JP2004273956A

JP2004273956A - バンプ構造、半導体チップ、半導体装置、電子デバイスおよび電子機器

Info

Publication number: JP2004273956A
Application number: JP2003065821A
Authority: JP
Inventors: Hideo Imai; 英生今井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-03-11
Filing date: 2003-03-11
Publication date: 2004-09-30

Abstract

【課題】高い接合信頼性を有するバンプ構造を提供すること、該バンプ構造を有する半導体チップを提供すること、また、該半導体チップを備えた半導体装置、電子デバイス、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体チップ１Ａは、基板２と、電極パッド３と、パッシベーション膜４と、電極膜５と、ろう材層６とを備えている。電極膜５は、それぞれ無電解めっきによって形成されたＮｉ層５１とＣｕ層５２とを有している。Ｃｕ層５２の厚さは、３〜５０μｍであるのが好ましい。また、Ｃｕ層５２は、ろう材層６の形成に先立ち、プリフラックス処理が施されたものであるのが好ましい。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ構造、半導体チップ、半導体装置、電子デバイスおよび電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップを回路基板に実装する際には、突起電極（バンプ）が形成された半導体チップの端子と、対応する回路基板の端子とを位置決めして、この状態で、加熱または加熱・加圧を行うことにより、対応する端子同士を接合することが行われている。
【０００３】
半導体チップの端子にバンプを形成し実装する方法において、バンプの製造方法としてはめっき法やボールバンプ等の工法があるが、タクト短縮および高さ均一性の観点でめっき法が優れている。
そのめっき法の中でも、電解めっき法と無電解めっき法があるが、低コストおよびタクト短縮の観点で無電解めっきが注目されている。
【０００４】
この場合、無電解Ｎｉめっき層とＡｕめっき層とからなる電極膜をはんだ層の下地として用いることが、近年主流となっている（例えば、特許文献１）。
しかしながら、無電解Ｎｉ層とＡｕ層とからなる電極膜上にはんだを塗布すると、Ａｕははんだ中に拡散する。はんだ中にＡｕが拡散すると、熱履歴（例えば高温放置等）によりＡｕが偏析し、接続信頼性に悪影響を及ぼすことがあった。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２８０４０７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高い接合信頼性を有するバンプ構造を提供すること、該バンプ構造を有する半導体チップを提供すること、また、該半導体チップを備えた半導体装置、電子デバイス、電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のバンプ構造は、無電解めっきによって形成され、主としてＮｉで構成されたＮｉ層と、
前記Ｎｉ層上に形成され、主としてＣｕで構成されたＣｕ層とを有する電極膜を備えたことを特徴とする。
これにより、高い接合信頼性を有するバンプ構造を提供することができる。
【０００８】
本発明のバンプ構造では、前記電極膜上に、主としてろう材で構成されたろう材層が形成されていることが好ましい。
これにより、ろう材層とＣｕとが合金を形成することができ、接合信頼性がさらに向上する。
本発明のバンプ構造では、前記ろう材層の前記Ｃｕ層との界面付近に、Ｃｕが拡散していることが好ましい。
これにより、ろう材層は、特に優れた強度を有するものとなり、結果として、半導体チップと回路基板とを接合する際の接合信頼性が特に優れたものとなる。
【０００９】
本発明のバンプ構造では、前記Ｃｕ層の厚みが、３〜５０μｍであることが好ましい。
これにより、バンプの接合信頼性がさらに向上する。
本発明のバンプ構造では、前記Ｃｕ層は、その表面の少なくとも一部にプリフラックス処理が施されたものであることが好ましい。
これにより、Ｃｕ層の酸化が防止され、バンプの接合信頼性は特に優れたものとなる。
【００１０】
本発明のバンプ構造では、前記Ｎｉ層およびＣｕ層は、レジストを使わずに形成されたことが好ましい。
これにより、低コストで、バンプの接合信頼性を特に優れたものとすることができる。
本発明の半導体チップは、本発明の構造を有するバンプ構造を備えることを特徴とする。
これにより、接合強度に優れたバンプを有し、信頼性に優れた半導体チップを提供することができる。
【００１１】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体チップを実装してなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い半導体装置が得られる。
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体チップを実装してなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のバンプ構造、半導体チップ、半導体装置、電子デバイスおよび電子機器の好適な実施形態について説明する。また、本発明における半導体チップには、ベアチップ（個別のチップおよびウェハの双方）および半導体パッケージのいずれのものをも含む。
【００１３】
まず、本発明の半導体チップの実施形態について、図１、図２に基づいて説明する。図１は、本発明の半導体チップの一例を示す断面図、図２は、本発明の半導体チップの他の一例を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す半導体チップ１Ａは、基板（半導体基板）２と、基板２上に形成された電極パッド３と、パッシベーション膜４と、電極膜５と、ろう材層６とを備える。なお、半導体チップ１Ａにおいて、電極パッド３が形成される側の面を能動面という。
【００１４】
基板２は、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＳｉＧｅ等の半導体材料で構成されている。また、基板２は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
この基板２の一方の面２１には、集積回路（図示せず）が形成され、この集積回路の配線パターンの一部に接触するように電極パッド３が配設されている。電極パッド３は、例えば、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕ等の導電性材料で構成されている。電極パッド３は、基板２の端部又は中央部に配置されていてもよく、あるいは、エリアアレイ状に複数行、複数列に配置されてもよい。電極パッド３は、集積回路が形成された領域の内側又は外側、あるいはその両方に形成されてもよい。
【００１５】
パッシベーション膜４は、例えば、半導体チップ１Ａを腐食等から保護する保護膜として機能するものである。パッシベーション膜４の構成材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ等が挙げられる。パッシベーション膜４は、基板２の面２１のうち電極パッド３で覆われていない部分を覆うとともに、電極パッド３の外周部付近を覆っている。パッシベーション膜４は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
【００１６】
電極膜５は、無電解めっきにより形成され、主としてＮｉで構成されたＮｉ層５１と、Ｎｉ層５１上に積層形成され、主としてＣｕで構成されたＣｕ層５２とを有している。電極膜５は、少なくともＮｉ層５１が無電解めっきにより形成されたものであるが、その全体が無電解めっきにより形成されたもの（Ｎｉ層５１およびＣｕ層５２がいずれも無電解めっきにより形成されたもの）であるのが好ましい。電極膜５を無電解めっきで形成することにより、微細な形状の電極膜を高精度で形成することができるという利点がある。電極膜５は、半導体チップ１Ａを後述するような回路基板７に接合する際の、接合端子（バンプ）を構成するものであり、パッシベーション膜４から露出している電極パッド３（電極パッド３のうちパッシベーション膜４で被覆されていない領域）を覆うように形成されている。
【００１７】
ところで、従来のバンプ構造は、一般に、Ｎｉ層と、その外表面側に形成されたＡｕ層とを有するものであった。このような構成のバンプでは、電極膜の表面に形成されるはんだ層中にＡｕが拡散し、熱履歴等により偏析することで、はんだ層が脆くなり、バンプの接合信頼性が低くなり易いという問題点を有していた。
【００１８】
これに対し、本発明では、電極膜がＮｉ層とＣｕ層とを有する点に特徴を有する。このような構成を有することにより、以下のような効果が得られる。
すなわち、電極膜の表面にはんだ等で構成されたろう材層を形成した場合であっても、本発明では、前述したような接合信頼性の低下を十分に防止することができる。特に、ろう材層６が後に詳述するようなはんだで構成されたものであると、バンプの接合信頼性は特に優れたものとなる。すなわち、はんだは、一般にＳｎを含む組成を有しており、このＳｎがろう材層６中に拡散したＣｕとの間で合金を形成することにより、ろう材層６は、高強度で、特に優れた接合信頼性を有するものとなる。その結果、バンプのろう付け性（はんだ付け性）が向上する。これにより、信頼性の高い半導体チップを提供することができる。
【００１９】
また、無電解めっきによりＣｕ層５２を形成する場合、Ａｕ層を形成する場合に比べてめっき速度が速いため、比較的厚い層を短時間で形成することができる。このように、Ｃｕ層５２が比較的厚い層であると、ろう材層６中に拡散するＣｕの量が比較的多い場合であっても、Ｃｕ層５２を確実に残存させることができる。これにより、Ｎｉ層５１中のＰがろう材層６との界面に移行し偏析することを確実に防止することができる。
【００２０】
また、Ｃｕは、Ｎｉに比べてやわらかいため、Ｃｕ層５２を形成することで、バンプに加わる応力を緩和することができる。このような応力緩和の効果は、Ｃｕ層５２の厚みが大きいほどより得られる。
Ｃｕ層５２の厚みは、特に限定されないが、３〜５０μｍであるのが好ましい。このように、本発明においては、Ｃｕ層５２の厚みが比較的大きいものであるのが好ましい。これにより、前述した効果は特に顕著なものとなる。なお、従来のバンプを構成するＡｕ層の厚みは、通常、０．０１〜１μｍとされている。
また、Ｃｕは、Ａｕのような貴金属に比べて、生産コストの面からも有利であり、半導体チップの低価格化にも寄与することができる。
【００２１】
さらに、Ｃｕ層５２は、その表面の少なくとも一部にプリフラックス処理が施されたものであるのが好ましい。プリフラックス処理を行うことで、Ｃｕ層５２の酸化膜を除去するとともに、Ｃｕ層５２の再酸化を防止することができる。
また、プリフラックス処理を行うことで、ろう材層６を形成する際に、Ｃｕ層５２の表面にろう材（はんだ）をよりよく流すことができ、これにより、ろう付け性（はんだ付け性）が向上する。すなわち接合強度が強く良好な合金が形成される。
【００２２】
ろう材層６は、例えば、電極膜５上にろう材を供給し、リフローすることにより形成される。そして、電極膜５およびろう材層６が、半導体チップ１Ａのバンプを構成する。
ろう材としては、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系はんだ等のＰｂ含有はんだや、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｎｉ、ＡｕおよびＳｂからなる群より選択される少なくとも２種以上を含み、かつ、実質的にＰｂを含まないＰｂ不含はんだ（Ｐｂフリーはんだ）、銀ろう、銅ろう、リン銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろう等を用いることができるが、中でも、Ｐｂ含有はんだ、Ｐｂ不含はんだ（Ｐｂフリーはんだ）等のはんだが好ましい。ろう材層６の構成材料として、はんだを用いることにより、前述した効果はさらに顕著なものとなる。また、Ｐｂ不含はんだ（Ｐｂフリーはんだ）は、接合強度と環境に対する影響との両立の観点から、特に有利である。
【００２３】
ろう材層６（バンプ）は、その形成方法については特に限定されず、例えば、ボールバンプやめっきバンプ等として形成することができる。
ろう材層６をボールバンプで構成する場合には、バンプを容易に形成することができるという利点がある。ボールバンプの形成方法としては、例えば、ワイヤボンディング法を用いる方法、予め製造した金属ボールを接合する方法等を挙げることができる。
【００２４】
ろう材層６（バンプ）をめっきバンプで構成する場合には、微細な形状の端子をより高い精度で形成することができるという利点がある。めっきバンプの形成方法としては、例えば、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式めっき法等が挙げられる。
【００２５】
なお、本実施形態では、半導体チップ１Ａとして、電極膜５を比較的薄く形成し、その上に、ろう材層６を形成してバンプとした場合を例に挙げているが、本発明はこれに限定されない。例えば、図２に示す半導体チップ１Ｂのように、ろう材層を有していないものであってもよい。この場合、必要に応じて（例えば、回路基板に実装する際に）、ろう材層が形成されるものであってもよい。また、図２に示すように、電極膜５は、比較的肉厚のもので、そのままバンプとして用いられるものであってもよい。
【００２６】
以下、この電極膜５の形成方法について説明する。
図３は、電極膜の形成工程を示す図（フローチャート）、図４は、電極膜の形成方法を示す工程図（断面図）、図５は、電極膜の形成方法を示す工程図（断面図）、図６は、電極膜の形成に用いる水洗槽の一例を模式的に示す図である。
本実施形態における電極膜５の形成方法は、図３に示すように、基本的には、無機残渣除去工程（Ｓ１）、水洗工程（Ｓ２）、Ａｌ酸化膜除去工程（Ｓ３）、水洗工程（Ｓ４）、ジンケート処理工程（Ｓ５）、水洗工程（Ｓ６）、無電解Ｎｉめっき工程（Ｓ７）、水洗工程（Ｓ８）、無電解Ｃｕめっき工程（Ｓ９）、水洗工程（Ｓ１０）、プリフラックス処理工程（Ｓ１１）とを有している。
＜１＞まず、図４（ａ）に示すように、電極パッド３およびパッシベ−ション膜４が形成された基板２の裏面２２および端面（図示せず）にレジスト（被膜）２２１を形成して、基板２の裏面２２および端面を絶縁する。これにより、無電解めっき時に基板２の裏面２２や端面にめっき層が形成されることを防止することができる。さらに、Ｓｉ等の半導体材料と直接導通している端子（ＧＮＤ電極）を同電位にすることができる。
【００２７】
＜２＞次に、無機残渣除去液中に基板（チップ本体）２を浸漬し、電極パッド３表面やパッシベーション膜４表面の無機残渣を除去する（無機残渣除去工程）。
無機残渣除去液は、特に限定されないが、例えば、フッ化水素（ＨＦ）、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、塩化水素（ＨＣｌ）を含有する溶液等を好適に用いることができる。当該溶液中におけるフッ化水素や硫酸や塩化水素の含有量は、０．０１〜０．１ｖｏｌ％程度であるのが好ましい。また、フッ化水素や硫酸や塩化水素の含有量を上記範囲とすることで、基板（チップ本体）２への悪影響の発生を十分に防止しつつ、無機残渣を効率よく除去することができる。
【００２８】
無機残渣除去液のｐＨは、特に限定されないが、１〜５程度であるのが好ましい。無機残渣除去液のｐＨが前記範囲内の値であると、無機残渣の除去を効率よく行うことができる。
また、無機残渣除去液への浸漬時間は、特に限定されないが、１〜５分間とするのが好ましい。無機残渣除去液への浸漬時間を前記範囲内の値とすることで、無機残渣の除去を好適に行うことができる。これに対し、浸漬時間が前記下限値未満であると、無機残渣を短時間で、十分に除去するのが困難になる場合がある。また、浸漬時間が前記上限値を超えると、パッシベーション膜４にダメージを与える可能性がある。
【００２９】
以上のようにして、電極パッド３やパッシベ−ション膜４表面の無機残渣が除去される。
本実施形態では、酸性水溶液を用いているが、例えば、水酸化ナトリウムなどのアルカリ性水溶液を用いてもよい。また、有機化合物等の残渣（有機残渣）がある場合には、エタノール、ＩＰＡ、アセトンなどの溶液中に浸漬し、電極パッド表面やパッシベーション膜表面の有機残渣を除去してもよい。
【００３０】
＜３＞その後、図６に示すような水洗槽１２を用いて、基板（チップ本体）２を水洗する（水洗処理工程）。
水洗槽１２は、オーバーフロー機構１２１を備えたオーバーフロー構造を有しているのが好ましい。これにより、基板２への処理液の残渣や異物の付着を効率よく低減させることができる。
基板２は、治具１４に収納された状態で水洗槽１２中の洗浄液（水）に浸漬されることにより水洗される。
【００３１】
また、水洗処理のとき、不活性ガスによるバブリングを行うのが好ましい。これにより、短時間で効率よく十分に水洗を行うことができる。バブリングの方法は、特に限定されないが、例えば、水洗槽１２の内側、例えば底面部や側面部に、多数の孔１３１が形成されたチューブ１３を配しておき、当該孔１３１から不活性ガスを噴出させる方法等が挙げられる。チューブ１３を構成する材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂材料等が挙げられる。
【００３２】
また、このチューブ１３には、ガスポンプ等の図示しない不活性ガス供給手段が接続されている。この不活性ガス供給手段によりチューブ１３に不活性ガスを供給することで、当該チューブ１３に形成された孔１３１から不活性ガスをバブル（気泡）１３２として噴出させる。不活性ガスとしては、例えば、Ｎ_２、Ｈｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げられる。
【００３３】
形成されるバブル（気泡）１３２の大きさは、チューブ１３に形成された孔１３１の大きさ（面積）等に依存する。孔１３１の１個当たりの面積（開口面積）は、特に限定されないが、０．１〜２ｍｍ^２であるのが好ましい。孔１３１の面積を前記範囲内の値とすることで、好適にバブリングを行うことができ、水洗をさらに効率よく行うことができる。これに対し、孔１３１の面積が前記下限値未満であると、不活性ガスの吹き出し圧力を高圧にする必要があり、配管等に不具合を生じる可能性がある。また、孔１３１の面積が前記上限値を超えると、形成されるバブル１３２が大きくなり、洗浄効果が低下する可能性がある。
【００３４】
不活性ガスの吹き出し量は、特に限定されないが、０．１〜２Ｌ／秒であるのが好ましい。不活性ガスの吹き出し量を前記範囲内の値とすることで、より効率よく短時間で水洗を行うことができる。これに対し、不活性ガスの吹き出し量が前記下限値未満であると、前記効果が十分に得られない可能性がある。また、吹き出し量が前記上限値を超えると、基板２を破損する可能性がある。
【００３５】
なお、上記の説明では、複数の孔１３１を開けたチューブ１３を水洗槽１２の底面部に配し、当該孔１３１から不活性ガスを吹き出させることによりバブリングを行う場合を例に挙げて説明したが、バブリングの方法はこれに限定されない。例えば、チューブ１３は、水洗槽１２の側面部に配してもよいし、チューブ１３ではなく水洗槽１２の壁面にガス吹き出し用の孔を設け、そこから不活性ガスを吹き出すような構成にしてもよい。また、焼結体などの多孔質体を水洗槽１２の内部に配置し、当該多孔質体を介して不活性ガスを吹き出すことによりバブリングを行うこともできる。
【００３６】
＜４＞次に、アルカリ性水溶液からなる酸化膜除去処理液に基板（チップ本体）２を浸漬し、電極パッド３の表面に自然に形成された自然酸化膜（Ａｌ酸化膜）を除去する（Ａｌ酸化膜除去工程）。
アルカリ性水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム等を含む溶液（水溶液）を用いることができる。
【００３７】
酸化膜除去処理液のｐＨは、特に限定されないが、９〜１３であるのが好ましい。酸化膜除去処理液のｐＨが前記範囲内の値であると、自然酸化膜を効率よく除去することができる。これに対し、ｐＨが前記下限値未満であると、化学反応が進行しない可能性がある。また、ｐＨが前記上限値を超えると、電極パッド３表面が過度にエッチングされ、電極パッド３が必要以上に薄くなる可能性がある。
【００３８】
また、酸化膜除去処理液の温度は、特に限定されないが、２５〜６０℃であるのが好ましい。酸化膜除去処理液の温度が前記範囲内の値であると、自然酸化膜を効率よく除去することができる。これに対し、温度が前記下限値未満であると、化学反応が十分速やかに進行せず、自然酸化膜の除去に時間がかかってしまう場合がある。また、温度が前記上限値を超えると、電極パッド３表面が過度にエッチングされ、電極パッド３が必要以上に薄くなる可能性がある。
【００３９】
また、酸化膜除去処理液への基板２の浸漬時間は、特に限定されないが、０．５〜５分間とするのが好ましい。酸化膜除去処理液への浸漬時間を前記範囲内の値とすることにより、自然酸化膜の除去を好適に行うことができる。これに対し、浸漬時間が前記下限値未満であると、酸化膜除去処理液の組成、温度等によっては、自然酸化膜が十分に除去されずに残存してしまう可能性がある。また、浸漬時間が前記上限値を超えると、電極パッド３表面が過度にエッチングされ、電極パッド３が必要以上に薄くなる可能性がある。なお、本実施形態では、アルカリ性水溶液を用いているが、リン酸などの酸性水溶液を用いてもよい。
以上のようにして電極パッド３表面の自然酸化膜が除去される。
＜５＞その後、上記＜３＞と同様にして水洗処理を行う。
＜６＞次に、ジンケート処理液に基板（チップ本体）２を浸漬し、電極パッド３表面にＺｎ膜を形成する（ジンケート処理工程）。これにより、後述する＜８＞無電解Ｎｉめっき工程において、Ｎｉを好適に析出させることができる。
まず、ジンケート液中に基板２を浸漬し、電極パッド３表面の酸化膜を除去する。その後、さらにジンケート液中に浸漬することにより、電極パッド３表面にＺｎ膜を形成する。
【００４０】
ジンケート液は、Ｚｎを含有するものであれば、特に限定されないが、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有するものであるのが好ましい。
ジンケート液のｐＨは、特に限定されないが、１１〜１３．５であるのが好ましい。ジンケート液のｐＨが前記範囲内の値であると、ジンケート処理を効率よく行うことができる。これに対し、ｐＨが前記下限値未満であると、Ｚｎ置換が促進されない可能性がある。また、ｐＨが前記上限値を超えると、電極パッド３表面が過度にエッチングされ、電極パッド３が必要以上に薄くなる可能性がある。
【００４１】
ジンケート液の温度は、特に限定されないが、２０〜３０℃であるのが好ましい。ジンケート液の温度が前記範囲内の値であると、ジンケート処理を効率よく行うことができる。これに対し、温度が前記下限値未満であると、ジンケート液の組成等によっては、ジンケート処理に要する時間が長くなる可能性がある。また、温度が前記上限値を超えると、電極パッド３表面が過度にエッチングされ、電極パッド３が必要以上に薄くなる可能性がある。
【００４２】
また、ジンケート液への基板２の浸漬時間は、特に限定されないが、１０秒〜２分間であるのが好ましい。ジンケート液への浸漬時間を前記範囲内の値とすることで、ジンケート処理を好適に行うことができる。これに対し、浸漬時間が前記下限値未満であると、ジンケート液の組成、温度等によっては、ジンケート処理（化学反応）が十分に進行しない可能性がある。一方、浸漬時間が前記上限値を超えると、電極パッド３表面が過度にエッチングされ、電極パッド３が必要以上に薄くなる可能性がある。なお、本実施形態では、アルカリ水溶液を用いているが、酸性で活性度が高い処理液を用いてもよい。
【００４３】
なお、Ｚｎ膜を形成した後、当該Ｚｎ膜を剥離して、その後再びジンケート処理を行い、新しくＺｎ膜を形成してもよい。これにより、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させることができる。
Ｚｎ膜の剥離は、例えば、５〜３０ｖｏｌ％の硝酸水溶液に、基板２を１０〜６０秒間浸漬することにより行うことができる。そして再度、上記のような条件でジンケート浴中に基板２を浸漬し、Ｚｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。このとき析出されるＺｎ粒子は、緻密なものとなる。これにより無電解Ｎｉめっき工程において、Ｎｉをより好適に析出させることができる。また、必要に応じて、当該Ｚｎ膜を再度剥離して、その後再びジンケート処理を行い、新たにＺｎ膜を形成する処理を繰り返してもよい。
以上のようにして電極パッド３の表面にＺｎ膜が形成される。
【００４４】
＜７＞その後、上記＜３＞と同様にして水洗処理を行う。
＜８＞次に、無電解Ｎｉめっき液に基板（チップ本体）２を浸漬し、図４（ｂ）に示すように、無電解めっきによりＮｉ層５１を形成する（無電解Ｎｉめっき工程）。
Ｎｉめっき液としては、例えば、次亜リン酸を還元剤として含有する溶液等を用いることができる。このような溶液を用いた場合、通常、めっき時にＰが共析することとなる。
【００４５】
Ｎｉめっき液のｐＨは、特に限定されないが、４〜５であるのが好ましい。Ｎｉめっき液のｐＨが前記範囲内の値であると、Ｎｉめっきを効率よく行うことができる。
また、Ｎｉめっき液の温度は、特に限定されないが、７０〜９５℃であるのが好ましい。Ｎｉめっき液の温度が前記範囲内の値であると、Ｎｉめっきを効率よく行うことができる。
【００４６】
なお、形成される電極膜５上にろう材層６を形成する場合、Ｎｉ層５１の高さ（厚み）は、１〜７μｍ程度とするのが好ましい。一方、電極膜５をバンプとして用いる場合（ろう材層を形成しない場合）には、Ｎｉ層５１の高さ（厚み）は、５〜２５μｍ程度とするのが好ましい。
以上のようにしてＮｉ層５１が形成される。
【００４７】
＜９＞その後、上記＜３＞と同様にして水洗処理を行う。
＜１０＞次に、Ｃｕめっき液中に基板（チップ本体）２を浸漬し、図４（ｃ）に示すように、Ｎｉ層５１表面にＣｕ層５２を形成する（無電解Ｃｕめっき工程）。
Ｃｕめっき液は、特に限定されないが、ホルマリンを還元剤として用いるものが好ましい。
【００４８】
Ｃｕめっき液のｐＨは、特に限定されないが、１０〜１３であるのが好ましい。Ｃｕめっき液のｐＨを前記範囲内の値とすることにより、Ｃｕ層５２を効率良く形成することができる。
また、Ｃｕめっき液の温度は、特に限定されないが、５０〜８０℃であるのが好ましい。Ｃｕめっき液の温度が前記範囲内の値であると、Ｃｕ層５２を効率よく形成することができる。
【００４９】
このようにして形成されるＣｕ層５２の厚みは、特に限定されないが、３〜５０μｍ程度であるのが好ましい。Ｃｕ層５２の厚みが前記範囲内の値であると、ろう材層６中に拡散するＣｕの量が比較的多い場合であっても、Ｃｕ層５２を確実に残存させることができる。これにより、Ｎｉ層５１中のＰがろう材層６との界面に移行し偏析することを確実に防止することができる。また、Ｃｕ層５２の厚みが前記範囲内の値であると、前述した応力緩和の効果が特に顕著なものとなる。
以上のようにしてＣｕ層５２が形成される。
【００５０】
＜１１＞その後、上記＜３＞と同様にして水洗処理を行う。
＜１２＞次に、プリフラックス溶液に基板２を浸漬し、Ｃｕ層５２の表面にプリフラックス処理を施す（プリフラックス処理工程）。Ｃｕ層５２の表面にプリフラックス処理を施すことで、Ｃｕ層５２の酸化膜を除去し、再酸化を防止することができる。また、このようなプリフラックス処理を施すことにより、ろう材層６を形成する際において、Ｃｕ層５２の表面にろう材（はんだ）がよく流れるようになり、ろう付け性（はんだ付け性）が向上する。すなわち接合強度が強く良好な合金が形成される。
まず、基板２を塩酸溶液に浸漬することにより、Ｃｕ層５２表面の酸化膜を除去する。その後、水洗する。
【００５１】
次に、基板２をプリフラックス溶液に浸漬することにより、Ｃｕ層５２の表面にプリフラックス処理を施す。
プリフラックスとしては、例えば、イミサジオール化合物、Ｃｕイオン等の水溶性プリフラックス、ロジンおよび耐熱樹脂からなる樹脂型プリフラックス等を用いることができる。
【００５２】
＜１３＞その後、上記＜３＞と同様にして水洗処理を行う。
＜１４＞次に、図５に示すように、基板２の裏面２２および端面に塗布されたレジスト２２１を除去する。レジスト２２１の除去方法としては、例えば、硫酸過水溶液中に基板２を浸漬する方法等が挙げられる。
＜１５＞最後に、Ｎｉ層５１およびＣｕ層５２からなる電極膜５が形成された基板２を前記＜３＞と同様にして水洗し、その後乾燥させる。
【００５３】
以上のような方法により、電極パッド３上に電極膜５が形成される。このように無電解めっきにより電極膜５を形成することで、微細な形状の電極膜５を高精度で形成することができるという利点がある。また、無電解めっきにより電極膜５を形成することで、電極膜形成用のレジストを用いる必要がなくなる。これによりレジスト除去用の酸による半導体チップ（半導体基板）への影響を無くすことができ、高品質の半導体チップ１Ａを得ることができる。
【００５４】
なお、この電極膜５は、例えば図１に示すように、比較的薄く形成し、その上にはんだを供給し、リフローすることによりろう材層６を形成してバンプとすることもできるし、一方、例えば図２に示すように、比較的厚く形成してそのまま（ろう材層を形成することなく）バンプとすることもできる。この場合には、半導体チップの実装時等に、電極膜５または回路基板の端子上にろう材を供給することにより、前述したような効果を得ることができる。
電極膜５上にろう材層６を形成する場合には、電極膜５の厚み（高さ）は、３〜３０μｍ程度であるのが好ましい。一方、電極膜５をそのままバンプとして用いる場合（ろう材層を形成しない場合）には、電極膜５の厚み（高さ）は、１０〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
【００５５】
次に、上述したような半導体チップ１Ａを、回路基板に実装する実装方法について説明する。以下の説明では、図１に示すように、比較的薄く形成された電極膜５上にろう材層６を形成してバンプとし、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐｃｈｉｐｂｏｎｄｉｎｇ）実装する場合を例に挙げて説明する。
電極膜５上にろう材層６を形成する方法としては、例えば、ろう材としてはんだを用いる場合には、特に限定されないが、（１）はんだめっきを行い、加熱する方法、（２）電極膜５上にはんだワイヤーによりスタッドバンプを形成し、加熱する方法、（３）予めはんだボールを作っておき、電極膜５上にフラックス塗布後、ボール搭載し、適温でリフローする方法、（４）電極膜５上にはんだペーストを適量印刷し、適温でリフローする方法等が挙げられる。
【００５６】
バンプは、それぞれ、ほぼ等しい厚さ（高さ）に設定されており、その厚さ（平均）は、特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度であるのが好ましい。また、バンプの横断面での面積（最大）も、特に限定されないが、例えば、５×１０^−４〜５×１０^−２ｍｍ^２程度であるのが好ましい。
前述したように、本発明では、Ｎｉ層５１上に（Ａｕ層ではなく）Ｃｕ層５２を形成する点に特徴を有する。このため、上記のように、電極膜５上にろう材層６を形成する際に、すなわち、ろう材とＣｕとを接合させる際に、Ｃｕ層５２の表面にろう材がよく流れ、これにより、ろう付け性（はんだ付け性）が向上する。すなわち接合強度が強く良好な合金が形成される。これにより、信頼性の高い半導体チップを提供することができる。
【００５７】
次に、このような半導体チップが実装される回路基板７の一例について、図７に基づいて説明する。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図７に示す回路基板７は、基板８と、基板８の一方の面（上面）８１に設けられた複数の端子９とを有している。
【００５８】
基板８は、例えば、各種ガラス、各種セラミックス、Ｓｉ等の半導体材料、各種樹脂材料、またはこれらを任意に組み合わせたもの等で構成されている。基板８の厚さ（平均）は、特に限定されないが、通常、０．１〜３ｍｍ程度とされる。
また、基板８は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
【００５９】
この基板８の一方の面８１には、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎのうちの少なくとも１種の金属、該金属を含む合金等の導電性材料で構成される配線パターン（図示せず）が形成されている。そして、この配線パターンの端部付近に電極が形成されて、端子９を構成している。
なお、配線パターンは、基板８が複数の層の積層体で構成される場合には、基板８の内部に形成されていてもよい。
【００６０】
次に、半導体チップ１Ａの回路基板７への実装について説明する。図８は、本発明の半導体チップの実装方法を示す工程図（断面図）、図９は、回路基板に半導体チップが実装された状態を示す断面図である。
半導体チップ１Ａを、回路基板７に実装する際には、まず、図８に示すように、回路基板７に半導体チップ１Ａを積層して（対向させて）、半導体チップ１Ａのバンプ（ろう材層６）と、これに対応する回路基板７の端子９とを、接触するよう位置決めする。
【００６１】
次に、対応する端子同士を（半導体チップのバンプと対応する回路基板の端子とを）接合する。
この接合方法としては、ボンディングツールによる加熱・加圧による方法や、リフロー炉等による雰囲気加熱による方法等がある。
半導体チップ１Ａのバンプと、回路基板７の端子９とを、加熱・加圧により一体化して接合する場合、加熱の温度は、特に限定されないが、１００〜４００℃程度であるのが好ましく、２００〜３５０℃程度であるのがより好ましい。また、加熱の時間は、特に限定されないが、１〜６０秒程度であるのが好ましく、５〜３０秒程度であるのがより好ましい。さらに、必要に応じてフラックスを供給してもよい。
【００６２】
また、加圧により接合を行う場合、押し付け圧力は、特に限定されないが、０．１〜４ｋｇｆ／ｍｍ^２程度であるのが好ましい。圧力が前記範囲内の値であると、半導体チップ１Ａへのダメージをより確実に防止しつつ、信頼性の高い接合とすることができる。
加熱・加圧条件（処理条件）を前記のようなものとすることにより、半導体チップ１Ａの電極膜５と、対応する回路基板７の端子９とをより強固に接合することができる。
また、この接合は、必要に応じて、例えば、高周波、超音波等を照射しつつ行うようにしてもよい。
【００６３】
以上のようにして、半導体チップ１Ａのバンプと、対応する回路基板７の端子９とを一体化させることにより、図９に示すような接合部が形成される。すなわち、対応する端子同士が接合される。これにより、半導体チップ１Ａが回路基板７に実装される（半導体装置が得られる）。その後、半導体チップ１Ａと回路基板７との間にアンダーフィル樹脂を充填し、硬化してもよい。
【００６４】
以上のようにして、半導体チップ１Ａのバンプと、対応する回路基板７の端子９とを接合することにより、半導体チップ１Ａと回路基板７との優れた接合信頼性が得られる。
上述した実施の形態では、半導体チップ１の電極膜５上にろう材層６を形成してバンプとし、当該ろう材層６を介して回路基板７に実装する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００６５】
例えば、回路基板７の端子９上にはんだを供給して実装することもできるし、半導体チップ１Ａの電極膜５上および回路基板７の端子９上の両方にはんだを供給して実装することもできる。いずれの場合にも、Ｎｉ層５１とＣｕ層５２とから構成される電極膜５と隣接する位置にはんだが供給されていれば、Ｃｕがはんだ中に拡散して、前述したような効果を得ることができる。
【００６６】
また、電極膜５を比較的厚く形成してバンプとすることもできる。この場合には、電極膜５または回路基板７の端子９上にはんだを供給して実装することにより、前述したような効果を得ることができる。例えば、回路基板７の端子９がＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ、またはＣｕ／Ａｕから構成される場合、Ａｕははんだ中に拡散するが、半導体チップ１Ａのろう材層６が元々Ａｕが実質的に含まれないものであると、接合部におけるＡｕ量をより少ないものとして接合することができる。また、回路基板７の端子９がＣｕのみから構成される場合には、さらに信頼性の高い接合が得られる。
【００６７】
なお、半導体チップ１Ａの回路基板７への実装についても、上述した例に限定されるものではなく、例えば、樹脂をあらかじめ基板に塗布しておき、そこへチップを加熱加圧ボンディングし、接合と樹脂封止を一度に行うＮＣＰ（ＮｏｎＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）実装、ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｍｏｕｎｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）実装、ＣＯＦ（ＣｈｉｐＯｎＦｌｅｘ）実装、ＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）実装等、各種ＦＣＢ実装工程を採用することができる。
【００６８】
次に、このような半導体チップの実装方法により半導体チップが実装された回路基板を備える電子デバイス、すなわち、本発明の電子デバイスについて説明する。
以下では、本発明の電子デバイスを液晶表示装置に適用した場合を一例に説明する。
【００６９】
図１０は、本発明の電子デバイスを液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１０に示す液晶表示装置（電気光学装置）１００は、液晶パネル２００と、本発明の半導体チップの実装方法により、半導体チップ１Ａが回路基板７である可撓性回路基板に実装されてなる可撓性回路基板３００とを有している。すなわち、液晶表示装置（電気光学装置）１００は、本発明の半導体装置（半導体実装基板）を備えている。
【００７０】
液晶パネル２００は、枠状のシール材２３０を介して貼りあわされた第１パネル基板２２０と、第１パネル基板２２０に対向する第２パネル基板２４０と、これらで囲まれる空間に封入された液晶２７０とを有している。
第１パネル基板２２０および第２パネル基板２４０は、それぞれ、例えば、ガラス基板で構成されている。これらのパネル基板２２０、２４０の液晶２７０側の面には、それぞれ、例えばＩＴＯ等で構成される透明電極２１０、２５０が設けられている。これらの透明電極２１０、２５０を介して、液晶２７０に電圧が印加される。
また、第２パネル基板２４０の上面には、偏光板２６０が設けられている。
【００７１】
なお、第１パネル基板２２０は、第２パネル基板２４０から張り出した部分（張出領域２０１）を有している。この張出領域２０１にまで、各透明電極２１０、２５０が延在して設けられている。
回路基板（可撓性回路基板）７の基板８の一方の面８１には、配線パターン（リード）９３が形成されている。この回路基板７は、その一端側（図中左側）において、配線パターン９３が下方を向くように長手方向の途中で折り曲げられている。そして、この一端側において、配線パターン９３と張出領域２０１に延在する各透明電極２１０、２５０の端部とが、導電性粒子４１０を含む異方性導電性材料（異方性導電性ペースト、異方性導電性膜）４００を介して接続されている。また、配線パターン９３の中央付近の端部が端子９を構成しており、この端子９に半導体チップ１Ａのバンプが接合（接続）されている。
【００７２】
これにより、各透明電極２１０、２５０と半導体チップ１Ａとの電気的導通が得られている。
半導体チップ１Ａは、液晶パネル２００の駆動用ＩＣとして設けられており、各透明電極２１０、２５０への電圧の印加量、印加パターン等を制御する。この半導体チップ１Ａの制御により、液晶パネル２００では、所望の情報（画像）が表示される。
【００７３】
なお、本発明の電子デバイスは、図示の液晶表示装置１００への適用に限定されず、例えば、有機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置等の各種表示装置、インクジェット記録ヘッド等の液滴吐出用ヘッド等に適用することもできる。
そして、このような電子デバイスを備える本発明の電子機器は、各種の電子機器に適用することができる。
【００７４】
以下、本発明の電子機器について、図１１〜図１３に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図１１は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００は、本発明の電子デバイスとして、表示ユニット１１０６に液晶表示装置１００が組み込まれ、また、その内部に、例えば、ＣＰＵ（中央演算処理装置）等が内蔵されている。
【００７５】
図１２は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、本発明の電子デバイスとして液晶表示装置１００を備えている。
また、この携帯電話機１２００では、液晶表示装置１００の他、その内部に、本発明の電子デバイスとして、例えば、メモリ等が内蔵されている。
【００７６】
図１３は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００７７】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、本発明の電子デバイスとして液晶表示装置（電気光学装置）１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、液晶表示装置１００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケース１３０２の内部には、本発明の電子デバイスとして、例えば、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリ１３０８等が内蔵されている。
【００７８】
また、ケース１３０２の正面側（図１３においては裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が液晶表示装置１００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【００７９】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図１３に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００８０】
なお、本発明の電子機器は、図１１のパーソナルコンピュータ、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、テレビ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００８１】
以上、本発明のバンプ構造、半導体チップ、半導体装置、電子デバイスおよび電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の半導体チップの製造方法では、必要に応じて、任意の目的の工程を追加することもできる。
【００８２】
また、上記の説明では、化学処理と化学処理との間に、水洗工程を有するものとして説明したが、このような水洗工程は、その少なくとも一部を省略してもよい。また、水洗工程において用いる洗浄液としては、水（純水）のほか、界面活性剤を含む液体や、アルカリ溶液、酸溶液等を用いてもよい。また、水洗工程の代わりに、有機溶媒（有機溶剤）等の水以外の洗浄液を用いる洗浄工程を有していてもよい。
【００８３】
また、上記の説明では、電極膜がＮｉ層とＣｕ層との２層からなる積層体で構成されるものとして説明したが、電極膜は、３層以上の層が積層された積層体であってもよい。例えば、電極膜は、Ｎｉ層とＣｕ層との間に他の層を有するものであってもよいし、Ｎｉ層の下地層を有するものであってもよい。Ｎｉ層の下地層を有する場合、該下地層は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、ＣｕおよびＳｉから選択される少なくとも１種を含む材料で構成された層であるのが好ましい。また、電極膜を構成する層は、実質的に均一な組成からなるものであってもよいし、例えば、層の厚さ方向に組成が変化する傾斜材料で構成されたものであってもよい。
また、本発明においては、複数の半導体チップを積層するのに用いてもよい。
また、本発明において実装される半導体チップは、予め複数の半導体チップを積層した積層体であってもよい。
【００８４】
【実施例】
（実施例）
まず、電極パッドおよびパッシベ−ション膜が形成された基板の裏面および端面にレジストを塗布した。次に、前記実施形態で説明した方法により、Ｎｉ層、Ｃｕ層よりなる電極膜を形成した。
【００８５】
次に、硫酸過水溶液中に基板を浸漬して、基板の裏面および端面に塗布されたレジストを除去した。
その後、塩酸溶液中に基板を浸漬して、Ｃｕ層表面の酸化膜を除去し、さらに、プリフラックス溶液に基板を浸漬することにより、プリフラックス処理を行った。
【００８６】
なお、各化学処理の間には、水洗槽において水洗処理を行った。このとき、水洗槽の内部に配された、複数の孔が形成されたポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製のチューブから、吹き出し圧力：１〜３ｋｇ／ｃｍ^２、吹き出し量：０．５〜１Ｌ／秒でＮ_２ガスを吹き出すことによりバブリングを行った。
次に、この電極膜上にろう材を塗布、リフローしてバンプを形成して、半導体チップを得た。ろう材としては、Ｓｎ：９６．５ｗｔ％、Ａｇ：３ｗｔ％、Ｃｕ：０．５ｗｔ％の組成を有するＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだを用いた。以上のようにして半導体チップを得た。
【００８７】
（比較例）
Ｎｉ層上に、Ｃｕ層に代えてＡｕ層を形成した以外は、前記実施例と同様にして電極膜およびバンプを形成して半導体チップを得た。
Ａｕ層の形成は、以下のようにして行った。
すなわち、６０℃に加温された無電解Ａｕめっき液中に、基板を３０分間浸漬し、厚さ：０．２μｍのＡｕ層を形成した。
以上のようにして作製された各半導体チップについて、シェア強度を測定すると、実施例の半導体チップでは、いずれも実装上問題がないことが確認された。
これに対し、比較例の半導体チップでは、十分なシェア強度が得られず、実装上問題があることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体チップの好適な実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体チップの他の実施形態を示す断面図である。
【図３】電極膜の形成工程を示す図（フローチャート）である。
【図４】電極膜の形成方法を示す工程図（断面図）である。
【図５】電極膜の形成方法を示す工程図（断面図）である。
【図６】電極膜の形成に用いる水洗槽の一例を模式的に示す図である。
【図７】本発明の半導体チップが実装される回路基板の一例を示す断面図である。
【図８】本発明の半導体チップの実装方法を示す工程図（断面図）である。
【図９】回路基板に半導体チップが実装された状態を示す断面図である。
【図１０】本発明の電子デバイスを液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。
【図１１】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。
【図１２】本発明の電子デバイスを備える電子機器（携帯電話機）である。
【図１３】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。
【符号の説明】
１Ａ，１Ｂ‥‥半導体チップ２‥‥基板２１‥‥面２２‥‥裏面２２１‥‥レジスト３‥‥電極パッド４‥‥パッシベーション膜５‥‥電極膜５１‥‥Ｎｉ層５２‥‥Ｃｕ層６‥‥ろう材層７‥‥回路基板８‥‥基板８１‥‥面９‥‥端子９３‥‥配線パターン１２‥‥水洗槽１２１‥‥オーバーフロー機構１３‥‥チューブ１３１‥‥孔１３２‥‥バブル１４‥‥治具１５‥‥洗浄液１００‥‥液晶表示装置２００‥‥液晶パネル２０１‥‥張出領域２１０‥‥透明電極２２０‥‥第１パネル基板２３０‥‥シール材２４０‥‥第２パネル基板２５０‥‥透明電極２６０‥‥偏光板２７０‥‥液晶３００‥‥可撓性回路基板４００‥‥異方性導電性材料４１０‥‥導電性粒子１１００‥‥パーソナルコンピュータ１１０２‥‥キーボード１１０４‥‥本体部１１０６‥‥表示ユニット１２００‥‥携帯電話機１２０２‥‥操作ボタン１２０４‥‥受話口１２０６‥‥送話口１３００‥‥ディジタルスチルカメラ１３０２‥‥ケース（ボディー）１３０４‥‥受光ユニット１３０６‥‥シャッタボタン１３０８‥‥メモリ１３１２‥‥ビデオ信号出力端子１３１４‥‥データ通信用の入出力端子１４３０‥‥テレビモニタ１４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims

無電解めっきによって形成され、主としてＮｉで構成されたＮｉ層と、
前記Ｎｉ層上に形成され、主としてＣｕで構成されたＣｕ層とを有する電極膜を備えたことを特徴とするバンプ構造。
前記電極膜上に、主としてろう材で構成されたろう材層が形成されている請求項１に記載のバンプ構造。
前記ろう材層の前記Ｃｕ層との界面付近に、Ｃｕが拡散している請求項２に記載のバンプ構造。
前記Ｃｕ層の厚みが、３〜５０μｍである請求項１ないし３のいずれかに記載のバンプ構造。
前記Ｃｕ層は、その表面の少なくとも一部にプリフラックス処理が施されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載のバンプ構造。
前記Ｎｉ層およびＣｕ層は、レジストを使わずに形成された請求項１ないし５のいずれかに記載のバンプ構造。
請求項１ないし６のいずれかに記載の構造を有するバンプ構造を備えることを特徴とする半導体チップ。
請求項７に記載の半導体チップを実装してなることを特徴とする半導体装置。
請求項７に記載の半導体チップを実装してなることを特徴とする電子デバイス。
請求項９に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。