WO2012111618A1 - 基板乾燥装置 - Google Patents

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gas
drying apparatus
unit
air
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貴翁 斉藤
健太郎 鍛治
Original Assignee
シャープ株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0085—Drying; Dehydroxylation
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/004—Nozzle assemblies; Air knives; Air distributors; Blow boxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Definitions

  • the present invention relates to a substrate drying apparatus, and more particularly to a substrate drying apparatus for removing moisture on the substrate surface after the substrate cleaning process.
  • Patent Document 1 discloses a lithographic apparatus that includes an air knife for supplying a flow of air to a substrate surface and supplies compressed humidified air or heated air to the air knife. Yes.
  • Cu is being used as a material for wiring formed on the substrate surface, instead of conventional Al.
  • Cu has poor adhesion to the resist, so that it is more important to completely dry the substrate surface to remove moisture.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and a main object thereof is to provide a substrate drying apparatus capable of improving the drying ability of the substrate surface after the substrate cleaning process.
  • a substrate drying apparatus includes a transport unit that transports a substrate having a front surface and a back surface in a plane direction, a gas ejection unit that ejects and blows gas onto the front surface and the back surface, and a gas ejected from the gas ejection unit.
  • a heating unit for heating is provided.
  • the surface direction of the substrate refers to a direction in which the front surface and the back surface of the flat substrate extend and is orthogonal to the thickness direction of the substrate.
  • the gas ejection part has an air passage through which the gas immediately before being ejected from the gas ejection part flows, and the substrate drying device changes the inclination of the extending direction of the air passage with respect to the front surface and the back surface. Is further provided.
  • a plurality of gas ejection portions are arranged in the substrate transport direction.
  • the gas ejection part is formed with an ejection port from which gas is ejected from the gas ejection part
  • the substrate drying apparatus includes a distance changing unit that changes a distance between the ejection port and the substrate. Further prepare.
  • the substrate drying apparatus further includes an area changing unit that changes an opening area of a jet port from which gas is jetted from the gas jet unit.
  • the gas is preferably air, nitrogen, or oxygen.
  • the drying ability of the substrate surface after the substrate cleaning process can be improved.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a substrate drying apparatus according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a configuration of a substrate drying apparatus according to a second embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a configuration of a substrate drying apparatus according to a third embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a configuration of a substrate drying apparatus according to a fourth embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a configuration of a substrate drying apparatus according to a fifth embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a configuration of a substrate drying apparatus according to a sixth embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a substrate drying apparatus 1 according to the first embodiment.
  • the substrate drying apparatus 1 is an apparatus that dries a substrate 10 having a front surface 11 and a back surface 12, and since the substrate 10 is cleaned in the previous substrate cleaning process, the substrate 10 has moisture 18 attached to the front surface 11. It is an apparatus that removes moisture 18 and dries both the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10.
  • the substrate drying apparatus 1 is disposed on the downstream side of the cleaning apparatus in the photolithography facility, and removes the moisture 18 attached to the washed substrate 10 to dry the substrate 10.
  • the substrate drying apparatus 1 includes a transport unit 20 that transports the substrate 10 in the surface direction.
  • the transport unit 20 includes a plurality of transport rollers 21 and 22. As the plurality of transport rollers 21 and 22 rotate and move, the substrate 10 moves in a surface direction that is a direction orthogonal to the thickness direction. In FIG. 1, the direction of movement of the substrate 10 to be transferred (referred to as the transfer direction) is indicated by an arrow DR1.
  • the transport unit 20 moves the substrate 10 in the direction indicated by the arrow DR1 (the direction from the left side to the right side in FIG. 1).
  • the substrate drying apparatus 1 also includes a gas ejection unit 30 that ejects and blows gas onto the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10.
  • the gas ejection unit 30 includes a front air knife 31 provided on the front surface 11 side of the substrate 10 and a back air knife 32 provided on the back surface 12 side of the substrate 10.
  • the front air knife 31 is provided to face the surface 11 of the substrate 10, and ejects gas toward the surface 11.
  • the back side air knife 32 is provided to face the back surface 12 of the substrate 10, and ejects gas toward the back surface 12.
  • the front air knife 31 and the back air knife 32 are arranged so as to face each other in the thickness direction of the substrate 10 with the substrate 10 interposed therebetween, when the gas is blown onto both the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10, the substrate 10 Fluttering is suppressed.
  • the substrate drying apparatus 1 also includes a blowing unit 90 such as a fan that supplies air to the gas ejection unit 30 and a heating unit 40 that heats the gas ejected from the gas ejection unit 30.
  • the heating unit 40 can use any heat source. Typically, for example, an electric heater or a heating medium circulation heater can be applied to the heating unit 40.
  • the air blowing unit 90 and the heating unit 40 are communicated with each other by a communication unit 91.
  • the heating unit 40 and the gas ejection unit 30 (that is, the front-side air knife 31 and the back-side air knife 32) are communicated by a communication unit 92.
  • an air passage 35 is formed through which the gas immediately before being ejected from the front-side air knife 31 and the back-side air knife 32 flows.
  • the opening at one end of the air passage 35 is connected to the communication portion 92, and the opening at the other end of the air passage 35 functions as an ejection port 36 through which gas is ejected from the air passage 35 toward the substrate 10.
  • the gas ejection part 30 is formed with an ejection port 36 through which gas is ejected from the gas ejection part 30.
  • a blower 90 that supplies air to the front air knife 31 and a blower 90 that supplies air to the back air knife 32 are provided.
  • the heating unit 40 is provided in each of a path from the air blowing unit 90 on the front surface 11 side to the front air knife 31 and a path from the air blowing unit 90 on the back surface 12 side to the back air knife 32.
  • the substrate drying apparatus 1 includes one air blowing unit 90 and one heating unit 40, and a communication unit 92 that connects the heating unit 40 and the gas ejection unit 30 is branched.
  • the air heated by the heating unit 40 may be supplied to both the front air knife 31 and the back air knife 32.
  • the air blowing unit 90 is activated, and external air is taken into the air blowing unit 90, whereby air is sent from the air blowing unit 90 to the communication unit 91.
  • the air further flows through the heating unit 40, the communication unit 92, and the air passage 35, and is ejected from the ejection port 36.
  • the air is blown to the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10, and the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10. And dry both sides.
  • the air blown onto the substrate 10 is high-temperature air heated by the heating unit 40. Therefore, in addition to the function of a conventional air knife that removes the moisture 18 from the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10, the action of the moisture 18 evaporating occurs when high-temperature air imparts heat of vaporization to the moisture 18. Accordingly, the ability of the substrate drying apparatus 1 to remove the moisture 18 from the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10 is enhanced, and the moisture 18 is hardly left on the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of the substrate drying apparatus 1 according to the second embodiment.
  • the substrate drying apparatus 1 according to Embodiment 2 further includes an inclination changing unit 50 that changes the inclination of the front air knife 31 with respect to the front surface 11 of the substrate 10 and the inclination of the back air knife 32 with respect to the back surface 12 of the substrate 10.
  • the inclination changing unit 50 changes the inclination of the front-side air knife 31 and the back-side air knife 32 with respect to the substrate 10, whereby the surface 11 of the substrate 10 in the extending direction of the air passage 35 formed inside the front-side air knife 31 and the back-side air knife 32 and The inclination with respect to the back surface 12 is changed.
  • the angle of inclination in the extending direction of the air passage 35 with respect to the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10 is shown as ⁇ in FIG.
  • the tilt changing unit 50 may change the tilt ⁇ by rotating a roller-shaped member within a certain range in both directions indicated by the double arrow DR2.
  • the inclination changing unit 50 is not limited to the configuration shown in FIG. 2 and may have any configuration, and the front air knife 31 and the back air knife 32 may be swung.
  • the inclination changing unit 50 may automatically change the inclination ⁇ when a control signal is input from the control unit, or the operator may change the inclination ⁇ manually by operating the inclination changing unit 50. Good.
  • the blowing direction of the gas blown to the front surface 11 and the back surface 12 can be changed. Therefore, the optimal air blowing direction with respect to the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10 can be adjusted so that moisture can be removed more reliably from the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10. Therefore, the drying capacity of the substrate 10 after the cleaning process can be further improved.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of the substrate drying apparatus 1 according to the third embodiment.
  • the substrate drying apparatus 1 according to the third embodiment is different from the first embodiment in that a plurality of gas ejection units 30 are arranged in the transport direction DR1 of the substrate 10.
  • the gas ejection unit 30 that ejects and blows gas onto the surface 11 of the substrate 10 includes two front-side air knives 31 a and 31 b arranged along the transport direction DR ⁇ b> 1 of the substrate 10.
  • a ventilation path 35a is formed inside the front-side air knife 31a
  • a ventilation path 35b is formed inside the front-side air knife 31b.
  • the heating unit 40 and the front air knives 31a and 31b are connected by a communication unit 92 that branches into two paths.
  • the air supplied from the blowing unit 90 and heated by the heating unit 40 is supplied to the front air knives 31a and 31b via the branched communication unit 92, and blown to the surface 11 of the substrate 10 from the ventilation paths 35a and 35b.
  • the gas ejection unit 30 that ejects and blows gas onto the back surface 12 of the substrate 10 includes two back-side air knives 32a and 32b arranged along the transport direction DR1 of the substrate 10. Ventilation passages 35a and 35b are formed inside the back side air knives 32a and 32b, respectively.
  • the air supplied from the blowing unit 90 and heated by the heating unit 40 is supplied to the back side air knives 32a and 32b via the communication unit 92 branched into two paths, and from the ventilation paths 35a and 35b to the back surface 12 of the substrate 10. Be sprayed.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a configuration of the substrate drying apparatus 1 according to the fourth embodiment.
  • the substrate drying apparatus 1 according to the fourth embodiment is different from the first embodiment in that it further includes a distance changing unit 60 that changes the distance D between the ejection port 36 and the substrate 10.
  • the front side air knife 31 has a distance changing unit that moves the front side air knife 31 in the thickness direction of the substrate 10 and changes the distance between the front side air knife 31 and the surface 11 of the substrate 10. 60 is provided.
  • the distance D between the ejection port 36 through which gas is ejected from the front air knife 31 and the surface 11 of the substrate 10 can be changed.
  • the back side air knife 32 is provided with a distance changing unit 60 that moves the back side air knife 32 in the thickness direction of the substrate 10 and changes the distance between the back side air knife 32 and the back surface 12 of the substrate 10.
  • the distance D between the jet port 36 through which gas is jetted from the back side air knife 32 and the back surface 12 of the substrate 10 can be changed.
  • the distance changing unit 60 may change the distance D by reciprocating in a certain range in the direction of a double-pointed arrow DR3 along the thickness direction of the substrate 10.
  • the distance changing unit 60 may automatically change the distance D when a control signal is input from the control unit, or the operator may change the distance D manually by operating the distance changing unit 60. Good.
  • the optimum gas to be blown onto the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10 can be removed more reliably from the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10.
  • the wind speed can be adjusted. Therefore, the drying capacity of the substrate 10 after the cleaning process can be further improved.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration of the substrate drying apparatus 1 according to the fifth embodiment.
  • the substrate drying apparatus 1 according to the fifth embodiment is different from the first embodiment in that it further includes an area changing unit 70 that changes the opening area of the ejection port 36.
  • the front-side air knife 31 has a jet outlet by moving a member facing the substrate 10 via the air passage 35 in the surface direction of the substrate 10 and changing the width W of the air passage 35.
  • An area changing unit 70 that changes the opening area of 36 is provided.
  • the opening area of the jet port 36 is changed by changing the width W of the air passage 35.
  • An area changing unit 70 is provided. By moving the back side air knife 32 by the area changing unit 70, the opening area of the jet port 36 through which the air passage 35 formed in the back side air knife 32 opens to the back surface 12 side of the substrate 10 can be changed.
  • the area changing unit 70 reciprocates in a certain range in the direction of a double arrow DR4 along the surface direction of the substrate 10 to change the width W of the air passage 35, thereby
  • the opening area of 36 may be changed.
  • the area changing unit 70 appropriately inclines the opposing members via the air passage 35 of the front side air knife 31 and the back side air knife 32 so that the width W of the air passage 35 increases or decreases toward the ejection port 36.
  • the opening area of the spout 36 may be changed.
  • the area changing unit 70 may automatically change the opening area of the ejection port 36 when a control signal is input from the control unit, or the operator manually operates the area changing unit 70 to set the distance D. It may be changed.
  • the surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10 are sprayed so that moisture can be removed more reliably from the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10.
  • the optimum wind pressure of the gas can be adjusted. Therefore, the drying capacity of the substrate 10 after the cleaning process can be further improved.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a configuration of the substrate drying apparatus 1 according to the sixth embodiment.
  • air is supplied to the gas ejection unit 30 by the blower 90 and air is blown to the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10.
  • the gas blown to the substrate 10 is limited to air. is not.
  • any kind of gas such as nitrogen or oxygen may be ejected and sprayed onto the front surface 11 and the rear surface 12 of the substrate 10.
  • the substrate drying apparatus 1 includes a gas supply unit 99 instead of the blowing unit 90.
  • Gas is sent from the gas supply unit 99 to the heating unit 40 through the communication unit 91, and the gas heated in the heating unit 40 is supplied to the gas ejection unit 30 (the front air knife 31 and the back air knife 32) through the communication unit 92. Is done. Thereafter, the gas is blown from the gas ejection portion 30 to the substrate 10 to remove the moisture 18 from the front surface 11 and the back surface 12 of the substrate 10.
  • the gas supply unit 99 may be any type of gas separation device such as a PSA (Pressure Swing Adsorption) type or a gas separation membrane type.
  • the gas supply unit 99 may be a gas storage device such as a cylinder or a tank filled with any kind of gas.
  • nitrogen gas can be blown onto the substrate 10 and dried instead of oxygen-containing air.
  • the oxidation of the substrate 10 can be promoted by blowing oxygen gas to the substrate 10 instead of air.
  • the present invention can be particularly advantageously applied to a substrate drying apparatus that dries a substrate surface after performing a predetermined liquid treatment on a glass substrate in a manufacturing process of a liquid crystal device such as a liquid crystal display.

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Abstract

　基板の洗浄処理後の基板表面の乾燥能力を向上できる基板乾燥装置を提供する。基板乾燥装置（１）は、表面（１１）と裏面（１２）とを有する基板（１０）を面方向に搬送する搬送部（２０）と、表面（１１）および裏面（１２）に気体を噴出して吹き付ける気体噴出部（３０）と、気体噴出部（３０）から噴出される気体を加熱する加熱部（４０）と、を備える。

Description

基板乾燥装置
　本発明は、基板乾燥装置に関し、特に、基板の洗浄処理後の基板表面上の水分を除去するための基板乾燥装置に関する。
　特開２００７－５７９５号公報（特許文献１）には、基板表面へ空気の流れを供給するためのエアナイフを含み、このエアナイフに圧縮した加湿空気または加熱空気を供給する、リソグラフィ装置が開示されている。
特開２００７－５７９５号公報
　フォトリソグラフィ装置において、レジストを塗布する前の基板の洗浄処理後、基板の表面の乾燥が不十分であると、基板表面上に水分（ミスト）が残存する。基板表面上に水分が残ると、レジストを塗布したときに、レジスト膜と下地膜（たとえばメタル）との密着性が低下する。その結果、レジスト膜が剥がれたり、パターンが浮いたりする不具合が発生する。
　近年、基板表面に形成される配線の材料として、従来のＡｌに替えてＣｕを用いる主流となりつつある。Ａｌと比較して、Ｃｕはレジストの密着性が悪いため、基板表面を完全に乾燥して水分を除去することの重要性が一層高まっている。
　本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、基板の洗浄処理後の基板表面の乾燥能力を向上できる、基板乾燥装置を提供することである。
　本発明に係る基板乾燥装置は、表面と裏面とを有する基板を面方向に搬送する搬送部と、表面および裏面に気体を噴出して吹き付ける気体噴出部と、気体噴出部から噴出される気体を加熱する加熱部と、を備える。ここで、基板の面方向とは、平板形状の基板の表面および裏面の延びる方向であって、基板の厚さ方向に直交する方向をいう。
　好ましくは、気体噴出部は、気体噴出部から噴出する直前の気体が流通する通気路を有し、基板乾燥装置は、通気路の延びる方向の、表面および裏面に対する傾きを変更する、傾き変更部をさらに備える。
　上記基板乾燥装置において好ましくは、気体噴出部は、基板の搬送方向に複数並べられて配置されている。
　上記基板乾燥装置において好ましくは、気体噴出部には、気体噴出部から気体が噴出する噴出口が形成されており、基板乾燥装置は、噴出口と基板との距離を変更する、距離変更部をさらに備える。
　上記基板乾燥装置において好ましくは、気体噴出部から気体が噴出する噴出口の開口面積を変更する、面積変更部をさらに備える。
　上記基板乾燥装置において好ましくは、気体は、空気、窒素、または酸素のいずれかである。
　本発明の基板乾燥装置によると、基板の洗浄処理後の基板表面の乾燥能力を向上することができる。
実施の形態１の基板乾燥装置の構成を示す模式図である。 実施の形態２の基板乾燥装置の構成を示す模式図である。 実施の形態３の基板乾燥装置の構成を示す模式図である。 実施の形態４の基板乾燥装置の構成を示す模式図である。 実施の形態５の基板乾燥装置の構成を示す模式図である。 実施の形態６の基板乾燥装置の構成を示す模式図である。
　以下、図面に基づいてこの発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
　（実施の形態１）
　図１は、実施の形態１の基板乾燥装置１の構成を示す模式図である。基板乾燥装置１は、表面１１と裏面１２とを有する基板１０を乾燥させる装置であって、前工程の基板洗浄工程において基板１０が洗浄されたため表面１１に水分１８が付着している基板１０から水分１８を除去して、基板１０の表面１１と裏面１２との両方を乾燥させる装置である。基板乾燥装置１は、フォトリソグラフィ設備において、洗浄装置の下流側に配置され、水洗された基板１０に付着した水分１８を除去して基板１０を乾燥させる。
　基板乾燥装置１は、基板１０を面方向に搬送する搬送部２０を備える。搬送部２０は、複数の搬送ローラ２１，２２を含む。複数の搬送ローラ２１，２２がそれぞれ回転移動することにより、基板１０は、その厚み方向に直交する方向である面方向に移動する。図１中には、搬送される基板１０の移動方向（搬送方向と称する）を、矢印ＤＲ１で示す。搬送部２０は、矢印ＤＲ１で示す方向（図１中の左側から右側へ向かう方向）に、基板１０を移動させる。
　基板乾燥装置１はまた、基板１０の表面１１および裏面１２に気体を噴出して吹き付ける、気体噴出部３０を備える。気体噴出部３０は、基板１０の表面１１側に設けられた表側エアナイフ３１と、基板１０の裏面１２側に設けられた裏側エアナイフ３２と、を含む。表側エアナイフ３１は、基板１０の表面１１と対向して設けられ、表面１１に向かって気体を噴出する。裏側エアナイフ３２は、基板１０の裏面１２と対向して設けられ、裏面１２に向かって気体を噴出する。表側エアナイフ３１と裏側エアナイフ３２とを、基板１０を介在させて基板１０の厚み方向に向かい合うように配置することにより、基板１０の表面１１と裏面１２との両方に気体を吹き付けたときに基板１０がばたつくことが、抑制されている。
　基板乾燥装置１はまた、気体噴出部３０に空気を供給するファンなどの送風部９０と、気体噴出部３０から噴出される気体を加熱する加熱部４０と、を備える。加熱部４０は、任意の熱源を用いることができる。典型的には、たとえば電気ヒータ、または熱媒循環式のヒータなどを、加熱部４０に適用することができる。
　送風部９０と加熱部４０とは、連通部９１によって連通されている。加熱部４０と気体噴出部３０（すなわち、表側エアナイフ３１および裏側エアナイフ３２）とは、連通部９２によって連通されている。表側エアナイフ３１および裏側エアナイフ３２の内部には、表側エアナイフ３１および裏側エアナイフ３２から噴出する直前の気体が流通する、通気路３５が形成されている。通気路３５の一方端の開口は連通部９２に連結されており、通気路３５の他方端の開口は、基板１０へ向けて通気路３５から気体が噴出する噴出口３６として機能する。気体噴出部３０には、気体噴出部３０から気体が噴出する噴出口３６が形成されている。
　図１に示す基板乾燥装置１の構成では、表側エアナイフ３１へ空気を供給する送風部９０と、裏側エアナイフ３２へ空気を供給する送風部９０と、がそれぞれ設けられている。表面１１側の送風部９０から表側エアナイフ３１へ至る経路と、裏面１２側の送風部９０から裏側エアナイフ３２へ至る経路とに、加熱部４０がそれぞれ設けられている。本実施の形態および後述する他の実施の形態において、基板乾燥装置１は送風部９０および加熱部４０をそれぞれ一つ備え、加熱部４０と気体噴出部３０とを連結する連通部９２が枝分かれして、加熱部４０により加熱された空気を表側エアナイフ３１と裏側エアナイフ３２との両方に供給してもよい。
　以上のような構成を備える基板乾燥装置１において、送風部９０を起動させ、外部の空気を送風部９０に取り込むことにより、送風部９０から空気が連通部９１へ送り込まれる。空気はさらに加熱部４０、連通部９２および通気路３５を経由して流れ、噴出口３６から噴出して、基板１０の表面１１および裏面１２に空気が吹き付けられ、基板１０の表面１１と裏面１２との両面を乾燥させる。
　基板１０に吹き付けられる空気は、加熱部４０によって加熱された、高温の空気である。そのため、基板１０の表面１１および裏面１２から水分１８を押し流して除去する従来のエアナイフの機能に加え、高温の空気が水分１８に気化熱を与えることで水分１８が蒸発する作用が発生する。したがって、基板乾燥装置１の、基板１０の表面１１および裏面１２から水分１８を除去する能力が高められており、水分１８が基板１０の表面１１および裏面１２に残存しにくくされている。
　たとえば、表側エアナイフ３１によって表面１１から水分１８が押し流されたとき、一部の水分１８が押し流されずにミストとして表面１１上に付着したままであったとしても、加熱空気が吹き付けられることにより当該ミストに含まれる水分１８の温度は上昇している。そのため、ミストは容易に基板１０の表面１１から蒸発するので、表面１１にミストが付着したまま残ることを回避することができる。
　以上説明した実施の形態１の基板乾燥装置１では、洗浄処理後の、水分１８が表面１１上に付着している基板１０の表面１１および裏面１２に、加熱部４０により加熱された高温の空気を吹き付ける。これにより、基板１０の表面１１および裏面１２から水分１８をより確実に除去することができるので、基板１０の洗浄処理後の乾燥能力を向上させることができる。
　（実施の形態２）
　図２は、実施の形態２の基板乾燥装置１の構成を示す模式図である。実施の形態２の基板乾燥装置１は、基板１０の表面１１に対する表側エアナイフ３１の傾きと、基板１０の裏面１２に対する裏側エアナイフ３２の傾きと、を変更する、傾き変更部５０をさらに備える点で、実施の形態１と異なっている。傾き変更部５０が基板１０に対する表側エアナイフ３１および裏側エアナイフ３２の傾きを変更することにより、表側エアナイフ３１および裏側エアナイフ３２の内部に形成された通気路３５の延びる方向の、基板１０の表面１１および裏面１２に対する傾きが変更される。基板１０の表面１１および裏面１２に対する通気路３５の延びる方向の傾きの角度を、図２中にθとして示す。
　傾き変更部５０は、たとえば図２に示すように、ローラ状の部材が両矢印ＤＲ２に示す両方向に一定の範囲回転することにより、傾きθを変更してもよい。傾き変更部５０は図２に示す構成に限られず任意の構成を有してもよく、表側エアナイフ３１および裏側エアナイフ３２を揺動させてもよい。傾き変更部５０は、制御部から制御信号が入力されることにより自動で傾きθを変更してもよく、または作業者が傾き変更部５０を操作することにより手動で傾きθを変更してもよい。
　傾き変更部５０を使用して傾きθを変更することにより、表面１１および裏面１２に吹き付けられる気体の送風方向を変更できる。そのため、より確実に基板１０の表面１１および裏面１２から水分を除去できるように、基板１０の表面１１および裏面１２に対する気体の最適な送風方向を調整することができる。したがって、洗浄処理後の基板１０の乾燥能力をより向上させることができる。
　（実施の形態３）
　図３は、実施の形態３の基板乾燥装置１の構成を示す模式図である。実施の形態３の基板乾燥装置１では、気体噴出部３０が基板１０の搬送方向ＤＲ１に複数並べられて配置されている点で、実施の形態１と異なっている。
　具体的には、図３に示すように、基板１０の表面１１に気体を噴出して吹き付ける気体噴出部３０は、基板１０の搬送方向ＤＲ１に沿って並べられた二つの表側エアナイフ３１ａ，３１ｂを有する。表側エアナイフ３１ａの内部には通気路３５ａが形成されており、表側エアナイフ３１ｂの内部には通気路３５ｂが形成されている。加熱部４０と表側エアナイフ３１ａ，３１ｂとは、二つの経路に分岐する連通部９２によって連結されている。送風部９０から供給され加熱部４０で加熱された空気は、枝分かれした連通部９２を経由して表側エアナイフ３１ａ，３１ｂへ供給され、通気路３５ａ，３５ｂから基板１０の表面１１へ吹き付けられる。
　同様に、基板１０の裏面１２に気体を噴出して吹き付ける気体噴出部３０は、基板１０の搬送方向ＤＲ１に沿って並べられた二つの裏側エアナイフ３２ａ，３２ｂを有する。裏側エアナイフ３２ａ，３２ｂの内部にはそれぞれ、通気路３５ａ，３５ｂが形成されている。送風部９０から供給され加熱部４０で加熱された空気は、二つの経路に分岐した連通部９２を経由して裏側エアナイフ３２ａ，３２ｂへ供給され、通気路３５ａ，３５ｂから基板１０の裏面１２へ吹き付けられる。
　基板１０の搬送方向ＤＲ１に沿って複数の気体噴出部３０を並べることにより、たとえば、前段側の気体噴出部３０から空気を吹き付け基板１０から水分１８を押し流した後に、後段側の気体噴出部３０からさらに空気を吹き付け、基板１０から水分１８をより確実に除去することができる。したがって、洗浄処理後の基板１０を乾燥させる基板乾燥装置１の乾燥能力を、さらに向上させることができる。
　（実施の形態４）
　図４は、実施の形態４の基板乾燥装置１の構成を示す模式図である。実施の形態４の基板乾燥装置１は、噴出口３６と基板１０との距離Ｄを変更する、距離変更部６０をさらに備える点で、実施の形態１と異なっている。
　具体的には、図４に示すように、表側エアナイフ３１には、表側エアナイフ３１を基板１０の厚み方向に移動させ、表側エアナイフ３１と基板１０の表面１１との距離を変更する、距離変更部６０が設けられている。距離変更部６０により表側エアナイフ３１が移動することで、表側エアナイフ３１から気体が噴出する噴出口３６と基板１０の表面１１との間の距離Ｄは、変更可能とされている。
　裏側エアナイフ３２にも同様に、裏側エアナイフ３２を基板１０の厚み方向に移動させ、裏側エアナイフ３２と基板１０の裏面１２との距離を変更する、距離変更部６０が設けられている。距離変更部６０により裏側エアナイフ３２が移動することで、裏側エアナイフ３２から気体が噴出する噴出口３６と基板１０の裏面１２との間の距離Ｄは、変更可能とされている。
　距離変更部６０は、たとえば図４に示すように、基板１０の厚み方向に沿う両矢印ＤＲ３の方向に一定の範囲往復移動することにより、距離Ｄを変更してもよい。距離変更部６０は、制御部から制御信号が入力されることで自動で距離Ｄを変更してもよく、または作業者が距離変更部６０を操作することにより手動で距離Ｄを変更してもよい。
　距離変更部６０を使用して距離Ｄを変更することにより、より確実に基板１０の表面１１および裏面１２から水分を除去できるように、基板１０の表面１１および裏面１２に吹き付けられる気体の最適な風速を調整することができる。したがって、洗浄処理後の基板１０の乾燥能力をより向上させることができる。
　（実施の形態５）
　図５は、実施の形態５の基板乾燥装置１の構成を示す模式図である。実施の形態５の基板乾燥装置１は、噴出口３６の開口面積を変更する、面積変更部７０をさらに備える点で、実施の形態１と異なっている。
　具体的には、図５に示すように、表側エアナイフ３１には、通気路３５を介して対向する部材を基板１０の面方向に移動させ、通気路３５の幅Ｗを変更することにより噴出口３６の開口面積を変更する、面積変更部７０が設けられている。面積変更部７０により表側エアナイフ３１が移動することで、表側エアナイフ３１に形成された通気路３５が基板１０の表面１１側へ開口する噴出口３６の開口面積が変更可能とされている。
　裏側エアナイフ３２にも同様に、裏側エアナイフ３２の通気路３５を介して対向する部材を基板１０の面方向に移動させ、通気路３５の幅Ｗを変更することにより噴出口３６の開口面積を変更する、面積変更部７０が設けられている。面積変更部７０により裏側エアナイフ３２が移動することで、裏側エアナイフ３２に形成された通気路３５が基板１０の裏面１２側へ開口する噴出口３６の開口面積が変更可能とされている。
　面積変更部７０は、たとえば図５に示すように、基板１０の面方向に沿う両矢印ＤＲ４の方向に一定の範囲往復移動することにより、通気路３５の幅Ｗを変更し、これにより噴出口３６の開口面積を変更してもよい。または、面積変更部７０は、通気路３５の幅Ｗが噴出口３６に向かって拡大または縮小するように、表側エアナイフ３１および裏側エアナイフ３２の通気路３５を介して対向する部材を適宜傾斜させて、噴出口３６の開口面積を変更してもよい。面積変更部７０は、制御部から制御信号が入力されることで自動で噴出口３６の開口面積を変更してもよく、または作業者が面積変更部７０を操作することにより手動で距離Ｄを変更してもよい。
　面積変更部７０を使用して噴出口３６の開口面積を変更することにより、より確実に基板１０の表面１１および裏面１２から水分を除去できるように、基板１０の表面１１および裏面１２に吹き付けられる気体の最適な風圧を調整することができる。したがって、洗浄処理後の基板１０の乾燥能力をより向上させることができる。
　（実施の形態６）
　図６は、実施の形態６の基板乾燥装置１の構成を示す模式図である。実施の形態１～５では、送風部９０により気体噴出部３０に空気が供給され、基板１０の表面１１および裏面１２に空気が吹き付けられたが、基板１０に吹き付けられる気体は空気に限られるものではない。たとえば、基板１０の表面１１および裏面１２に、窒素または酸素などの、任意の種類の気体を噴出して吹き付けてもよい。
　具体的には、実施の形態６の基板乾燥装置１は、送風部９０に替えて、ガス供給部９９を備える。ガス供給部９９から連通部９１を介して加熱部４０にガスが送られ、加熱部４０において加熱されたガスが連通部９２を介して気体噴出部３０（表側エアナイフ３１および裏側エアナイフ３２）に供給される。その後ガスは、気体噴出部３０から基板１０に吹き付けられて、基板１０の表面１１および裏面１２から水分１８を除去する。
　ガス供給部９９は、ＰＳＡ（Pressure Swing Adsorption）式またはガス分離膜式などの、任意の形式のガス分離装置であってもよい。または、ガス供給部９９は、任意の種類のガスが充填されたボンベまたはタンクなどのガス貯蔵装置であってもよい。
　基板１０の表面１１および裏面１２を酸化させたくない場合、酸素を含む空気に替えて、窒素ガスを基板１０に吹き付けて乾燥させることができる。逆に、基板１０の表面１１および裏面１２を酸化させたい場合には、空気に替えて酸素ガスを基板１０に吹き付けることで、基板１０の酸化を促進できる。このように、基板１０に求められる処理に対応して適切な種類の気体を選択し、その選択された気体を基板１０の表面１１および裏面１２に供給することで、基板１０からの水分１８の除去と同時に、基板１０の表面１１および裏面１２を適切に処理することができる。
　以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、各実施の形態の構成を適宜組合せてもよい。また、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　本発明は、液晶ディスプレイなどの液晶デバイスの製造工程において、ガラス基板に対し所定の液処理を行なった後に基板表面を乾燥させる基板乾燥装置に、特に有利に適用され得る。
　１　基板乾燥装置、１０　基板、１１　表面、１２　裏面、１８　水分、２０　搬送部、２１，２２　搬送ローラ、３０　気体噴出部、３１，３１ａ，３１ｂ　表側エアナイフ、３２，３２ａ，３２ｂ　裏側エアナイフ、３５，３５ａ，３５ｂ　通気路、３６　噴出口、４０　加熱部、５０　傾き変更部、６０　距離変更部、７０　面積変更部、９０　送風部、９１，９２　連通部、９９　ガス供給部。

Claims (6)

  1. 　表面（１１）と裏面（１２）とを有する基板（１０）を面方向に搬送する搬送部（２０）と、
    　前記表面（１１）および前記裏面（１２）に気体を噴出して吹き付ける気体噴出部（３０）と、
    　前記気体噴出部（３０）から噴出される前記気体を加熱する加熱部（４０）と、を備える、基板乾燥装置（１）。
  2. 　前記気体噴出部（３０）は、前記気体噴出部（３０）から噴出する直前の前記気体が流通する通気路（３５）を有し、
    　前記通気路（３５）の延びる方向の、前記表面（１１）および前記裏面（１２）に対する傾き（θ）を変更する、傾き変更部（５０）をさらに備える、請求項１に記載の基板乾燥装置（１）。
  3. 　前記気体噴出部（３０）は、前記基板（１０）の搬送方向（ＤＲ１）に複数並べられて配置されている、請求項１または請求項２に記載の基板乾燥装置（１）。
  4. 　前記気体噴出部（３０）には、前記気体噴出部（３０）から前記気体が噴出する噴出口（３６）が形成されており、
    　前記噴出口（３６）と前記基板（１０）との距離（Ｄ）を変更する、距離変更部（６０）をさらに備える、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板乾燥装置（１）。
  5. 　前記気体噴出部（３０）から前記気体が噴出する噴出口（３６）の開口面積を変更する、面積変更部（７０）をさらに備える、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板乾燥装置（１）。
  6. 　前記気体は、空気、窒素、または酸素のいずれかである、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板乾燥装置（１）。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111517664A (zh) * 2020-05-25 2020-08-11 福建和达玻璃技术有限公司 用于玻璃机壳金属质感表面处理的高效率吹干装置及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11204489A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2004330180A (ja) * 2003-04-17 2004-11-25 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP2006222340A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Hitachi High-Technologies Corp 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2006247020A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 手乾燥装置
JP2009105447A (ja) * 2009-02-09 2009-05-14 Kawasaki Plant Systems Ltd 板材の洗浄設備およびその高圧液スプレー洗浄装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11204489A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2004330180A (ja) * 2003-04-17 2004-11-25 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP2006222340A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Hitachi High-Technologies Corp 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2006247020A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 手乾燥装置
JP2009105447A (ja) * 2009-02-09 2009-05-14 Kawasaki Plant Systems Ltd 板材の洗浄設備およびその高圧液スプレー洗浄装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111517664A (zh) * 2020-05-25 2020-08-11 福建和达玻璃技术有限公司 用于玻璃机壳金属质感表面处理的高效率吹干装置及方法
CN111517664B (zh) * 2020-05-25 2022-04-19 福建和达玻璃技术有限公司 用于玻璃机壳金属质感表面处理的高效率吹干装置及方法

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