JP2004213723A - 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の書込み及び消去制御用シーケンス - Google Patents
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Abstract
【課題】シーケンスの検証が効率よく行える不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1は、複数のメモリセル30、32が2次元配列しているメモリアレイ26と、前記メモリセルの書込み及び消去を制御するシーケンスを記憶している記憶部3と、前記記憶部から前記シーケンスを読み出して、前記メモリセルの書込み及び消去を制御する書込&消去制御部2とを備え、前記シーケンスは、複数のサブシーケンスを含み、前記各サブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程と、選択経路をリセットする経路リセット過程とを含む。
【選択図】 図1
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1は、複数のメモリセル30、32が2次元配列しているメモリアレイ26と、前記メモリセルの書込み及び消去を制御するシーケンスを記憶している記憶部3と、前記記憶部から前記シーケンスを読み出して、前記メモリセルの書込み及び消去を制御する書込&消去制御部2とを備え、前記シーケンスは、複数のサブシーケンスを含み、前記各サブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程と、選択経路をリセットする経路リセット過程とを含む。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性半導体記憶装置及びその書込み・消去制御用シーケンスに関する。
【0002】
【従来の技術】
不揮発性半導体記憶装置として、フラッシュメモリが知られている。フラッシュメモリは、メモリセルが2次元配列しているメモリアレイと、メモリセルの書込み、消去を制御する制御部(CPU)とを搭載している。また、フラッシュメモリは、書込み及び消去を制御するソフトウエアであるシーケンス(プログラム)をその内部に格納している。
【0003】
なお、従来のフラッシュメモリでは、書き換え用のプログラムをフラッシュメモリに書き込む際に複数のフラグ領域を設け、書き換え処理の複数の段階の終了判定又は良否の判定を行い、その結果を複数の該フラグ領域のそれぞれに記録する制御装置を有している(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−105694号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
フラッシュメモリの書き込み動作と消去動作のうち、消去動作のシーケンスは複雑化しており、実デバイスではわずか数秒であっても1回の検証(シミュレーション)実行には数十時間も要する場合がある。しかし、検証時間が長時間になると、シーケンスの途中で中断する場合がある。例えば、シーケンス途中で不具合が発覚した場合や、シミュレーションツールに起因してシーケンスの実行が途中で中断する場合がある。このようにシーケンス前半までは検証が完了した場合であっても、残りの後半の検証を行うには再度長いシーケンスを最初から最後まで連続して実行する必要があった。この場合、シーケンス途中へジャンプさせてシーケンス途中から実行させただけではジャンプによってスキップされたシーケンス部分の状態との整合性がとれず、全体として整合性のある正確な検証が行えなかった。このように、検証時間の長時間化がフラッシュメモリの開発工期を長くする要因の一つとなっている。
【0006】
そこで、本発明の目的は、書込み及び消去制御用シーケンスの検証を効率よく行える不揮発性半導体記憶装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルが2次元配列しているメモリアレイと、
前記メモリセルの書込み及び消去を制御するシーケンスを記憶している記憶部と、
前記記憶部から前記シーケンスを読み出して、前記メモリセルの書込み及び消去を制御する書込&消去制御部と
を備え、
前記シーケンスは、複数のサブシーケンスを含み、前記各サブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程と、選択経路をリセットする経路リセット過程とを含むことを特徴とする。
【0008】
本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み及び消去制御用シーケンスは、複数のメモリセルが2次元配列しているメモリアレイと、書込&消去制御部とを備えた不揮発性半導体記憶装置の前記書込&消去制御部で前記メモリセルの書込み及び消去を制御するために用いられるシーケンスであって、
前記シーケンスは、複数のサブシーケンスを含み、前記各サブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程と、選択経路をリセットする経路リセット過程とを含むことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について、添付図面を用いて説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【0010】
実施の形態1.
本発明の実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置について図1を用いて説明する。図1は、この不揮発性半導体記憶装置1の概略構成を示すブロック図である。この不揮発性半導体記憶装置1は、フラッシュメモリであって、複数のメモリセル30、31が2次元配列しているメモリアレイ26と、メモリセル30、31への書込及び消去を実行するプログラムコードのシーケンスを記憶している記憶部3と、該記憶部3から該シーケンスを読み出し、該シーケンスに基づいてメモリセルへの書込み、消去を行う書込&消去制御部2とを備える。ここで、記憶部3はROM、RAM等のいずれであってもよい。
【0011】
さらに、不揮発性半導体記憶装置1は、
(A)書込&消去制御部2からスタンバイ信号CXHRDY、チャージポンプ活性化信号PPUMPE、及びリセット信号RSETを受けて、これに応じて出力電位Vout+、Vout−、VWLを発生して出力する電圧発生部4;
(B)外部からアドレス信号ADRを受けるアドレスバッファ16;
(C)アドレスバッファ16から内部アドレス信号を受け電圧発生部4から電位の供給を受け、セレクトゲート線SGL、ワード線WL0、WL1、ソース線SLおよびウェルの各電位を決定するXデコーダ18;
(D)データ入出力信号DIOを授受するための入出力バッファ22;
(E)アドレスバッファ16からアドレス信号を受け、デコードするYデコーダ20;及び
(F)Yデコーダ20の出力に応じてデータ入出力信号に対応しメインビット線MBLに高電圧を印加するY系制御回路24;
を備える。
【0012】
電圧発生部4は、(a1)出力電位Vout+を発生させる正電圧発生回路6、(a2)出力電位Vout−を発生させる負電圧発生回路8、(a3)ワード線電位VWLを発生させるWLブースト回路12、及び(a4)書込&消去制御部2によって制御され、出力電位Vout+、Vout−及びワード線電位VWLを受けて各内部回路に分配するディストリビュータ14を含む。なお、WLブースト回路12は、高速アクセスを実現するために読出時に選択されたワード線WLおよび選択されたセレクトゲートSGに与える昇圧電位を発生する回路である。
【0013】
Xデコーダ18は、(c1)ワード線を選択するためのWLデコーダ(図示せず)、(c2)セレクトゲートを選択するためのSGデコーダ(図示せず)、(c3)選択されたメモリブロックに対応するウェル領域を選択するWELLデコーダ(図示せず)、及びソース線を選択するためのSLデコーダ(図示せず)を含む。
【0014】
Y系制御回路24は、(f1)読出時にカラム選択を行ないセンスアンプで読出作業を行なうYG&センスアンプとラッチ回路(図示せず)と、(f2)ラッチしているデータに基づき書込時のメインビット線MBLに高電位を印加するかどうかを決定するページバッファ(図示せず)とを含む。
【0015】
また、不揮発性半導体記憶装置1は、メモリアレイ26を含む。このメモリアレイ26には、互いに分離されたウエルの内部に形成されたメモリブロックBLOCK0〜BLOCKnを含む。例えば、メモリブロックBLOCK0は、メモリセル30、32と、セレクトゲート28とを含む。このメモリブロックBLOCK0では、Xデコーダ18によって選択されたセレクトゲート線SGL、ワード線WL0、WL1及びソース線SLに対応するメモリセルが選択され、メインビット線MBLからデータに対応する信号を受けてデータ保持が行なわれる。なお、図1では、選択されたセレクトゲート線SGL、ワード線WL0、WL1およびソース線SLに対応するセレクトゲート28、メモリセル30、32が代表的に図示されている。
【0016】
次に、記憶部3に記憶されている書込み及び消去のプログラムコードのシーケンスについて説明する。この書込み及び消去のシーケンスは、複数のサブシーケンスを含んでいる。図2は、サブシーケンスのフローチャートの一例である。サブシーケンスに基づいて、書込&消去制御部2は、次の各過程を行う。
(1)電圧、経路が共にリセットされ、それぞれ設定可能なスタンバイ状態(101)から開始する。
(2)経路をセットする(102)。
(3)電圧をセットする(103)。
(4)シーケンス1に従ってメモリセルへの書込み又は消去を行う(104)。
(5)電圧をリセットする(105)。
(6)経路をリセットする(106)。
(7)スタンバイ状態に戻り(107)、このサブシーケンスが終了する。
【0017】
この不揮発性半導体記憶装置1では、記憶部3に記憶しているシーケンスは複数のサブシーケンスを含んでいる。それぞれのサブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程105と、経路をリセットする経路リセット過程106を含むことを特徴とする。これによって、それぞれのサブシーケンスの始まりと終わりの状態を全て同じスタンバイ状態にしている。そこで、サブシーケンスをそれぞれ独立して取り扱うことができる。また、一つのサブシーケンスから次のサブシーケンスへ移った際に、メモリセルを構成するトランジスタへの連続的な負荷増大を抑制できる。また、トランジスタの耐電圧値を超えないように制御できる。さらに、前のサブシーケンスによる設定電圧に対して、次のサブシーケンスでの設定電圧が低い場合、そのまま移行させた場合には高電圧値から低電圧値へのシフトに要する時間途中に書込み又は消去が行われる場合がある。上記のようにそれぞれのサブシーケンスごとに電圧リセット過程105、経路リセット過程106を設けたことによって、電圧値がシフト中に書込み、消去等が行われることを防止できる。
【0018】
実施の形態2.
本発明の実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置について図3を用いて説明する。図3は、この不揮発性半導体記憶装置の記憶部3に記憶しているシーケンスのフローチャートの一例である。このシーケンスは、過程204〜210、過程212〜218、過程220〜226の3つのサブシーケンスが連続して配列されている。それぞれのサブシーケンスの開始前にはスキップフラグチェック過程203、211、219が設けられている。スキップフラグチェック過程203、211、219では、それぞれのサブシーケンスをスキップするか否かをフラグを用いて判断する。これによって、サブシーケンスごとにスキップするか否かを自由に制御できる。
【0019】
図4は、シーケンスが8つのサブシーケンスを有する場合に、それぞれのサブシーケンス1〜8をスキップするか否かのフラグを格納するレジスタを示す図である。このフラグを外部から設定可能にする。例えば、デフォルトではレジスタに格納するフラグの設定を全て”0”とする。この場合には全てのサブシーケンス1〜8を実行する。そこで、特定のサブシーケンスに対応するフラグの値を”0”から”1”に変更することにより、そのサブシーケンスをスキップすることができる。なお、スキップ制御用のレジスタは記憶部3の一部に設けてもよく、他の記憶装置を用いてもよい。
【0020】
実施の形態3.
本発明の実施の形態3に係る不揮発性半導体記憶装置について図5を用いて説明する。図5は、この不揮発性半導体記憶装置の記憶部に記憶しているサブシーケンスのフローチャートである。このサブシーケンスには、その最初にシーケンスの実行を一時的に中断するサスペンドを実行するサスペンドルーチン310に入るか否かを判断する過程305を含んでいる。これによって特定のサブシーケンスについてサスペンドを検証できる。
【0021】
なお、あらかじめ記憶させておいたフラグを用いて、サスペンドルーチン310に入るか否かを判断してもよい。また、外部から設定可能なレジストに上記フラグを記憶させておいてもよい。
【0022】
実施の形態4.
本発明の実施の形態4に係る不揮発性半導体記憶装置について図6を用いて説明する。図6は、この不揮発性半導体記憶装置1の記憶部3に記憶しているサブシーケンスのフローチャートである。このサブシーケンスは、書込み又は消去のシーケンス1の過程404を行った後、ベリファイをパスするか否かを判断する過程405を含むことを特徴とする。ベリファイをパスする場合(Y)には、そのままサブシーケンスの以降の各過程406〜408を実行する。この場合、ベリファイ回路(図示せず)を機能させない(FAIL)か又はベリファイ回路をパス(PASS)する。一方、ベリファイを実行する場合(N)には、エラー処理ルーチン410を実行し、書込み時と消去時に各メモリセルがどのレベルまで達しているかを判定する。これによって、特定のサブシーケンスにおいてベリファイ動作を制御できる。
【0023】
なお、ベリファイをパスするか否かの判断は、あらかじめ記憶されているフラグを用いて行ってもよい。また、外部から設定可能なレジストに上記フラグを記憶させておいてもよい。
【0024】
【発明の効果】
本発明の不揮発性半導体記憶装置によれば、記憶部に記憶しているシーケンスは複数のサブシーケンスを含んでいる。それぞれのサブシーケンスは、終了前に電圧をリセットする電圧リセット過程と、経路をリセットする経路リセット過程を含んでいる。これによって、それぞれのサブシーケンスの始まりと終わりの状態を全て同じスタンバイ状態にしている。そこで、サブシーケンスをそれぞれ独立して取り扱うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み及び消去を制御するシーケンスを構成するサブシーケンスのフローチャートである。
【図3】本発明の実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置における複数のサブシーケンスを含むシーケンスのフローチャートである。
【図4】各サブシーケンスをスキップするか否かを決めるフラグを格納するレジストの概要を示す図である。
【図5】本発明の実施の形態3に係る不揮発性半導体記憶装置におけるサブシーケンスのフローチャートである。
【図6】本発明の実施の形態4に係る不揮発性半導体記憶装置におけるサブシーケンスのフローチャートである。
【符号の説明】
1 不揮発性半導体記憶装置、2 書込&消去制御部(CPU)、3 記憶部、4 電圧発生部、6 正電圧発生回路、8 負電圧発生回路、12 WLブースト回路、14 ディストリビュータ、16 アドレスバッファ、18 Xデコーダ(X−DEC)、20 Yデコーダ(Y−DEC)、22 入出力バッファ、24 Y系制御回路、26 メモリアレイ、28 セレクトゲート、30、32メモリセル、BL1〜BLm ビット線、BLOCK0〜BLOCKn メモリブロック、MBL メインビット線、MT メモリトランジスタ、WL ワード線
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性半導体記憶装置及びその書込み・消去制御用シーケンスに関する。
【0002】
【従来の技術】
不揮発性半導体記憶装置として、フラッシュメモリが知られている。フラッシュメモリは、メモリセルが2次元配列しているメモリアレイと、メモリセルの書込み、消去を制御する制御部(CPU)とを搭載している。また、フラッシュメモリは、書込み及び消去を制御するソフトウエアであるシーケンス(プログラム)をその内部に格納している。
【0003】
なお、従来のフラッシュメモリでは、書き換え用のプログラムをフラッシュメモリに書き込む際に複数のフラグ領域を設け、書き換え処理の複数の段階の終了判定又は良否の判定を行い、その結果を複数の該フラグ領域のそれぞれに記録する制御装置を有している(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−105694号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
フラッシュメモリの書き込み動作と消去動作のうち、消去動作のシーケンスは複雑化しており、実デバイスではわずか数秒であっても1回の検証(シミュレーション)実行には数十時間も要する場合がある。しかし、検証時間が長時間になると、シーケンスの途中で中断する場合がある。例えば、シーケンス途中で不具合が発覚した場合や、シミュレーションツールに起因してシーケンスの実行が途中で中断する場合がある。このようにシーケンス前半までは検証が完了した場合であっても、残りの後半の検証を行うには再度長いシーケンスを最初から最後まで連続して実行する必要があった。この場合、シーケンス途中へジャンプさせてシーケンス途中から実行させただけではジャンプによってスキップされたシーケンス部分の状態との整合性がとれず、全体として整合性のある正確な検証が行えなかった。このように、検証時間の長時間化がフラッシュメモリの開発工期を長くする要因の一つとなっている。
【0006】
そこで、本発明の目的は、書込み及び消去制御用シーケンスの検証を効率よく行える不揮発性半導体記憶装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルが2次元配列しているメモリアレイと、
前記メモリセルの書込み及び消去を制御するシーケンスを記憶している記憶部と、
前記記憶部から前記シーケンスを読み出して、前記メモリセルの書込み及び消去を制御する書込&消去制御部と
を備え、
前記シーケンスは、複数のサブシーケンスを含み、前記各サブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程と、選択経路をリセットする経路リセット過程とを含むことを特徴とする。
【0008】
本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み及び消去制御用シーケンスは、複数のメモリセルが2次元配列しているメモリアレイと、書込&消去制御部とを備えた不揮発性半導体記憶装置の前記書込&消去制御部で前記メモリセルの書込み及び消去を制御するために用いられるシーケンスであって、
前記シーケンスは、複数のサブシーケンスを含み、前記各サブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程と、選択経路をリセットする経路リセット過程とを含むことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について、添付図面を用いて説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【0010】
実施の形態1.
本発明の実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置について図1を用いて説明する。図1は、この不揮発性半導体記憶装置1の概略構成を示すブロック図である。この不揮発性半導体記憶装置1は、フラッシュメモリであって、複数のメモリセル30、31が2次元配列しているメモリアレイ26と、メモリセル30、31への書込及び消去を実行するプログラムコードのシーケンスを記憶している記憶部3と、該記憶部3から該シーケンスを読み出し、該シーケンスに基づいてメモリセルへの書込み、消去を行う書込&消去制御部2とを備える。ここで、記憶部3はROM、RAM等のいずれであってもよい。
【0011】
さらに、不揮発性半導体記憶装置1は、
(A)書込&消去制御部2からスタンバイ信号CXHRDY、チャージポンプ活性化信号PPUMPE、及びリセット信号RSETを受けて、これに応じて出力電位Vout+、Vout−、VWLを発生して出力する電圧発生部4;
(B)外部からアドレス信号ADRを受けるアドレスバッファ16;
(C)アドレスバッファ16から内部アドレス信号を受け電圧発生部4から電位の供給を受け、セレクトゲート線SGL、ワード線WL0、WL1、ソース線SLおよびウェルの各電位を決定するXデコーダ18;
(D)データ入出力信号DIOを授受するための入出力バッファ22;
(E)アドレスバッファ16からアドレス信号を受け、デコードするYデコーダ20;及び
(F)Yデコーダ20の出力に応じてデータ入出力信号に対応しメインビット線MBLに高電圧を印加するY系制御回路24;
を備える。
【0012】
電圧発生部4は、(a1)出力電位Vout+を発生させる正電圧発生回路6、(a2)出力電位Vout−を発生させる負電圧発生回路8、(a3)ワード線電位VWLを発生させるWLブースト回路12、及び(a4)書込&消去制御部2によって制御され、出力電位Vout+、Vout−及びワード線電位VWLを受けて各内部回路に分配するディストリビュータ14を含む。なお、WLブースト回路12は、高速アクセスを実現するために読出時に選択されたワード線WLおよび選択されたセレクトゲートSGに与える昇圧電位を発生する回路である。
【0013】
Xデコーダ18は、(c1)ワード線を選択するためのWLデコーダ(図示せず)、(c2)セレクトゲートを選択するためのSGデコーダ(図示せず)、(c3)選択されたメモリブロックに対応するウェル領域を選択するWELLデコーダ(図示せず)、及びソース線を選択するためのSLデコーダ(図示せず)を含む。
【0014】
Y系制御回路24は、(f1)読出時にカラム選択を行ないセンスアンプで読出作業を行なうYG&センスアンプとラッチ回路(図示せず)と、(f2)ラッチしているデータに基づき書込時のメインビット線MBLに高電位を印加するかどうかを決定するページバッファ(図示せず)とを含む。
【0015】
また、不揮発性半導体記憶装置1は、メモリアレイ26を含む。このメモリアレイ26には、互いに分離されたウエルの内部に形成されたメモリブロックBLOCK0〜BLOCKnを含む。例えば、メモリブロックBLOCK0は、メモリセル30、32と、セレクトゲート28とを含む。このメモリブロックBLOCK0では、Xデコーダ18によって選択されたセレクトゲート線SGL、ワード線WL0、WL1及びソース線SLに対応するメモリセルが選択され、メインビット線MBLからデータに対応する信号を受けてデータ保持が行なわれる。なお、図1では、選択されたセレクトゲート線SGL、ワード線WL0、WL1およびソース線SLに対応するセレクトゲート28、メモリセル30、32が代表的に図示されている。
【0016】
次に、記憶部3に記憶されている書込み及び消去のプログラムコードのシーケンスについて説明する。この書込み及び消去のシーケンスは、複数のサブシーケンスを含んでいる。図2は、サブシーケンスのフローチャートの一例である。サブシーケンスに基づいて、書込&消去制御部2は、次の各過程を行う。
(1)電圧、経路が共にリセットされ、それぞれ設定可能なスタンバイ状態(101)から開始する。
(2)経路をセットする(102)。
(3)電圧をセットする(103)。
(4)シーケンス1に従ってメモリセルへの書込み又は消去を行う(104)。
(5)電圧をリセットする(105)。
(6)経路をリセットする(106)。
(7)スタンバイ状態に戻り(107)、このサブシーケンスが終了する。
【0017】
この不揮発性半導体記憶装置1では、記憶部3に記憶しているシーケンスは複数のサブシーケンスを含んでいる。それぞれのサブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程105と、経路をリセットする経路リセット過程106を含むことを特徴とする。これによって、それぞれのサブシーケンスの始まりと終わりの状態を全て同じスタンバイ状態にしている。そこで、サブシーケンスをそれぞれ独立して取り扱うことができる。また、一つのサブシーケンスから次のサブシーケンスへ移った際に、メモリセルを構成するトランジスタへの連続的な負荷増大を抑制できる。また、トランジスタの耐電圧値を超えないように制御できる。さらに、前のサブシーケンスによる設定電圧に対して、次のサブシーケンスでの設定電圧が低い場合、そのまま移行させた場合には高電圧値から低電圧値へのシフトに要する時間途中に書込み又は消去が行われる場合がある。上記のようにそれぞれのサブシーケンスごとに電圧リセット過程105、経路リセット過程106を設けたことによって、電圧値がシフト中に書込み、消去等が行われることを防止できる。
【0018】
実施の形態2.
本発明の実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置について図3を用いて説明する。図3は、この不揮発性半導体記憶装置の記憶部3に記憶しているシーケンスのフローチャートの一例である。このシーケンスは、過程204〜210、過程212〜218、過程220〜226の3つのサブシーケンスが連続して配列されている。それぞれのサブシーケンスの開始前にはスキップフラグチェック過程203、211、219が設けられている。スキップフラグチェック過程203、211、219では、それぞれのサブシーケンスをスキップするか否かをフラグを用いて判断する。これによって、サブシーケンスごとにスキップするか否かを自由に制御できる。
【0019】
図4は、シーケンスが8つのサブシーケンスを有する場合に、それぞれのサブシーケンス1〜8をスキップするか否かのフラグを格納するレジスタを示す図である。このフラグを外部から設定可能にする。例えば、デフォルトではレジスタに格納するフラグの設定を全て”0”とする。この場合には全てのサブシーケンス1〜8を実行する。そこで、特定のサブシーケンスに対応するフラグの値を”0”から”1”に変更することにより、そのサブシーケンスをスキップすることができる。なお、スキップ制御用のレジスタは記憶部3の一部に設けてもよく、他の記憶装置を用いてもよい。
【0020】
実施の形態3.
本発明の実施の形態3に係る不揮発性半導体記憶装置について図5を用いて説明する。図5は、この不揮発性半導体記憶装置の記憶部に記憶しているサブシーケンスのフローチャートである。このサブシーケンスには、その最初にシーケンスの実行を一時的に中断するサスペンドを実行するサスペンドルーチン310に入るか否かを判断する過程305を含んでいる。これによって特定のサブシーケンスについてサスペンドを検証できる。
【0021】
なお、あらかじめ記憶させておいたフラグを用いて、サスペンドルーチン310に入るか否かを判断してもよい。また、外部から設定可能なレジストに上記フラグを記憶させておいてもよい。
【0022】
実施の形態4.
本発明の実施の形態4に係る不揮発性半導体記憶装置について図6を用いて説明する。図6は、この不揮発性半導体記憶装置1の記憶部3に記憶しているサブシーケンスのフローチャートである。このサブシーケンスは、書込み又は消去のシーケンス1の過程404を行った後、ベリファイをパスするか否かを判断する過程405を含むことを特徴とする。ベリファイをパスする場合(Y)には、そのままサブシーケンスの以降の各過程406〜408を実行する。この場合、ベリファイ回路(図示せず)を機能させない(FAIL)か又はベリファイ回路をパス(PASS)する。一方、ベリファイを実行する場合(N)には、エラー処理ルーチン410を実行し、書込み時と消去時に各メモリセルがどのレベルまで達しているかを判定する。これによって、特定のサブシーケンスにおいてベリファイ動作を制御できる。
【0023】
なお、ベリファイをパスするか否かの判断は、あらかじめ記憶されているフラグを用いて行ってもよい。また、外部から設定可能なレジストに上記フラグを記憶させておいてもよい。
【0024】
【発明の効果】
本発明の不揮発性半導体記憶装置によれば、記憶部に記憶しているシーケンスは複数のサブシーケンスを含んでいる。それぞれのサブシーケンスは、終了前に電圧をリセットする電圧リセット過程と、経路をリセットする経路リセット過程を含んでいる。これによって、それぞれのサブシーケンスの始まりと終わりの状態を全て同じスタンバイ状態にしている。そこで、サブシーケンスをそれぞれ独立して取り扱うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み及び消去を制御するシーケンスを構成するサブシーケンスのフローチャートである。
【図3】本発明の実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置における複数のサブシーケンスを含むシーケンスのフローチャートである。
【図4】各サブシーケンスをスキップするか否かを決めるフラグを格納するレジストの概要を示す図である。
【図5】本発明の実施の形態3に係る不揮発性半導体記憶装置におけるサブシーケンスのフローチャートである。
【図6】本発明の実施の形態4に係る不揮発性半導体記憶装置におけるサブシーケンスのフローチャートである。
【符号の説明】
1 不揮発性半導体記憶装置、2 書込&消去制御部(CPU)、3 記憶部、4 電圧発生部、6 正電圧発生回路、8 負電圧発生回路、12 WLブースト回路、14 ディストリビュータ、16 アドレスバッファ、18 Xデコーダ(X−DEC)、20 Yデコーダ(Y−DEC)、22 入出力バッファ、24 Y系制御回路、26 メモリアレイ、28 セレクトゲート、30、32メモリセル、BL1〜BLm ビット線、BLOCK0〜BLOCKn メモリブロック、MBL メインビット線、MT メモリトランジスタ、WL ワード線
Claims (7)
- 複数のメモリセルが2次元配列しているメモリアレイと、
前記メモリセルの書込み及び消去を制御するシーケンスを記憶している記憶部と、
前記記憶部から前記シーケンスを読み出して、前記メモリセルの書込み及び消去を制御する書込&消去制御部と
を備え、
前記シーケンスは、複数のサブシーケンスを含み、前記各サブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程と、選択経路をリセットする経路リセット過程とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記シーケンスは、複数のサブシーケンスが順に配列されているとともに、前記各サブシーケンスの開始前に前記サブシーケンスをスキップするか否かを判断するスキップチェック過程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記スキップチェック過程は、前記書込み&消去制御部が各あらかじめ記憶しているフラグを用いて前記各サブシーケンスをスキップするか否かを判断することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記シーケンスは、隣接する2つのサブシーケンスの間に、シーケンスの実行を一時停止させるか否かを判断するサスペンド過程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記サブシーケンスは、書込み時又は消去時にメモリセルがどのレベルに達しているか判定するベリファイをパスするか否かを判断する過程を含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 複数のメモリセルが2次元配列しているメモリアレイと、書込&消去制御部とを備えた不揮発性半導体記憶装置の前記書込&消去制御部で前記メモリセルの書込み及び消去を制御するために用いられるシーケンスであって、
前記シーケンスは、複数のサブシーケンスを含み、前記各サブシーケンスは、その終了前に、電圧をリセットする電圧リセット過程と、選択経路をリセットする経路リセット過程とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書込み及び消去制御用シーケンス。 - 前記シーケンスは、複数のサブシーケンスが順に配列されているとともに、前記各サブシーケンスの開始前に前記サブシーケンスをスキップするか否かを判断するスキップチェック過程をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の不揮発性半導体記憶装置の書込み及び消去制御用シーケンス。
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