JP2004214663A - 金属電極を有するキャパシター製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体素子の製造方法を提供する。この方法は基板上に配線を形成することを備える。配線は第1電極の役割を有する。配線を有する半導体基板上に第1絶縁膜を形成する。第1絶縁膜上に電極膜及び酸化膜を形成する。酸化膜上にフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて酸化膜及び電極膜をエッチングする。その結果、配線の上部に積層された第2電極及び酸化膜パターンが形成される。少なくとも電極膜は湿式エッチング工程を用いてエッチングする。続いて、フォトレジストパターンを除去する。
【選択図】図3
Description
引続き、前記フォトレジストパターン63を通常の灰化工程及び湿式ストリップ工程を用いて除去する。この場合に、前記第1金属配線55a内にいかなるボイドも形成されない。これは、上述したように前記上部電極59aを形成する期間前記絶縁膜57内にいかなるピットも形成されないためである。
53 層間絶縁膜
55a 第1金属配線
55b 第2金属配線
57 絶縁膜
59 上部金属電極膜
59a 上部金属電極
61 バッファー酸化膜
61a バッファー酸化膜パターン
63 フォトレジストパターン
Claims (21)
- 基板上に第1電極の役割を有する配線を形成して、
前記基板及び前記配線上に第1絶縁膜を形成して、
前記第1絶縁膜上に電極膜及び酸化膜を形成して、
前記酸化膜上にフォトレジストパターンを形成して、
前記酸化膜及び前記電極膜をエッチングして前記配線の上部に積層された第2電極及び酸化膜パターンを形成するが、少なくても前記電極膜は湿式エッチングされて、
前記フォトレジストパターンを除去することを含む半導体素子の製造方法。 - 前記配線を形成することは、
前記基板上に第2絶縁膜を形成して、
前記第2絶縁膜内にダマシン工程を用いてパターンを形成することを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記パターンは、銅膜で形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1絶縁膜は、誘電体膜で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記誘電体膜は、シリコン窒化膜(SiN)、シリコン炭化膜(SiC)、シリコン酸炭化膜(SiOC)またはシリコン炭窒化膜(SiCN)で形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記電極膜は、タンタル窒化膜、タンタル膜、チタン膜またはチタン窒化膜で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記エッチングは、弗酸及び窒酸の混合溶液を用いて実施することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記電極膜は、タングステン膜またはタングステン窒化膜で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記酸化膜は、湿式エッチング工程または乾式エッチング工程を用いてエッチングして前記電極膜は過酸化水素(H2O2)を用いて湿式エッチングすることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いることをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記電極膜は、金属で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記配線は、金属で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 基板上に第1電極の役割を有する配線を形成して、
前記基板及び前記配線上に絶縁膜を形成して、
前記絶縁膜上に電極膜を形成して、
前記電極膜上にフォトレジストパターンを形成して、
前記電極膜を湿式エッチングして第2電極を形成することを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記配線は、金属で形成することを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記絶縁膜は、誘電体膜で形成することを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記誘電体膜は、シリコン窒化膜(SiN)、シリコン炭化膜(SiC)、シリコン酸炭化膜(SiOC)またはシリコン炭窒化膜(SiCN)で形成することを特徴とする請求項15に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記電極膜は、タンタル窒化膜、タンタル膜、チタン膜、チタン窒化膜、タングステン膜またはタングステン窒化膜で形成することを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記電極膜は、弗酸及び窒酸の混合溶液または過酸化水素を用いて湿式エッチングすることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記電極膜上に酸化膜を形成して、
前記酸化膜を乾式エッチングまたは湿式エッチングすることをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを除去することをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記電極膜は、金属で形成することを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の製造方法。
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