JP2004330180A - 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004330180A
JP2004330180A JP2004026329A JP2004026329A JP2004330180A JP 2004330180 A JP2004330180 A JP 2004330180A JP 2004026329 A JP2004026329 A JP 2004026329A JP 2004026329 A JP2004026329 A JP 2004026329A JP 2004330180 A JP2004330180 A JP 2004330180A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
air
air knife
water
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004026329A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Moriguchi
善弘 森口
Makoto Izaki
良 井崎
Yoshitomo Yasuike
良友 安池
Kosei Kamaishi
孝生 釜石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP2004026329A priority Critical patent/JP2004330180A/ja
Publication of JP2004330180A publication Critical patent/JP2004330180A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】表面の撥水性が強い基板について、傾斜搬送により高い洗浄効果及び異物除去効果を得ながら、基板の表面をむらなく均一に乾燥させる。
【解決手段】エアナイフ11aから吐出されたエアは、基板移動方向と反対側の向きに、基板1の表面へ所定の入射角度で斜めに吹き付けられる。一方、ノズル12から吐出された洗浄水2は、エアナイフ11aからのエアと対向する向きに、基板1の表面へ所定の入射角度で斜めに供給される。基板1の表面には、ノズル12から吐出された洗浄水2により水膜3が形成される。基板1の表面が強い撥水性を有していても、基板1の表面には乾燥直前まで水膜3が形成されているため、従来のような筋状のむらが発生しない。また、従来のように小さな粒の水が移動した跡に沿って異物が残ることもない。
【選択図】図2

Description

本発明は、基板を水平に対して所定の角度傾斜した状態で移動しながら、基板の表面へエアを吹き付けて基板の表面を乾燥させる基板処理装置、基板処理方法、及びそれらを用いた基板の製造方法に係り、特に表面の撥水性が強い基板の乾燥に好適な基板処理装置、基板処理方法、及びそれらを用いた基板の製造方法に関する。
液晶ディスプレイ装置等の各種表示装置や半導体装置の製造工程では、ガラス基板や半導体ウェーハ等の基板上にカラーフィルタや回路パターン等を形成するため、現像やエッチング等の薬液処理が行われる。そして、薬液処理の前又は後には、洗浄水(純水)を用いた基板の洗浄、及び洗浄後の基板の乾燥が必要である。基板の洗浄及び乾燥を含むこれらの一連の処理は、ローラコンベア等の移動手段を用いて基板を移動しながら行われることが多く、基板の乾燥は、エアナイフを用いて基板の表面へエアを吹き付けることにより、洗浄水等の処理液を基板の表面から押し流して除去するのが一般的である。
このように基板を移動しながら基板に対して一連の処理を行う際、特に基板を水平に対して所定の角度傾斜した状態で移動する傾斜搬送方式が知られている(特許文献1)。傾斜搬送方式は、特に基板の洗浄において、現像液やエッチング液等の薬液が基板の表面に停滞することなく効率よく洗浄水と置換されるため、高い洗浄効果が得られる。さらに、洗浄水も基板の表面に滞留しないため、基板の表面から浮遊した異物が基板の表面に再付着しにくく、高い異物除去効果が得られる。
特開2001−108977号公報
各種表示装置や半導体装置の製造工程で洗浄及び乾燥される基板の中には、表面が洗浄水(純水)を弾く撥水性を強く有するものがある。例えば、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタの製造では、ガラス基板上に、光遮断用のブラックマトリクス、カラー表示用のRGBの着色パターン、着色パターンを保護する透明な保護膜、及び液晶を駆動するための透明電極膜が形成される。これらのうち、特に、ブラックマトリクスや着色パターンの形成に使用されるレジン膜は、強い撥水性を有する。このため、ブラックマトリクスや着色パターンを形成する際、基板の表面は強い撥水性を有することとなる。
一方、例示したカラーフィルタは、レジン膜がはがれやすく、基板を水平状態で洗浄したとき残渣として残る異物が多いため、傾斜搬送方式による洗浄が強く要求される。しかしながら、表面の撥水性が強い基板について、従来の技術により傾斜搬送方式で移動しながらエアナイフを用いて基板の乾燥を行うと、基板の表面へ供給された洗浄水の大部分は乾燥を行う前に傾斜した基板の表面から流れ出てしまい、基板の表面にはわずかな水が小さな粒となって残る。そして、残った小さな粒の水が、エアナイフから吹き付けられたエアによって基板の表面を移動する。このため、基板の表面には、小さな粒の水が移動した跡が筋状のむらとなって残るという問題があった。また、小さな粒の水が移動した跡に沿って異物が残るという問題があった。
本発明の課題は、表面の撥水性が強い基板について、傾斜搬送により高い洗浄効果及び異物除去効果を得ながら、基板の表面をむらなく均一に乾燥させることである。
また、本発明の課題は、表面の撥水性が強い基板について、傾斜搬送により高い洗浄効果及び異物除去効果を得ながら、基板の表面に残る異物をさらに少なくすることである。
さらに、本発明の課題は、エアナイフを用いて基板の乾燥を行う際に、乾燥時間を短縮させて、乾燥むらを少なくすることである。
さらに、本発明の課題は、表面の乾燥むらや異物が少なく品質の高い基板を製造することである。
本発明の基板処理装置は、表面の撥水性が強い基板を水平に対して所定の角度傾斜した状態で移動する基板移動手段と、基板移動手段により移動される基板の表面へ所定の入射角度で斜めにエアを吹き付けるエアナイフと、エアナイフに近接して設けられ、エアナイフのエアと対向する向きに、基板の表面へ所定の入射角度で斜めに処理液を供給し、基板の表面に処理液の膜を形成する液膜形成手段とを備えたものである。
また、本発明の基板処理方法は、表面の撥水性が強い基板を水平に対して所定の角度傾斜した状態で移動しながら、エアナイフから基板の表面へ所定の入射角度で斜めにエアを吹き付け、かつ、エアナイフの近傍から、エアナイフのエアと対向する向きに、基板の表面へ所定の入射角度で斜めに処理液を供給し、基板の表面に処理液の膜を形成するものである。
形成された処理液の膜には、供給された処理液の流れが膜を押す力と、基板の傾斜に沿って膜が移動する力及びエアナイフからのエアが膜を押し流す力とが均衡した位置に、境界が現れる。基板の表面において、処理液の膜の境界よりも基板移動方向側は、エアナイフからのエアにより処理液の膜が押し流されて除去された乾燥領域となる。一方、その反対側の未乾燥領域では、供給された処理液により常に処理液の膜が形成されている。従って、基板の表面が強い撥水性を有していても、基板の表面には乾燥直前まで処理液の膜が形成されているため、従来のように筋状のむらが発生しない。また、従来のように小さな粒の水が移動した跡に沿って異物が残ることもない。そして、基板を水平に対して所定の角度傾斜した状態で移動することにより、高い洗浄効果及び異物除去効果が得られる。
さらに、基板を基板移動方向に所定の角度傾斜した状態で移動すると、装置全体として基板移動方向の床面積が小さくて済む。また、基板を基板移動方向と直行する方向に所定の角度傾斜した状態で移動すると、装置全体として基板移動方向と直交する方向の床面積が小さくて済み、さらに、現像やエッチング等の薬液処理を行う際、薬液が基板の側部へ流れるため、各処理工程内の設備で容易に薬液を回収することができる。
また、基板の表面へ常温より高い温度の処理液を供給すると、処理液の粘性が低くなるので、エアナイフから吹き付けられたエアにより、基板の表面から処理液が押し流され易くなる。また、処理液の蒸気圧が高くなるので、基板の表面から処理液が気化し易くなる。従って、乾燥時間が短縮され、乾燥むらが少なくなる。
また、エアナイフから基板の表面へ常温より高い温度のエアを吹き付けると、基板の表面から処理液が気化し易くなる。従って、乾燥時間が短縮され、乾燥むらが少なくなる。
エアナイフを用いて基板の乾燥を行う際、エアナイフの後段から空気の層がエアナイフのエアに巻き込まれて基板の表面に当たる。この空気の層がエアナイフのエアより低温であると、乾燥時間の短縮効果が低下する。そこで、エアナイフから常温より高い温度のエアを吹き付ける際、エアナイフの後段から温風を供給すると、乾燥時間の短縮効果が低下するのを防止して、乾燥むらがさらに少なくなる。
また、基板の表面へ処理液を供給する前、供給中、または供給後に基板の表面を加熱すると、加熱された基板の表面から処理液が気化し易くなる。従って、乾燥時間が短縮され、乾燥むらが少なくなる。
本発明の基板の製造方法は、上記のいずれかの基板処理装置又は基板処理方法を用いて基板を乾燥させるものである。上記基板処理装置又は上記基板処理方法を用いることにより、基板の表面の乾燥むら及び異物が少なくなり、品質の高い基板を製造することができる。
本発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、表面の撥水性が強い基板について、傾斜搬送により高い洗浄効果及び異物除去効果を得ながら、基板の表面をむらなく均一に乾燥させることができる。
また、本発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、表面の撥水性が強い基板について、傾斜搬送により高い洗浄効果及び異物除去効果を得ながら、基板の表面に残る異物をさらに少なくすることができる。
さらに、本発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、エアナイフを用いて基板の乾燥を行う際に、乾燥時間を短縮させて、乾燥むらを少なくすることができる。
本発明の基板の製造方法によれば、表面の乾燥むらや異物が少なく品質の高い基板を製造することができる。
図1(a)は本発明の一実施の形態による基板処理装置の上面図、図1(b)は同側面図である。本実施の形態は、基板を基板移動方向に所定の角度傾斜した状態で移動する傾斜搬送方式に本発明を適用した例を示している。基板処理装置は、複数のローラ10、エアナイフ11a,11b、及びノズル12を含んで構成されている。
基板1は、複数のローラ10上に搭載され、ローラ10の回転により矢印で示す基板移動方向へ移動される。各ローラ10は、基板移動方向に一定の間隔で設置されており、図示しない駆動手段により所定の速度で回転する。図1(b)に示すように、各ローラ10の設置高さは、基板移動方向へ進むに従って高くなっており、これにより複数のローラ10は、基板1を水平に対して基板移動方向に所定の角度θ1だけ傾斜した状態で移動する。各ローラ10の両端には、基板1の側面をガイドするためのフランジ部が設けられている。
ローラ10に搭載された基板1の上方には、基板1の基板移動方向と直交する方向の幅に渡って、エアナイフ11aが基板1と平行に設置されている。また、ローラ10に搭載された基板1の下方には、エアナイフ11bが同様に設置されている。エアナイフ11a,11bは、例えば、長尺のケーシングの内部に加圧室を形成し、加圧室に通じるエア通路を長手方向にスリット状に設けて構成されている。図示しないエア供給手段からエアナイフ11a,11bへエアが供給され、エアナイフ11a,11bはエア通路の先端からエアを長手方向に渡って均一に吐出する。
さらに、ローラ10に搭載された基板1の上方には、基板1の基板移動方向と直交する方向の幅に渡って、ノズル12がエアナイフ11aに近接してエアナイフ11aと平行に設置されている。ノズル12は、例えば、長尺の管にノズル口を所定の間隔で、または長手方向にスリット状に設けて構成されている。図示しない洗浄水供給手段からノズル12へ洗浄水が供給され、ノズル12はノズル口から洗浄水2を長手方向に渡って均一に吐出する。
図2は、本発明の一実施の形態による基板処理装置の動作を説明する図である。エアナイフ11a,11bから吐出されたエアは、図中に破線の矢印で示すように、基板移動方向と反対側の向きに、基板1の表面又は裏面へ所定の入射角度で斜めに吹き付けられる。これに対し、ノズル12から吐出された洗浄水2は、エアナイフ11aからのエアと対向する向きに、基板1の表面へ所定の入射角度で斜めに供給される。そして、基板1の表面には、基板1の基板移動方向と直交する方向の幅に渡って、ノズル12から吐出された洗浄水2により水膜3が形成される。形成された水膜3には、ノズル12からの洗浄水2の流れが水膜3を押す力と、基板1の傾斜に沿って水膜3が移動する力及びエアナイフ11aからのエアが水膜3を押し流す力とが均衡した位置に、境界3aが現れる。
基板1の表面において、水膜3の境界3aよりも基板移動方向側は、エアナイフ11aからのエアにより水膜3が押し流されて除去された乾燥領域となる。一方、その反対側の未乾燥領域では、ノズル12からの洗浄水2により常に水膜3が形成されている。従って、基板1の表面が強い撥水性を有していても、基板1の表面には乾燥直前まで水膜3が形成されているため、従来のような筋状のむらが発生しない。また、従来のように小さな粒の水が移動した跡に沿って異物が残ることもない。そして、基板1を水平に対して所定の角度θ1だけ傾斜した状態で移動することにより、高い洗浄効果及び異物除去効果が得られる。
なお、図1(a)に示すように、エアナイフ11aは、基板移動方向と直交する方向に対して、所定の角度T1だけ傾けて設けられている。ノズル12も同様である。これにより、水膜3を構成した洗浄水は、エアナイフ11aからのエアで押し流されて基板1の表面を斜めに移動し、基板1の後端部からだけでなく側部からも飛散するので、洗浄水の除去が効率的に行われる。
図1に示した実施の形態によれば、傾斜搬送の際、基板を基板移動方向に傾斜した状態で移動するため、装置全体として基板移動方向の床面積が小さくて済む。
図3(a)は本発明の他の実施の形態による基板処理装置の斜視図、図3(b)は同正面図である。本実施の形態は、基板を基板移動方向と直交する方向に所定の角度傾斜した状態で移動する傾斜搬送方式に本発明を適用した例を示している。基板処理装置は、複数のローラ20、エアナイフ21a,21b、及びノズル22を含んで構成されている。
基板1は、複数のローラ20上に搭載され、ローラ20の回転により矢印で示す基板移動方向へ移動される。各ローラ20は、基板移動方向に一定の間隔で設置されており、図示しない駆動手段により所定の速度で回転する。図3(b)に示すように、各ローラ20は、その一端が他端より高くなるように傾けて設置されており、これにより複数のローラ20は、基板1を水平に対して基板移動方向と直交する方向に所定の角度θ2だけ傾斜した状態で移動する。各ローラ20の両端には、基板1の側面をガイドするためのフランジ部が設けられている。
ローラ20に搭載された基板1の上方には、基板1の基板移動方向と直交する方向の幅に渡って、エアナイフ21aが基板1と平行に設置されている。また、ローラ20に搭載された基板1の下方には、エアナイフ21bが同様に設置されている。エアナイフ21a,21bは、図1のエアナイフ11a,11bと同様の構成である。なお、図3(b)ではエアナイフ21bは省略されている。
さらに、ローラ20に搭載された基板1の上方には、基板1の基板移動方向と直交する方向の幅に渡って、ノズル22がエアナイフ21aに近接してエアナイフ21aと平行に設置されている。ノズル22は、図1のノズル12と同様の構成である。
図4は、本発明の他の実施の形態による基板処理装置の動作を説明する図である。エアナイフ21a,21bから吐出されたエアは、図中に破線の矢印で示すように、基板移動方向と反対側の向きに、基板1の表面又は裏面へ所定の入射角度で斜めに吹き付けられる。これに対し、ノズル22から吐出された洗浄水2は、エアナイフ21aからのエアと対向する向きに、基板1の表面へ所定の入射角度で斜めに供給される。そして、基板1の表面には、基板1の基板移動方向と直交する方向の幅に渡って、ノズル22から吐出された洗浄水2により水膜3が形成される。形成された水膜3には、ノズル22からの洗浄水2の流れが水膜3を押す力と、基板1の傾斜に沿って水膜3が移動する力及びエアナイフ21aからのエアが水膜3を押し流す力とが均衡した位置に、境界3aが現れる。
基板1の表面において、水膜3の境界3aよりも基板移動方向側は、エアナイフ21aからのエアにより水膜3が押し流されて除去された乾燥領域となる。一方、その反対側の未乾燥領域では、ノズル22からの洗浄水2により常に水膜3が形成されている。従って、基板1の表面が強い撥水性を有していても、基板1の表面には乾燥直前まで水膜3が形成されているため、従来のような筋状のむらが発生しない。また、従来のように小さな粒の水が移動した跡に沿って異物が残ることもない。そして、基板1を水平に対して所定の角度θ2だけ傾斜した状態で移動することにより、高い洗浄効果及び異物除去効果が得られる。
なお、図3(a)に示すように、エアナイフ21aは、基板移動方向と直交する方向に対して、所定の角度T2だけ傾けて設けられている。ノズル22も同様である。これにより、水膜3を構成した洗浄水は、エアナイフ21aからのエアで押し流されて基板1の表面を斜めに移動するので、基板1の傾斜による移動と合わせて、洗浄水の除去が効率的に行われる。
図3に示した実施の形態によれば、傾斜搬送の際、基板を基板移動方向と直交する方向に傾斜した状態で移動するため、装置全体として基板移動方向と直交する方向の床面積が小さくて済む。さらに、図1に示した実施の形態では、現像やエッチング等の薬液処理を行う際、薬液が基板の傾斜に沿って前段の処理工程の設備へ流れ込むのを防止する必要があるが、図3に示した実施の形態によれば、薬液が基板の側部へ流れるため、各処理工程内の設備で容易に薬液を回収することができる。
以上説明した実施の形態において、基板1の移動速度、基板1の傾斜角度θ1,θ2、エアナイフ11a,21aから吐出するエアの流量及び流速、ノズル12,22から吐出する洗浄水2の流量及び流速、ノズル12,22の向き(洗浄水2の入射角度)、ノズル12,22と基板1との距離等を調整することにより、最適な洗浄効果及び異物除去効果と乾燥効果とが得られるように、水膜3の境界3aの位置を調整することができる。
さらに、以上説明した実施の形態において、ノズル12,22から基板1の表面へ常温より高い温度の洗浄水を供給すると、洗浄水の粘性が低くなるので、エアナイフ11a,21aから吹き付けられたエアにより、基板1の表面から洗浄水が押し流され易くなる。また、洗浄水の蒸気圧が高くなるので、基板1の表面から洗浄水が気化し易くなる。従って、乾燥時間が短縮され、乾燥むらが少なくなる。
また、エアナイフ11a,21aから基板1の表面へ常温より高い温度のエアを吹き付けると、基板1の表面から洗浄水が気化し易くなる。従って、乾燥時間が短縮され、乾燥むらが少なくなる。
図5は、本発明のさらに他の実施の形態による基板処理装置の側面図である。本実施の形態は、図1に示した実施の形態において、ノズル12の前段にヒータ30a,30bを設け、エアナイフ11a,11bの後段に温風供給装置50a,50bを設けたものである。その他の構成は、図1に示した実施の形態と同様である。
本実施の形態においては、ノズル12から基板1の表面へ常温より高い温度の洗浄水を供給する。そして、エアナイフ11a,11bから基板1の表面及び裏面へ常温より高い温度のエアを吹き付ける。
このとき、エアナイフ11a,11bから吹き付けるエアの温度は、ノズル12から供給する洗浄水の温度より高い方が望ましい。本実施の形態において、例えばノズル12から供給する洗浄水の温度を約40℃とすると、洗浄水が常温の場合に比べて乾燥時間は約3割短縮される。また、エアナイフ11a,11bから吹き付けるエアの温度を約55℃とすると、エアが常温の場合に比べて乾燥時間はさらに約1割短縮される。
エアナイフ11a,11bからエアを吹き付けると、エアナイフ11a,11bの後段から空気の層がエアナイフ11a,11bのエアに巻き込まれて基板1の表面又は裏面に当たる。この空気の層がエアナイフ11a,11bのエアより低温であると、乾燥時間の短縮効果が低下する。本実施の形態では、隔壁40a,40bで区切られたエアナイフ11a,11bの後段に、温風供給装置50a,50bが設けられている。温風供給装置50a,50bは、エアナイフ11a,11bが吹き付けるエアと同程度の温度の温風を発生する。これにより、乾燥時間の短縮効果が低下するのを防止して、乾燥むらをさらに少なくすることができる。
また、ノズル12の前段に設けたヒータ30a,30bを用いて、ノズル12から洗浄水を供給する前に基板1の表面を加熱することにより、加熱された基板1の表面から洗浄水が気化し易くなる。従って、乾燥時間を短縮することができ、乾燥むらを少なくすることができる。
なお、基板1の表面の加熱は、基板1の表面へ洗浄水を供給する前に限らず、供給中、または供給後に行ってもよい。
なお、以上説明した実施の形態では、基板の表面へ洗浄水を供給する例について説明したが、本発明は洗浄水に限らず、各種の処理液を用いた基板の処理に適用される。
以上説明した基板処理装置、またはそれらを使った基処理方法を用いて基板を乾燥させることにより、基板の表面の乾燥むら及び異物が少なくなり、品質の高い基板を製造することができる。
本発明は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタに限らず、傾斜搬送方式で移動しながらエアナイフを用いて基板の乾燥を行うと筋状のむらが発生する程度に表面の撥水性が強い各種の基板に適用される。
図1(a)は本発明の一実施の形態による基板処理装置の上面図、図1(b)は同側面図である。 本発明の一実施の形態による基板処理装置の動作を説明する図である。 図3(a)は本発明の他の実施の形態による基板処理装置の斜視図、図3(b)は同正面図である。 本発明の他の実施の形態による基板処理装置の動作を説明する図である。 本発明のさらに他の実施の形態による基板処理装置の側面図である。
符号の説明
1 基板
2 洗浄水
3 水膜
3a 境界
10 ローラ
11a,11b エアナイフ
12 ノズル
20 ローラ
21a,21b エアナイフ
22 ノズル
30a,30b ヒータ
40a,40b, 隔壁
50a,50b 温風供給装置

Claims (16)

  1. 表面の撥水性が強い基板を水平に対して所定の角度傾斜した状態で移動する基板移動手段と、
    前記基板移動手段により移動される基板の表面へ所定の入射角度で斜めにエアを吹き付けるエアナイフと、
    前記エアナイフに近接して設けられ、前記エアナイフのエアと対向する向きに、基板の表面へ所定の入射角度で斜めに処理液を供給し、基板の表面に処理液の膜を形成する液膜形成手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記基板移動手段は、基板を基板移動方向に所定の角度傾斜した状態で移動することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記基板移動手段は、基板を基板移動方向と直行する方向に所定の角度傾斜した状態で移動することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  4. 前記液膜形成手段は、基板の表面へ常温より高い温度の処理液を供給することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  5. 前記エアナイフは、基板の表面へ常温より高い温度のエアを吹き付けることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  6. 前記エアナイフの後段に温風を供給する手段を備えたことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
  7. 前記液膜形成手段が基板の表面へ処理液を供給する前、供給中、または供給後に基板の表面を加熱する手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  8. 表面の撥水性が強い基板を水平に対して所定の角度傾斜した状態で移動しながら、
    エアナイフから基板の表面へ所定の入射角度で斜めにエアを吹き付け、かつ、
    エアナイフの近傍から、エアナイフのエアと対向する向きに、基板の表面へ所定の入射角度で斜めに処理液を供給し、基板の表面に処理液の膜を形成することを特徴とする基板処理方法。
  9. 基板を基板移動方向に所定の角度傾斜した状態で移動することを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
  10. 基板を基板移動方向と直行する方向に所定の角度傾斜した状態で移動することを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
  11. 基板の表面へ常温より高い温度の処理液を供給することを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
  12. エアナイフから基板の表面へ常温より高い温度のエアを吹き付けることを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
  13. エアナイフの後段から温風を供給することを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。
  14. 基板の表面へ処理液を供給する前、供給中、または供給後に基板の表面を加熱することを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
  15. 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置を用いて基板を乾燥させることを特徴とする基板の製造方法。
  16. 請求項8乃至請求項14のいずれか1項に記載の基板処理方法を用いて基板を乾燥させることを特徴とする基板の製造方法。
JP2004026329A 2003-04-17 2004-02-03 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 Pending JP2004330180A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004026329A JP2004330180A (ja) 2003-04-17 2004-02-03 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003112403 2003-04-17
JP2004026329A JP2004330180A (ja) 2003-04-17 2004-02-03 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004330180A true JP2004330180A (ja) 2004-11-25

Family

ID=33513234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004026329A Pending JP2004330180A (ja) 2003-04-17 2004-02-03 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004330180A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006186296A (ja) * 2004-11-30 2006-07-13 Apic Yamada Corp ワーク支持枠体、ワーク洗浄乾燥装置及び切断装置
JP2007149986A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP2008244318A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送部材の洗浄方法、基板搬送装置及び基板処理システム
KR100889343B1 (ko) 2007-09-27 2009-03-18 세메스 주식회사 나이프 어셈블리 및 이를 갖는 기판 처리 장치
JP2009216325A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 乾燥装置
JP2010103383A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010131485A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の液切り装置および液切り方法
JP2010181761A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Hitachi High-Technologies Corp 基板乾燥装置、基板乾燥方法、及び表示用パネル基板の製造方法
WO2012111618A1 (ja) * 2011-02-18 2012-08-23 シャープ株式会社 基板乾燥装置
US8277569B2 (en) 2004-07-01 2012-10-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2016061805A (ja) * 2014-09-12 2016-04-25 日東電工株式会社 非偏光部を有する偏光子の製造方法
JP2018075511A (ja) * 2016-11-08 2018-05-17 東洋熱工業株式会社 気液除塵装置
CN111201630A (zh) * 2017-11-10 2020-05-26 深圳市柔宇科技有限公司 有机电致发光显示面板的制造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8646469B2 (en) 2004-07-01 2014-02-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US8524009B2 (en) 2004-07-01 2013-09-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method
US8277569B2 (en) 2004-07-01 2012-10-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2006186296A (ja) * 2004-11-30 2006-07-13 Apic Yamada Corp ワーク支持枠体、ワーク洗浄乾燥装置及び切断装置
JP4580806B2 (ja) * 2004-11-30 2010-11-17 アピックヤマダ株式会社 ワーク支持枠体、ワーク洗浄乾燥装置及び切断装置
JP4557872B2 (ja) * 2005-11-28 2010-10-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP2007149986A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP2008244318A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送部材の洗浄方法、基板搬送装置及び基板処理システム
KR100889343B1 (ko) 2007-09-27 2009-03-18 세메스 주식회사 나이프 어셈블리 및 이를 갖는 기판 처리 장치
JP2009216325A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 乾燥装置
JP2010103383A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010131485A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の液切り装置および液切り方法
JP2010181761A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Hitachi High-Technologies Corp 基板乾燥装置、基板乾燥方法、及び表示用パネル基板の製造方法
WO2012111618A1 (ja) * 2011-02-18 2012-08-23 シャープ株式会社 基板乾燥装置
JP2016061805A (ja) * 2014-09-12 2016-04-25 日東電工株式会社 非偏光部を有する偏光子の製造方法
JP2018075511A (ja) * 2016-11-08 2018-05-17 東洋熱工業株式会社 気液除塵装置
CN111201630A (zh) * 2017-11-10 2020-05-26 深圳市柔宇科技有限公司 有机电致发光显示面板的制造方法
CN111201630B (zh) * 2017-11-10 2022-03-25 深圳市柔宇科技有限公司 有机电致发光显示面板的制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004330180A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP4776380B2 (ja) 処理装置及び処理方法
TWI457266B (zh) And a substrate processing device having a non-contact floating conveyance function
TWI546131B (zh) 基板處理裝置、噴嘴以及基板處理方法
KR20060124583A (ko) 도포 방법 및 도포 장치
KR20090131251A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4921913B2 (ja) 基板洗浄方法
TWI593470B (zh) Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate manufacturing apparatus, and substrate manufacturing method
CN100505154C (zh) 基板干燥装置、基板干燥方法以及基板制造方法
US20050022930A1 (en) Substrate treatment apparatus, substrate treatment method and substrate manufacturing method
JP2007038209A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP4557872B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP2001284777A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010181761A (ja) 基板乾燥装置、基板乾燥方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP4293920B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
KR101736783B1 (ko) 하이브리드식 세정구조를 갖는 친환경 스팀 세정기
JP2007144314A (ja) エアナイフ、基板乾燥装置、基板乾燥方法、及び基板の製造方法
JP2007317802A (ja) 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法
JP2003322976A (ja) 液噴霧方法及びこれを用いた基板現像処理方法及び装置
JP2004209450A (ja) 塗布膜の平坦化方法及び塗布膜平坦化装置
JP2007117993A (ja) 基板乾燥装置、基板乾燥方法、及び基板の製造方法
CN105185726B (zh) 基板处理装置、基板处理方法、基板制造装置及基板制造方法
KR101041052B1 (ko) 기판처리장치
KR20160138653A (ko) 기판건조용 에어나이프 모듈 및 이를 포함하는 기판건조장치
JP3766968B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Effective date: 20060516

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061027

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20090310

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Effective date: 20090508

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20090804

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091222