JP2004226559A5

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Publication number: JP2004226559A5
Application number: JP2003012628A
Authority: JP
Filing date: 2003-01-21
Publication date: 2005-09-22
Anticipated expiration: 2023-01-21

Claims

（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解度を増大させる基を有し、且つポリマー骨格の主鎖にフッ素原子が置換した構造を有するフッ素含有樹脂及び
（Ｂ）活性光線の照射により、酸を発生する化合物
を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、（Ａ）成分の樹脂として、少なくとも下記（Ａ−１）の樹脂と、下記（Ａ−２）の樹脂とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
（Ａ−１）下記一般式（１）で表される基を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解度を増大させる基として、一般式（１）中の−ＯＬ基を有する樹脂。

一般式（１）中、
Ｒ^a〜Ｒ^fは、同じでも異なっていてもよく、フッ素原子又は水素原子を表す。
但し、Ｒ^a〜Ｒ^fの内の少なくとも１つは、フッ素原子である。Ｒ^a〜Ｒ^fの内の１つが、単結合となって又は炭素鎖となって（Ａ）成分の樹脂の主鎖につながっていてもよい。
Ｌは、酸の作用により分解する基を表す。
（Ａ−２）酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解度を増大させる基として、カルボン酸の３級エステルを有する樹脂。
（Ａ−１）の樹脂及び（Ａ−２）の樹脂が、それぞれ、重量平均分子量が１０００〜２０００００、且つ分子量１０００以下の成分の含有量が１０質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
（Ａ−１）の樹脂の重量平均分子量が１００００以上であり、且つ（Ａ−２）の樹脂の重量平均分子量が６０００以下であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
（Ａ−１）の樹脂の重量平均分子量が６０００以下であり、且つ（Ａ−２）の樹脂の重量平均分子量が１００００以上であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
（Ａ−１）の樹脂が、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種と、下記一般式（ＩＶ）〜（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種とを有する樹脂であり、且つ（Ａ−２）の樹脂が、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種と、下記一般式（ＶＩＩＩ）〜（ＩＸ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種とを有する樹脂であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。

一般式（Ｉ）〜（ＩＸ）中、
Ｒ₀、Ｒ₁は、同じでも異なっていても良く、水素原子、フッ素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ₂〜Ｒ₄は、同じでも異なっていても良く、アルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。また、Ｒ₀とＲ₁、Ｒ₀とＲ₂、Ｒ₃とＲ₄が結合し環を形成しても良い。
Ｒ₅は、ヒドロキシアルキル基、アルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基又はアルコキシメチル基を表す。
Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈は、同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基又はアルコキシ基を表す。
Ｒ₉、Ｒ₁₀は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は、同じでも異なっていても良く、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は、同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
Ｒ₁₅は、−Ｃ（Ｒ₃₆）（Ｒ₃₇）（Ｒ₃₈）、−Ｃ（Ｒ₃₆）（Ｒ₃₇）（ＯＲ₃₉）又は下記一般式（ＸＩＶ）の基を表す。

Ｒ₃₆、Ｒ₃₇、Ｒ₃₈、Ｒ₃₉は、同じでも異なっていても良く、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。Ｒ₃₆、Ｒ₃₇、Ｒ₃₈の内の２つ、又はＲ₃₆、Ｒ₃₇、Ｒ₃₉の内の２つが結合して環を形成しても良い。
Ｒ₄₀は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
Ｚは、炭素原子とともに単環又は多環の脂環式基を構成する原子団を表す。
Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は、同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アルコキシ基、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₅を表す。
Ａ₁、Ａ₂は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の脂環基若しくはそれらを２個以上組み合わせてできる２価の連結基又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₂₂−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₂₃−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₂₄）−Ｒ₂₅−を表す。
Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₅は、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。
Ｒ₂₄は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
ｎは０又は１を表し、ｍは１又は２を表す。
請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。