なる固定用ステージ2の上昇により、次に、各可動ピン2b〜2d、2fの頭部2Tが対応するフレーム電極部下面と接触し、それ以降は、当該接触を保持しつつ、各可動ピン2b〜2d、2fの柱状部2Lの他端は、固定用ステージ2の上昇が停止するまで、下方に移動し続ける。更なる固定用ステージ2の上昇により、最後に、平均的な下面位置よりも上方に位置するフレーム電極部4aの下面に、可動ピン2aの頭部2Tが接触し、その後に、固定用ステージ2の上昇は停止する。と同時に、各可動ピン2a〜2fの柱状部2Lの他端は、それぞれに対応するフレーム電極部下面の高さに併せて、静止する。即ち、固定用ステージ2が停止した時点で、各可動ピン2a〜2fは、機械的(又は電気的)に固定される。ここで留意すべき点は、上記一連の上昇動作において、各フレーム電極部4a〜4fの下面は全く変位していない(不動)と言うことである。
【0020】
<ステップ2>
次に、各固定用爪6が、外部のコントローラ(図示せず)による制御の下で、対応するフレーム電極部4a〜4fの上面に向けて下降する。
【0021】
<ステップ3>
その後、各固定用爪6は、対応フレーム電極部上面に面接触して停止する。これにより、各フレーム電極部4a〜4fは固定される。その際、ステップ1で、フレーム電極部4a〜4fを変位させずにステージ位置を固定した為、フレーム電極部4a〜4fを変位させること無く、フレーム電極部4a〜4fを押さえ込んで固定することが出来る。
【0022】
これにより、チップ部品の半田付け部及び/又はチップ部品自身にストレスを与えること無く、固定された各フレーム電極部4a〜4fにおいて、ワイヤボンディングを引き続いて行うことが出来、しかも、ワイヤボンディング終了後の各フレーム電極部4a〜4fの固定開放時に(固定用ステージ2の下降及び固定用爪6の上昇)、ワイヤ及び/又はワイヤの接合部にストレスを与える事態は、発生しなくなる。
【0023】
<具体例>
図2は、実施の形態1に係るフレーム電極部固定方法により固定されたリードフレームに対してワイヤボンディングを実行した後のリードフレームを示す上面図である。又、図3は、図2に示すリードフレームに対して金属太線8のワイヤボンディングを更に実行した後のリードフレームを示す上面図である。
【0024】
図2及び図3の一例においては、半導体素子9A(パワー素子)及び半導体素子9B(制御素子)とチップ部品5とが、同一リードフレーム4上に混載実装されている。そして、両図2及び3においては、各フレーム電極部(部品搭載部;ワイヤボンディングを行う部分は全て「フレーム電極部」と呼ばれる)4FEPは、図1で記載した可動ピン2a〜2fに相当する可動ピン(部分固定用ステージピン)2Pの頭部2Tで以って、変形されること無く、接触・支持されていると共に、対応する固定用爪6で以って、上側から変形されること無く接触・支持されている。金属細線7の各々は、半導体素子9Bの電極(図示せず)と、その周囲の対応するフレーム電極部4FEPとを接続する。又、金属太線8の各々は、半導体素子9Aの電極(図示せず)と、その周囲の対応するフレーム電極部4FEPとを接続する。
【0025】
(実施の形態2)
金線を使用してワイヤボンドを行う等、ワイヤボンディング工程に際して固定用ステージに熱源を必要とする場合、従来技術においては、熱源としてヒーターを使用して同ステージを昇温している。しかしながら、この方法を実施の形態1で記載した可動ピン2P付き固定用ステージ2に適用するときには、各可動ピン2P(2a〜2f)に熱膨張が発生するため、この熱膨張が原因で、各可動ピン2P(2a〜2f)の柱状部2Lと、固定用ステージ2に設けられた各柱状部2Lを挿入するための各挿入孔(図示せず)の内で対応する孔との隙間(クリアランス)がなくなってしまい、あるいは、より狭くなってしまい、その結果、柱状部2Lの上下動が阻害されると言う問題点が発生する。即ち、高温下での設計が難しくなり、その様な適用の実現化は困難である。
【0026】
そこで、本実施の形態では、ワイヤボンディング工程に際してステージに熱源を必要とする場合に、I)図1のステップ3に示す様な各フレーム電極部4FEPの固定状態において、各可動ピン2Pの頭部2Tを局部的に昇温する。そのために、例えば光ビーム加熱の様な、非接触型で局部的加熱を行うことが出来る装置を併用する(この点につき、図4を参照)。更に、II)各可動ピン2Pの材料に、熱伝導率が比較的低いとされている材料を、例えばステンレスを選択する(頭部2Tから柱状部2Lの他端部に向けて熱伝達しにくい材料を使用する)ことで、柱状部2Lの熱膨張をより一層抑制することが出来る。
【0027】
本実施の形態の採用により、金線等を使用したワイヤボンディングを行うに際して必要箇所のみの昇温が可能となり、高温下においても各可動ピン2Pの動きに影響を与えることなく、上述した実施の形態1の作用効果を実現することが可能となる。
【0028】
(付記)
以上、本発明の実施の形態を詳細に開示し記述したが、以上の記述は本発明の適用可能な局面を例示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、記述した局面に対する様々な修正や変形例を、この発明の範囲から逸脱することの無い範囲内で考えることが可能である。
【0029】
【発明の効果】
本発明の主題によれば、(1)各フレーム電極部へのワイヤボンディングを行うに際して、各フレーム電極部を変位させることなく、つまり、各フレーム電極部における高さ方向のバラツキを維持したまま(矯正されることなく)、各フレーム電極部を固定することが出来る。このため、フレーム電極部間に跨るチップ部品の電極及び半田付け部分に印加されるストレスを抑制することが出来る。
【0030】
加えて、本発明の主題によれば、(2)ワイヤボンディング後に各フレーム電極部の固定を解除しても、各フレーム電極部の変位は生じないため、ワイヤボンディング後のワイヤ及び接合部分に印加されるストレスをも抑制することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係るフレーム電極部の固定方法を示す縦断面図である。
【図2】実施の形態1に係るフレーム電極部固定方法により固定されたリードフレームに対するワイヤボンディングを実行した後のリードフレームを示す上面図である。
【図3】図2に示すリードフレームに対する金属太線のワイヤボンディングを実行した後のリードフレームを示す上面図である。
【図4】実施の形態2に係る技術的特徴を模式的に示す縦断面図である。
【符号の説明】
1 フレーム押さえ、2 固定用ステージ、2a〜2f,2P 可動ピン(部分固定用ステージピン)、2T 頭部、3 搬送レール、4 リードフレーム、4a〜4f,4FEP フレーム電極部、5a〜5f,5 チップ部品、6 固定用爪、7金属細線、8 金属太線、9A パワー半導体素子、9B 制御用半導体素子。
【発明の属する技術分野】
この発明は、リードフレーム上に、半導体素子(例えばIGBT又はパワーMOSFETより成るスイッチング用パワー素子、及び/又は、制御用素子)を実装、又はチップ部品を実装、又は半導体素子とチップ部品とを混載実装して成る、半導体装置(例えば樹脂封止型半導体装置)を、ワイヤボンディングを通じて、製造する技術に関しており、特にワイヤボンダ(ワイヤボンディング装置)の、ワーク固定技術に関する。換言すれば、本発明は、ワイヤボンディング装置のワーク固定用ステージの改良技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
リードフレーム上に、半導体素子を、あるいはチップ部品を、あるいは半導体素子とチップ部品とから成る混載部品を実装して成る樹脂封止型半導体装置においては、殆どの場合、ワイヤボンディング工程時に、内部回路配線を実施しているが、機能の増大化に応じてフレーム電極部数が増え、そのために配線の引き回しが煩雑化すると共に、フレーム電極部の高さ方向におけるバラツキが生じる。
【0003】
この様なフレーム電極部の高さ方向におけるバラツキ解消を兼ねた、従来におけるワイヤボンディング時のフレーム電極部固定方法としては、リードフレーム下面側に位置するワイヤボンダの固定用ステージを上昇させ(ステップ1)、リードフレーム上面側に位置するワイヤボンダの各固定用爪を下降させる(ステップ2)ことで、リードフレームの各フレーム電極を固定用ステージと対応する固定用爪とで押さえ込み(ステップ3)、以って、フレーム電極部(ワークに該当)を固定している。これにより、各フレーム電極部の高さのバラツキは上記ステップ3で矯正される。
【0004】
【特許文献1】
特開昭56―158441号公報
【特許文献2】
特開2001―68499号公報
【特許文献3】
特開昭62―115732号公報
【特許文献4】
特開2001―244292号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のワイヤボンダを用いた方法では、以下の問題点(1)及び(2)が生じている。
【0006】
(1)フレーム電極部の高さバラツキ解消方法として上記の従来方法を採用する場合、ワイヤボンディング工程におけるワーク固定時に、フレーム電極部が変位し、チップ部品を搭載している半導体装置においては、チップの半田、又は、チップ部品自身が割れると言う問題点が発生し得る。即ち、前工程で橋渡しされたチップ部分の半田、及び、チップ部品自身に、ストレスが加わる。
【0007】
(2) 加えて、上記従来方法においてワークの固定を解除した際に、変位していたフレーム電極部が、金属フレームのバネ性によって、元の位置に戻る為、ボンディングを行ったワイヤ、及び、その接合部にストレスが生じ、信頼性が低下し、ワイヤ破断及び/又は接合部の剥離と言う問題点が、早期に発生する結果となる。即ち、ボンディング後に固定用爪と固定用ステージとが開放されると、フレーム電極部等は元の位置に戻る為、その変位量分のストレスが、ワイヤ及び/又はワイヤの接合部に、発生する。
【0008】
この発明は斯かる問題点(1)及び(2)に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、「樹脂封止型半導体装置において、ワイヤボンディング工程のワーク固定時に、フレーム電極部の高さにバラツキがあっても、リードフレームを変位させる事無くフレーム電極部を固定すること」を可能にする点にある。
【0009】
以下、添付図面を参照しつつ、リードフレーム上に、半導体素子を実装、又はチップ部品を実装、又は半導体素子とチップ部品とを混載実装して成る樹脂封止型半導体装置における、本発明の主題の適用例を、具体的に詳述する。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明の主題は、半導体素子及び/又はチップ部品がその上に実装されて成るリードフレームの各フレーム電極部を固定した上で、固定されたフレーム電極部に対してワイヤボンディングを行うワイヤボンディング方法であって、前記リードフレームの周縁部を固定し、各フレーム電極部毎に設けられた上下動可能な各可動ピンの頭部をそれぞれ対応するフレーム電極部の下面に向けて上昇させて前記フレーム電極部下面に接触させ、前記可動ピン頭部と前記フレーム電極部下面との各接触を保持しつつ、各固定用爪を当該爪に対応するフレーム電極部の上面に向けて下降させて前記フレーム電極部上面に接触させることで、前記各フレーム電極部を固定することを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
図1は、本実施の形態における、ワイヤボンディング工程におけるワーク固定方法を模式的に示す縦断面工程図であり、しかも、本工程で使用される本実施の形態に係るワイヤボンダの一部を示す装置構成図でもある。
【0012】
尚、図1の一例においては、チップ部品5a〜5cのみをリードフレーム4のフレーム電極部4a〜4f上に実装搭載している場合を示しているが、これは説明の便宜上の理由によるものであり、本実施の形態の技術的特徴(部分固定用ステージピンを備えるワイヤボンダ及びそれを用いたワーク固定方法)は、リードフレームの素子搭載部上に半導体素子のみを搭載して当該半導体素子とその周囲のフレーム電極部とをワイヤボンドする場合、あるいは、チップ部品と共に半導体素子をもリードフレーム上に搭載してワイヤボンドする場合の、何れにも、適用可能である。
【0013】
図1に示す通り、本ワイヤボンダは、フレーム電極部の固定を担うシステムとして、▲1▼搬送レール3に搭載されたリードフレーム4の周縁部を圧接によって固定するための、上下動可能なフレーム押さえ1と、▲2▼リードフレーム4の下面側に配置されており、例えばコントローラ(図示せず)によって上下動可能な(但し、後述するセンサ方式で以って各可動ピンの動作を制御する場合には、上下動せずに固定であっても良い)、固定用ステージ2と、▲3▼リードフレーム4の各フレーム電極部4a〜4fの配設位置に対応して固定用ステージ2に上下動自在に設けられている複数の可動ピン2P(2a〜2f)(部分固定用ステージピンとも称す)と、▲4▼各フレーム電極部4a〜4fの配設位置に対応してリードフレーム4の上面側に上下動可能に配置されており、それぞれは対応するフレーム電極部4a〜4fの上面に向けて下降してフレーム電極部上面に接触可能な、複数の固定用爪6とを備えている。ここで、各可動ピン2a〜2fは、その上下動により、当該ピン2Pに対応するフレーム電極部4FEP(4a〜4f)の下面に、当該フレーム電極部4FEPを変位させること無く、接触・支持することが可能である。例えば、各可動ピン2a〜2fは、対応フレーム電極部4FEP(4a〜4f)の下面に面接触してこれを支持する頭部2Tと、その一端部が頭部2Tに結合されており、当該一端部と他端部との間の部分が、固定用ステージ2に設けられた貫通孔(図示せず)に遊び(若干のクリアランス)を以って挿入された柱状部2Lとから、成立っている。
【0014】
この様に、本実施の形態においては、図1に示す様に、上下動可能な複数の可動ピン2a〜2fを固定用ステージ2に設けた上で、各可動ピン2a〜2fの頭部2Tをそれに対応するフレーム電極部4a〜4fの下面の位置まで上昇させて、頭部2Tで以って当該下面を支持することにより、各フレーム電極部4a〜4fの高さ方向のバラツキを矯正することなく、各フレーム電極部4a〜4fを固定する。この場合、各可動ピン2a〜2fは、それぞれ独立して上下動を行う。
【0015】
ここで、各可動ピン2P(2a〜2f)の上下動の一構成例として、各可動ピン2Pに対応するフレーム電極部4a〜4fのバネ力よりも軽いバネ力ないしは弾性力を有する弾性バネ(図示せず)で以って、各可動ピン2P(2a〜2f)の上下動制御ないしは位置制御を機械的に行うこととしても良い。この一例を採用する場合には、各可動ピン2Pの柱状部2Lにおける他端部に関する図1の図示(柱状部他端部は固定用ステージ2の貫通孔を介して下面から突出している状態が図示されている)とは異なり、柱状部2Lをその中に遊挿するための固定用ステージ側孔は固定用ステージ2の下面にまでは達しておらず(非貫通孔)、各固定用ステージ側孔の中には、当該孔の底面に一端が結合された弾性バネが配設されており、当該弾性バネの他端が当該孔内に遊挿された柱状部2Lの他端に結合されることとなる。従って、各固定用ステージ側孔内の弾性バネの伸長・伸縮により、各可動ピン2Pの柱状部2Lの上下動が制御される。
【0016】
これに対して、フレーム電極部4a〜4fのバネ力よりも軽いバネ力を有するバネを柱状部2Lに取り付けない方法としては、例えば、各可動ピン2Pにセンサーを設け、各可動ピン2Pの頭部2Tと対応するフレーム電極部4a〜4fの下面との距離を上記センサーで検出しながら各可動ピン2Pの上昇を外部のコントローラで電気的に制御し、上記センサーが頭部2Tとフレーム電極部下面との接触を検知した時点で、当該可動ピン2Pの上昇を停止させる様に、各可動ピン2Pの位置制御を個別に行っても良い。この制御方式においては、各可動ピン2Pの他端部は、図1に図示する通りに、固定用ステージ2の下面より突出する様に、上下動する。
【0017】
次に、図1の各ステップ1〜3を参照しつつ、ワイヤボンディングを行うための前工程である、フレーム電極部固定方法について記載する。
【0018】
<ステップ1>
リードフレーム4の周縁部は、搬送レール3の断面L字型切欠き部の底面上に載置されており、この状態において、外部コントローラ(図示せず)によって制御されたフレーム押さえ1が下降して、リードフレーム4の周縁部を固定する。その上で、外部コントローラ(図示せず)によって制御された固定用ステージ2が、リードフレーム4の下面に向けて(図1中の矢印方向へ)上昇する。その上昇に伴ない、各可動ピン2a〜2fの各々は、それに対応するフレーム電極部4a〜4fの下面に接触していく。
【0019】
図1の一例では、固定用ステージ2の上昇によって、平均的な下面位置よりも下方に位置するフレーム電極部4eの下面に、最初に、対応する可動ピン2eが面接触し、更に固定用ステージ2が上昇するので、可動ピン2eの頭部2Tとフレーム電極部4eの下面との接触を保ちつつ、可動ピン2eの柱状部2Lの他端は、固定用ステージ2の上昇が停止するまで、下方に移動し続ける。更なる固定用ステージ2の上昇により、次に、各可動ピン2b〜2d、2fの頭部2Tが対応するフレーム電極部下面と接触し、それ以降は、当該接触を保持しつつ、各可動ピン2b〜2d、2fの柱状部2Lの他端は、固定用ステージ2の上昇が停止するまで、下方に移動し続ける。更なる固定用ステージ2の上昇により、最後に、平均的な下面位置よりも上方に位置するフレーム電極部4aの下面に、可動ピン2aの頭部2Tが接触し、その後に、固定用ステージ2の上昇は停止する。と同時に、各可動ピン2a〜2fの柱状部2Lの他端は、それぞれに対応するフレーム電極部下面の高さに併せて、静止する。即ち、固定用ステージ2が停止した時点で、各可動ピン2a〜2fは、機械的(又は電気的)に固定される。ここで留意すべき点は、上記一連の上昇動作において、各フレーム電極部4a〜4fの下面は全く変位していない(不動)と言うことである。
【0020】
<ステップ2>
次に、各固定用爪6が、外部のコントローラ(図示せず)による制御の下で、対応するフレーム電極部4a〜4fの上面に向けて下降する。
【0021】
<ステップ3>
その後、各固定用爪6は、対応フレーム電極部上面に面接触して停止する。これにより、各フレーム電極部4a〜4fは固定される。その際、ステップ1で、フレーム電極部4a〜4fを変位させずにステージ位置を固定した為、フレーム電極部4a〜4fを変位させること無く、フレーム電極部4a〜4fを押さえ込んで固定することが出来る。
【0022】
これにより、チップ部品の半田付け部及び/又はチップ部品自身にストレスを与えること無く、固定された各フレーム電極部4a〜4fにおいて、ワイヤボンディングを引き続いて行うことが出来、しかも、ワイヤボンディング終了後の各フレーム電極部4a〜4fの固定開放時に(固定用ステージ2の下降及び固定用爪6の上昇)、ワイヤ及び/又はワイヤの接合部にストレスを与える事態は、発生しなくなる。
【0023】
<具体例>
図2は、実施の形態1に係るフレーム電極部固定方法により固定されたリードフレームに対してワイヤボンディングを実行した後のリードフレームを示す上面図である。又、図3は、図2に示すリードフレームに対して金属太線8のワイヤボンディングを更に実行した後のリードフレームを示す上面図である。
【0024】
図2及び図3の一例においては、半導体素子9A(パワー素子)及び半導体素子9B(制御素子)とチップ部品5とが、同一リードフレーム4上に混載実装されている。そして、両図2及び3においては、各フレーム電極部(部品搭載部;ワイヤボンディングを行う部分は全て「フレーム電極部」と呼ばれる)4FEPは、図1で記載した可動ピン2a〜2fに相当する可動ピン(部分固定用ステージピン)2Pの頭部2Tで以って、変形されること無く、接触・支持されていると共に、対応する固定用爪6で以って、上側から変形されること無く接触・支持されている。金属細線7の各々は、半導体素子9Bの電極(図示せず)と、その周囲の対応するフレーム電極部4FEPとを接続する。又、金属太線8の各々は、半導体素子9Aの電極(図示せず)と、その周囲の対応するフレーム電極部4FEPとを接続する。
【0025】
(実施の形態2)
金線を使用してワイヤボンドを行う等、ワイヤボンディング工程に際して固定用ステージに熱源を必要とする場合、従来技術においては、熱源としてヒーターを使用して同ステージを昇温している。しかしながら、この方法を実施の形態1で記載した可動ピン2P付き固定用ステージ2に適用するときには、各可動ピン2P(2a〜2f)に熱膨張が発生するため、この熱膨張が原因で、各可動ピン2P(2a〜2f)の柱状部2Lと、固定用ステージ2に設けられた各柱状部2Lを挿入するための各挿入孔(図示せず)の内で対応する孔との隙間(クリアランス)がなくなってしまい、あるいは、より狭くなってしまい、その結果、柱状部2Lの上下動が阻害されると言う問題点が発生する。即ち、高温下での設計が難しくなり、その様な適用の実現化は困難である。
【0026】
そこで、本実施の形態では、ワイヤボンディング工程に際してステージに熱源を必要とする場合に、I)図1のステップ3に示す様な各フレーム電極部4FEPの固定状態において、各可動ピン2Pの頭部2Tを局部的に昇温する。そのために、例えば光ビーム加熱の様な、非接触型で局部的加熱を行うことが出来る装置を併用する(この点につき、図4を参照)。更に、II)各可動ピン2Pの材料に、熱伝導率が比較的低いとされている材料を、例えばステンレスを選択する(頭部2Tから柱状部2Lの他端部に向けて熱伝達しにくい材料を使用する)ことで、柱状部2Lの熱膨張をより一層抑制することが出来る。
【0027】
本実施の形態の採用により、金線等を使用したワイヤボンディングを行うに際して必要箇所のみの昇温が可能となり、高温下においても各可動ピン2Pの動きに影響を与えることなく、上述した実施の形態1の作用効果を実現することが可能となる。
【0028】
(付記)
以上、本発明の実施の形態を詳細に開示し記述したが、以上の記述は本発明の適用可能な局面を例示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、記述した局面に対する様々な修正や変形例を、この発明の範囲から逸脱することの無い範囲内で考えることが可能である。
【0029】
【発明の効果】
本発明の主題によれば、(1)各フレーム電極部へのワイヤボンディングを行うに際して、各フレーム電極部を変位させることなく、つまり、各フレーム電極部における高さ方向のバラツキを維持したまま(矯正されることなく)、各フレーム電極部を固定することが出来る。このため、フレーム電極部間に跨るチップ部品の電極及び半田付け部分に印加されるストレスを抑制することが出来る。
【0030】
加えて、本発明の主題によれば、(2)ワイヤボンディング後に各フレーム電極部の固定を解除しても、各フレーム電極部の変位は生じないため、ワイヤボンディング後のワイヤ及び接合部分に印加されるストレスをも抑制することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係るフレーム電極部の固定方法を示す縦断面図である。
【図2】実施の形態1に係るフレーム電極部固定方法により固定されたリードフレームに対するワイヤボンディングを実行した後のリードフレームを示す上面図である。
【図3】図2に示すリードフレームに対する金属太線のワイヤボンディングを実行した後のリードフレームを示す上面図である。
【図4】実施の形態2に係る技術的特徴を模式的に示す縦断面図である。
【符号の説明】
1 フレーム押さえ、2 固定用ステージ、2a〜2f,2P 可動ピン(部分固定用ステージピン)、2T 頭部、3 搬送レール、4 リードフレーム、4a〜4f,4FEP フレーム電極部、5a〜5f,5 チップ部品、6 固定用爪、7金属細線、8 金属太線、9A パワー半導体素子、9B 制御用半導体素子。
Claims (3)
- 半導体素子及び/又はチップ部品がその上に実装されて成るリードフレームの各フレーム電極部を固定した上で、固定されたフレーム電極部に対してワイヤボンディングを行うワイヤボンディング方法であって、
前記リードフレームの周縁部を固定し、
各フレーム電極部毎に設けられた上下動可能な各可動ピンの頭部をそれぞれ対応するフレーム電極部の下面に向けて上昇させて前記フレーム電極部下面に接触させ、
前記可動ピン頭部と前記フレーム電極部下面との各接触を保持しつつ、各固定用爪を当該爪に対応するフレーム電極部の上面に向けて下降させて前記フレーム電極部上面に接触させることで、前記各フレーム電極部を固定することを特徴とする、
ワイヤボンディング方法。 - 請求項1記載のワイヤボンディング方法であって、
前記各フレーム電極部の固定状態において、前記可動ピン頭部のみを局部的に昇温させつつ前記ワイヤボンディングを行うことを特徴とする、
ワイヤボンディング方法。 - 搬送レールにその周縁部が固定されたリードフレームの下面側に配置された固定用ステージと、
前記リードフレームの各フレーム電極部の配設位置に対応して前記固定用ステージに上下動可能に設けられている複数の可動ピンと、
前記各フレーム電極部の配設位置に対応して前記リードフレームの上面側に上下動可能に配置されており、それぞれは対応するフレーム電極部の上面に向けて下降して前記フレーム電極部上面に接触可能な複数の固定用爪とを備えており、前記複数の可動ピンの各々は、前記上下動により、対応するフレーム電極部の下面に、当該フレーム電極部を変位させること無く、接触可能であることを特徴とする、
ワイヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003124910A JP2004335509A (ja) | 2003-04-30 | 2003-04-30 | ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003124910A JP2004335509A (ja) | 2003-04-30 | 2003-04-30 | ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004335509A true JP2004335509A (ja) | 2004-11-25 |
Family
ID=33502320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003124910A Pending JP2004335509A (ja) | 2003-04-30 | 2003-04-30 | ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004335509A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102054730A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-05-11 | 上海凯虹电子有限公司 | 引线框架的传送装置以及粘贴芯片的方法 |
JP2018032881A (ja) * | 2011-10-31 | 2018-03-01 | ローム株式会社 | ワイヤボンディング方法、および半導体装置 |
CN107749401A (zh) * | 2011-10-31 | 2018-03-02 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
-
2003
- 2003-04-30 JP JP2003124910A patent/JP2004335509A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102054730A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-05-11 | 上海凯虹电子有限公司 | 引线框架的传送装置以及粘贴芯片的方法 |
JP2018032881A (ja) * | 2011-10-31 | 2018-03-01 | ローム株式会社 | ワイヤボンディング方法、および半導体装置 |
CN107749401A (zh) * | 2011-10-31 | 2018-03-02 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
JP2019091922A (ja) * | 2011-10-31 | 2019-06-13 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US10504822B2 (en) | 2011-10-31 | 2019-12-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2020145476A (ja) * | 2011-10-31 | 2020-09-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6265244B1 (en) | Method for mounting semiconductor elements | |
JP2005353696A (ja) | 部品実装方法及び部品実装装置 | |
JP2002158257A (ja) | フリップチップボンディング方法 | |
KR100919931B1 (ko) | 레이저 솔더링 장치 및 방법과 이를 이용한 전력용 반도체모듈의 제조방법 | |
KR20160127807A (ko) | 압착 헤드, 그것을 사용한 실장 장치 및 실장 방법 | |
JP3303832B2 (ja) | フリップチップボンダー | |
KR20130132316A (ko) | 다이 접합 중에 기판을 가열하기 위한 장치 | |
JPH09153525A (ja) | ボンディング装置およびボンディング方法 | |
JP2004335509A (ja) | ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 | |
JP2010153672A (ja) | 半導体装置の製造装置およびその製造方法 | |
KR20080084853A (ko) | 실리콘 디바이스를 장착하기 위한 기판 및 그 방법 | |
JP5419908B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US20210199712A1 (en) | Electronic device temperature test on strip film frames | |
JP2007311577A (ja) | 半導体装置 | |
JP7268929B2 (ja) | 実装装置及び実装方法 | |
JP2010182911A (ja) | 半導体装置の製造方法及びワイヤボンダ | |
KR102582980B1 (ko) | 정밀 가압장치를 구비한 플립칩 레이저 본딩기 | |
JPH0682701B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法および装置 | |
JP5658802B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4601844B2 (ja) | ボンディング装置及びボンディンク方法 | |
JPH05136205A (ja) | ギヤングボンデイング方法および装置 | |
JPH077044A (ja) | アウタリ−ドボンディング装置および方法 | |
JPH01194390A (ja) | フラットパッケージic実装装置 | |
JPH04241432A (ja) | 半導体チップと、これが搭載される基板との間のワイヤボンディング構造 | |
JPS63232438A (ja) | ワイヤボンデイング方法 |