JP2004240646A - 定電圧回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電圧差検出回路5で分圧電圧Vsと基準電圧Vrefとの電圧差を検出し、該検出した電圧差の絶対値が所定値以下の場合は、バイアス電流変更回路6から誤差増幅回路2及び電圧差検出回路5に供給するバイアス電流を小さくし、該検出した電圧差の絶対値が所定値を超える場合は、バイアス電流変更回路6から誤差増幅回路2及び電圧差検出回路5に供給するバイアス電流を大きくして応答性を高めるようにした。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、低消費電力の定電圧回路に関し、特に応答速度を低下させることなく消費電流の低減を図ることができる直流の定電圧回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4は、一般的な従来の定電圧回路の例を示した回路図である。
図4における定電圧回路100は、入力電圧Vinから所定の定電圧を生成して出力電圧Voutとして出力端子OUTから出力し、出力端子OUTに接続された負荷110に供給する。PMOSトランジスタM61〜M64,M67、NMOSトランジスタM65,M66,M68、抵抗R63及びコンデンサC61は誤差増幅回路101を形成しており、該誤差増幅回路101の反転入力端Pには出力電圧Voutを抵抗R61とR62で分圧した分圧電圧Vs1が入力されている。誤差増幅回路101の出力信号は、出力端子OUTへの出力電流制御を行って出力電圧Voutが一定になるように制御するPMOSトランジスタからなる電圧制御トランジスタM69のゲートに出力される。コンデンサC61と抵抗R63は誤差増幅回路101の位相補償を行っている。
【0003】
定電流源IS61及びPMOSトランジスタM61はバイアス電流発生回路102を形成しており、定電流源IS61がPMOSトランジスタM61のドレイン電流となり、PMOSトランジスタM61とカレントミラー回路を形成しているPMOSトランジスタM62及びM67に、定電流源IS61から供給された電流I61に比例したドレイン電流をそれぞれ発生させる。該各ドレイン電流が誤差増幅回路101のバイアス電流となる。
【0004】
定電圧回路100の出力端子OUTに接続されている負荷110の変動や、入力電圧Vinの変動に伴って出力電圧Voutが変動すると、誤差増幅回路101によって、抵抗M61と抵抗M62の接続部の電圧である前記分圧電圧Vs1が基準電圧Vr1と等しくなるように電圧制御トランジスタM69が動作制御され、出力電圧Voutは一定電圧に保たれる。
【0005】
従来の回路では、出力電圧Voutの変動に対する応答速度を速くするためには、前記バイアス電流を大きくする必要があった。このことは、回路を構成する各MOSトランジスタのゲート容量や、配線における浮遊容量をすばやく充放電させるために多くの電流を流す必要であり、出力電圧Voutの変動に対する応答速度が速い電源回路ほど消費電流が増加するという問題があった。
これに対して、電源回路内で消費される電力を削減する方法としては、負荷電流が小さく応答速度をあまり必要としない場合、例えば待機状態等では、応答速度は遅いが、消費電流が小さい電源回路をもう一つ備え、通常状態と待機状態で電源回路を切り換えて使用する方法(例えば、特許文献1参照。)や、待機状態になったときに電源回路のバイアス電流を小さくする方法がとられていた。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−117650号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記のような方法では、通常状態と、応答速度をあまり必要としない待機状態に分けているため、通常状態においては電源回路の消費電流を小さくすることができず、更に通常状態と待機状態を切り換えるための制御信号が必要であった。該制御信号は、通常CPU等の制御回路で生成しているため、従来の定電圧回路では、CPU等を搭載した機器のように、限られた機器にしか適用することができなかった。
【0008】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、通常使用状態においても、待機状態に匹敵する低消費電力化を行うことができ、しかも通常状態と待機状態を切り換えるための制御信号も不要で、すべての機器に使用することができる定電圧回路を得ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る定電圧回路は、入力端子に入力された入力電圧Vinを所定の定電圧に変換し出力電圧Voutとして出力端子から出力する定電圧回路において、
前記入力電圧Vinを電源とし、入力された制御信号に応じて前記出力端子から出力される電流の制御を行う制御素子と、
所定の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生回路と、
前記出力電圧Voutに比例した電圧Vsを生成して出力する出力電圧検出回路と、
該出力電圧検出回路からの電圧Vsと、前記基準電圧との電圧差を増幅して前記制御素子を駆動し、前記出力電圧Voutが所定の定電圧になるように制御する誤差増幅回路と、
前記出力電圧検出回路からの電圧Vsと前記基準電圧との電圧差が、所定の電圧値になったか否かの検出を行い、該検出結果を出力する電圧差検出回路と、
該電圧差検出回路からの前記検出結果に応じて、前記誤差増幅回路のバイアス電流値を変えるバイアス電流変更回路と、
を備え、
前記電圧差検出回路は、前記出力電圧検出回路から出力された電圧Vsと前記基準電圧との電圧差が所定の電圧値以下になると、前記バイアス電流変更回路に対して、前記誤差増幅回路へのバイアス電流を減少させるものである。
【0010】
具体的には、前記電圧差検出回路は、対応する入力端がそれぞれ接続された第1及び第2の各差動増幅回路で構成され、該第1及び第2の各差動増幅回路は、一方の入力端に所定の入力オフセット電圧を有し、該入力オフセット電圧は相対する入力端にそれぞれ設けられるようにした。
【0011】
また、前記バイアス電流変更回路は、電圧差検出回路の第1及び第2の各差動増幅回路におけるバイアス電流値を変え、前記電圧差検出回路は、前記出力電圧検出回路から出力された電圧Vsと前記基準電圧との電圧差が所定の電圧値以下になると、前記バイアス電流変更回路に対して、前記第1及び第2の各差動増幅回路へのバイアス電流をそれぞれ減少させるようにした。
【0012】
また、具体的には、前記誤差増幅回路及び電圧差検出回路は、バイアス電流を供給する共通の回路が設けられるようにしてもよい。
【0013】
また、前記第1及び第2の各差動増幅回路は、各入力オフセット電圧が、前記出力電圧Voutの許容変動電圧値ΔVoutに、前記出力電圧検出回路から出力された電圧Vsと出力電圧Voutとの比Vs/Voutを乗じた値(ΔVout・Vs/Vout)以下に設定されるようにした。
【0014】
一方、前記第1及び第2の各差動増幅回路は、差動対の負荷がそれぞれカレントミラー回路で構成され、該各カレントミラー回路を異なる特性のトランジスタで構成することによって、前記入力オフセット電圧が設けられるようにした。
【0015】
また、前記第1及び第2の各差動増幅回路は、差動対をなすトランジスタの特性が異なるようにすることによって、前記入力オフセット電圧が設けられるようにしてもよい。
【0016】
前記バイアス電流変更回路は、複数の定電流源と、該各定電流源を並列に接続するための少なくとも1つのスイッチ素子からなるスイッチ回路とを備え、前記電圧差検出回路からの検出結果に応じて、該スイッチ回路におけるスイッチ素子のスイッチング制御を行って前記バイアス電流を変更するようにしてもよい。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、図面に示す実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における定電圧回路の例を示した回路図である。
図1における定電圧回路1は、入力電圧Vinから所定の定電圧を生成して出力電圧Voutとして出力端子OUTから出力し、出力端子OUTに接続された負荷10に供給する。
【0018】
定電圧回路1は、誤差増幅回路2と、該誤差増幅回路2によって動作制御され、出力端子OUTへの出力電流制御を行って出力電圧Voutが所定値で一定になるように制御するPMOSトランジスタからなる電圧制御トランジスタM20と、出力電圧Voutを分圧して生成した分圧電圧Vsを出力する出力電圧検出回路3とを備えている。更に、定電圧回路1は、所定の基準電圧Vrefを生成して出力する基準電圧発生回路4と、分圧電圧Vsと基準電圧Vrefとの電圧差を検出する電圧差検出回路5と、前記誤差増幅回路2及び該電圧差検出回路5のバイアス電流を変えるバイアス電流変更回路6とを備えている。なお、電圧制御トランジスタM20は制御素子をなす。電圧差検出回路5は、バイアス電流変更回路6に対して、検出した電圧差に応じてバイアス電流を変更させ、例えば、検出した電圧差が所定値よりも大きい場合はバイアス電流を大きくさせ、検出した電圧差が所定値以下の場合はバイアス電流を小さくさせる。
【0019】
誤差増幅回路2は、PMOSトランジスタM13〜M15,M18、NMOSトランジスタM16,M17,M19、コンデンサC1及び抵抗R3で構成されている。PMOSトランジスタM14及びM15は差動対をなし、NMOSトランジスタM16及びM17はカレントミラー回路を形成してPMOSトランジスタM14及びM15の負荷をなす。また、PMOSトランジスタM13は、PMOSトランジスタM14及びM15へ電流を供給する電流源をなし、PMOSトランジスタM13〜M15及びNMOSトランジスタM16,M17で差動増幅回路をなしている。
【0020】
PMOSトランジスタM14及びM15の各ソースは接続され、該接続部はPMOSトランジスタM13のドレインに接続されており、PMOSトランジスタM13のソースは電源端子Vddに接続され、入力電圧Vinが印加されている。PMOSトランジスタM14のドレインはNMOSトランジスタM16のドレインに接続され、PMOSトランジスタM15のドレインはNMOSトランジスタM17のドレインに接続されている。NMOSトランジスタM16及びM17のゲートはそれぞれ接続され、該接続部はNMOSトランジスタM16のドレインに接続されている。NMOSトランジスタM16及びM17の各ソースは接続され、該接続部は電源端子Vssに接続され、電源端子Vssは例えば接地電圧に接続される。
【0021】
入力電圧Vinが入力される電源端子Vddと出力端子OUTとの間には電圧制御トランジスタM20が接続されており、出力端子OUTと電源端子Vssとの間には出力電圧検出回路3を構成する抵抗R1及びR2の直列回路が接続されている。抵抗R1と抵抗R2との接続部から分圧電圧Vsが出力され、該分圧電圧VsはPMOSトランジスタM15のゲートに接続され、PMOSトランジスタM15のゲートは誤差増幅回路2の非反転入力端Pをなしている。
【0022】
一方、電源端子Vddと電源端子Vssとの間には、PMOSトランジスタM18とNMOSトランジスタM19が直列に接続されており、PMOSトランジスタM18とNMOSトランジスタM19との接続部Oは、電圧制御トランジスタM20のゲートに接続されている。また、PMOSトランジスタM14のゲートは、基準電圧発生回路4からの基準電圧Vrefが入力されており、誤差増幅回路2の反転入力端Mをなしている。また、PMOSトランジスタM15及びNMOSトランジスタM17の接続部と、接続部Oとの間にはコンデンサC1及び抵抗R3の直列回路が接続されている。
【0023】
次に、バイアス電流変更回路6は、PMOSトランジスタM1、NMOSトランジスタM2,M3及び定電流源IS1,IS2で構成されている。なお、NMOSトランジスタM2及びM3は、それぞれスイッチ素子をなすと共にスイッチ回路をなす。電源端子Vddと電源端子Vssとの間にPMOSトランジスタM1と定電流源IS1が直列に接続され、NMOSトランジスタM2と定電流源IS2の直列回路及びNMOSトランジスタM3と定電流源IS2の直列回路が、定電流源IS1とそれぞれ並列に接続されている。PMOSトランジスタM1のゲートは、PMOSトランジスタM13及びM18の各ゲートにそれぞれ接続されると共にNMOSトランジスタM1のドレインに接続されている。PMOSトランジスタM1,M13,M18はカレントミラー回路を形成している。
【0024】
電圧差検出回路5は、PMOSトランジスタM4〜M6,M9,M10及びNMOSトランジスタM7,M8,M11,M12で構成されている。PMOSトランジスタM5及びM6は差動対をなし、NMOSトランジスタM7及びM8は、カレントミラー回路を形成しておりPMOSトランジスタM5及びM6の負荷をなしている。また、PMOSトランジスタM4は、PMOSトランジスタM5及びM6へ電流を供給する電流源をなし、PMOSトランジスタM4〜M6及びNMOSトランジスタM7,M8で1つの差動増幅回路をなしており、これを第1の差動増幅回路と呼ぶ。
【0025】
また、PMOSトランジスタM9及びM10は差動対をなし、NMOSトランジスタM11及びM12は、カレントミラー回路を形成しておりPMOSトランジスタM9及びM10の負荷をなしている。また、PMOSトランジスタM4は、PMOSトランジスタM9及びM10へ電流を供給する電流源をなし、PMOSトランジスタM4,M9,M10及びNMOSトランジスタM11,M12で1つの差動増幅回路をなしており、これを第2の差動増幅回路と呼ぶ。
【0026】
PMOSトランジスタM5及びM6の各ソースは接続され、該接続部はPMOSトランジスタM4のドレインに接続されており、PMOSトランジスタM4のソースは電源端子Vddに接続され入力電圧Vinが印加されている。PMOSトランジスタM5のドレインはNMOSトランジスタM7のドレインに接続され、該接続部は電圧差検出回路5の一方の出力端SO1をなし、PMOSトランジスタM5のゲートには基準電圧Vrefが入力されている。また、PMOSトランジスタM6のドレインはNMOSトランジスタM8のドレインに接続され、PMOSトランジスタM6のゲートには分圧電圧Vsが入力されている。NMOSトランジスタM7及びM8のゲートはそれぞれ接続され、該接続部はNMOSトランジスタM8のドレインに接続されている。NMOSトランジスタM7及びM8の各ソースは接続され、該接続部は電源端子Vssに接続されている。
【0027】
同様に、PMOSトランジスタM9及びM10の各ソースは接続され、該接続部はPMOSトランジスタM4のドレインに接続されている。PMOSトランジスタM9のドレインはNMOSトランジスタM11のドレインに接続され、PMOSトランジスタM9のゲートには基準電圧Vrefが入力されている。また、PMOSトランジスタM10のドレインはNMOSトランジスタM12のドレインに接続され、該接続部は電圧差検出回路5の他方の出力端SO2をなし、PMOSトランジスタM10のゲートには分圧電圧Vsが入力されている。NMOSトランジスタM11及びM12のゲートはそれぞれ接続され、該接続部はNMOSトランジスタM11のドレインに接続されている。
【0028】
NMOSトランジスタM11及びM12の各ソースは接続され、該接続部は電源端子Vssに接続されている。出力端SO1はNMOSトランジスタM2のゲートに、出力端SO2はNMOSトランジスタM3のゲートにそれぞれ接続されている。PMOSトランジスタM4のゲートはPMOSトランジスタM1のゲートに接続され、PMOSトランジスタM1及びM4はカレントミラー回路を形成している。
【0029】
このような構成において、誤差増幅回路2は、入力された分圧電圧Vsが基準電圧Vrefよりも大きい場合は、電圧制御トランジスタM20のゲート電圧を上昇させて電圧制御トランジスタM20から出力される電流を減少させる。また、誤差増幅回路2は、入力された分圧電圧Vsが基準電圧Vrefよりも小さい場合は、電圧制御トランジスタM20のゲート電圧を低下させて電圧制御トランジスタM20から出力される電流を増加させる。このようにして、誤差増幅回路2は、分圧電圧Vsが基準電圧Vrefになるように電圧制御トランジスタM20の動作制御を行い、出力電圧Voutが所定値で一定になるようにする。なお、コンデンサC1と抵抗R3は誤差増幅回路2の位相補償を行っている。
【0030】
次に、電圧差検出回路5及びバイアス電流変更回路6の動作について説明する。
前記第1及び第2の各差動増幅回路のバイアス電流は、共にPMOSトランジスタM4のドレイン電流で供給される。PMOSトランジスタM4はバイアス電流変更回路6のPMOSトランジスタM1とカレントミラー回路を形成しており、バイアス電流変更回路6で設定された電流に比例したバイアス電流を第1及び第2の各差動増幅回路にそれぞれ供給する。また、誤差増幅回路2のバイアス電流を限定しているPMOSトランジスタM13とPMOSトランジスタM18も、バイアス電流変更回路6のPMOSトランジスタM1とカレントミラー回路を形成しており、バイアス電流変更回路6で設定された電流に比例したバイアス電流を誤差増幅回路2に供給する。
【0031】
一方、第1及び第2の各差動増幅回路の入力には、それぞれ入力オフセット電圧が設定されている。第1の差動増幅回路の入力オフセット電圧Vos1において、入力トランジスタをなすPMOSトランジスタM5のゲート電圧に対し、入力トランジスタをなすPMOSトランジスタM6のゲート電圧が大きく設定されている。すなわち、PMOSトランジスタM6のゲート電圧が、PMOSトランジスタM5のゲート電圧よりも入力オフセット電圧Vos1だけ大きい電圧になると第1の差動増幅回路の出力端SO1の信号レベルは反転する。
【0032】
また、第2の差動増幅回路の入力オフセット電圧Vos2において、入力トランジスタをなすPMOSトランジスタM9のゲート電圧に対し、入力トランジスタをなすPMOSトランジスタM10のゲート電圧が小さく設定されている。すなわち、PMOSトランジスタM10のゲート電圧が、PMOSトランジスタM9のゲート電圧より入力オフセット電圧Vos2だけ小さい電圧になると第2の差動増幅回路の出力端SO2の信号レベルは反転する。このような第1及び第2の差動増幅回路の動作を図2に示している。
【0033】
バイアス電流変更回路6において、定電流源IS1は、極めて小さいな電流値I1に設定されており、定電圧回路1の出力電圧Voutがほぼ目標電圧に制御されているときの誤差増幅回路2のバイアス電流値を決定する。定電流源IS2は、電流源IS1と比較して、2桁から3桁大きな電流値I2になるように設定され、定電圧回路1の出力電圧Voutが設定値から所定の電圧以上外れた場合の誤差増幅回路2のバイアス電流値を決定する。NMOSトランジスタM2及びM3は、ゲートにハイレベルの信号が入力されるとオンし、ローレベルの信号が入力されるとオフする。
【0034】
図2から分かるように、第1の差動増幅回路の出力端SO1と第2の差動増幅回路の出力端SO2の各出力電圧は、誤差増幅回路2の非反転入力端Pの電圧が基準電圧Vrefとほぼ同じ電圧、すなわち分圧電圧Vsと基準電圧Vrefとの電圧差が所定値以下になったところで共にローレベルになっており、2つのNMOSトランジスタM2及びM3は共にオフし、バイアス電流を決定する電流は、電流源IC1の電流値I1だけとなる。このため、出力電圧Voutが目標電圧付近であるときは、誤差増幅回路2及び電圧差検出回路5のバイアス電流は極めて小さくなる。
【0035】
次に、出力電圧Voutが何らかの原因で変動し、誤差増幅回路2の非反転入力端Pの電圧が上昇し、第1の差動増幅回路の入力オフセット電圧Vos1を超えた場合、すなわち分圧電圧Vsと基準電圧Vrefとの電圧差が所定値を超えた場合は、第1の差動増幅回路の出力端SO1はハイレベルになり、NMOSトランジスタM2をオンにする。すると、電流源IS2が電流源IS1に並列に接続され、NMOSトランジスタM1のドレイン電流が増加し、NMOSトランジスタM1とカレントミラー回路を形成しているPMOSトランジスタM4,M13,M18の各ドレイン電流も増加し、誤差増幅回路2及び電圧差検出回路5のバイアス電流がそれぞれ増加する。
【0036】
逆に、出力電圧Voutが低下した場合は、第2の差動増幅回路の出力端SO2がハイレベルになり、NMOSトランジスタM3がオンして、電流源IS2が電流源IS1に並列に接続され、前記と同様、誤差増幅回路2及び電圧差検出回路5のバイアス電流をそれぞれ増加させる。すなわち、出力電圧Voutが第1の差動増幅回路又は第2の差動増幅回路の入力オフセット電圧に比例した所定の電圧だけ変動すると、誤差増幅回路2のバイアス電流が増加するため、出力電圧Voutの電圧変動にすばやく応答できるようになる。
【0037】
第1及び第2の各差動増幅回路における各入力オフセット電圧Vos1,Vos2の値は、出力電圧Voutの許容変動電圧値ΔVoutに、分圧電圧Vsと出力電圧Voutの電圧比(Vs/Vout)を乗じた値(ΔVout・Vs/Vout)以下になるようにそれぞれ設定する。望ましくは、入力オフセット電圧を前記乗じた値の半分{(ΔVout・Vs)/(2・Vout)}程度にするのがよい。
【0038】
また、前記第1及び第2の各差動増幅回路の入力にオフセット電圧を発生させる方法は、第1及び第2の各差動増幅回路の負荷をなすカレントミラー回路を構成しているNMOSトランジスタのサイズを変えたり、又は第1及び第2の各差動増幅回路の反転入力端に使用しているPMOSトランジスタと、非反転入力端に使用しているPMOSトランジスタのサイズを変えたりして、差動対をなす各トランジスタの特性が異なるようにしてアンバランスにすることにより実現することができる。
【0039】
第1の差動増幅回路の負荷であるNMOSトランジスタM7及びM8はカレントミラー回路を形成していることから、NMOSトランジスタM7のサイズをNMOSトランジスタM8よりも大きくすると、第1の差動増幅回路の2つの入力電圧が同じ場合は、PMOSトランジスタM5のドレイン電流がPMOSトランジスタM6のドレイン電流よりも大きくなるため、出力端SO1はローレベルになる。
【0040】
PMOSトランジスタM5とPMOSトランジスタM6の各ドレイン電流が等しくなるには、PMOSトランジスタM6のゲート電圧が、PMOSトランジスタM5のゲート電圧よりも大きくなる必要があり、該電圧が入力オフセット電圧Vos1となる。すなわち、NMOSトランジスタM7とNMOSトランジスタM8のサイズ比を適当に選ぶことで、任意の入力オフセット電圧Vos1を発生させることができる。
【0041】
第2の差動増幅回路の入力オフセット電圧Vos2も前記した第1の差動増幅回路の入力オフセット電圧Vos1と同様に設定することができる。ただし、第2の差動増幅回路の場合は、NMOSトランジスタM12がNMOSトランジスタM11よりも素子サイズが大きくなるようにしている。このため、PMOSトランジスタM10のゲート電圧がPMOSトランジスタM9のゲート電圧よりも小さくなると、PMOSトランジスタM10とPMOSトランジスタM9のドレイン電流が同じになる。
【0042】
第1及び第2の各差動増幅回路の反転入力端と非反転入力端に使用しているトランジスタのサイズを変えた場合、両入力端に同じ電流が流れても、サイズの大きい方のPMOSトランジスタのゲート電圧は、サイズの小さい方のPMOSトランジスタよりも小さくなり、該電圧差が入力オフセット電圧となる。なお、図1では、誤差増幅回路2のバイアス電流設定用のPMOSトランジスタM13とM18の他に、電圧差検出回路5のバイアス電流設定用のPMOSトランジスタM4も、バイアス電流変更回路6のPMOSトランジスタM1とカレントミラー回路を形成してバイアス電流が変更されるようになっているが、電圧差検出回路5のバイアス電流は必ずしも、変更されるようになっていなくてもよい。
【0043】
ただし、電圧差検出回路5のバイアス電流を固定にした場合は、電圧差検出回路5の応答速度が遅くなるため、第1及び第2の各差動増幅回路の入力オフセット電圧をそれぞれ少し大きめに設定するか、又は電圧差検出回路5のバイアス電流を大きめに設定しておく必要がある。
【0044】
ここで、図1のPMOSトランジスタM4及びM13を共通化して素子数を削減するようにしてもよく、このようにした場合、図1の定電圧回路1は図3のようになる。なお、図3では、図1と同じもの又は同様のものは同じ符号で示しており、図3の回路動作は、図1の場合と同様であることからその説明を省略する。また、図3の場合、誤差増幅回路2のPMOSトランジスタM13は、電圧差検出回路5の構成をもなしている。一方、PMOSトランジスタM4の代わりにPMOSトランジスタM13を削除し、誤差増幅回路2のPMOSトランジスタM14及びM15に対して図1のPMOSトランジスタM4から電流を供給するようにしてもよい。この場合、PMOSトランジスタM4は誤差増幅回路2の構成をもなす。
【0045】
このように、本第1の実施の形態における定電圧回路は、電圧差検出回路5で分圧電圧Vsと基準電圧Vrefとの電圧差を検出し、該検出した電圧差の絶対値が所定値以下の場合は、バイアス電流変更回路6から誤差増幅回路2及び電圧差検出回路5に供給するバイアス電流を小さくし、該検出した電圧差の絶対値が所定値を超える場合は、バイアス電流変更回路6から誤差増幅回路2及び電圧差検出回路5に供給するバイアス電流を大きくして応答性を高めるようにした。このことから、通常状態と待機状態を切り換えるための制御信号が不要ですべての機器に使用することができ、通常使用状態においても待機状態に匹敵する低消費電力化を行うことができる。
【0046】
【発明の効果】
上記の説明から明らかなように、本発明の定電圧回路によれば、出力電圧が目標電圧に制御されている間は、定電圧回路中の誤差増幅回路のバイアス電流を小さくして消費電力を極力低減させ、しかも、出力電圧が所定の電圧以上変動した場合は、バイアス電流を大きくして、出力電圧の変動に対する応答性を速くして出力電圧をすばやく目標電圧に戻すようにした。このため、従来のように、通常状態と待機状態でそれぞれ専用の回路を備える必要もなく、通常状態と待機状態を切り換えるための制御信号も不要であり、通常状態においても、消費電流を待機状態並みに小さくすることができる。更に、バイアス電流を切り換えるタイミングを得るための電圧を、差動対の負荷をなすカレントミラー回路を構成している1組のトランジスタのサイズの比を変えることで達成していることから、素子数が少なく、非常に簡単な回路構成で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における定電圧回路の例を示した回路図である。
【図2】図1の電圧差検出回路5における第1及び第2の各差動増幅回路の出力電圧特性例を示した図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態における定電圧回路の他の例を示した回路図である。
【図4】従来の定電圧回路の例を示した回路図である。
【符号の説明】
1 定電圧回路
2 誤差増幅回路
3 出力電圧検出回路
4 基準電圧発生回路
5 電圧差検出回路
6 バイアス電流変更回路
10 負荷
Claims (8)
- 入力端子に入力された入力電圧Vinを所定の定電圧に変換し出力電圧Voutとして出力端子から出力する定電圧回路において、
前記入力電圧Vinを電源とし、入力された制御信号に応じて前記出力端子から出力される電流の制御を行う制御素子と、
所定の基準電圧Vrefを生成して出力する基準電圧発生回路と、
前記出力電圧Voutに比例した電圧Vsを生成して出力する出力電圧検出回路と、
該出力電圧検出回路からの電圧Vsと、前記基準電圧Vrefとの電圧差を増幅して前記制御素子を駆動し、前記出力電圧Voutが所定の定電圧になるように制御する誤差増幅回路と、
前記出力電圧検出回路からの電圧Vsと前記基準電圧Vrefとの電圧差が、所定の電圧値になったか否かの検出を行い、該検出結果を出力する電圧差検出回路と、
該電圧差検出回路からの前記検出結果に応じて、前記誤差増幅回路のバイアス電流値を変えるバイアス電流変更回路と、
を備え、
前記電圧差検出回路は、前記出力電圧検出回路から出力された電圧Vsと前記基準電圧Vrefとの電圧差が所定の電圧値以下になると、前記バイアス電流変更回路に対して、前記誤差増幅回路へのバイアス電流を減少させることを特徴とする定電圧回路。 - 前記電圧差検出回路は、対応する入力端がそれぞれ接続された第1及び第2の各差動増幅回路で構成され、該第1及び第2の各差動増幅回路は、一方の入力端に所定の入力オフセット電圧を有し、該入力オフセット電圧は相対する入力端にそれぞれ設けられることを特徴とする請求項1記載の定電圧回路。
- 前記バイアス電流変更回路は、電圧差検出回路の第1及び第2の各差動増幅回路におけるバイアス電流値を変え、前記電圧差検出回路は、前記出力電圧検出回路から出力された電圧Vsと前記基準電圧Vrefとの電圧差が所定の電圧値以下になると、前記バイアス電流変更回路に対して、前記第1及び第2の各差動増幅回路へのバイアス電流をそれぞれ減少させることを特徴とする請求項2記載の定電圧回路。
- 前記誤差増幅回路及び電圧差検出回路は、バイアス電流を供給する共通の回路が設けられることを特徴とする請求項3記載の定電圧回路。
- 前記第1及び第2の各差動増幅回路は、各入力オフセット電圧が、前記出力電圧Voutの許容変動電圧値ΔVoutに、前記出力電圧検出回路から出力された電圧Vsと出力電圧Voutとの比Vs/Voutを乗じた値(ΔVout・Vs/Vout)以下に設定されることを特徴とする請求項2、3又は4記載の定電圧回路。
- 前記第1及び第2の各差動増幅回路は、差動対の負荷がそれぞれカレントミラー回路で構成され、該各カレントミラー回路を異なる特性のトランジスタで構成することによって、前記入力オフセット電圧が設けられることを特徴とする請求項2、3、4又は5記載の定電圧回路。
- 前記第1及び第2の各差動増幅回路は、差動対をなすトランジスタの特性が異なるようにすることによって、前記入力オフセット電圧が設けられることを特徴とする請求項2、3、4又は5記載の定電圧回路。
- 前記バイアス電流変更回路は、複数の定電流源と、該各定電流源を並列に接続するための少なくとも1つのスイッチ素子からなるスイッチ回路とを備え、前記電圧差検出回路からの検出結果に応じて、該スイッチ回路におけるスイッチ素子のスイッチング制御を行って前記バイアス電流を変更することを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の定電圧回路。
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