JP2004193173A - 気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜ガス用配管11に成膜ガスを供給し、不活性ガス用配管12に不活性ガスを供給する。このようなガスの供給を行うと、基体13の中央部に配置されている成膜ガス用ノズル16から噴出された成膜ガスがステージ上に載置されたウェハの表面を流れるのに対し、不活性ガス用ノズル17から噴出された不活性ガスは、ウェハの表面に到達することなくウェハの上方に拡がる。この結果、成膜ガスのウェハの上方への拡散が抑制される。このため、成膜ガスの利用効率が向上し、製造コストを低減することが可能となる。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造工程における薄膜等の形成に好適な気相成長装置及び気相成長方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
DRAM(Dynamic Random Access Memory)やFRAM(Ferroelectric Random Access Memory)のキャパシタを製造するための装置及びキャパシタを構成する膜の成膜方法について、様々なものが提案されている。しかし、実際に量産の際に使用され、実用化されているものは、ゾル・ゲル法やスパッタ法による成膜方法及びこのための装置である。
【0003】
近年、メモリの集積度が次第にあがってきており、0.18μmルールのDRAMやFRAM用のキャパシタを製造するには、ゾル・ゲル法やスパッタ法では、膜厚の薄膜化や段差被覆性の向上を達成することは困難となっている。このため、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法による薄膜の製造装置及び製造方法の開発に期待がよせられている。このような状況下で、例えば特開2001−313271号公報に、MOCVD法による半導体製造方法が開示されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−313271号公報
【特許文献2】
特開平7−169703号公報
【特許文献3】
特開平9−316644号公報
【特許文献4】
特開平10−64831号公報
【特許文献5】
特開2001−214274号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、MOCVD法を使用して量産可能な薄膜を製造するには、膜厚及び組成を均一にし、酸化物の生成過程で発生しがちなパーティクルを抑えるといった技術的な課題もあるだけでなく、ゾル・ゲル法及びスパッタ法に比べて、原料である有機金属が非常に高価であるという問題点がある。この結果、MOCVD法により半導体装置を製造すると、コストが著しく高くなってしまう。
【0006】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、MOCVD法に適用した際に製造コストを低減することができる気相成長装置及び気相成長方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本願発明者は、従来のMOCVD法における成膜ガスの使用効率について検討した。この結果、シャワーヘッドから噴き出された成膜ガスは、成膜室(チャンバ)全体に広がってしまい、基板表面に到達した成膜ガスのみが成膜に使用されされ、他の基板表面に到達しない大部分の成膜ガスはそのまま排気されていた。そして、実際に薄膜の形成に使用されるモル量は、原料の供給モル量に対して数%程度であった。このように、従来のMOCVD法では、高価な有機金属原料の9割以上が排気されていることが見出された。図1は、本願発明者が得たガスの流線を示す模式図である。図1に示すように、シャワーヘッドのノズル21から噴き出された成膜ガスの僅か一部はステージ22の上面まで到達しているが、成膜ガスの大部分は、ステージ22の上面に到達することなく、下方に流れてしまっている。この下方に流れた成膜ガスは、そのまま成膜室から排気され成膜に使用されることはない。
【0008】
そこで、本願発明者は、原料の利用効率を向上させるべく鋭意検討した結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【0009】
本発明に係る気相成長装置は、その上にウェハが載置されるステージと、原料ガス及びこの原料ガスと反応する反応ガスを含有する成膜ガスを前記ステージに向けて供給するシャワーヘッドと、を有する。この気相成長装置においては、前記シャワーヘッドに、少なくとも前記ステージの中心に向けて前記成膜ガスを噴出する第1のガス噴出手段と、前記反応ガス及び不活性ガスからなる群から選択された少なくとも1種の非原料ガスを、前記第1のガス噴出手段の周囲から前記ステージに向けて噴出する第2のガス噴出手段と、が設けられている。
【0010】
本発明に係る気相成長方法は、ウェハの温度を成膜可能な温度に保持し、その後、少なくとも前記ウェハの中心に向けて、原料ガス及びこの原料ガスと反応する反応ガスを含有する成膜ガスを噴出する。このとき、同時に、前記反応ガス及び不活性ガスからなる群から選択された少なくとも1種の非原料ガスを、前記成膜ガスの周囲から前記ウェハに向けて噴出する。
【0011】
本発明においては、原料ガス及び反応ガスを含有する成膜ガスがステージ上に載置されたウェハに噴出されると共に、その周囲に向けて非原料ガスが噴出される。この結果、図1に示すように、成膜ガスがウェハ表面を流れると共に、非原料ガスが成膜ガスの上方への拡散を抑制する。従って、成膜ガスの利用効率が著しく向上する。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る気相成長装置及び気相成長方法について添付の図面を参照して具体的に説明する。
【0013】
(MOCVDシステム)
先ず、MOCVDシステムについて説明する。図2は、MOCVDシステムの構成を示す模式図である。
【0014】
このMOCVDシステムには、成膜室(チャンバ)1、この成膜室1の上部に配置されたシャワーヘッド2、成膜室1に原料ガスを供給する気化器3、原料ガスと反応する反応ガス(O2)の流量(流速)を調節するマスフローコントロールバルブ4、反応ガスを加熱する熱交換器5、原料ガスと反応ガスとを混合するガス混合器6、コールドトラップ7、真空ポンプ8及び除害装置9が設けられている。シャワーヘッド2には、不活性ガス、例えばN2のラインが直接連結されている。コールドトラップ7までの配管は、適宜配管加熱手段10により加熱される。
【0015】
気化器3には、Pb、Zr、Tiの有機金属原料が夫々溶媒に一定の濃度で溶け込んだ溶液が一定の流量で供給される。また、原料の流量を変化させた時でも全流量を一定に保つため、一定量の溶媒も気化器3に供給されている。これらの流量調整は、液体のマスフローコントローラ(図示せず)にて行われる。そして、気化器3内では、供給された各液体原料が溶媒とともに気化され、原料ガスとなって、温度管理された配管を通じてガス混合器6に供給される。また、気化器3の出口には窒素パージ用のラインが接続されており、成膜時と非成膜時とで、成膜室1に流入するガスの流量を一定にすることが可能となっている。
【0016】
一方、反応ガス(O2)は、マスフローコントローラ4を介して一定の流量でガス混合器6に供給される。このとき、反応ガスの温度は、熱交換器5によって原料の気化温度まで上昇させられる。
【0017】
そして、ガス混合器6の中で、原料ガスと反応ガスとが混合され、混合ガスがシャワーヘッド2に流れる。
【0018】
成膜室1では、ウェハへの成膜時には、例えばウェハの温度を500乃至650℃に保持しておく。このような状態で、シャワーヘッド2から混合ガスがステージ(図示せず)に向けて、即ちこのステージ上に載置されたウェハに向けて供給されると、混合ガス中の有機金属ガスがウェハ表面において、ウェハの熱エネルギによって分解され、薄膜(例えば、PZT薄膜)が形成される。成膜に使用されなかった成膜ガスは真空ポンプ8により吸引され、排気ポートを通じて、コールドトラップ7による回収又は除害装置9による分解が行われる。そして、無害化されて大気中に排気される。
【0019】
(シャワーヘッド)
次に、シャワーヘッド2の構造について説明する。図3は、本発明の第1の実施形態に係る気相成長装置のシャワーヘッドの構造を示す図であって、(a)は下面図、(b)は側面図である。
【0020】
第1の実施形態においては、例えば1本の成膜ガス用配管11及び6本の不活性ガス用配管12が基体13に連結されている。基体13の直径は、例えば20.3cm(8インチ)程度である。成膜ガス用配管11は基体13の中心部に配置されており、6本の不活性ガス用配管12は成膜ガス用配管11を中心とする正六角形を形成するようにして配置されている。
【0021】
基体13の内部は、成膜ガス用配管11に連通する成膜ガス用空間14と不活性ガス用配管12に連通する不活性ガス用空間15とに区画されている。成膜ガス用空間14の平面形状は、例えば成膜ガス用配管11を中心とする最大径が20mm程度の正六角形状であり、不活性ガス用空間15により取り囲まれている。基体13の下側には、成膜ガス用空間14に連通する成膜ガス用ノズル16、及び不活性ガス用空間15に連通する不活性ガス用ノズル17が取り付けられている。
【0022】
なお、図3(b)では、便宜上、成膜ガス用配管11の手前に存在する不活性ガス用配管12を省略している。
【0023】
このように構成されたシャワーヘッドを使用して気相成長を行う場合には、成膜ガス用配管11に成膜ガスを供給し、不活性ガス用配管12に不活性ガスを供給する。このようなガスの供給を行うと、図1に示す流線に沿って、各ノズルから噴出されたガスが流れる。従って、基体13の中央部に配置されている成膜ガス用ノズル16から噴出された成膜ガスがステージ上に載置されたウェハの表面を流れるのに対し、不活性ガス用ノズル17から噴出された不活性ガスは、ウェハの表面に到達することなくウェハの上方に拡がる。この結果、成膜ガスのウェハの上方への拡散が抑制される。このため、成膜ガスの利用効率が向上し、製造コストを低減することが可能となる。
【0024】
このように構成されたシャワーヘッドは、例えば直径が15.2cm(6インチ)程度のウェハ上に、気相成長法により薄膜を形成するのに好適である。
【0025】
ここで、図3に示す構造のシャワーヘッドを具備する気相成長装置を使用して実際に成膜を行った結果について説明する。
【0026】
原料には、Pb(DPM)2(ジ−ピバロイルメタナート−鉛)、Zr(DMHD)4(ジ−メチルヘキサンディオネート−ジルコニウム)及びTi(O−iPr)2(イソ−プロポキシ−チタニウム)を使用し、溶媒にはTHF(テトラ−ヒドロフラン)を使用した。ステージ上に、直径が15.2cm(6インチ)のウェハを載置した。基体の直径は約20.3cm(8インチ)とし、成膜ガス用ノズルは基体の中心から半径が10mmの円内に配置した。
【0027】
また、ウェハの温度を580℃、気化器での気化温度を190℃、気化器と成膜室(チャンバ)との間の配管の温度を220℃、混合器に供給する酸素の温度を200℃に設定した。成膜圧力は667Paに調節した。
【0028】
そして、成膜ガス用ノズル16から、成膜ガスとして、有機金属原料及び溶媒が気化したガス、キャリアガス(N2)及び反応ガス(O2)の混合ガスを1000sccm流し、不活性ガス用ノズル17から、不活性ガスとして窒素ガスを2500sccm流して、PZT膜の成膜を行った。このとき、原料の供給速度は、0.6ml/分とした。
【0029】
そして、成膜後に、ウェハの図4に示す9点(×印)において、PZT膜の膜厚及び組成を測定した。この結果を下記表1に示す。
【0030】
【表1】
【0031】
表1に示すように、本発明の実施形態1におけるシャワーヘッドを使用した結果、均一なPZT膜を形成することができた。
【0032】
次に、本発明の第2の実施形態におけるシャワーヘッド2の構造について説明する。図5は、本発明の第2の実施形態に係る気相成長装置のシャワーヘッドの構造を示す図であって、(a)は下面図、(b)は側面図である。なお、図5(b)では、便宜上、成膜ガス用配管11の手前に存在する不活性ガス用配管12を省略している。
【0033】
本実施形態においては、第1の実施形態とは異なり、成膜ガス用ノズル16が設けられておらず、成膜ガス用配管11が基体13を貫通している。
【0034】
このように構成された第2の実施形態においては、成膜ガスは、成膜ガス用ノズル16を介することなく、成膜ガス用配管11から直接ウェハに向けて供給される。一方、不活性ガス用ノズル17からは、第1の実施形態と同様に不活性ガスが供給される。
【0035】
そして、第1の実施形態と同様に、基体13の中央部に配置されている成膜ガス用配管11から噴出された成膜ガスがステージ上に載置されたウェハの表面を流れる。これに対し、不活性ガス用ノズル17から噴出された不活性ガスは、ウェハの表面に到達することなくウェハの上方に拡がる。この結果、成膜ガスのウェハの上方への拡散が抑制される。
【0036】
実際に、本願発明者が、図5に示す構造のシャワーヘッドを具備する気相成長装置を使用して実際に成膜を行った結果、第1の実施形態と同様の結果が得られた。
【0037】
次に、本発明の第3の実施形態におけるシャワーヘッド2の構造について説明する。第1及び第2の実施形態では、ウェハの面積が特に大きい場合等には、ウェハの外周部において成膜ガスの濃度が低くなってウェハの中心部と外周部との間で成膜された膜の厚さが不均一となることもあり得る。本実施形態は、このような場合に好適なものである。図6は、本発明の第2の実施形態に係る気相成長装置のシャワーヘッドの構造を示す図であって、(a)は下面図、(b)は側面図である。
【0038】
本実施形態においては、例えば1本の成膜ガス用配管11及び3本の不活性ガス用配管12が基体13に連結されている。成膜ガス用配管11には、3本の成膜ガス用分岐配管18が連結され、不活性ガス用配管12には、夫々1本の不活性ガス用分岐配管19が連結されている。成膜ガス用配管11は基体13の中心部に配置されており、3本の不活性ガス用配管12は成膜ガス用配管11を中心とする正三角形を形成するようにして配置されている。
【0039】
また、3本の成膜ガス用分岐配管18も成膜ガス用配管11を中心とする正三角形を形成するようにして配置されている。但し、この三角形は、成膜ガス用配管11を中心として、不活性ガス用配管12が形成する三角形を60℃回転させて縮小したものとなっている。更に、総計で3本の不活性ガス用分岐配管18も成膜ガス用配管11を中心とする正三角形を形成するようにして配置されている。但し、この三角形は、不活性ガス用配管12が形成する三角形を、成膜ガス用分岐配管18が形成する三角形よりも縮小したものとなっている。
【0040】
本実施形態では、中心から順に、基体13の内部は、成膜ガス用配管11に連通する成膜ガス用空間14aと、不活性ガス用分岐配管19に連通する不活性ガス用空間15bと、成膜ガス用分岐配管18に連通する成膜ガス用空間14bと、不活性ガス用配管12に連通する不活性ガス用空間15aとに区画されている。
【0041】
成膜ガス用空間14aの平面形状は、例えば成膜ガス用配管11を中心とする最大径が20mm程度の六角形状であり、不活性ガス用空間15bにより取り囲まれている。不活性ガス用空間15bは成膜ガス用空間14bにより取り囲まれている。そして、成膜ガス用空間14bは不活性ガス用空間15aにより取り囲まれている。成膜ガス用ノズル16は成膜ガス用空間14a又は14bに連通し、不活性ガス用ノズル17は不活性ガス用空間15a又は15bに連通している。
【0042】
このように構成されたシャワーヘッドを使用して気相成長を行う場合には、成膜ガス用配管11に成膜ガスを供給し、不活性ガス用配管12に不活性ガスを供給する。このようなガスの供給を行うと、第1の実施形態と同様に、主に成膜ガス用空間14aに連通した成膜ガス用ノズル16から供給された成膜ガスがウェハの表面を流れる。この成膜ガス中の原料ガス及び反応ガスは、成膜により消費されるため、ウェハの外周部に近づくほど、これらの濃度は低下する。このような状況においても、本実施形態においては、成膜ガス用空間14aに連通した成膜ガス用ノズル16だけでなく、成膜ガス用空間14bに連通した成膜ガス用ノズル16からも成膜ガスが供給される。従って、この成膜ガスにより、成膜ガス用空間14aに連通した成膜ガス用ノズル16から供給された成膜ガスの濃度の低下が補償される。
【0043】
従って、ウェハが大きい場合等、第1又は第2の実施形態では、均一な厚さの膜を形成することが困難であると考えられるような場合であっても、本実施形態によれば、安定して均一な厚さの膜を形成することが可能である。
【0044】
なお、上述の実施形態においては、非原料ガスとして不活性ガスのみを用いているが、非原料ガスとして、反応ガスのみを用いてもよく、また、不活性ガスと反応ガスとの混合ガスを用いてもよい。
【0045】
また、原料ガスとしては、例えばPb、Zr、Ti、La、Ca、Sr、Ba、Ta及びBiのいずれかを含有するものを用いることができる。
【0046】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0047】
(付記1) その上にウェハが載置されるステージと、
原料ガス及びこの原料ガスと反応する反応ガスを含有する成膜ガスを前記ステージに向けて供給するシャワーヘッドと、
を有する気相成長装置において、
前記シャワーヘッドは、
少なくとも前記ステージの中心に向けて前記成膜ガスを噴出する第1のガス噴出手段と、
前記反応ガス及び不活性ガスからなる群から選択された少なくとも1種の非原料ガスを、前記第1のガス噴出手段の周囲から前記ステージに向けて噴出する第2のガス噴出手段と、
を有することを特徴とする気相成長装置。
【0048】
(付記2) 前記第1のガス噴出手段は、前記成膜ガスを噴出する複数個の第1のノズルを有することを特徴とする付記1に記載の気相成長装置。
【0049】
(付記3) 前記第2のガス噴出手段は、前記第1のガス噴出手段を取り囲んで配置され、前記非原料ガスを噴出する複数個の第2のノズルを有することを特徴とする付記1又は2に記載の気相成長装置。
【0050】
(付記4) 前記反応ガスは、酸素ガスであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の気相成長装置。
【0051】
(付記5) 前記成膜ガスは、更にキャリアガスを含有することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の気相成長装置。
【0052】
(付記6) 前記キャリアガスは、窒素ガスであることを特徴とする付記5に記載の気相成長装置。
【0053】
(付記7) 前記原料ガスは、Pb、Zr、Ti、La、Ca、Sr、Ba、Ta及びBiからなる群から選択された少なくとも1種の元素を含有する有機金属ガスであることを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項に記載の気相成長装置。
【0054】
(付記8) 前記第1のガス噴出手段は、
前記ステージの中心に向けて前記成膜ガスを噴出する中心噴出手段と、
夫々前記ステージの中心から離間した1又は2以上の領域に前記成膜ガスを噴出する1又は2以上の周辺噴出手段と、
を有し、
前記第2のガス噴出手段は、前記中心噴出手段及び前記周辺噴出手段により挟まれた各領域、並びに前記周辺噴出手段のうちで最も外側に位置するものの周辺の領域から、前記非原料ガスを噴出することを特徴とする付記1乃至7のいずれか1項に記載の気相成長装置。
【0055】
(付記9) 前記中心噴出手段及び前記周辺噴出手段と前記第2のガス噴出手段とは、前記シャワーヘッドの中心部から外周部にかけて交互に配置されていることを特徴とする付記8に記載の気相成長装置。
【0056】
(付記10) ウェハの温度を成膜可能な温度に保持する工程と、
少なくとも前記ウェハの中心に向けて、原料ガス及びこの原料ガスと反応する反応ガスを含有する成膜ガスを噴出すると共に、前記反応ガス及び不活性ガスからなる群から選択された少なくとも1種の非原料ガスを、前記成膜ガスの周囲から前記ウェハに向けて噴出する工程と、
を有することを特徴とする気相成長方法。
【0057】
(付記11) 前記成膜ガスを、複数個の第1のノズルから噴出することを特徴とする付記10に記載の気相成長方法。
【0058】
(付記12) 前記非原料ガスを、前記第1のノズルを取り囲んで配置された複数個の第2のノズルから噴出することを特徴とする付記11に記載の気相成長方法。
【0059】
(付記13) 前記反応ガスとして、酸素ガスを使用することを特徴とする付記10乃至12のいずれか1項に記載の気相成長方法。
【0060】
(付記14) 前記成膜ガスに、更にキャリアガスを含有させることを特徴とする付記10乃至13のいずれか1項に記載の気相成長方法。
【0061】
(付記15) 前記キャリアガスとして、窒素ガスを使用することを特徴とする付記14に記載の気相成長方法。
【0062】
(付記16) 前記原料ガスとして、Pb、Zr、Ti、La、Ca、Sr、Ba、Ta及びBiからなる群から選択された少なくとも1種の元素を含有する有機金属ガスを使用することを特徴とする付記10乃至15のいずれか1項に記載の気相成長方法。
【0063】
(付記17) 複数の領域から、前記成膜ガスを、前記ウェハの中心に向けて噴出すると共に、前記ウェハの中心から離間した1又は2以上の領域に噴出し、
前記非原料ガスを、前記複数の領域により挟まれた各領域、及び前記複数の領域のうちで前記ウェハの最も外側に前記成膜ガスを噴出するものの周辺の領域から、前記ウェハに向けて噴出することを特徴とする付記10乃至16のいずれか1項に記載の気相成長方法。
【0064】
(付記18) 前記成膜ガス及び前記非原料ガスを、互いに交互に配置された領域から噴出することを特徴とする付記17に記載の気相成長方法。
【0065】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、成膜ガスの利用効率を向上することができる。この結果、本発明をMOCVD法に適用した際に、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明者が得たガスの流線を示す模式図である。
【図2】MOCVDシステムの構成を示す模式図である。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る気相成長装置のシャワーヘッドの構造を示す図であって、(a)は下面図、(b)は側面図である。
【図4】ウェハ上の測定点を示す模式図である。
【図5】本発明の第2の実施形態に係る気相成長装置のシャワーヘッドの構造を示す図であって、(a)は下面図、(b)は側面図である。
【図6】本発明の第2の実施形態に係る気相成長装置のシャワーヘッドの構造を示す図であって、(a)は下面図、(b)は側面図である。
【符号の説明】
1;成膜室
2;シャワーヘッド
3;気化器
4;マスフローコントロールバルブ
5;熱交換器
6;ガス混合器
7;コールドトラップ
8;真空ポンプ
9;除害装置
10;配管加熱手段
11;成膜ガス用配管
12;不活性ガス用配管
13;基体
14、14a、14b;成膜ガス用空間
15、15a、15b;不活性ガス用空間
16;成膜ガス用ノズル
17;不活性ガス用ノズル
18;成膜ガス用分岐配管
19;不活性ガス用分岐配管
21;ノズル
22;ステージ
Claims (10)
- その上にウェハが載置されるステージと、
原料ガス及びこの原料ガスと反応する反応ガスを含有する成膜ガスを前記ステージに向けて供給するシャワーヘッドと、
を有する気相成長装置において、
前記シャワーヘッドは、
少なくとも前記ステージの中心に向けて前記成膜ガスを噴出する第1のガス噴出手段と、
前記反応ガス及び不活性ガスからなる群から選択された少なくとも1種の非原料ガスを、前記第1のガス噴出手段の周囲から前記ステージに向けて噴出する第2のガス噴出手段と、
を有することを特徴とする気相成長装置。 - 前記第1のガス噴出手段は、前記成膜ガスを噴出する複数個の第1のノズルを有することを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記第2のガス噴出手段は、前記第1のガス噴出手段を取り囲んで配置され、前記非原料ガスを噴出する複数個の第2のノズルを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の気相成長装置。
- 前記第1のガス噴出手段は、
前記ステージの中心に向けて前記成膜ガスを噴出する中心噴出手段と、
夫々前記ステージの中心から離間した1又は2以上の領域に前記成膜ガスを噴出する1又は2以上の周辺噴出手段と、
を有し、
前記第2のガス噴出手段は、前記中心噴出手段及び前記周辺噴出手段により挟まれた各領域、並びに前記周辺噴出手段のうちで最も外側に位置するものの周辺の領域から、前記非原料ガスを噴出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の気相成長装置。 - 前記中心噴出手段及び前記周辺噴出手段と前記第2のガス噴出手段とは、前記シャワーヘッドの中心部から外周部にかけて交互に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の気相成長装置。
- ウェハの温度を成膜可能な温度に保持する工程と、
少なくとも前記ウェハの中心に向けて、原料ガス及びこの原料ガスと反応する反応ガスを含有する成膜ガスを噴出すると共に、前記反応ガス及び不活性ガスからなる群から選択された少なくとも1種の非原料ガスを、前記成膜ガスの周囲から前記ウェハに向けて噴出する工程と、
を有することを特徴とする気相成長方法。 - 前記成膜ガスを、複数個の第1のノズルから噴出することを特徴とする請求項6に記載の気相成長方法。
- 前記非原料ガスを、前記第1のノズルを取り囲んで配置された複数個の第2のノズルから噴出することを特徴とする請求項7に記載の気相成長方法。
- 複数の領域から、前記成膜ガスを、前記ウェハの中心に向けて噴出すると共に、前記ウェハの中心から離間した1又は2以上の領域に噴出し、
前記非原料ガスを、前記複数の領域により挟まれた各領域、及び前記複数の領域のうちで前記ウェハの最も外側に前記成膜ガスを噴出するものの周辺の領域から、前記ウェハに向けて噴出することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の気相成長方法。 - 前記成膜ガス及び前記非原料ガスを、互いに交互に配置された領域から噴出することを特徴とする請求項9に記載の気相成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002355898A JP4880175B2 (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002355898A JP4880175B2 (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004193173A true JP2004193173A (ja) | 2004-07-08 |
JP4880175B2 JP4880175B2 (ja) | 2012-02-22 |
Family
ID=32756451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002355898A Expired - Fee Related JP4880175B2 (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4880175B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008532284A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-08-14 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 複数の注入口を有する化学気相成長リアクタ |
WO2008117675A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
WO2009041282A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置、成膜方法、記憶媒体及びガス供給装置 |
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JP2017166012A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 分流構造 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
CN114402416A (zh) * | 2019-07-17 | 2022-04-26 | 朗姆研究公司 | 用于衬底处理的氧化分布调节 |
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JP2001284335A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Nec Corp | 処理ガス供給構造及び成膜処理装置 |
-
2002
- 2002-12-06 JP JP2002355898A patent/JP4880175B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US8539908B2 (en) | 2007-03-27 | 2013-09-24 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus, film forming method and storage medium |
WO2009041282A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置、成膜方法、記憶媒体及びガス供給装置 |
JP2009088229A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法、記憶媒体及びガス供給装置 |
CN102851650A (zh) * | 2011-07-01 | 2013-01-02 | 财团法人工业技术研究院 | 镀膜用喷洒头以及镀膜装置 |
US8944347B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-02-03 | Industrial Technology Research Institute | Deposition nozzle and apparatus for thin film deposition process |
JP2016134553A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給系清浄化方法および基板処理装置 |
JP2017166012A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 分流構造 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4880175B2 (ja) | 2012-02-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111020 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |