JP2004189958A - プラズマ放電処理装置、プラズマ放電処理方法、その方法で製造された薄膜及び積層体、及び光学フィルム、光学フィルムを用いた偏光板及び画像表示装置 - Google Patents
プラズマ放電処理装置、プラズマ放電処理方法、その方法で製造された薄膜及び積層体、及び光学フィルム、光学フィルムを用いた偏光板及び画像表示装置 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】真空装置、高温処理が不要で、また窒素のような安価かつ安全な反応ガスを用いても、広幅の基材を高速連続処理ができ、高生産性を有する薄膜を形成する装置、均一薄膜の多層積層体を形成する方法、この方法で形成した薄膜積層体の光学フィルム、これを用いた偏光板及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】第１、第２の電極を有する一対の対向電極と放電部を有し、該放電部において該対向電極の一方の電極に近い側を通過しながら処理された基材が、再びもう一方の電極に近い側を通過しながら放電部に搬送され、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ第１、第２の電極に異なる高周波電圧成分を印加することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【選択図】 なし
【解決手段】第１、第２の電極を有する一対の対向電極と放電部を有し、該放電部において該対向電極の一方の電極に近い側を通過しながら処理された基材が、再びもう一方の電極に近い側を通過しながら放電部に搬送され、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ第１、第２の電極に異なる高周波電圧成分を印加することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基材表面に薄膜を大気圧もしくはその近傍の圧力下で形成するための新規なプラズマ放電処理装置、プラズマ放電処理方法、その方法で製造された薄膜及び積層体、及び光学フィルム、光学フィルムを用いた偏光板及び画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光学レンズ、ＣＲＴ、またはコンピュータやワープロの液晶画像表示装置等の分野において、それらの表面の反射によって起こる画像の不鮮明さ等の不具合に対して、透過率の向上、コントラストの向上、映り込み低減のための表面反射を減少させる反射防止技術が、従来より数多く提案されている。提案されている技術として、例えば、光学干渉層の多層積層体の屈折率と光学膜厚を適切な値に調整することにより、この積層体と空気界面における光の反射を減らすことができるという反射防止技術が知られている。このような多層積層体は、高屈折率層としてのＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5等や低屈折率材料としてのＳｉＯ2、ＭｇＦ2等の薄膜が積層されたものであり、これらはスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空乾式薄膜製膜法によって製作されたものである。
しかし、このような真空乾式薄膜製膜法の真空装置は、処理基材が大きくなるとそれに伴い大型化するため装置が非常に高額となることや、真空度を上げる排気にも非常に時間と費用を費やしたり、更に連続生産ができず生産性が低いこと等デメリットが大きい。
【０００３】
また、別の反射防止層の作製方法として、チタンアルコキシドやシランアルコキシドに代表される金属アルコキシドを基材の表面に塗布、乾燥、加熱して金属酸化物の膜を作製する方法がある。しかしこの方法では、加熱温度を３００℃という高い温度にする必要があり、基材が変形したり平面性が損なわれダメージが大きい。また特開平８−７５９０４号公報に記載されているような加熱温度を１００℃程度とした比較的低温で行う方法では、作製に時間がかかり何れにしても問題点が多々あった。
【０００４】
近年、これら温度と時間の問題を改善する方法として、特開平９−２１９０２号公報にみられるような高屈折率材料をＴｉ、Ｚｒ、ＴａまたはＩｎのアルコキシドと、分子中に２個以上のアクリロイル基、メタクリロイル基、アリル基またはビニル基等を有する重合可能な官能基化合物を併用することにより低温で作製する方法が提案されている。また、特開平７−２０９５０３号公報には、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基等の重合可能な官能基とアルコキシド基のような加水分解可能な官能基を併せ持つ有機珪素化合物と重合可能な不飽和結合を持つ単量体からの共重合物を主成分とする光学皮膜形成コーティング用組成物が示されており、樹脂成分と無機成分を分子レベルで均一にできるという技術が提案されており、組成物を基材に塗布した後、１００℃で長時間加熱するか、電離放射線照射により重合させて皮膜とする方法が述べられている。
【０００５】
この他、特開平８−２９５８４６号及び同９−２２０７９１号公報にも重合性有機金属化合物及び金属酸化物やシラン化合物組成物を含有する組成物を熱または電離性放射線で硬化する技術が開示されている。更にこの他にも上記のような反応性有機金属化合物は使用しないが、電離性放射線として電子線や紫外線を照射することによって作製する方法が、特開平５−２７０８６４号、同５−２７９５９８号、同６−１１６０２号、同８−１２２５０１号、同８−２９７２０１号、同９−２１９０２号及び同９−２５３５０号公報に記載されている。しかし、これらの製膜方法では、有機成分が未反応のまま残存し、それが経時的に徐々に変化していくため、屈折率が変化し次第に反射防止機能が損なわれてしまうことがあった。
【０００６】
上記の方法に対して、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマ放電を発生させ、反射防止機能を有する薄膜を製膜する方法が開示されている（例えば、特許文献１〜５参照）。しかしながら、上記記載の方法では、微少面積への製膜は可能であるものの広巾基材への均一な製膜は困難であり、特に屈折率が一定でなければならない、また光学膜厚が均一でなければならない反射防止機能膜等には不向きであった。
【０００７】
上記のごとき従来の大気圧プラズマ放電処理法の他の問題として、電極に汚れが付着したり、更に汚れが蓄積してしまうという問題があった。大気圧プラズマ放電処理法における電極汚れは真空とは比べものにならない程多く、その改善が強く求められていた。これを解決するためのさまざまな方法が提案されたが、何れも十分なものはなかった。この中で、特開２０００−２１２７５３号公報では、対向電極のそれぞれの表面に基材を配置する方法が提案されており、電極の汚れを防止することができるとしている。しかし、この方法では、常に２枚の基材が必要であるという問題があった。この方法は一見、二つの基材を同時に処理でき、生産効率が高いように見えるが、２枚の基材を同じように処理するためには、極めて高い精度の搬送設備や処理条件設定が必要である。そして、一方の基材の製造ラインにトラブルがある場合には、もう一方のラインも停止しなければならず、多大なメンテナンス負荷を要し、実用的でなかった。
【０００８】
従来の大気圧プラズマ放電処理法のもう一つの問題として、反応ガスに使用しているヘリウムやアルゴンが高価なためコストアップの原因になっている。従来の方法では、反応ガスとして希ガス以外の安価なガス、例えば、空気成分中の酸素ガス、窒素ガスや二酸化炭素等を使用するには放電を開始する電圧が高く、高周波電界のもとでは安定な放電が得られず、薄膜が形成されにくい。
【０００９】
特開平１０−１５４５９８号公報には、パルス電界を用いることにより、窒素ガスのような放電開始電圧の高いガスでも放電が達成できることが開示されているが、プラズマ密度が低く、良質な膜が得られないばかりか、製膜速度も遅く、生産性が非常に低い。
【００１０】
特開平１１−１６６９６号公報に、酸素ガス、あるいは酸素ガスと希ガスを混合したガスを、予備放電電極において低周波電圧をかけて活性化または電離させ、次にこの電離または活性化されたガスを、電離または活性化されてない酸素ガス、あるいは酸素ガスと希ガスを混合したガスと共に、前記予備放電電極に対し併設された主放電電極のもとに送り、大気圧下、主放電電極間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマによって生成した活性種を被処理体の表面をエッチングあるいは被処理体面上にある有機物をアッシングするという方法が記載されている。
【００１１】
しかしこの方法を薄膜の形成に応用した場合、酸素ガス、あるいは酸素ガスと希ガスを混合したガスを予備放電電極間で低周波電圧をかけて電離あるいは活性化したガスとした後、電離あるいは活性化したガスと、主放電電極の手前で導入した反応性ガスとを混合して、主放電電極に高周波電圧をかけるとパーティクルが発生してしまい、薄膜の形成がほとんど行われないことが分かった。また、プラズマ状態の酸素ガスと反応性ガスを混合すると爆発の危険性があり、この方法は薄膜形成方法として不適当であることも判明した。
【００１２】
【特許文献１】
特開平１１−１３３２０５号公報
【００１３】
【特許文献２】
特開２０００−１８５３６２号公報
【００１４】
【特許文献３】
特開平１１−６１４０６号公報
【００１５】
【特許文献４】
特開２０００−１４７２０９号公報
【００１６】
【特許文献５】
特開２０００−１２１８０４号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、真空装置を必要とせず、高温での処理も行わず、また窒素のような安価かつ安全な反応ガスを用いても、広幅の基材を高速でかつ連続処理ができ、高生産性を有する薄膜を形成する装置を提供すること、膜厚が均一な薄膜を得ることができ、かつ連続的に均一薄膜の多層積層体を形成する方法を提供すること、かかる方法で形成した薄膜積層体の光学フィルム、この光学フィルムを使用し優れた偏光板及び画像表示装置を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は下記構成により達成された。
【００１９】
１．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、少なくとも第１の電極と第２の電極を有する一対の対向電極と、該対向電極の間に形成される放電部を有し、該放電部において該対向電極の一方の電極に近い側を通過しながら処理された該基材が、折り返し移送手段により再び該対向電極のもう一方の電極に近い側を通過しながら該放電部に搬送され、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該第１の電極と第２の電極にそれぞれ周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【００２０】
２．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、複数対の対向電極と該対向電極の間に形成される複数の放電部を有し、該放電部においてそれぞれの一方の電極に接しながらそれぞれの該放電部を通過し処理された該基材を再び該対向電極のそれぞれのもう一方の電極に接しながらそれぞれの該放電部に移送し処理するための折り返し移送手段を有し、それぞれの該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該対向電極間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【００２１】
３．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、一対の対向電極と該対向電極の間に形成される放電部を有し、該放電部において該対向電極の一方の電極に接しながら該放電部を通過し処理された該基材を再び該対向電極のもう一方の電極に接しながら該放電部に移送し処理するための折り返し移送手段を有し、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該対向電極間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有する放電部を、連続して複数有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【００２２】
４．対向電極が回転するロール電極であることを特徴とする前記１〜３の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２３】
５．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、少なくとも一つの回転するロール電極とこれに対向する複数の回転するロール電極との間に形成される複数の放電部を有し、該放電部において、該対向するロール電極の一方に接しながら該放電部を通過し処理された該基材が、再び該対向するロール電極のもう一方に接しながら該放電部を通過し処理することが可能な移送手段を有し、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該対向するロール電極間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【００２４】
６．対向電極の表面が固体誘電体で被覆されていることを特徴とする前記１〜５の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２５】
７．対向電極間の間隙が０．５〜２０ｍｍであることを特徴とする前記１〜６の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２６】
８．高周波電圧の周波数ω1が２００ｋＨｚ以下であり、高周波電圧の周波数ω2が８００ｋＨｚ以上であることを特徴とする前記１〜７の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２７】
９．一対の対向電極、該対向電極の間で形成される放電部、折り返し手段、反応ガス供給手段及び排ガスを排出する手段を一つの処理室内に有することを特徴とする前記１、３〜８の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２８】
１０．複数の対向電極とそれらの間で形成される複数の放電部、一つの折り返し手段、複数の反応ガス供給手段及び複数の排ガスを排出する手段を一つの処理室内に有することを特徴とする前記２、４〜８の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２９】
１１．処理室の基材の入口及び出口のそれぞれに予備室を隣接して有することを特徴とする前記５、９または１０に記載のプラズマ放電処理装置。
【００３０】
１２．周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによって形成されたプラズマ放電部を往復して連続移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理方法。
【００３１】
１３．前記１〜１１の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置を用いて、往復して連続移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理方法。
【００３２】
１４．前記２〜１１の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置を用いて、往復して連続移送する基材の表面に大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理方法。
【００３３】
１５．反応ガスが５０〜９９．９９体積％の窒素と０．０１〜１０体積％の反応性ガスを有することを特徴とする前記１２〜１４の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法。
【００３４】
１６．反応性ガスがガス状の有機金属化合物またはガス状の有機フッ素化合物を含有することを特徴とする前記１２〜１５の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法。
【００３５】
１７．前記１２、１５または１６に記載のプラズマ放電処理方法を用いて、基材表面に形成することを特徴とする薄膜。
【００３６】
１８．前記１２〜１６の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法を用いて、基材表面に複数層を形成することを特徴とする薄膜積層体。
【００３７】
１９．前記１７に記載の薄膜を有することを特徴とする光学フィルム。
２０．前記１８に記載の薄膜積層体を有することを特徴とする光学フィルム。
【００３８】
２１．前記１９または２０に記載の光学フィルムを有することを特徴とする偏光板。
【００３９】
２２．前記１９または２０に記載の光学フィルムを有することを特徴とする画像表示装置。
【００４０】
２３．前記２１に記載の偏光板を有することを特徴とする画像表示装置。
２４．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理方法であって、少なくとも一対の対向電極の間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによって形成された放電部を有し、該放電部において、一方の電極に接しながら該放電部を通過する該基材上に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給し、かつ該対向電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させ、基材表面にプラズマ放電処理を行った後、直ちにまたは他の放電部を通過した後、折り返し移送手段によって折り返され、もう一方の対向電極に接しながら該放電部に再び移送され通過する基材に、該放電部において更にプラズマ放電処理を行うことを特徴とするプラズマ放電処理方法。
【００４１】
２５．少なくとも１つの対向電極に対して、これと対となる２つ以上の対向電極が配置され、これらの該対向電極間にプラズマ放電可能な電圧が印加されて複数の放電部を形成し、各々の該放電部において、電極に接しながら搬送される基材表面にプラズマ放電処理を行うことを特徴とする前記２４に記載のプラズマ放電処理方法。
【００４２】
２６．複数対からなる対向電極群を有し、一方の対向電極群のうちの１つと、これと対となる対向電極群の複数の対向電極とが複数の放電部を形成するように隣接して配置され、各々の該放電部において、一方の該対向電極に接して搬送され、プラズマ放電処理された基材が折り返し移送手段によって折り返され、再度もう一方の該対向電極に接して搬送され、該基材表面に再びプラズマ放電処理を行うことを特徴とする前記２４に記載のプラズマ放電処理方法。
【００４３】
２７．周波数ω1＜周波数ω2であり、周波数ω1の高周波電圧をＶ1、周波数ω2の高周波電圧をＶ2とするとき、Ｖ2＜Ｖ1であることを特徴とする前記２４〜２６の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法。
【００４４】
以下、本発明を詳細に説明する。
〔プラズマ放電処理装置〕
本発明の大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理する装置を図として例示し説明するが、本発明におけるプラズマ放電処理装置はこれらに限定されない。
【００４５】
図１は、本発明の製造方法に用いられるプラズマ放電処理装置の一例で、二つのロール電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。この装置は一対のロール電極１０Ａ（第１電極）とロール電極１０Ｂ（第２電極）を有する。ロール電極１０Ａには、プラズマ放電のための周波数ω1の高周波電圧Ｖ1を印加できる第１電源８０１が電圧供給手段８１１を介して接続されている。ロール電極１０Ｂには、プラズマ放電のための周波数ω2の高周波電圧Ｖ2を印加できる第２電源８０２が電圧供給手段８１２を介して接続されている。第１電源８０１は第２電源８０２より大きな高周波電圧（Ｖ1＞Ｖ2）を印加できる能力を有していることが好ましく、また第１電源８０１の第１の周波数ω1と第２電源８０２の第２の周波数ω2はω1＜ω2であることが好ましい。ロール電極１０Ａと第１電源８０１との間には、第１電源８０１からの電流がロール電極１０Ａに向かって流れるように第１フィルター８３１が設置されており、第１電源８０１からの電流Ｉ1をアース側へ通過しにくくし、第２電源８０２からの電流Ｉ2がアース側へ通過し易くするように設計されている。また、ロール電極１０Ｂと第２電源８０２との間には、第２電源８０２からの電流がロール電極１０Ｂに向かって流れるように第２フィルター８３２が設置されており、第２電源８０２からの電流Ｉ2をアース側へ通過しにくくし、第１電源８０１からの電流Ｉ1がアース側へ通過し易くするように設計されている。
【００４６】
ロール電極１０Ａと１０Ｂは基材Ｆを巻き回しながら回転することができる回転電極である。放電部１００は大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３０から反応ガスＧが供給され、放電部１００においてプラズマ放電が行われる。前工程または元巻きロールから供給される基材Ｆは、ガイドロール２０によりロール電極１０Ａに密着され、同期して回転移送され、放電部１００で大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスによりプラズマ放電処理が施される。反応ガス供給部３０は基材の幅と同等か、あるいはそれよりやや幅が広いスリット状であることが好ましく、あるいはパイプ状の吹き出し口を横に並べて基材の幅と同等となるように配置したものでもよく、幅手方向全体で均一な流量または流速で反応ガスＧが放電部１００に導入されるようにするのがよい。一旦処理された基材Ｆは折り返しロール（Ｕターンロールともいう）１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ及び１１Ｄを経て、逆方向に移送されロール電極１０Ｂに抱かれて再び放電部１００でプラズマ放電処理が施されガイドロール２１を介して巻き取りまたは次工程（何れも図示してない）に移送される。処理後のガスＧ′は排出口４０より排気される。排出口４０からの排気流量は反応ガス供給部３０からの流量と同等か、やや多いことが好ましい。放電部１００のロール電極１０Ａ及び１０Ｂの側面側を遮蔽しても、また装置全体を囲い、全体を希ガス、窒素ガスまたは反応ガスで満たしてもよい。
【００４７】
図２は、ベルト電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。この図の装置は、回転電極が二つのサポートロール１４Ｃと１４Ｄ及び二つのサポートロール１４Ｅと１４Ｆで無限移行する無端のベルト電極１３Ａ及びベルト電極１３Ｂを有しているのが特徴である。ベルト電極１３Ａと１３Ｂの間で平行になっている部分の空間が放電部１０１となっており、ロール電極を用いる場合よりもより広い放電空間を確保することができる。前工程または元巻きロールから供給される基材Ｆはベルト電極１３Ａに密着され、ベルト電極１３Ａと共に同期して移送され放電部１０１でプラズマ放電処理され、折り返しロール１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ及び１１Ｄを経て、同様にベルト電極１３Ｂと共に密着しながら逆方向に放電部１０１を通り二度目のプラズマ放電処理が施される。処理された基材Ｆはガイドロール２１を経て巻き取りまたは次工程へ移送される。反応ガスＧは反応ガス供給部３０から放電部１０１に供給される。処理後のガスＧ′は排出口４０から排出される。放電部の空間をより広くしたい場合は、反応ガスは反応ガス供給部一カ所だけでなく放電部の横から供給部を設け供給してもよい。また、サポートロールは複数設けてもよく、放電部のサポートロールの側面側を遮蔽してもよいし、装置全体を囲って反応ガスで満たしてもよい。ベルト電極１３Ａまたは１３Ｂに密着している基材Ｆは張力制御や位置制御を行うことによって、安定な処理ができる。また、図２を縦型に配置したプラズマ放電処理装置であってもよい。また、意図的にベルト間隔を、搬送方向の前と後ろで変更し、拡げたり狭くすることで得られる薄膜の物性や組成を変化させた傾斜膜を作製することもできる。
【００４８】
図３は、図１のプラズマ放電処理装置を複数設けたものであり、複数のロール電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。前工程または元巻きロールから供給される基材Ｆは最初にガイドロール２２を経て、ロール電極１０Ｃに抱かれ密着して放電部１０４でプラズマ放電処理が施され、ついで、ガイドロール２０Ｅを経てロール電極１０Ｅに抱かれて密着して放電部１０５で２度目の処理が施され、ガイドロール２０Ｇを経て、ロール電極１０Ｇで同様に放電部１０６で３度目の処理が施される。反応ガスＧはそれぞれの反応ガス供給部３０Ｃ、３０Ｅ、３０Ｇから供給され、処理後のガスＧ′はそれぞれ排出口４０Ｃ、４０Ｅ、４０Ｇから排出される。処理された基材Ｆは折り返しロール（Ｕターンロール）１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄを経て、逆方向に移送され、同様に、ロール電極１０Ｈ、放電部１０６で４度目の処理が行われ、ガイドロール２１Ｈを経て、ロール電極１０Ｆ、放電部１０５で５度目の処理が行われ、更に、ガイドロール２１Ｆを経て、ロール電極１０Ｄ、放電部１０４で６度目の処理が行われる。処理後の基材Ｆはガイドロール２３を経て巻き取りまたは次工程に移送される。図３において、各放電部の反応ガスを同一のものを使用してもよいし、それぞれ別の反応ガスを使用してもよい。別々の反応ガスを用いた場合には、異なった薄膜層の積層体が得られる。なお、８０１Ｃ、８０１Ｅ、８０１Ｇ、８０２Ｃ、８０２Ｅ、８０２Ｇは何れも電源であり、８１１Ｃ、８１１Ｅ、８１１Ｇ、８１２Ｃ、８１２Ｅ、８１２Ｇ、及び８２１Ｃ、８２１Ｅ、８２１Ｇ、８２２Ｃ、８２２Ｅ、８２２Ｇはアースである。
【００４９】
図４は、図１のプラズマ放電処理装置を複数配置したものであり、基材を往復させて処理するロール電極対を連続的につなげて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。図４は独立した電極対を直列に有するもので、それぞれの独立した電極対の放電部で異なった反応ガスを使用すると、それらの異なった薄膜の積層体を得ることができる。基材の移送の仕方は図１と同様であるので、詳細は省略する。図中、２４、２５、２６はガイドロール、１０Ｊと１０Ｋ、１０Ｌと１０Ｍ、１０Ｎと１０Ｐ、１０Ｑと１０Ｒはそれぞれ対をなすロール電極である。また１０７、１０８、１０９、１１０はそれぞれの放電部、３０Ｊ、３０Ｌ、３０Ｎ、３０Ｑはそれぞれガス供給部、４０Ｊ、４０Ｌ、４０Ｎ、４０Ｑはそれぞれガス排出口である。更に電源（８０１Ｊ、８０１Ｌ、８０１Ｎ、８０１Ｑ、８０２Ｊ、８０２Ｌ、８０２Ｎ、８０２Ｑ）はそれぞれロール電極にフィルター（８３１Ｊ、８３２Ｊ、８３１Ｌ、８３２Ｌ、８３１Ｎ、８３２Ｎ、８３１Ｑ、８３２Ｑ）を介して接続されている。一つのロール電極対は図１と同様である。
【００５０】
図５は、外界と遮断する処理室とその出入口の両側に予備室を有するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。図５は図１と同様なプラズマ放電処理装置を処理室容器７１内の処理室７０に納め、処理室７０の基材Ｆの出入り口６２と６３において、外界の空気を遮断するために前記処理室に隣接して予備室６０Ａ（入口側）と６０Ｂ（出口側）を有しているものである。なお、予備室６０Ａ及びＢの気圧は外界より若干高いことが好ましく、０．３Ｐａ以上高いことが特に好ましい。予備室６０Ａ及び６０Ｂに対して処理室７０が０．３Ｐａ以上高いことが好ましい。基材Ｆ表面に外界の空気が同伴して来るのでこの空気を遮断し、またガスを外部に漏らさないために、入口側の予備室６０Ａと外界９０との境６１及び予備室６０Ａと処理室７０との境６２に、また処理室７０と出口側の予備室６０Ｂとの境６３及び予備室６０Ｂと外界との境６４に、それぞれ二対のニップロール６５及び６６が配置されており、これらにより同伴空気が遮断されている。３１は処理室７０及び予備室６０Ａ、６０Ｂへの希ガスまたは窒素ガスの導入口であり、４１は排出口である。基材Ｆのプラズマ放電処理及び移送については図１と同様であるので省略する。予備室は複数設けてもよく、複数設けることにより外気の混入や反応ガス等の漏れ防止の点で好ましく、２〜１０室更にあることが好ましい。複数の予備室を有する場合、それぞれの予備室と隣り合う処理室等との気圧をやや低くあるいは高くすることにより効率的に外界との遮断を行うことができる。
【００５１】
図６は基材を往復させて処理するロール電極対を連続的につなげて処理する別の形態のプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。図６においては独立した電極対を直列に有するものとは異なり、１つの対向電極Ａ１に注目してみると対向電極Ａ１に対して、３つの対向電極Ｂ１、Ｂ５及びＢ２が対向して配置され、該電極間に形成されるそれぞれの放電部でプラズマ放電処理がされるタイプのプラズマ放電処理装置である。大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３０から反応ガスＧが供給され、放電部１００においてプラズマ放電が行われる。
【００５２】
プラズマ放電処理装置全体は、複数の対からなる対向電極群Ａ１〜Ａ５と複数の対向電極Ｂ１〜Ｂ５から構成され、一方の電極Ａ１〜Ａ５のうちの１つに対して対向電極Ｂ１〜Ｂ５のうちの複数が、また一方の電極Ｂ１〜Ｂ５のうちの１つからみると電極Ａ１〜Ａ５のうちの複数が対向しそれぞれ放電部１００を形成している構造になっているのが特徴である。各々の放電部は、大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３０から反応ガスＧが供給され、放電部１００においてプラズマ放電が行われる。プラズマ処理を受ける基材は、該対向電極群の一方の電極に接して搬送され、プラズマ放電処理され、折り返し移送手段によって折り返された基材が、再度、対向電極のもう１つに接して搬送されて、基材表面がプラズマ放電処理される。図において、２０のガイドロールを通して基材Ｆが、回転するロール電極Ｂ１に接して処理空間に入ると、各折り返しロール１１Ｉ〜１１Ａを間に挟みつつ、ロール電極Ｂ１、Ａ１、Ｂ２、Ａ２・・・と順次、基材が各ロール電極に接しつつ搬送され、各放電部１００を通過することで、各ロール電極間に形成された各放電部にてそれぞれプラズマ放電処理を受ける。各折り返しロールを介して同じ放電部で、互いに対向する、一度目とは異なった別の電極に接しつつもう一度基材がプラズマ放電処理を受けることになる。なお８０１、８０２は電源を８１、８２はそれぞれ対となる電圧供給手段を表している。これらの電極群に対し複数の電源を用いることもできる。このようにして複数の放電部において複数の処理を受けた基材は最終的にはガイドロール２１を介してプラズマ放電処理装置から次工程へ送られる。
【００５３】
上記したように大気圧もしくはその近傍の圧力下で処理するプラズマ放電処理装置を例示したが、本発明の特徴は、第１に放電部において長尺の基材を連続的に処理でき、一度通して処理した基材を再び同じ放電部に通して往復して処理することにより、処理速度を上げることができ、生産性を高めることができるばかりでなく形成する薄膜の均一性が向上すること、第２に装置がコンパクトのため連続してプラズマ放電処理装置を並べることにより、薄膜の積層体を容易に高品質でしかも安価に作製することができることである。また、複数の放電部で処理することによって膜強度を高めることもできる。
【００５４】
以下、上記図を例にとり本発明のプラズマ放電処理装置の特徴、優位性を説明する。
【００５５】
本発明では図７に示す平板電極を用いる装置であってもよく、これは処理有効面積が広く、処理効率が高い。しかしながら、基材の裏側にもプラズマ放電処理が行われ易く、基材の移送と固定電極の間で摩擦を生じ擦り傷が発生しやすい。
【００５６】
図２のベルト電極を使用したプラズマ放電処理装置は、これもベルト電極の長さにもよるが、処理面積が広く効率のよいものであり、本発明において使用しやすい装置である。図２は、図１に比べると、処理される基材がベルト電極表面に密着して処理されることにより安定した処理ができる。ただ、ベルトのような平らな電極の上に基材があるため若干基材が部分的に浮く可能性があり、基材にかかる張力を適切に制御したり、このような場合ベルト電極の裏側に直径の小さめなサポートロールを何本か当てベルト電極に張りを持たせることによって密着の安定性を増すことができる。
【００５７】
図１のロール電極を使用した装置は、電極に基材が最も密着性がよく、安定した、しかも効率のよい処理ができるため、本発明において最も好ましい装置である。これらの図示した装置において、折り返しロールがあることが、本発明の一つの特徴である。折り返しロールの本数は一本でも、図示してあるように４本でも、何本あってもよい。好ましくは張力を制御できるロールあるいは手段を有していることが望ましい。また、折り返す前に別の放電部でプラズマ放電処理されて、紫外線照射等の別の工程と組み合わすこともできる。
【００５８】
また、本発明のプラズマ放電処理装置はコンパクトであり、図３や図４また図６に示したように、対向ロール電極を連続して設けることができ、より効率を上げることができる。
【００５９】
図３は複数の対向電極を横に配列したもので、連続的に同一の反応ガスで処理しても、またそれぞれの対向電極のところで異なった反応ガスを使用して処理してもよい。例えば前者の場合には処理速度を高めることができると同時に、より均一な薄膜を形成させることができ、また後者は異なった薄膜を積層することができるというのが特徴である。
【００６０】
図４は独立した処理部を有し、一処理が完結して次の処理部に基材が移送されるため、それぞれ異なった反応ガスを使用することにより、設計しやすい薄膜積層体を形成することができ、本発明の積層体を形成するための装置として特に好ましい形である。
【００６１】
図５は、図１のプラズマ放電処理装置の全体を囲った処理室であり、また基材に同伴する空気を遮断する予備室を設けたものである。図１〜４においては、この処理室及び予備室が省略されている図となっており、図１が図５となるように何れも同様に処理室と予備室は設けることができる。特に図４で異なる反応ガスを用いる場合には、プラズマ放電処理装置各々に設けるのが好ましい。図５において、移送して来る基材に同伴して来る空気はニップロールのような遮断手段により遮断され、かつ処理室の基材の出入り口に、処理室より圧力の若干高いかまたは低い予備室をそれぞれ設けることによって、処理室内への空気の混入を避けることができ、そのことによって処理効果を上げると同時に処理の均一性を向上させることができる。本発明のプラズマ放電処理装置の処理室及び予備室には反応ガス組成と同等な成分のガス、または希ガスまたは窒素ガスのみで予め満たしておくことが望ましい。
【００６２】
また、図１〜７に示すように対抗電極間に二つの異なる周波数の高周波電圧成分を印加し、さらに二つの異なる電圧を印加することにより、反応ガス中の放電ガス（電圧印加により励起され、そのエネルギーを反応ガス中の反応性ガスに与え反応性ガスをプラズマ状態とするガス）として窒素ガスのような放電開始電圧が高いガスでも放電を開始し、高密度で安定なプラズマ状態を維持でき、高性能な薄膜形成を行うことができる。
【００６３】
〔対向電極〕
本発明に使用される電極は、金属等の導電性母材でできており、その表面が固体誘電体で被覆されていることが望ましい。固体誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のプラスティック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン等の金属酸化物あるいはチタン酸バリウム等の複合金属酸化物等を挙げることができる。特に好ましいものは、セラミックスを溶射後に無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体である。また、電極の金属等の導電性母材としては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等を挙げることができるが、加工の観点からステンレス、チタンが好ましい。また、ライニング材としては、珪酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工しやすいという点でより好ましく用いられる。
【００６４】
本発明に使用される電極の形状は、図１または２にあるようにロール電極、ベルト電極があるが、これら以外に形状には対向電極となるものであれば制限がなく使用できる。本発明においてはロール電極がプラズマ放電処理の効率がよく、均一な薄膜が形成し易く、処理される基材の表面の傷の付きにくさから特に好ましい。
【００６５】
本発明に使用される電極は必要に応じて加熱あるいは冷却等の温度調整することが望ましい。例えば、ベルト電極の場合は、ベルトの裏面から気体で冷却することもできるが、ロール電極の場合には、ロールの内部に液体を供給することができ、電極表面の温度及び基材の温度を制御することができるので好ましい。温度を与える液体としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が好ましい。基材の温度は処理条件によって異なるが、通常、室温〜２００℃とすることが好ましく、より好ましくは室温〜１２０℃とすることである。
【００６６】
ベルト電極やロール電極のように、基材が密着して基材と電極とが同期して移送及び回転する場合、その電極の表面は高い平滑性が求められる。平滑性はＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）として表される。本発明に使用するベルト電極及びロール電極の表面粗さのＲｍａｘは１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは８μｍ以下であり、特に好ましくは７μｍ以下である。
【００６７】
本発明において、対向電極間の間隙は、固体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的、電極の形状等を考慮して決定される。電極表面同士の距離は、プラズマ放電を均一に発生させるという観点から０．５〜２０ｍｍが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｍｍであり、特に好ましくは１±０．５ｍｍである。本発明におけるロール電極間の間隙とは対向する電極表面が互いに最も接近している間隔をいう。また、ロール電極の場合には、間隙がロール電極の回転によっても一定であることが望ましい。具体的には、ロールが１回転した時のロール間の間隙の変動が±３０％未満であることが好ましく、好ましくは±１０％未満で、より好ましくは±５％未満であり、最も好ましくは±０である。ロール電極の間隙の基材の幅手方向の変動も上記と同様である。ロール電極の直径は１０〜１０００ｍｍが好ましく、２０〜５００ｍｍがより好ましく、３０〜３００ｍｍが更に好ましい。
【００６８】
本発明において、プラズマ放電を行う処理室は、電極と絶縁性の材質のフレームや容器で囲むことが好ましく、電極との絶縁がとれれば金属製のものを用いてもよい。例えば、金属製のものとしては、アルミまたは、ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けたものでもよく、金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性を持たせたものでもよい。またパイレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器で装置全体を囲うのも好ましい。このような外側の囲いではなく、放電部、電極、基材搬送手段等の側面を局部的に囲むことも、反応ガスを適切に放電部に供給したり、排ガスを排気することができるため、ガス濃度や組成を一定にでき、プラズマ放電処理を安定して行うことができ好ましい。
【００６９】
本発明における放電では、対向する第１電極と第２電極間の放電部に高周波電圧を印加し、高周波電圧が、第１の周波数ω1の電圧成分と、第１の周波数ω1より高い第２の周波数ω2の電圧成分とを重ね合わせた成分を少なくとも有する。高周波とは、少なくとも０．５ｋＨｚの周波数を有するものを言う。
【００７０】
高周波電圧は、第１の周波数ω1の電圧成分と、第１の周波数ω1より高い第２の周波数ω2の電圧成分とを重ね合わせた成分となり、その波形は周波数ω1のサイン波上に、それより高い周波数ω2のサイン波が重畳されたω1のサイン波がギザギザしたような波形となる。
【００７１】
放電開始電圧とは、実際の薄膜形成方法に使用される放電部（電極の構成等）及び反応条件（ガス条件等）において放電を起こすことのできる最低電圧のことを指す。放電開始電圧は、放電空間に供給されるガス種や電極の誘電体種等によって多少変動するが、放電ガス単独の放電開始電圧と略同一と考えてよい。
【００７２】
上記で述べたような高周波電圧を対向電極間（放電部）に印加することによって、薄膜形成可能な放電を起こし、高品位な薄膜形成に必要な高密度プラズマを発生することができると推定される。ここで重要なのは、このような高周波電圧が対向する電極それぞれに印加され、すなわち、同じ放電部に両方から印加されることである。特開平１１−１６６９６号公報のように、印加電極を２つ併置し、離間した異なる放電空間それぞれに、異なる周波数の高周波電圧を印加する方法では、本発明の薄膜形成は達成できない。
【００７３】
上記でサイン波の重畳について説明したが、これに限られるものではなく、両方パルス波であっても、一方がサイン波でもう一方がパルス波であってもかまわない。また、更に第３の電圧成分を有していてもよい。
【００７４】
上記本発明の高周波電圧を、対向電極間に印加する具体的な方法としては、対向電極を構成する第１電極に周波数ω1であって電圧Ｖ1である第１の高周波電圧を印加する第１電源を接続し、第２電極に周波数ω2であって電圧Ｖ2である第２の高周波電圧を印加する第２電源を接続する。さらに、対向電極間に希ガスまたは窒素ガス（放電ガス）と反応性ガス（薄膜形成ガス）とを供給するガス供給手段を備える。更に、電極の温度を制御する電極温度制御手段を有することが好ましい。
【００７５】
更に、本発明のプラズマ放電処理装置の第１電源は、第２電源より高い電圧の高周波電圧を印加できる能力を有していることが好ましい。
【００７６】
また、本発明における別の放電条件としては、対向する第１電極と第２電極との間に、高周波電圧を印加し、高周波電圧が、第１の高周波電圧Ｖ1及び第２の高周波電圧Ｖ2を重畳したものであって、放電開始電圧をＩＶとしたとき、
Ｖ1≧ＩＶ＞Ｖ2
または Ｖ1＞ＩＶ≧Ｖ2
を満たす。更に好ましくは、
Ｖ1＞ＩＶ＞Ｖ2
を満たすことである。
【００７７】
高周波及び放電開始電圧の定義、また、上記本発明の高周波電圧を、対向電極間（同一放電空間）に印加する具体的な方法としては、上述したものと同様である。
【００７８】
ここで、本発明でいう高周波電圧（印加電圧）と放電開始電圧は、下記の方法で測定されたものをいう。
【００７９】
高周波電圧Ｖ1及びＶ2（単位：ｋＶ／ｍｍ）の測定方法：
各電極部の高周波プローブ（Ｐ６０１５Ａ）を設置し、該高周波プローブをオシロスコープ（Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ社製、ＴＤＳ３０１２Ｂ）に接続し、電圧を測定する。
【００８０】
放電開始電圧ＩＶ（単位：ｋＶ／ｍｍ）の測定方法：
電極間に放電ガスを供給し、電極間の電圧を増大させていき、放電が始まる電圧を放電開始電圧ＩＶと定義する。測定器は上記高周波電圧測定と同じである。
【００８１】
高い電圧をかけるような放電条件をとることにより、例え窒素ガスのように放電開始電圧が高い放電ガスを用いても、放電を開始し、高密度で安定なプラズマ状態を維持でき、高性能な薄膜形成を行うことができるのである。
【００８２】
上記の測定により放電ガスを窒素ガスとした場合、その放電開始電圧ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍ程度であり、従って、上記の関係において、第１の高周波電圧を、Ｖ1≧３．７ｋＶ／ｍｍとして印加することによって窒素ガスを励起し、プラズマ状態にすることができる。
【００８３】
ここで、第１電源の周波数としては、２００ｋＨｚ以下が好ましく用いることができる。またこの電界波形としては、サイン波でもパルスでもよい。下限は１ｋＨｚ程度が望ましい。
【００８４】
一方、第２電源の周波数としては、８００ｋＨｚ以上が好ましく用いられる。
この第２電源の周波数が高い程、プラズマ密度が高くなり、緻密で良質な薄膜が得られる。上限は２００ＭＨｚ程度が望ましい。
【００８５】
このような二つの電源から高周波電圧を印加することは、第１の周波数ω1側によって高い放電開始電圧を有する放電ガスの放電を開始するのに必要であり、また第２の周波数ω2側はプラズマ密度を高くして緻密で良質な薄膜を形成するのに必要であるということが本発明の重要な点である。
【００８６】
本発明において、第１電極、第１電源またはそれらの間の何れかには第１フィルターを、また第２電極、第２電源またはそれらの間の何れかには第２フィルターを接続することが好ましく、第１フィルターは第１電源からの周波数の電流をアース側へ通過しにくくし、第２電源からの周波数の電流をアース側へ通過し易くし、また、第２フィルターはその逆で、第２電源からの周波数の電流をアース側へ通過しにくくし、第１電源からの周波数の電流をアース側へ通過し易くするというそれぞれのフィルターには機能が備わっているものを使用する。ここで、通過しにくいとは、好ましくは、電流の２０％以下、より好ましくは１０％以下しか通さないことをいう。逆に通過しやすいとは、好ましくは電流の８０％以上、より好ましくは９０％以上を通すことをいう。本発明において、かかる性質のあるフィルターであれば制限無く使用できる。例えば、第１フィルターとしては、第２電源の周波数に応じて数１０〜数万ｐＦのコンデンサー、もしくは数μＨ程度のコイルを用いることができる。第２フィルターとしては、第１電源の周波数に応じて１０μＨ以上のコイルを用い、これらのコイルまたはコンデンサーを介してアース接地することでフィルターとして使用できる。
【００８７】
また、電極間の放電電流密度は０．０１〜５００ｍＡ／ｃｍ2が好ましい。プラズマ放電処理の放電強度は、アーク放電も起こらず安定した効果的な処理を行うには、５０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2以上５００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2未満が好ましい。この範囲でプラズマ放電処理を行うことにより、処理の均一性を有し、ダメージもなく仕上げることができる。
【００８８】
〔反応ガス〕
本発明のプラズマ放電処理装置に使用する反応ガスについて説明する。
【００８９】
本発明において、反応ガスは主に希ガス及び／または窒素ガスと反応性ガスの混合ガスを用いるのが特に好ましい。
【００９０】
本発明に有用な希ガスの元素としては、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等を挙げることができるが、本発明においては、ヘリウム、アルゴンが好ましい。反応ガス中の放電ガスの濃度は、９０体積％以上あることが安定したプラズマを発生させるために好ましい。特に９０〜９９．９９体積％が好ましい。放電ガスはプラズマ放電を発生するために必要であり、プラズマ放電中の反応性ガスをイオン化またはラジカル化し、表面処理に寄与する。反応ガスが５０〜９９．９９体積％の窒素と０．０１〜１０体積％の反応性ガスを有することが好ましい。
【００９１】
本発明において、反応性ガスは基材上に作製される機能性薄膜の種類によってさまざまな物質が用いられる。例えば、反応性ガスとして、有機フッ素化合物を用いることにより反射防止層等に有用な低屈折率層や防汚層を形成することができ、珪素化合物を用いることにより、反射防止層等に有用な低屈折率層やガスバリア層を形成することもできる。また、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、ＳｉあるいはＺｎのような金属を含有する有機金属化合物を用いることにより、金属酸化物層または金属窒化物層等を形成することができ、これらは反射防止層等に有用な中屈折率層や高屈折率層を形成することができ、更には導電層や帯電防止層を形成することもできる。
【００９２】
このように、本発明に有用な反応性ガスの物質として、有機フッ素化合物及び金属化合物を好ましく挙げることができる。
【００９３】
本発明に好ましく使用する反応性ガスの有機フッ素化合物としては、フッ化炭素やフッ化炭化水素等のガスが好ましく、例えば、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、１，１，２，２−テトラフルオロエチレン、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ヘキサフルオロプロペン等のフッ化炭素化合物；１，１−ジフルオロエチレン、１，１，１，２−テトラフルオロエタン、１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン等のフッ化炭化水素化合物；ジフルオロジクロロメタン、トリフルオロクロロメタン等のフッ化塩化炭化水素化合物；１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、１，３−ジフルオロ−２−プロパノール、パーフルオロブタノール等のフッ化アルコール；ビニルトリフルオロアセテート、１，１，１−トリフルオロエチルトリフルオロアセテート等のフッ化カルボン酸エステル；アセチルフルオライド、ヘキサフルオロアセトン、１，１，１−トリフルオロアセトン等のフッ化ケトン等を挙げることができるが、これらに限定されない。有機フッ素化合物がプラズマ放電処理によって、腐食性ガスあるいは有害ガスが発生しないような化合物を選ぶのが好ましいが、それらが発生しない条件を選ぶこともできる。有機フッ素化合物を本発明に有用な反応性ガスとして使用する場合、常温常圧で有機フッ素化合物が気体であることが目的を遂行するのに最も適切な反応性ガス成分としてそのまま使用でき好ましい。これに対して常温常圧で液体または固体の有機フッ素化合物の場合には、加熱や減圧等の気化装置等の手段により気化して使用すればよく、また適切な有機溶媒に溶解して噴霧あるいは蒸発させて用いてもよい。本発明に有用な有機フッ素化合物は、例えば、本発明の光学フィルムが反射防止フィルムの場合、その低屈折率層を形成することができる。
【００９４】
反応ガス中に上記の有機フッ素化合物を用いる場合、プラズマ放電処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、反応ガス中の有機フッ素化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。これらは単独でも混合して用いてもよい。
【００９５】
また、本発明に好ましく用いられる反応性ガスの金属化合物としては、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｇ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎまたはＺｒ等の金属化合物または有機金属化合物を挙げることができ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎまたはＺｒが有機金属化合物として好ましく用いられる。
【００９６】
これらのうち珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシラン等のアルキルシラン；テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等の珪素アルコキシド等の有機珪素化合物；モノシラン、ジシラン等の珪素水素化合物；ジクロルシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン等のハロゲン化珪素化合物；その他オルガノシラン等を挙げることができ、何れも好ましく用いることができる。本発明においては、これらに限定されない。また、これらは適宜組み合わせて用いることができる。上記の有機珪素化合物は、取り扱い上の観点から珪素アルコキシド、アルキルシラン、有機珪素水素化合物が好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れ等も少ないことから、特に有機珪素化合物として珪素アルコキシドが好ましい。
【００９７】
本発明に有用な反応性ガスとしての珪素以外の金属化合物としては、特に限定されないが、有機金属化合物、ハロゲン化金属化合物、金属水素化合物等を挙げることができる。有機金属化合物の有機成分としてはアルキル基、アルコキシド基、アミノ基が好ましく、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラジメチルアミノチタン等を好ましく挙げることができる。またハロゲン化金属化合物としては、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタン等を挙げることができ、更に金属水素化合物としては、モノチタン、ジチタン等を挙げることができる。本発明においては、チタン系の有機金属化合物を好ましく用いることができる。
【００９８】
上記有機金属化合物を放電部に導入するには、何れも、常温常圧で、気体、液体または固体の何れの状態のものであっても構わないが、それが液体または固体の場合は、加熱、減圧または超音波照射等の気化装置等の手段により気化させて使用すればよい。本発明においては、気化したり、蒸発させてガス状として使用することが好ましい。常温常圧で液体の有機金属化合物の沸点が２００℃以下のもであれば気化を容易にできるので、本発明の薄膜の製造に好適である。また有機金属化合物が金属アルコキシド、例えばテトラエトキシシランやテトライソプロポキシチタンのような場合、有機溶媒に易溶であるため有機溶媒、例えばメタノール、エタノール、ｎ−ヘキサン、アセトン等に希釈して使用してもよい。有機溶媒は、混合溶媒として使用してもよい。
【００９９】
本発明において、有機金属化合物を反応性ガスとして反応ガスに使用する場合、反応ガス中の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。上記金属化合物は同種あるいは異種の金属化合物を数種類混合して使用してもよい。
【０１００】
なお、上記のような有機フッ素化合物及び／または有機金属化合物の反応性ガスに水素、酸素、窒素、一酸化窒素、二酸化窒素、二酸化炭素、オゾン、過酸化水素を希ガスに対して０．１〜１０体積％混合させて使用してもよく、このように補助的に使用することにより薄膜の硬度を著しく向上させることができる。
【０１０１】
本発明の後述の光学フィルムが、反射防止層を有するフィルムの場合、例えば、有機珪素化合物は低屈折率層を形成するのに適しており、また、チタン系有機金属化合物は高屈折率層を形成するのに適しており、何れも好ましく用いられる。また、これらを混合したガスを用いて、その混合比率を調整することにより屈折率を制御して中屈折率層とすることもできる。
【０１０２】
上記反応ガスを用いてプラズマ放電処理で形成された低屈折率層や高屈折率層は、全てではないが主に金属の酸化物からなっていると考えられている。例えば、有機珪素化合物による低屈折率層と有機チタン化合物による高屈折率層の積層体には、低屈折率層が酸化珪素、また高屈折率層が酸化チタンをそれぞれ主成分として有していることが好ましい（ここで本発明において、主成分として有しているとは形成された薄膜中にそのものを５０質量％以上有していることをいう）。この際、酸化チタンを主成分とする高屈折率層に微量の酸化珪素が混入してもよいし、また反対に酸化珪素を主成分とする低屈折率層に微量の酸化チタンが混入してもよい。このような混合が起こることにより、各層の密着性（接着性）を改善することもできる。もちろん、合目的の屈折率に調整するために、あるいは、その他の目的で反応ガス中に主成分以外の有機金属化合物あるいはフッ素含有化合物を混合添加することもでき、反応ガスを反応ガス供給部から供給する前の段階で適宜混合しておくことが好ましい。前述のように、放電部には反応ガスで満たされており、例え同伴空気が若干処理室に入り込んだとしても実際には、微量の空気（酸素や窒素）あるいは水分の影響は無視できる。なお、処理条件によっては、意図的に反応ガスに空気（酸素あるいは窒素）や水分を添加して処理する場合もある。
【０１０３】
〔基材〕
次に、本発明に係る基材について説明する。
【０１０４】
本発明に係わる基材としては、セルロースエステルフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリビニルアルコール系フィルム、セルロース系フィルム、その他の樹脂フィルム等を挙げることができ、例えば、セルロースエステルフィルムとしてはセルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィルム、セルロースアセテートフタレートフィルム、セルローストリアセテート、セルロースナイトレート；ポリエステルフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンフタレートフィルム、１，４−ジメチレンシクロヘキシレンテレフタレート、あるいはこれら構成単位のコポリエステルフィルム；ポリカーボネートフィルムとしてはビスフェノールＡのポリカーボネートフィルム；ポリスチレンフィルムとしては、シンジオタクティックポリスチレンフィルム；ポリオレフィンフィルムとしてはポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム；ポリビニルアルコール系フィルムとしてはポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム；セルロース系フィルムとしてはセロファン；その他の樹脂フィルムとしては、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、アクリルフィルムあるいはポリアリレートフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム等を挙げることができる。
【０１０５】
これらのフィルムの素材を適宜混合して得られたフィルムも好ましく用いることができる。例えば、ゼオネックス、ゼオノア（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（ジェイエスアール（株）製）等の市販品の樹脂を混合したフィルムを用いることもできる。また、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルフォンあるいはポリエーテルスルフォン等の固有の複屈折率が高い素材であっても、溶液流延あるいは溶融押し出し等の条件、更には縦、横方向に延伸する条件等を適宜設定することにより、本発明に適した基材を得ることができる。本発明においては、上記の記載のフィルムに限定されない。
【０１０６】
本発明のプラズマ放電処理に適した基材の厚さとしては、１０〜１０００μｍ程度のフィルムを好ましく用いることができ、より好ましくは１０〜２００μｍであり、特に１０〜６０μｍの薄手の基材を好ましく用いることができる。
【０１０７】
本発明において、上記基材としてのフィルムのうちで、セルロースエステルフィルムが特に好ましく用いられる。
【０１０８】
ここで、本発明に特に有用な基材としてのセルロースエステルフィルムについて述べる。本発明に有用なセルロースエステルフィルムは、セルロースの水酸基を、アシル基、特に炭素原子数が２〜４のアシル基で２．４０〜２．９８置換したセルロースエステルを使用したものが好ましい。このようなセルロースエステルとしては、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートを挙げることができ、中でもセルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートが好ましい。これらの好ましいセルロースエステルにおいて、アセチル基の置換度が１．６以上であることが特に好ましい。セルロースエステルの原料のセルロースとしては、特に限定はないが、綿花リンター、木材パルプ（針葉樹由来、広葉樹由来）、ケナフ等を挙げることができる。
またそれらから得られたセルロースエステルはそれぞれ任意の割合で混合使用することができる。これらのセルロースエステルは、セルロース原料をアシル化剤が酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）である場合には、酢酸のような有機酸やメチレンクロライド等の有機溶媒を用い、硫酸のようなプロトン性触媒を用いて定法により反応させて得ることができる。特に混酸セルロースエステルの場合には、例えば混酸エステルでは特開平１０−４５８０４号公報に記載の方法で反応して得ることができる。アシル基の置換度の測定方法はＡＳＴＭ−８１７−９６の規定に準じて測定することができる。
【０１０９】
セルロースエステルの数平均分子量（Ｍｎ）は、７０，０００〜２５０，０００が、成型した場合の機械的強度が強く、かつ、適度な粘度となり好ましく、更に好ましくは、８０，０００〜１５０，０００である。
【０１１０】
これらセルロースエステルは後述するように一般的に溶液流延製膜法と呼ばれる方法で製造（製膜）される。この方法は、無限に移送する無端の金属ベルト（例えばステンレスベルト）あるいは回転する金属ドラム（例えば鋳鉄で表面をクロムメッキしたドラム）等の流延用金属支持体（以降、単に金属支持体ということもある）上に、加圧ダイからドープ（セルロースエステル溶液のこと）を流延（キャスティング）し、金属支持体上のウェブ（ドープ膜）を金属支持体から剥離し、乾燥させて製造するものである。
【０１１１】
ドープの調製に用いる有機溶媒としては、セルロースエステルを溶解でき、かつ、適度な沸点であることが好ましく、例えばメチレンクロライド、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アミル、アセトン、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、シクロヘキサノン、ギ酸エチル、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−ヘキサフルオロ−１−プロパノール、１，３−ジフルオロ−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノール、ニトロエタン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等を挙げることができるが、メチレンクロライド、ジオキソラン誘導体、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン等を好ましい有機溶媒（即ち、良溶媒）として挙げることができる。また、後述の製膜工程に示すように、溶媒蒸発工程において金属支持体上に形成されたウェブから溶媒を乾燥させる温度は、ウェブ中の有機溶媒の発泡を防止する観点から、有機溶媒の沸点以下が好ましく、３０〜８０℃が好ましい。例えば、上記の良溶媒の沸点は、メチレンクロライド（沸点４０℃）、酢酸メチル（同５６℃）、アセトン（同５６℃）、酢酸エチル（同７６℃）等である。上記の良溶媒の中でも溶解性に優れるメチレンクロライド及び酢酸メチルが特に好ましく用いられる。ドープには、良溶媒を全有機溶媒に対して５０質量％以上含み、良溶媒の他に貧溶媒として、０．１〜３０質量％の炭素原子数１〜４のアルコールやシクロヘキサンを含有させることが好ましい。特に好ましくは１０〜３０質量％で前記アルコールを含むことが好ましい。炭素原子数１〜４のアルコールとしては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｓ−ブタノール、ｔ−ブタノール等を挙げることができ、これらのうちドープの安定性、沸点も比較的低く、乾燥性も良く、かつ毒性がないこと等からエタノールが好ましい。ドープとして、良溶媒７０〜９５質量％に対してエタノール５〜３０質量％が好ましい。これら貧溶媒を含むドープを金属支持体に流延後、金属支持体上でウェブから溶媒の蒸発が始まるとアルコール（貧溶媒）の比率が多くなるに従いウェブがゲル化し、ウェブが丈夫になるので、有機溶媒を多く含んでいても金属支持体から容易に剥離することができる。またドープ中の貧溶媒の割合が少ない場合には、セルロースエステルの溶解を促進する役割もある。
【０１１２】
ドープ調製方法としては、主たる有機溶媒の沸点を越した温度で、圧力を高くして溶解する高温溶解法、−１００〜−１０℃に冷却して溶解する冷却溶解法、更に高圧で溶解する高圧溶解法等があり、いずれも好ましく用いることができるが、作業の容易さ、設備がシンプル等の理由から高温溶解法が特に好ましい。
【０１１３】
本発明に係わるセルロースエステルフィルムは可塑剤を含有するのが好ましい。可塑剤としては特に限定はないが、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤等を挙げることができる。リン酸エステル系としては、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等；フタル酸エステル系としては、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ブチルベンジルフタレート等；トリメリット酸系可塑剤として、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリメリテート、トリエチルトリメリテート等、ピロメリット酸エステル系可塑剤として、テトラブチルピロメリテート、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピロメリテート等；グリセリンエステルとしては、トリアセチン、トリブチリン等；グリコール酸エステル系では、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等；その他のカルボン酸エステルの例としては、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステル、トリメチロールプロパントリベンゾエート等を挙げることができる。これらのうち、リン酸エステル系可塑剤やグリコール酸エステル系の可塑剤が好ましい。これらの可塑剤の使用量は、フィルム性能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して１〜２０質量％であることが好ましい。
【０１１４】
本発明に係わるセルロースエステルフィルムには、画像表示装置として屋外に置かれた場合等の劣化防止の観点から紫外線吸収剤を含有させることが好ましい。紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものを好ましく用いることができる。
例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、トリアジン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物等を挙げることができるが、これらに限定されない。
【０１１５】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、例えば、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、オクチル−３−〔３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネート、２−エチルヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネート等を挙げることができ、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９、チヌビン１７１、チヌビン３２６（チバ・スペッシャリティ・ケミカル社製）等が市販されており、好ましく用いることができる。
【０１１６】
また、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤も本発明に係わるセルロースエステルフィルムに有用なものの一つである。例えば、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニルメタン）等を挙げることができる。
【０１１７】
本発明の光学フィルムには、紫外線吸収剤として透明性が高く、偏光板や液晶の劣化を防ぐ効果に優れたベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤やベンゾフェノン系紫外線吸収剤を好ましく用いることができ、不要な着色がより少ないベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤が特に好ましい。
【０１１８】
本発明に有用な基材としてのセルロースエステルフィルムには、マット剤をセルロースエステルフィルム中に含有させることによって、搬送や巻き取りをし易くすることができる。マット剤はできるだけ微粒子のものが好ましく、微粒子としては、例えば二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、カオリン、タルク、焼成ケイ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム等の無機微粒子や架橋高分子微粒子を挙げることができる。中でも二酸化珪素がフィルムのヘイズを小さくできるので好ましい。微粒子の一次粒子または二次粒子の平均粒径は０．０５〜１．０μｍの範囲で、その含有量はセルロースエステルに対して０．００５〜０．３質量％が好ましい。二酸化珪素のような微粒子は有機物により表面処理されている場合が多いが、このようなものはフィルムのヘイズを低下できるため好ましい。表面処理で好ましい有機物としては、ハロシラン類、アルコキシシラン類、シラザン、シロキサン等があげられる。微粒子の平均粒径が大きい方が滑り性効果は大きく、反対に平均粒径の小さい方は透明性に優れるため、好ましい微粒子の一次粒子の平均粒径は５〜５０ｎｍで、より好ましくは７〜１４ｎｍである。これらの微粒子はセルロースエステルフィルム中では、セルロースエステルフィルム表面に０．０１〜１．０μｍの凹凸を生成させることが好ましい。二酸化珪素の微粒子としては日本アエロジル（株）製のアエロジル（ＡＥＲＯＳＩＬ）２００、２００Ｖ、３００、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２、ＯＸ５０、ＴＴ６００等を挙げることができ、好ましくはアエロジル２００Ｖ、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２である。これらの微粒子は２種以上併用してもよい。２種以上併用する場合、任意の割合で混合して使用することができる。この場合、平均粒径や材質の異なる微粒子、例えばアエロジル２００ＶとＲ９７２Ｖを質量比で０．１：９９．９〜９９．９〜０．１の範囲で使用できる。
【０１１９】
本発明に有用な基材としてのセルロースエステルフィルムの製膜方法は、上記ドープを、金属支持体、例えばステンレスベルト上に加圧ダイから流延してウェブを形成させ、ウェブの表面側及び金属支持体の裏面側から加熱して有機溶媒を蒸発させて乾燥する。ウェブ表面からは乾球温度３０〜８０℃、露点温度１０℃以下の程度の温風を当て、裏面側からは、同様の温風を当てても、赤外線を照射しても、あるいは主たる有機溶媒の沸点以下の温度の温水を直接当てる方法が行われる。特に裏面加熱は温水加熱が好ましい。剥離点においてステンレスベルトからウェブを剥離し、ロールで引回すロール乾燥機、あるいはウェブの両端を把持して幅保持するか横延伸したりして、ウェブを乾燥し巻き取ることによってセルロースエステルフィルムを製膜することができる。剥離する際の後述の残留溶媒量は、乾燥条件により５〜１５０質量％が望ましく、４０〜１２０質量％が好ましい。巻き取る時の残留溶媒量は、本発明においては、セルロースエステルフィルムの残留溶媒量は２質量％未満であることが好ましく、０．５質量％未満であることがより好ましく、０．１質量％未満であることが特に好ましい。セルロースエステルフィルムのような溶液流延製膜法により製膜して得られる基材は有機溶媒が全て蒸発しきれないで有機溶媒が残存することがあるが、これを残留溶媒量といい、残留溶媒量が少ないほど後のプラズマ放電処理に対する弊害が少なくて済む。残留溶媒量は下記の式で表される。
【０１２０】
残留溶媒量（質量％）＝｛（Ｍ−Ｎ）／Ｎ｝×１００
ここで、Ｍは残留溶媒量を測定する試料の質量、ＮはＭの試料を１１０℃で３時間加熱して吸湿しないように室温に戻した質量である。
【０１２１】
本発明に係わる基材としての光学特性は、面内レターデーションＲ0が０〜１０００ｎｍのもの、厚み方向のレターデーションＲtが０〜３００ｎｍのものが好ましく、または、波長分散特性のＲ0（６００）／Ｒ0（４５０）が０．７〜１．３であることが好ましく、特に１．０〜１．３であること好ましい。ここで、Ｒ0（４５０）は波長４５０ｎｍの光による３次元屈折率測定に基づいた面内レターデーション、Ｒ0（６００）は波長６００ｎｍの光による３次元屈折率測定に基づいた面内レターデーションを表す。
【０１２２】
〔基材の被覆物及び被覆層〕
本発明に係わる基材は、前述のフィルムだけで基材として用いる以外に、前述のフィルム表面にゼラチン、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂等の被覆層を塗設したもの、または前述のフィルムに直接、または上記被覆層の上に、防眩層やクリアハードコート層、バックコート層、または帯電防止層等の被覆層を設層したものを基材として用いることができる。
【０１２３】
本発明において有用な被覆層として、不飽和エチレン性モノマーを１種以上含む成分を重合させて形成した層で、活性線硬化性の組成物または熱硬化性の組成物を用いるのが好ましく、特に活性線硬化性組成物を用いるのが好ましい。ここで、活性線硬化組成物とは、不飽和エチレン性モノマーを主として含有する組成物、または不飽和エチレン性基を有する比較的分子量の大きい化合物（通常、樹脂と称する）を含有する組成物で、紫外線や電子線のような活性線照射により架橋反応等により硬化層を形成する組成物をいう。活性線硬化性組成物としては、紫外線硬化性組成物や電子線硬化性組成物等が代表的なものとして挙げることができ、紫外線や電子線以外の活性線照射によって硬化する組成物でもよい。
【０１２４】
本発明の被覆物に有用な紫外線硬化性組成物（紫外線硬化性樹脂を含）について述べる。
【０１２５】
紫外線硬化性組成物に主として含有されている樹脂成分としては、例えば、紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【０１２６】
紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（以下アクリレートにはメタクリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表示する）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させることによって、特開昭５９−１５１１１０号公報に記載されているように得ることができる。
【０１２７】
紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂は、一般にポリエステルポリオールに２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート系のモノマーを反応させることによって、特開昭５９−１５１１１２号公報に記載されているように得ることができる。
【０１２８】
紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂としては、エポキシアクリレートをオリゴマーとし、下記のごとき光重合開始剤を添加して反応させた特開平１−１０５７３８号公報に記載のものを挙げることができる。光重合開始剤としては、ベンゾイン誘導体、オキシムケトン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体等を挙げることができ、２種以上を併用したものも用いられる。
【０１２９】
また、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることができる。
【０１３０】
紫外線硬化性組成物は、光重合開始剤あるいは増感剤を含有し、紫外線により硬化される。光重合開始剤としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、α−アミロキシムエステル、チオキサントン等及びこれらの誘導体を挙げることができる。また、エポキシアクリレート系の光重合開始剤を使用する際、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等の増感剤を用いることができる。
【０１３１】
紫外線硬化性組成物には、上記樹脂成分を希釈しかつ重合し硬化に関与する成分として不飽和エチレン性基を１〜４個１分子中に有するモノマーを含有させることがある。該モノマーとしては、例えば、不飽和エチレン性基を１個有するモノマーとして、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、酢酸ビニル、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることができる。また不飽和エチレン性基を二つ以上有するモノマーとして、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジアクリレート、１，４−シクロヘキシルジメチルジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジビニルベンゼン等を挙げることができる。紫外線硬化性樹脂について多くの市販品があり、例えば、アデカオプトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−４１０、ＫＲ−５５０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、ＢＹ−３２０Ｂ（以上、旭電化工業株式会社製）；コーエイハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ−１０１−ＷＳ、Ｃ−３０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５０１、Ｍ−１０１、Ｍ−１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０２、ＮＳ−１０１、ＦＴ−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ２０、ＡＧ−１０６、Ｍ−１０１−Ｃ（以上、広栄化学工業株式会社製）；セイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、ＰＨＣ Ｘ−９（Ｋ−３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１０、ＤＰ−２０、ＤＰ−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１００、Ｐ１２００、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５００、Ｐ１６００、ＳＣＲ９００（以上、大日精化工業株式会社製）；ＫＲＭ７０３３、ＫＲＭ７０３９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０２（以上、ダイセル・ユーシービー株式会社）；ＲＣ−５０１５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−５０３１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５１２０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１７１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（以上、大日本インキ化学工業株式会社製）；オーレックスＮｏ．３４０クリヤ（中国塗料株式会社製）；サンラッドＨ−６０１（三洋化成工業株式会社製）；ＳＰ−１５０９、ＳＰ−１５０７（昭和高分子株式会社製）；ＲＣＣ−１５Ｃ（グレース・ジャパン株式会社製）；アロニックスＭ−６１００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０（以上、東亞合成株式会社製）等を挙げることができる。このような市販品の紫外線硬化性樹脂を本発明に係わる被覆物として適宜選択して利用できる。
【０１３２】
紫外線硬化性組成物を光硬化反応させて皮膜を形成するための光源としては、紫外線を発生する光源であればいずれでも使用できる。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。照射条件はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は２０〜１００００ｍＪ／ｃｍ2程度あればよく、好ましくは、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。近紫外線領域から可視光線領域にかけて光源に対しては、それらの領域に吸収極大を有する増感剤を組成物に含有させることによって使用を可能にすることができる。
【０１３３】
紫外線硬化性組成物は有機溶媒を含有して紫外線硬化性組成物塗布液としてもよく、不飽和エチレン性モノマーを希釈性モノマーとして使用する場合でも、有機溶媒を含有させるのが好ましい。
【０１３４】
紫外線硬化性組成物塗布液に使用する有機溶媒としては、例えば、シクロヘキサン等の炭化水素類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、イソアミルアルコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノイソブチルエーテル等のグリコールエーテル類等を挙げることができ、適宜選択し、あるいはこれらを混合して使用できるが、上記のプロピレングリコールモノアルキルエーテルまたはプロピレングリコールモノアルキルエーテルエステルを５質量％以上含有させることが好ましく、これらを５〜８０質量％含有する混合有機溶媒を用いることがより好ましい。
【０１３５】
紫外線硬化性組成物塗布液を基材に塗布する方法としては、グラビアコーター、スピナーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、リバースコーター、押し出しコーター、エアードクターコーター等公知の方法を用いることができる。塗布の際の液膜厚（ウェット膜厚ともいう）で０．１〜３０μｍが好ましく、より好ましくは、０．５〜１５μｍである。
【０１３６】
紫外線硬化性組成物塗布液を塗布し、乾燥した後、もしくは生乾きの状態で、紫外線光源を上記のエネルギー値程度に照射し硬化反応を行わせる。この時の照射時間は、基材の移送速度、塗布液の組成、塗布厚さ等によって異なるが、概して０．５秒〜５分程度で照射及び硬化が完結することが好ましく、３秒〜２分がより好ましい。
【０１３７】
硬化した被覆層のブロッキング防止やすり傷防止等のためあるいは防眩層とするために、無機あるいは有機の微粒子を加えることが好ましい。例えば、無機微粒子としては酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン、硫酸カルシウム等を挙げることができ、また有機微粒子としては、ポリメタアクリル酸メチルアクリレート樹脂粉末、アクリルスチレン系樹脂粉末、ポリメチルメタクリレート樹脂粉末、シリコン系樹脂粉末、ポリスチレン系樹脂粉末、ポリカーボネート樹脂粉末、ベンゾグアナミン系樹脂粉末、メラミン系樹脂粉末、ポリオレフィン系樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂粉末、ポリイミド系樹脂粉末、あるいはポリ弗化エチレン系樹脂粉末等を挙げることができ、これらを紫外線硬化性組成物に加えることができる。これらの微粒子粉末の平均粒径は、０．００５〜３μｍが好ましく用いられ、異なる粒径の微粒子を用いることが好ましい。紫外線硬化性樹脂と微粒子粉末との割合は、樹脂１００質量部に対して、微粒子粉末を０．１〜１０質量部となるように配合することが望ましい。このようにして形成された紫外線硬化性被覆層の表面粗さは、目的や種類に応じて異なるが、中心線平均粗さＲａとして、Ｒａがクリアーハードコート層なら１〜５０ｎｍ、防眩層なら０．１〜１μｍ程度が好ましい。このようにして得られた樹脂層表面に、本発明の方法で均一に薄膜を形成することができる。
【０１３８】
〔薄膜、積層体及び光学フィルム〕
本発明において、薄膜の形成は、図５に示したような装置を用いて、対向電極の間隙の放電部で、基材を大気圧もしくはその近傍の圧力下で上記反応ガスによりプラズマ放電処理することによって行われる。本発明における大気圧もしくはその近傍の圧力下でのプラズマ放電処理は、基材の幅が、例えば２０００ｍｍもの非常に幅広いものを行うことができる。
【０１３９】
本発明は、図３または４に示したように、多層の薄膜を連続的に設けることができる。例えば、プラズマ放電処理して反射防止層を有する光学フィルムを製造する場合、基材表面に連続して、チタンアルコキシドで屈折率が１．６〜２．３の高屈折率層の薄膜を、この上にシランアルコキシドまたは有機フッ素化合物を用いて屈折率が１．３〜１．５の低屈折率層の薄膜を効率的に形成させることができる。このような、本発明の方法で多層の薄膜を連続して積層させることにより薄膜各層の間の密着性に優れた積層体を形成させることができる。
【０１４０】
本発明の光学フィルムの積層構成を下記に例示する。ここで、隣接する各層を／を挟んで表示したものであり、左側（基材のおもて面）から順に右側（基材の裏面）へと積層構成を示している。
【０１４１】
Ａ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／ハードコー
ト層／基材
Ｂ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／ハードコー
ト層／帯電防止層／基材／粘着層
Ｃ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層／ハードコート層／帯電防
止層／基材
Ｄ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／ハードコー
ト層／基材／導電性層／粘着層
Ｅ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層／ハードコート層／基材／
帯電防止層／バックコート層／粘着層
Ｆ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／導電性中屈折率層／ハードコート層／
基材／バックコート層／粘着層
Ｇ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層
／ハードコート層／基材／導電性層／粘着層
Ｈ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層／帯電防止剤含有ハードコ
ート層／基材
Ｉ：防汚層兼低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／ハードコー
ト層／基材／導電性層／バックコート層
ここで、ハードコート層はクリアハードコート層または防眩層を指している。
【０１４２】
上記のように、機能層の塗設及び本発明のプラズマ放電処理によりさまざまな組み合わせの積層体を形成することができる。図３または４に示したような連続的にプラズマ放電処理をすることにより、上記のような所望の光学フィルムを精度よく得ることが、本発明の特徴である。
【０１４３】
上記防汚層としては、既にプラズマ放電処理した低屈折率層の表面に、有機フッ素樹脂を０．１〜２０ｎｍの膜厚で塗設した層であっても、また有機フッ素化合物を含む反応ガスで本発明のプラズマ放電処理した層であってもよく、表面を有機フッ素化合物で被覆したものを好ましく用いることができる。実際的には連続的に低屈折率層形成後に防汚層をプラズマ放電処理することにより形成するのが好ましい。
【０１４４】
上記低屈折率層としては、有機フッ素化合物を含む反応ガスで本発明のプラズマ放電処理して得られた有機フッ素化合物層あるいはアルコキシシラン等の有機珪素化合物を用いて形成された、主に酸化珪素を有する層が好ましく、高屈折率層としては有機金属化合物を含むガスを大気圧プラズマ放電処理して得られた金属酸化物、例えば酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化タンタル等を有する層である。それぞれの薄膜はこれだけに限定されるものではなく、層構成もこれらに限定されるものではない。
【０１４５】
上記中屈折率層としては、低屈折率層用反応性ガスと高屈折率層用反応性ガスを適宜混合して屈折率を調整したものでもよく、あるいは例えば重合性基を有する有機化合物を混合したものでもよい。
【０１４６】
図３のように一対の対向電極の放電部に供給する反応ガスを低屈折率層用の成分とし、次の一対の対向電極の放電部では高屈折率層用の成分を供給するというように交互にすることにより、また、図４のようにそれぞれの独立した処理部に、それぞれの成分の反応ガスを交互に供給することにより、高屈折率層と低屈折率層を交互に有する均一の膜厚の積層体を形成できることが本発明の特徴であり、このような連続積層体の形成方法は特に好ましい方法である。
【０１４７】
膜厚は放電条件や反応ガス濃度、基材の搬送速度によって適宜調整することができる。
【０１４８】
本発明のプラズマ放電処理により、基材上に形成した薄膜は片面のみにあるが、巻き取り後、その反対側をプラズマ放電処理するために装置内に通してもよい。必要であれば、一度放電処理された基材をＵターンさせる際に表裏を反転させて放電部に戻すことにより両面を処理することもできる。帯電防止層を金属酸化物で形成する場合に、帯電防止層または導電性層は、金属酸化物微粒子や架橋カチオンポリマー粒子等の塗布液を膜厚０．１〜２μｍ程度の層に基材に塗布して形成することができるが、本発明のプラズマ放電処理によっても薄膜の導電性層を形成することができる。例えば、酸化スズ、酸化インジウムあるいは酸化亜鉛等の金属酸化物の導電性層を形成してもよい。また、特願２０００−２７３０６６記載の易接着加工、特願２０００−８００４３記載の帯電防止加工等も本発明のプラズマ放電処理を用いて実施することができる。
【０１４９】
本発明のプラズマ放電処理方法による薄膜形成条件は前述プラズマ放電処理装置のところで述べたが、更に、処理するためのその他の条件等について述べる。
【０１５０】
本発明の薄膜を形成する際、あらかじめ基材を５０〜１２０℃に熱処理してからプラズマ放電処理することにより均一な薄膜を形成し易く、予め加熱するのは好ましい方法である。熱処理することにより、吸湿していた基材を乾燥させることができ、低湿度に維持したままプラズマ放電処理することが好ましい。６０％ＲＨ未満、より好ましくは４０％ＲＨで調湿した基材を吸湿させることなくプラズマ放電処理することが好ましい。含水率は３％以下であることが好ましく、２％以下であることがより好ましく、１％以下であることが更に好ましい。
【０１５１】
また、プラズマ放電処理後の基材を５０〜１３０℃の熱処理ゾーンで１〜３０分熱処理することにより薄膜を安定化させることができ、有効な手段である。
【０１５２】
更に、本発明の多段のプラズマ放電処理により積層体を作製する際、それぞれのプラズマ放電処理前後に処理面に紫外線を照射してもよく、形成した薄膜の基材への密着性（接着性）や安定性を改善することができる。紫外線照射光量としては５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2であることが好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ2未満では効果が十分ではなく、２０００ｍＪ／ｃｍ2を越えると基材の変形等が生じる恐れがある。
【０１５３】
本発明で形成される薄膜の膜厚としては、１〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１５４】
本発明のプラズマ放電処理により形成する薄膜の平均膜厚に対する膜厚偏差は小さく、均一な薄膜を形成することができ、優れた薄膜形成方法である。薄膜の膜厚偏差は±１０％のものを容易に得ることができ、好ましくは±５％以内、特に±１％以内の均一な薄膜を得ることができる。
【０１５５】
表面のＲａが０．１〜０．５μｍ程度凹凸表面を有する防眩層の上に、プラズマ放電処理により均一な膜厚の薄膜を形成することもできる。例えば、その薄膜が低屈折率層あるいは高屈折率層等の場合、光学干渉層として設けることができる。
【０１５６】
本発明の光学フィルムは本発明のプラズマ放電処理により形成する薄膜及びその積層体により構成される。
【０１５７】
本発明の光学フィルムとしては、反射防止フィルム、防眩性反射防止フィルム、電磁波遮蔽フィルム、導電性フィルム、帯電防止フィルム、位相差フィルム、光学補償フィルム、視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等があるが、これらに限定されない。
【０１５８】
〔偏光板〕
本発明の方法で作製した光学フィルムは、特に偏光板保護フィルムとして有用であり、公知の方法で偏光板を作製することができる。これらの光学フィルムは薄膜の均一性が高いため、各種表示装置に好ましく用いられ、優れた表示性能を得ることができる。
【０１５９】
偏光板は、例えばポリビニルアルコールフィルムにヨウ素や二色性色素を含有させ、縦方向に延伸した偏光子を保護フィルムで両側をサンドイッチしたような構成を有している。本発明の偏光板は、本発明のプラズマ放電処理により作製した積層体の光学フィルムを偏光板保護フィルムとして用いることにより、より均一な薄膜を有する積層体の光学フィルムを低コストで生産性よく提供することができる。
【０１６０】
〔画像表示装置〕
本発明の画像表示装置は特に限定されないが、例えば液晶ディスプレイ装置、有機ＥＬディスプレイ装置、無機ＥＬディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置等の各種ディスプレイ装置を挙げることができる。本発明の光学フィルムは均一な薄膜が形成されているため、これらの表示装置に用いた場合、ムラのない高い表示品質の表示装置を低コストで提供することができる。
【０１６１】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【０１６２】
〔評価方法〕
〈反射率の測定１（膜厚と偏差）〉
試料の分光反射率を分光光度計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、５度正反射の条件で反射率の測定を行った。測定では、試料の観察面の裏面を、目の細かいサンドペーパーを用いて粗面化処理した後、黒色のスプレーを吹きつけ光吸収処理を行い、試料裏面での光の反射を防止した。観察面について、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長での反射率の測定を行った。得られる反射スペクトルデータより、薄膜層の膜厚を算出する。セルロースエステルフィルムの製膜時の幅手方向及び長手方向についてそれぞれ１０ｃｍ間隔で１０点を測定して膜厚のバラツキをｎｍ単位で表す。
【０１６３】
〈反射率の測定２（反射率が０．５％以下となった点の数）〉
上記観察面の裏面を光反射を防止したのち、観察面について同様に反射スペクトルを測定しスペクトルデータから、幅手方向に１０点測定を行い、４５０〜６５０ｎｍの範囲で反射率が０．５％以下となった点の数をカウントした。
【０１６４】
〈目視ムラの評価〉
幅手方向全幅×長手方向５０ｃｍの試料を裏面に黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、表面から蛍光灯の反射を観察して反射光のムラについて評価した。
【０１６５】
◎：ムラが全く認められない
○：わずかにムラが認められる
△：ムラが認められる
×：明らかにムラが認められる。
【０１６６】
〈目視評価（偏光板のムラ、液晶表示パネルのムラ）〉
偏光板及び液晶表示パネルについて、黒表示の画面とし表面から蛍光灯をあてて観察して反射光のムラについて評価した。基準は上記と同様である。
【０１６７】
〈色ムラの評価〉
作製したサンプルを目視で評価した。評価基準は下記とし５段階で評価し、Ａが最もよい。
【０１６８】
Ａ 反射光の色調変化がほとんど認められない
Ｂ 部分的に反射光の色調変化がわずかに認められる
Ｃ 部分的に反射光の色調変化が認められる
Ｄ 全体的に反射光の色調変化が認められる
Ｅ 全体的に反射光の大きな色調変化が認められる
〈耐擦り傷性〉
１ｃｍ2当たり１００ｇの重りを載せた＃００００のスチールウールを用い、試料表面を１０回擦って、発生する傷を目視でカウントする。
【０１６９】
評価基準
Ａ ５本未満
Ｂ ５〜１０本未満
Ｃ １０〜２０本未満
Ｄ ２０本以上
実施例１
ハードコート層付トリアセチルセルロースフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＦ−Ｈ、コニカ社製）のハードコート層面に、図５に示したような装置を用いて放電部における圧力を１００ｋＰａとして下記組成の反応ガスを用いプラズマ放電処理を行った。図５の予備室の圧力を処理室より０．３Ｐａ低くして、何れにもアルゴンガスを導入して満たし、放電部には反応ガス供給部から反応ガスを供給し、排出口から処理後のガスを排気した。予備室の圧力は外界に対して０．３Ｐａ高くした。対向電極のロール電極は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケットロール母材（冷却機能は図５には図示していない）でできており、ロールの外周にはセラミック溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆し、その後テトラメトキシシランの有機溶媒溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させて封孔処理を行った固体誘電体を有するものである。ロール電極の一方をアースに接地した。ロール電極の間隙を１．５ｍｍとし、放電プラズマ発生に用いる使用電源１には春日電機製の高周波電源で１５ｋＨｚに設定し、出力密度を１Ｗ／ｃｍ2、使用電源２にはパール工業社製の高周波電源で８００ｋＨｚに設定し、出力密度を３Ｗ／ｃｍ2としてプラズマ放電処理を行い、ハードコート層面に膜厚約１００ｎｍとなるように酸化珪素層を形成し、光学フィルム１を作製した。なお、ロール電極はラインドライブモータと同期させて回転させた。
【０１７０】
反応ガスとして下記のものを用いた。
希ガス
アルゴン ９８．２％
反応性ガス
テトラエトキシシラン ０．３％
水素 １．５％
次ぎに、使用電源１にはハイデン研究所製のインパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）で１００ｋＨｚに設定し、出力密度を１Ｗ／ｃｍ2、使用電源２にはパール工業社製の高周波電源で１３．５６ＭＨｚに設定し、出力密度を３Ｗ／ｃｍ2として、光学フィルム１と同様にしてプラズマ放電処理を行い、ハードコート層面に膜厚約１００ｎｍとなるように酸化珪素層を形成し、光学フィルム２を作製した。
【０１７１】
比較例１
図８のプラズマ放電処理を使用し、一方向に基材のハードコート層付トリアセチルセルロースフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＦ−Ｈ、コニカ社製）を移送させ、使用電源にはパール工業社製の高周波電源で１３．５６ＭＨｚに設定し、出力密度を３Ｗ／ｃｍ2とした以外は実施例１と同様に行い、連続的に基材のハードコート層面に、膜厚約１００ｎｍとなるように薄膜を形成し、光学フィルム３を作製した。実施例１と比較して膜厚形成速度が遅かったため、約半分の速度で基材を搬送して処理しなければならなかった。
【０１７２】
図８はロール電極を用い一方向に通過する基材を処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。図８において、一対の対向ロール電極１０Ｓ及び１０Ｔを有し、これらのロール電極１０Ｓ及び１０Ｔには放電のための電圧を印加できる高周波電源８０Ｓが電圧供給手段８１Ｓと８２Ｓを介して接続されている。ロール電極１０Ｓ及び１０Ｔは基材ＦＴ及びＦＳをそれぞれ別々に巻き回しながら回転することができる回転電極である。放電部１００Ｓには大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３０Ｓから反応ガスＧが供給され放電部１００Ｓにおいてプラズマ放電が行われる。前工程または元巻きから供給される基材ＦＳはガイドロール２０Ｓによりロール電極１０Ｓに密着され、同期して回転移送され、放電部１００Ｓで大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスによりプラズマ放電処理が施される。もう一方の電極１０Ｔにおいても、同様に基材ＦＴも処理される。図８には基材の折り返しはなく、ロール電極１０Ｓ及び１０Ｔを別々の基材ＦＳとＦＴを移送し、基材ＦＳとＦＴはそれぞれが同じ放電部において同時に処理される。２１Ｓと２１Ｔは送り出す側のガイドロールである。処理後の反応ガスは排出口４０Ｓから排出される。比較例１はこのように、一方通過の基材を処理するものである。図示してないが図５のような処理室と予備室を有している。
【０１７３】
得られた光学フィルム１〜３について、前記評価方法に示した、幅手方向及び長手方向の薄膜の反射率から膜厚及びその偏差を測定し、目視ムラを目視で評価し、その結果を表１に示した。
【０１７４】
【表１】
【０１７５】
本発明の方法による光学フィルム１、２は、比較の方法による光学フィルム３と比べて約２倍の速度で処理することができた。これに対して、光学フィルム３は処理ムラがあり、反射率による目視ムラも大きく本発明に対して何れも劣っていた。
【０１７６】
実施例２
基材としてハードコート層付トリアセチルセルロースフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＦ−Ｈ、コニカ社製）を用い、図５のプラズマ放電処理装置を５個直列につないだ図４に示したような連続積層プラズマ放電処理装置を用いて、表面に複数の薄膜を形成した積層体の光学フィルムを下記のようにして作製した。基材のハードコート層面をロール電極の放電部側にして下記条件で、１００ｋＰａの圧力下で順に、低屈折率層用反応ガス、高屈折率層形成用反応ガス、低屈折率層形成用反応ガス、高屈折率層形成用反応ガス及び低屈折率層用反応ガスを用いてプラズマ放電処理を、基材／高屈折率層１（膜厚１５ｎｍ）／低屈折率層１（膜厚３３ｎｍ）／高屈折率層２（膜厚１１９ｎｍ）／低屈折率層２（膜厚８６ｎｍ）になるように連続的に行った。なお、低屈折率層、高屈折率層のそれぞれの膜厚が上記のようになるように放電条件、放電部をそれぞれ調節して行った。高屈折率層形成用反応ガス及び低屈折率層形成用反応ガスはそれぞれの回数共同じ組成のものを使用した。対向ロール電極、高周波数電源、周波数及び放電密度の条件は実施例１の光学フィルム２と基本的に同様にした。使用した高屈折率層形成用反応ガス組成物は屈折率が２．１０となるように、また低屈折率層用反応ガス組成物は屈折率が１．４６となるように配合されている。上記のようにプラズマ放電処理し、光学フィルム４を作製した。
【０１７７】
（高屈折率層形成用反応ガス組成）
窒素ガス ９８．８体積％
反応性ガス１：テトラエトキシシラン蒸気
（１５０℃に加熱した液体に窒素ガスをバブリング） ０．２体積％
反応性ガス２：水素ガス １体積％
（低屈折率層形成用反応ガス組成）
窒素ガス ９８．２体積％
反応性ガス１：テトラエトキシシラン蒸気
（加熱した液体に窒素ガスをバブリング） ０．３体積％
反応性ガス２：水素ガス １．５体積％
比較例２
図８に示した装置が連続的に５個直列した装置（図５のような処理室と予備室を有している）を用いた以外は実施例２と同様にして、基材の上に積層体を形成し、光学フィルム５を作製した。
【０１７８】
上記で得られた積層体の光学フィルム４、５について、前記評価方法の反射率の測定１、目視評価（ムラ）、色ムラの評価及び耐擦り傷性の評価を行い、その結果を表２に示した。
【０１７９】
【表２】
【０１８０】
表２から、本発明の方法で製造された薄膜を有する積層体は、目的の膜厚の薄膜が均一に形成できるため反射率が極めて低く、本発明の光学フィルム４は４５０〜６５０ｎｍの波長領域において、反射率０．５％以下で、しかもほとんど平らで波長によるムラが認められなかった。また目視によるムラも全くなく、色ムラ、耐擦り傷性も良好であった。これに対して、比較例の光学フィルム５は４５０〜６５０ｎｍの範囲内で反射率が０．５％以上を示す測定点があり、ムラが目立った。目視においてもムラが観察され、色ムラ、耐擦り傷性も本発明の光学フィルム４より劣った。また、プラズマ放電処理速度も本発明に対して約１／２に遅くしても、薄膜の膜厚が目標になかなか到達できなかった。
【０１８１】
実施例３及び比較例３
実施例２及び比較例２で作製した積層体の光学フィルム４、５を偏光板保護フィルムとして用いて、以下に述べる方法に従って偏光板４、５を作製し、評価を行った。
【０１８２】
〈偏光膜の作製〉
厚さ１２０μｍのポリビニルアルコールフィルムを、温度１１０℃で縦方向に倍率５倍に一軸延伸した。これをヨウ素０．０７５質量部、ヨウ化カリウム５質量部、水１００質量部からなる水溶液に６０秒間浸漬し、次いでヨウ化カリウム６質量部、ホウ酸７．５質量部、水１００質量部からなる６８℃の水溶液に浸漬した。これを水洗、乾燥し偏光膜を得た。
【０１８３】
〈偏光板の作製〉
次いで、下記工程１〜５に従って、偏光膜と各偏光板用保護フィルムとを貼り合わせて偏光板を作製した。
【０１８４】
工程１：実施例２及び比較例２で作製した光学フィルム４、５をそれぞれ長手方向３０ｃｍ及び巾手方向１８ｃｍの大きさに各２枚切り出し、２ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム溶液に６０℃で９０秒間浸漬し、次いで水洗、乾燥させた。低屈折率層の面には、再剥離性の保護フィルムを張り付けて処理を行った。
【０１８５】
工程２：上記偏光膜を長手方向３０ｃｍ、幅手方向１８ｃｍの大きさに光学フィルムの数だけ切りだし、完全鹸化ポリビニルアルコール２質量％含有する水性接着剤槽中に１〜２秒間それぞれの偏光膜を浸漬した。
【０１８６】
工程３：工程２で偏光膜に付着した過剰の接着剤を軽く取り除き、それを工程１で処理したそれぞれの光学フィルムのＡ面側に貼り合わせ、更に偏光膜のもう一方の面に工程１と同様にして鹸化処理したセルロースエステルフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＸＭＷ（コニカ製））を接着剤と接する様に貼り合わせ偏光膜をサンドイッチ型に積層体とした。
【０１８７】
工程４：上記積層体中の過剰の接着剤と気泡を取り除くために、ハンドローラで２０〜３０Ｎ／ｃｍ2の圧力で、ローラスピードは約２ｍ／分で工程３で積層押しかつ絞り出し圧着して貼り合わせた。
【０１８８】
工程５：工程４で圧着した積層体を８０℃の乾燥機中で２分間乾燥処理し、偏光板４、５を作製した。
【０１８９】
〈液晶表示パネル（液晶表示装置）〉
市販のＮＥＣ製カラー液晶ディスプレイ、ＭｕｌｔｉＳｙｎｃ ＬＣＤ１５２５Ｊ、型名ＬＡ−１５２９ＨＭの液晶画像表示パネルの最表面の偏光板を注意深く剥離し、ここに偏光方向を合わせて上記偏光板４、５を張り付け液晶表示パネル４、５を作製した。
【０１９０】
上記で得られた偏光板及び液晶表示パネルについて、前記評価方法の目視でムラの評価を行い、前述のムラの評価の基準で同様に評価し、その結果を表３に示した。
【０１９１】
【表３】
【０１９２】
本発明の偏光板及び偏光板を用いた液晶表示パネルは、ムラ、特に干渉模様のような色の付いたムラがなく優れた偏光板及び液晶表示パネルを得、品質の高いものとして提供できることが分かった。これに対して、比較例の偏光板及び液晶表示パネルはムラが多く、特に色の付いたムラが表示性能を劣化させ、実用として提供できるものではなかった。
【０１９３】
【発明の効果】
本発明により、真空装置を必要とせず、高温での処理も行わず、また窒素のような安価かつ安全な反応ガスを用いても、広幅の基材を高速でかつ連続処理ができ、高生産性を有する薄膜を形成する装置、膜厚が均一な薄膜を得ることができ、かつ連続的に均一薄膜の多層積層体を形成する方法、かかる方法で形成した薄膜積層体の光学フィルム、この光学フィルムを使用し優れた偏光板及び画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ロール電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図２】ベルト電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図３】複数のロール電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図４】基材を往復させて処理するロール電極対を連続的につなげて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図５】外界と遮断する処理室とその出入口の両側に予備室を有するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図６】基材を往復させて処理するロール電極対を連続的につなげて処理するプラズマ放電処理装置の別の１態様を模式的に示した図である。
【図７】ロール電極を用い一方向に通過する基材を処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図８】平板電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【符号の説明】
Ｆ、ＦＳ、ＳＴ 基材
Ｇ 反応ガス
Ｇ′ 処理後のガス
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ ロール電極
Ａ１〜Ａ５，Ｂ１〜Ｂ５ ロール電極
１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇ、１１Ｈ、１１Ｉ
折り返しロール（Ｕターンロール）
１３Ａ、１３Ｂ ベルト電極
１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆ サポートロール
２０、２０Ｅ、２０Ｇ、２１、２２、２３ ガイドロール
３０、３０Ｃ、３０Ｅ、３０Ｇ 反応ガス供給部
３１ ガス導入口
４０、４０Ｃ、４０Ｅ、４０Ｇ 排出口
６０Ａ、６０Ｂ 予備室
６５、６６ ニップロール
７０ 処理室
７１ 処理室容器
８０１、８０１Ｃ、８０１Ｅ、８０１Ｇ 第１電源
８０２、８０２Ｃ、８０２Ｅ、８０２Ｇ 第２電源
８１１、８１２、８２１、８２２ 電圧供給手段
８３１ 第１フィルター
８３２ 第２フィルター
１００、１００Ｓ、１０１ 放電部
【発明の属する技術分野】
本発明は、基材表面に薄膜を大気圧もしくはその近傍の圧力下で形成するための新規なプラズマ放電処理装置、プラズマ放電処理方法、その方法で製造された薄膜及び積層体、及び光学フィルム、光学フィルムを用いた偏光板及び画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光学レンズ、ＣＲＴ、またはコンピュータやワープロの液晶画像表示装置等の分野において、それらの表面の反射によって起こる画像の不鮮明さ等の不具合に対して、透過率の向上、コントラストの向上、映り込み低減のための表面反射を減少させる反射防止技術が、従来より数多く提案されている。提案されている技術として、例えば、光学干渉層の多層積層体の屈折率と光学膜厚を適切な値に調整することにより、この積層体と空気界面における光の反射を減らすことができるという反射防止技術が知られている。このような多層積層体は、高屈折率層としてのＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5等や低屈折率材料としてのＳｉＯ2、ＭｇＦ2等の薄膜が積層されたものであり、これらはスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空乾式薄膜製膜法によって製作されたものである。
しかし、このような真空乾式薄膜製膜法の真空装置は、処理基材が大きくなるとそれに伴い大型化するため装置が非常に高額となることや、真空度を上げる排気にも非常に時間と費用を費やしたり、更に連続生産ができず生産性が低いこと等デメリットが大きい。
【０００３】
また、別の反射防止層の作製方法として、チタンアルコキシドやシランアルコキシドに代表される金属アルコキシドを基材の表面に塗布、乾燥、加熱して金属酸化物の膜を作製する方法がある。しかしこの方法では、加熱温度を３００℃という高い温度にする必要があり、基材が変形したり平面性が損なわれダメージが大きい。また特開平８−７５９０４号公報に記載されているような加熱温度を１００℃程度とした比較的低温で行う方法では、作製に時間がかかり何れにしても問題点が多々あった。
【０００４】
近年、これら温度と時間の問題を改善する方法として、特開平９−２１９０２号公報にみられるような高屈折率材料をＴｉ、Ｚｒ、ＴａまたはＩｎのアルコキシドと、分子中に２個以上のアクリロイル基、メタクリロイル基、アリル基またはビニル基等を有する重合可能な官能基化合物を併用することにより低温で作製する方法が提案されている。また、特開平７−２０９５０３号公報には、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基等の重合可能な官能基とアルコキシド基のような加水分解可能な官能基を併せ持つ有機珪素化合物と重合可能な不飽和結合を持つ単量体からの共重合物を主成分とする光学皮膜形成コーティング用組成物が示されており、樹脂成分と無機成分を分子レベルで均一にできるという技術が提案されており、組成物を基材に塗布した後、１００℃で長時間加熱するか、電離放射線照射により重合させて皮膜とする方法が述べられている。
【０００５】
この他、特開平８−２９５８４６号及び同９−２２０７９１号公報にも重合性有機金属化合物及び金属酸化物やシラン化合物組成物を含有する組成物を熱または電離性放射線で硬化する技術が開示されている。更にこの他にも上記のような反応性有機金属化合物は使用しないが、電離性放射線として電子線や紫外線を照射することによって作製する方法が、特開平５−２７０８６４号、同５−２７９５９８号、同６−１１６０２号、同８−１２２５０１号、同８−２９７２０１号、同９−２１９０２号及び同９−２５３５０号公報に記載されている。しかし、これらの製膜方法では、有機成分が未反応のまま残存し、それが経時的に徐々に変化していくため、屈折率が変化し次第に反射防止機能が損なわれてしまうことがあった。
【０００６】
上記の方法に対して、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマ放電を発生させ、反射防止機能を有する薄膜を製膜する方法が開示されている（例えば、特許文献１〜５参照）。しかしながら、上記記載の方法では、微少面積への製膜は可能であるものの広巾基材への均一な製膜は困難であり、特に屈折率が一定でなければならない、また光学膜厚が均一でなければならない反射防止機能膜等には不向きであった。
【０００７】
上記のごとき従来の大気圧プラズマ放電処理法の他の問題として、電極に汚れが付着したり、更に汚れが蓄積してしまうという問題があった。大気圧プラズマ放電処理法における電極汚れは真空とは比べものにならない程多く、その改善が強く求められていた。これを解決するためのさまざまな方法が提案されたが、何れも十分なものはなかった。この中で、特開２０００−２１２７５３号公報では、対向電極のそれぞれの表面に基材を配置する方法が提案されており、電極の汚れを防止することができるとしている。しかし、この方法では、常に２枚の基材が必要であるという問題があった。この方法は一見、二つの基材を同時に処理でき、生産効率が高いように見えるが、２枚の基材を同じように処理するためには、極めて高い精度の搬送設備や処理条件設定が必要である。そして、一方の基材の製造ラインにトラブルがある場合には、もう一方のラインも停止しなければならず、多大なメンテナンス負荷を要し、実用的でなかった。
【０００８】
従来の大気圧プラズマ放電処理法のもう一つの問題として、反応ガスに使用しているヘリウムやアルゴンが高価なためコストアップの原因になっている。従来の方法では、反応ガスとして希ガス以外の安価なガス、例えば、空気成分中の酸素ガス、窒素ガスや二酸化炭素等を使用するには放電を開始する電圧が高く、高周波電界のもとでは安定な放電が得られず、薄膜が形成されにくい。
【０００９】
特開平１０−１５４５９８号公報には、パルス電界を用いることにより、窒素ガスのような放電開始電圧の高いガスでも放電が達成できることが開示されているが、プラズマ密度が低く、良質な膜が得られないばかりか、製膜速度も遅く、生産性が非常に低い。
【００１０】
特開平１１−１６６９６号公報に、酸素ガス、あるいは酸素ガスと希ガスを混合したガスを、予備放電電極において低周波電圧をかけて活性化または電離させ、次にこの電離または活性化されたガスを、電離または活性化されてない酸素ガス、あるいは酸素ガスと希ガスを混合したガスと共に、前記予備放電電極に対し併設された主放電電極のもとに送り、大気圧下、主放電電極間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマによって生成した活性種を被処理体の表面をエッチングあるいは被処理体面上にある有機物をアッシングするという方法が記載されている。
【００１１】
しかしこの方法を薄膜の形成に応用した場合、酸素ガス、あるいは酸素ガスと希ガスを混合したガスを予備放電電極間で低周波電圧をかけて電離あるいは活性化したガスとした後、電離あるいは活性化したガスと、主放電電極の手前で導入した反応性ガスとを混合して、主放電電極に高周波電圧をかけるとパーティクルが発生してしまい、薄膜の形成がほとんど行われないことが分かった。また、プラズマ状態の酸素ガスと反応性ガスを混合すると爆発の危険性があり、この方法は薄膜形成方法として不適当であることも判明した。
【００１２】
【特許文献１】
特開平１１−１３３２０５号公報
【００１３】
【特許文献２】
特開２０００−１８５３６２号公報
【００１４】
【特許文献３】
特開平１１−６１４０６号公報
【００１５】
【特許文献４】
特開２０００−１４７２０９号公報
【００１６】
【特許文献５】
特開２０００−１２１８０４号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、真空装置を必要とせず、高温での処理も行わず、また窒素のような安価かつ安全な反応ガスを用いても、広幅の基材を高速でかつ連続処理ができ、高生産性を有する薄膜を形成する装置を提供すること、膜厚が均一な薄膜を得ることができ、かつ連続的に均一薄膜の多層積層体を形成する方法を提供すること、かかる方法で形成した薄膜積層体の光学フィルム、この光学フィルムを使用し優れた偏光板及び画像表示装置を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は下記構成により達成された。
【００１９】
１．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、少なくとも第１の電極と第２の電極を有する一対の対向電極と、該対向電極の間に形成される放電部を有し、該放電部において該対向電極の一方の電極に近い側を通過しながら処理された該基材が、折り返し移送手段により再び該対向電極のもう一方の電極に近い側を通過しながら該放電部に搬送され、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該第１の電極と第２の電極にそれぞれ周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【００２０】
２．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、複数対の対向電極と該対向電極の間に形成される複数の放電部を有し、該放電部においてそれぞれの一方の電極に接しながらそれぞれの該放電部を通過し処理された該基材を再び該対向電極のそれぞれのもう一方の電極に接しながらそれぞれの該放電部に移送し処理するための折り返し移送手段を有し、それぞれの該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該対向電極間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【００２１】
３．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、一対の対向電極と該対向電極の間に形成される放電部を有し、該放電部において該対向電極の一方の電極に接しながら該放電部を通過し処理された該基材を再び該対向電極のもう一方の電極に接しながら該放電部に移送し処理するための折り返し移送手段を有し、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該対向電極間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有する放電部を、連続して複数有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【００２２】
４．対向電極が回転するロール電極であることを特徴とする前記１〜３の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２３】
５．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、少なくとも一つの回転するロール電極とこれに対向する複数の回転するロール電極との間に形成される複数の放電部を有し、該放電部において、該対向するロール電極の一方に接しながら該放電部を通過し処理された該基材が、再び該対向するロール電極のもう一方に接しながら該放電部を通過し処理することが可能な移送手段を有し、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該対向するロール電極間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【００２４】
６．対向電極の表面が固体誘電体で被覆されていることを特徴とする前記１〜５の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２５】
７．対向電極間の間隙が０．５〜２０ｍｍであることを特徴とする前記１〜６の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２６】
８．高周波電圧の周波数ω1が２００ｋＨｚ以下であり、高周波電圧の周波数ω2が８００ｋＨｚ以上であることを特徴とする前記１〜７の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２７】
９．一対の対向電極、該対向電極の間で形成される放電部、折り返し手段、反応ガス供給手段及び排ガスを排出する手段を一つの処理室内に有することを特徴とする前記１、３〜８の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２８】
１０．複数の対向電極とそれらの間で形成される複数の放電部、一つの折り返し手段、複数の反応ガス供給手段及び複数の排ガスを排出する手段を一つの処理室内に有することを特徴とする前記２、４〜８の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
【００２９】
１１．処理室の基材の入口及び出口のそれぞれに予備室を隣接して有することを特徴とする前記５、９または１０に記載のプラズマ放電処理装置。
【００３０】
１２．周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによって形成されたプラズマ放電部を往復して連続移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理方法。
【００３１】
１３．前記１〜１１の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置を用いて、往復して連続移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理方法。
【００３２】
１４．前記２〜１１の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置を用いて、往復して連続移送する基材の表面に大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理方法。
【００３３】
１５．反応ガスが５０〜９９．９９体積％の窒素と０．０１〜１０体積％の反応性ガスを有することを特徴とする前記１２〜１４の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法。
【００３４】
１６．反応性ガスがガス状の有機金属化合物またはガス状の有機フッ素化合物を含有することを特徴とする前記１２〜１５の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法。
【００３５】
１７．前記１２、１５または１６に記載のプラズマ放電処理方法を用いて、基材表面に形成することを特徴とする薄膜。
【００３６】
１８．前記１２〜１６の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法を用いて、基材表面に複数層を形成することを特徴とする薄膜積層体。
【００３７】
１９．前記１７に記載の薄膜を有することを特徴とする光学フィルム。
２０．前記１８に記載の薄膜積層体を有することを特徴とする光学フィルム。
【００３８】
２１．前記１９または２０に記載の光学フィルムを有することを特徴とする偏光板。
【００３９】
２２．前記１９または２０に記載の光学フィルムを有することを特徴とする画像表示装置。
【００４０】
２３．前記２１に記載の偏光板を有することを特徴とする画像表示装置。
２４．連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理方法であって、少なくとも一対の対向電極の間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによって形成された放電部を有し、該放電部において、一方の電極に接しながら該放電部を通過する該基材上に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給し、かつ該対向電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させ、基材表面にプラズマ放電処理を行った後、直ちにまたは他の放電部を通過した後、折り返し移送手段によって折り返され、もう一方の対向電極に接しながら該放電部に再び移送され通過する基材に、該放電部において更にプラズマ放電処理を行うことを特徴とするプラズマ放電処理方法。
【００４１】
２５．少なくとも１つの対向電極に対して、これと対となる２つ以上の対向電極が配置され、これらの該対向電極間にプラズマ放電可能な電圧が印加されて複数の放電部を形成し、各々の該放電部において、電極に接しながら搬送される基材表面にプラズマ放電処理を行うことを特徴とする前記２４に記載のプラズマ放電処理方法。
【００４２】
２６．複数対からなる対向電極群を有し、一方の対向電極群のうちの１つと、これと対となる対向電極群の複数の対向電極とが複数の放電部を形成するように隣接して配置され、各々の該放電部において、一方の該対向電極に接して搬送され、プラズマ放電処理された基材が折り返し移送手段によって折り返され、再度もう一方の該対向電極に接して搬送され、該基材表面に再びプラズマ放電処理を行うことを特徴とする前記２４に記載のプラズマ放電処理方法。
【００４３】
２７．周波数ω1＜周波数ω2であり、周波数ω1の高周波電圧をＶ1、周波数ω2の高周波電圧をＶ2とするとき、Ｖ2＜Ｖ1であることを特徴とする前記２４〜２６の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法。
【００４４】
以下、本発明を詳細に説明する。
〔プラズマ放電処理装置〕
本発明の大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理する装置を図として例示し説明するが、本発明におけるプラズマ放電処理装置はこれらに限定されない。
【００４５】
図１は、本発明の製造方法に用いられるプラズマ放電処理装置の一例で、二つのロール電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。この装置は一対のロール電極１０Ａ（第１電極）とロール電極１０Ｂ（第２電極）を有する。ロール電極１０Ａには、プラズマ放電のための周波数ω1の高周波電圧Ｖ1を印加できる第１電源８０１が電圧供給手段８１１を介して接続されている。ロール電極１０Ｂには、プラズマ放電のための周波数ω2の高周波電圧Ｖ2を印加できる第２電源８０２が電圧供給手段８１２を介して接続されている。第１電源８０１は第２電源８０２より大きな高周波電圧（Ｖ1＞Ｖ2）を印加できる能力を有していることが好ましく、また第１電源８０１の第１の周波数ω1と第２電源８０２の第２の周波数ω2はω1＜ω2であることが好ましい。ロール電極１０Ａと第１電源８０１との間には、第１電源８０１からの電流がロール電極１０Ａに向かって流れるように第１フィルター８３１が設置されており、第１電源８０１からの電流Ｉ1をアース側へ通過しにくくし、第２電源８０２からの電流Ｉ2がアース側へ通過し易くするように設計されている。また、ロール電極１０Ｂと第２電源８０２との間には、第２電源８０２からの電流がロール電極１０Ｂに向かって流れるように第２フィルター８３２が設置されており、第２電源８０２からの電流Ｉ2をアース側へ通過しにくくし、第１電源８０１からの電流Ｉ1がアース側へ通過し易くするように設計されている。
【００４６】
ロール電極１０Ａと１０Ｂは基材Ｆを巻き回しながら回転することができる回転電極である。放電部１００は大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３０から反応ガスＧが供給され、放電部１００においてプラズマ放電が行われる。前工程または元巻きロールから供給される基材Ｆは、ガイドロール２０によりロール電極１０Ａに密着され、同期して回転移送され、放電部１００で大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスによりプラズマ放電処理が施される。反応ガス供給部３０は基材の幅と同等か、あるいはそれよりやや幅が広いスリット状であることが好ましく、あるいはパイプ状の吹き出し口を横に並べて基材の幅と同等となるように配置したものでもよく、幅手方向全体で均一な流量または流速で反応ガスＧが放電部１００に導入されるようにするのがよい。一旦処理された基材Ｆは折り返しロール（Ｕターンロールともいう）１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ及び１１Ｄを経て、逆方向に移送されロール電極１０Ｂに抱かれて再び放電部１００でプラズマ放電処理が施されガイドロール２１を介して巻き取りまたは次工程（何れも図示してない）に移送される。処理後のガスＧ′は排出口４０より排気される。排出口４０からの排気流量は反応ガス供給部３０からの流量と同等か、やや多いことが好ましい。放電部１００のロール電極１０Ａ及び１０Ｂの側面側を遮蔽しても、また装置全体を囲い、全体を希ガス、窒素ガスまたは反応ガスで満たしてもよい。
【００４７】
図２は、ベルト電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。この図の装置は、回転電極が二つのサポートロール１４Ｃと１４Ｄ及び二つのサポートロール１４Ｅと１４Ｆで無限移行する無端のベルト電極１３Ａ及びベルト電極１３Ｂを有しているのが特徴である。ベルト電極１３Ａと１３Ｂの間で平行になっている部分の空間が放電部１０１となっており、ロール電極を用いる場合よりもより広い放電空間を確保することができる。前工程または元巻きロールから供給される基材Ｆはベルト電極１３Ａに密着され、ベルト電極１３Ａと共に同期して移送され放電部１０１でプラズマ放電処理され、折り返しロール１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ及び１１Ｄを経て、同様にベルト電極１３Ｂと共に密着しながら逆方向に放電部１０１を通り二度目のプラズマ放電処理が施される。処理された基材Ｆはガイドロール２１を経て巻き取りまたは次工程へ移送される。反応ガスＧは反応ガス供給部３０から放電部１０１に供給される。処理後のガスＧ′は排出口４０から排出される。放電部の空間をより広くしたい場合は、反応ガスは反応ガス供給部一カ所だけでなく放電部の横から供給部を設け供給してもよい。また、サポートロールは複数設けてもよく、放電部のサポートロールの側面側を遮蔽してもよいし、装置全体を囲って反応ガスで満たしてもよい。ベルト電極１３Ａまたは１３Ｂに密着している基材Ｆは張力制御や位置制御を行うことによって、安定な処理ができる。また、図２を縦型に配置したプラズマ放電処理装置であってもよい。また、意図的にベルト間隔を、搬送方向の前と後ろで変更し、拡げたり狭くすることで得られる薄膜の物性や組成を変化させた傾斜膜を作製することもできる。
【００４８】
図３は、図１のプラズマ放電処理装置を複数設けたものであり、複数のロール電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。前工程または元巻きロールから供給される基材Ｆは最初にガイドロール２２を経て、ロール電極１０Ｃに抱かれ密着して放電部１０４でプラズマ放電処理が施され、ついで、ガイドロール２０Ｅを経てロール電極１０Ｅに抱かれて密着して放電部１０５で２度目の処理が施され、ガイドロール２０Ｇを経て、ロール電極１０Ｇで同様に放電部１０６で３度目の処理が施される。反応ガスＧはそれぞれの反応ガス供給部３０Ｃ、３０Ｅ、３０Ｇから供給され、処理後のガスＧ′はそれぞれ排出口４０Ｃ、４０Ｅ、４０Ｇから排出される。処理された基材Ｆは折り返しロール（Ｕターンロール）１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄを経て、逆方向に移送され、同様に、ロール電極１０Ｈ、放電部１０６で４度目の処理が行われ、ガイドロール２１Ｈを経て、ロール電極１０Ｆ、放電部１０５で５度目の処理が行われ、更に、ガイドロール２１Ｆを経て、ロール電極１０Ｄ、放電部１０４で６度目の処理が行われる。処理後の基材Ｆはガイドロール２３を経て巻き取りまたは次工程に移送される。図３において、各放電部の反応ガスを同一のものを使用してもよいし、それぞれ別の反応ガスを使用してもよい。別々の反応ガスを用いた場合には、異なった薄膜層の積層体が得られる。なお、８０１Ｃ、８０１Ｅ、８０１Ｇ、８０２Ｃ、８０２Ｅ、８０２Ｇは何れも電源であり、８１１Ｃ、８１１Ｅ、８１１Ｇ、８１２Ｃ、８１２Ｅ、８１２Ｇ、及び８２１Ｃ、８２１Ｅ、８２１Ｇ、８２２Ｃ、８２２Ｅ、８２２Ｇはアースである。
【００４９】
図４は、図１のプラズマ放電処理装置を複数配置したものであり、基材を往復させて処理するロール電極対を連続的につなげて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。図４は独立した電極対を直列に有するもので、それぞれの独立した電極対の放電部で異なった反応ガスを使用すると、それらの異なった薄膜の積層体を得ることができる。基材の移送の仕方は図１と同様であるので、詳細は省略する。図中、２４、２５、２６はガイドロール、１０Ｊと１０Ｋ、１０Ｌと１０Ｍ、１０Ｎと１０Ｐ、１０Ｑと１０Ｒはそれぞれ対をなすロール電極である。また１０７、１０８、１０９、１１０はそれぞれの放電部、３０Ｊ、３０Ｌ、３０Ｎ、３０Ｑはそれぞれガス供給部、４０Ｊ、４０Ｌ、４０Ｎ、４０Ｑはそれぞれガス排出口である。更に電源（８０１Ｊ、８０１Ｌ、８０１Ｎ、８０１Ｑ、８０２Ｊ、８０２Ｌ、８０２Ｎ、８０２Ｑ）はそれぞれロール電極にフィルター（８３１Ｊ、８３２Ｊ、８３１Ｌ、８３２Ｌ、８３１Ｎ、８３２Ｎ、８３１Ｑ、８３２Ｑ）を介して接続されている。一つのロール電極対は図１と同様である。
【００５０】
図５は、外界と遮断する処理室とその出入口の両側に予備室を有するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。図５は図１と同様なプラズマ放電処理装置を処理室容器７１内の処理室７０に納め、処理室７０の基材Ｆの出入り口６２と６３において、外界の空気を遮断するために前記処理室に隣接して予備室６０Ａ（入口側）と６０Ｂ（出口側）を有しているものである。なお、予備室６０Ａ及びＢの気圧は外界より若干高いことが好ましく、０．３Ｐａ以上高いことが特に好ましい。予備室６０Ａ及び６０Ｂに対して処理室７０が０．３Ｐａ以上高いことが好ましい。基材Ｆ表面に外界の空気が同伴して来るのでこの空気を遮断し、またガスを外部に漏らさないために、入口側の予備室６０Ａと外界９０との境６１及び予備室６０Ａと処理室７０との境６２に、また処理室７０と出口側の予備室６０Ｂとの境６３及び予備室６０Ｂと外界との境６４に、それぞれ二対のニップロール６５及び６６が配置されており、これらにより同伴空気が遮断されている。３１は処理室７０及び予備室６０Ａ、６０Ｂへの希ガスまたは窒素ガスの導入口であり、４１は排出口である。基材Ｆのプラズマ放電処理及び移送については図１と同様であるので省略する。予備室は複数設けてもよく、複数設けることにより外気の混入や反応ガス等の漏れ防止の点で好ましく、２〜１０室更にあることが好ましい。複数の予備室を有する場合、それぞれの予備室と隣り合う処理室等との気圧をやや低くあるいは高くすることにより効率的に外界との遮断を行うことができる。
【００５１】
図６は基材を往復させて処理するロール電極対を連続的につなげて処理する別の形態のプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。図６においては独立した電極対を直列に有するものとは異なり、１つの対向電極Ａ１に注目してみると対向電極Ａ１に対して、３つの対向電極Ｂ１、Ｂ５及びＢ２が対向して配置され、該電極間に形成されるそれぞれの放電部でプラズマ放電処理がされるタイプのプラズマ放電処理装置である。大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３０から反応ガスＧが供給され、放電部１００においてプラズマ放電が行われる。
【００５２】
プラズマ放電処理装置全体は、複数の対からなる対向電極群Ａ１〜Ａ５と複数の対向電極Ｂ１〜Ｂ５から構成され、一方の電極Ａ１〜Ａ５のうちの１つに対して対向電極Ｂ１〜Ｂ５のうちの複数が、また一方の電極Ｂ１〜Ｂ５のうちの１つからみると電極Ａ１〜Ａ５のうちの複数が対向しそれぞれ放電部１００を形成している構造になっているのが特徴である。各々の放電部は、大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３０から反応ガスＧが供給され、放電部１００においてプラズマ放電が行われる。プラズマ処理を受ける基材は、該対向電極群の一方の電極に接して搬送され、プラズマ放電処理され、折り返し移送手段によって折り返された基材が、再度、対向電極のもう１つに接して搬送されて、基材表面がプラズマ放電処理される。図において、２０のガイドロールを通して基材Ｆが、回転するロール電極Ｂ１に接して処理空間に入ると、各折り返しロール１１Ｉ〜１１Ａを間に挟みつつ、ロール電極Ｂ１、Ａ１、Ｂ２、Ａ２・・・と順次、基材が各ロール電極に接しつつ搬送され、各放電部１００を通過することで、各ロール電極間に形成された各放電部にてそれぞれプラズマ放電処理を受ける。各折り返しロールを介して同じ放電部で、互いに対向する、一度目とは異なった別の電極に接しつつもう一度基材がプラズマ放電処理を受けることになる。なお８０１、８０２は電源を８１、８２はそれぞれ対となる電圧供給手段を表している。これらの電極群に対し複数の電源を用いることもできる。このようにして複数の放電部において複数の処理を受けた基材は最終的にはガイドロール２１を介してプラズマ放電処理装置から次工程へ送られる。
【００５３】
上記したように大気圧もしくはその近傍の圧力下で処理するプラズマ放電処理装置を例示したが、本発明の特徴は、第１に放電部において長尺の基材を連続的に処理でき、一度通して処理した基材を再び同じ放電部に通して往復して処理することにより、処理速度を上げることができ、生産性を高めることができるばかりでなく形成する薄膜の均一性が向上すること、第２に装置がコンパクトのため連続してプラズマ放電処理装置を並べることにより、薄膜の積層体を容易に高品質でしかも安価に作製することができることである。また、複数の放電部で処理することによって膜強度を高めることもできる。
【００５４】
以下、上記図を例にとり本発明のプラズマ放電処理装置の特徴、優位性を説明する。
【００５５】
本発明では図７に示す平板電極を用いる装置であってもよく、これは処理有効面積が広く、処理効率が高い。しかしながら、基材の裏側にもプラズマ放電処理が行われ易く、基材の移送と固定電極の間で摩擦を生じ擦り傷が発生しやすい。
【００５６】
図２のベルト電極を使用したプラズマ放電処理装置は、これもベルト電極の長さにもよるが、処理面積が広く効率のよいものであり、本発明において使用しやすい装置である。図２は、図１に比べると、処理される基材がベルト電極表面に密着して処理されることにより安定した処理ができる。ただ、ベルトのような平らな電極の上に基材があるため若干基材が部分的に浮く可能性があり、基材にかかる張力を適切に制御したり、このような場合ベルト電極の裏側に直径の小さめなサポートロールを何本か当てベルト電極に張りを持たせることによって密着の安定性を増すことができる。
【００５７】
図１のロール電極を使用した装置は、電極に基材が最も密着性がよく、安定した、しかも効率のよい処理ができるため、本発明において最も好ましい装置である。これらの図示した装置において、折り返しロールがあることが、本発明の一つの特徴である。折り返しロールの本数は一本でも、図示してあるように４本でも、何本あってもよい。好ましくは張力を制御できるロールあるいは手段を有していることが望ましい。また、折り返す前に別の放電部でプラズマ放電処理されて、紫外線照射等の別の工程と組み合わすこともできる。
【００５８】
また、本発明のプラズマ放電処理装置はコンパクトであり、図３や図４また図６に示したように、対向ロール電極を連続して設けることができ、より効率を上げることができる。
【００５９】
図３は複数の対向電極を横に配列したもので、連続的に同一の反応ガスで処理しても、またそれぞれの対向電極のところで異なった反応ガスを使用して処理してもよい。例えば前者の場合には処理速度を高めることができると同時に、より均一な薄膜を形成させることができ、また後者は異なった薄膜を積層することができるというのが特徴である。
【００６０】
図４は独立した処理部を有し、一処理が完結して次の処理部に基材が移送されるため、それぞれ異なった反応ガスを使用することにより、設計しやすい薄膜積層体を形成することができ、本発明の積層体を形成するための装置として特に好ましい形である。
【００６１】
図５は、図１のプラズマ放電処理装置の全体を囲った処理室であり、また基材に同伴する空気を遮断する予備室を設けたものである。図１〜４においては、この処理室及び予備室が省略されている図となっており、図１が図５となるように何れも同様に処理室と予備室は設けることができる。特に図４で異なる反応ガスを用いる場合には、プラズマ放電処理装置各々に設けるのが好ましい。図５において、移送して来る基材に同伴して来る空気はニップロールのような遮断手段により遮断され、かつ処理室の基材の出入り口に、処理室より圧力の若干高いかまたは低い予備室をそれぞれ設けることによって、処理室内への空気の混入を避けることができ、そのことによって処理効果を上げると同時に処理の均一性を向上させることができる。本発明のプラズマ放電処理装置の処理室及び予備室には反応ガス組成と同等な成分のガス、または希ガスまたは窒素ガスのみで予め満たしておくことが望ましい。
【００６２】
また、図１〜７に示すように対抗電極間に二つの異なる周波数の高周波電圧成分を印加し、さらに二つの異なる電圧を印加することにより、反応ガス中の放電ガス（電圧印加により励起され、そのエネルギーを反応ガス中の反応性ガスに与え反応性ガスをプラズマ状態とするガス）として窒素ガスのような放電開始電圧が高いガスでも放電を開始し、高密度で安定なプラズマ状態を維持でき、高性能な薄膜形成を行うことができる。
【００６３】
〔対向電極〕
本発明に使用される電極は、金属等の導電性母材でできており、その表面が固体誘電体で被覆されていることが望ましい。固体誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のプラスティック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン等の金属酸化物あるいはチタン酸バリウム等の複合金属酸化物等を挙げることができる。特に好ましいものは、セラミックスを溶射後に無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体である。また、電極の金属等の導電性母材としては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等を挙げることができるが、加工の観点からステンレス、チタンが好ましい。また、ライニング材としては、珪酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工しやすいという点でより好ましく用いられる。
【００６４】
本発明に使用される電極の形状は、図１または２にあるようにロール電極、ベルト電極があるが、これら以外に形状には対向電極となるものであれば制限がなく使用できる。本発明においてはロール電極がプラズマ放電処理の効率がよく、均一な薄膜が形成し易く、処理される基材の表面の傷の付きにくさから特に好ましい。
【００６５】
本発明に使用される電極は必要に応じて加熱あるいは冷却等の温度調整することが望ましい。例えば、ベルト電極の場合は、ベルトの裏面から気体で冷却することもできるが、ロール電極の場合には、ロールの内部に液体を供給することができ、電極表面の温度及び基材の温度を制御することができるので好ましい。温度を与える液体としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が好ましい。基材の温度は処理条件によって異なるが、通常、室温〜２００℃とすることが好ましく、より好ましくは室温〜１２０℃とすることである。
【００６６】
ベルト電極やロール電極のように、基材が密着して基材と電極とが同期して移送及び回転する場合、その電極の表面は高い平滑性が求められる。平滑性はＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）として表される。本発明に使用するベルト電極及びロール電極の表面粗さのＲｍａｘは１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは８μｍ以下であり、特に好ましくは７μｍ以下である。
【００６７】
本発明において、対向電極間の間隙は、固体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的、電極の形状等を考慮して決定される。電極表面同士の距離は、プラズマ放電を均一に発生させるという観点から０．５〜２０ｍｍが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｍｍであり、特に好ましくは１±０．５ｍｍである。本発明におけるロール電極間の間隙とは対向する電極表面が互いに最も接近している間隔をいう。また、ロール電極の場合には、間隙がロール電極の回転によっても一定であることが望ましい。具体的には、ロールが１回転した時のロール間の間隙の変動が±３０％未満であることが好ましく、好ましくは±１０％未満で、より好ましくは±５％未満であり、最も好ましくは±０である。ロール電極の間隙の基材の幅手方向の変動も上記と同様である。ロール電極の直径は１０〜１０００ｍｍが好ましく、２０〜５００ｍｍがより好ましく、３０〜３００ｍｍが更に好ましい。
【００６８】
本発明において、プラズマ放電を行う処理室は、電極と絶縁性の材質のフレームや容器で囲むことが好ましく、電極との絶縁がとれれば金属製のものを用いてもよい。例えば、金属製のものとしては、アルミまたは、ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けたものでもよく、金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性を持たせたものでもよい。またパイレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器で装置全体を囲うのも好ましい。このような外側の囲いではなく、放電部、電極、基材搬送手段等の側面を局部的に囲むことも、反応ガスを適切に放電部に供給したり、排ガスを排気することができるため、ガス濃度や組成を一定にでき、プラズマ放電処理を安定して行うことができ好ましい。
【００６９】
本発明における放電では、対向する第１電極と第２電極間の放電部に高周波電圧を印加し、高周波電圧が、第１の周波数ω1の電圧成分と、第１の周波数ω1より高い第２の周波数ω2の電圧成分とを重ね合わせた成分を少なくとも有する。高周波とは、少なくとも０．５ｋＨｚの周波数を有するものを言う。
【００７０】
高周波電圧は、第１の周波数ω1の電圧成分と、第１の周波数ω1より高い第２の周波数ω2の電圧成分とを重ね合わせた成分となり、その波形は周波数ω1のサイン波上に、それより高い周波数ω2のサイン波が重畳されたω1のサイン波がギザギザしたような波形となる。
【００７１】
放電開始電圧とは、実際の薄膜形成方法に使用される放電部（電極の構成等）及び反応条件（ガス条件等）において放電を起こすことのできる最低電圧のことを指す。放電開始電圧は、放電空間に供給されるガス種や電極の誘電体種等によって多少変動するが、放電ガス単独の放電開始電圧と略同一と考えてよい。
【００７２】
上記で述べたような高周波電圧を対向電極間（放電部）に印加することによって、薄膜形成可能な放電を起こし、高品位な薄膜形成に必要な高密度プラズマを発生することができると推定される。ここで重要なのは、このような高周波電圧が対向する電極それぞれに印加され、すなわち、同じ放電部に両方から印加されることである。特開平１１−１６６９６号公報のように、印加電極を２つ併置し、離間した異なる放電空間それぞれに、異なる周波数の高周波電圧を印加する方法では、本発明の薄膜形成は達成できない。
【００７３】
上記でサイン波の重畳について説明したが、これに限られるものではなく、両方パルス波であっても、一方がサイン波でもう一方がパルス波であってもかまわない。また、更に第３の電圧成分を有していてもよい。
【００７４】
上記本発明の高周波電圧を、対向電極間に印加する具体的な方法としては、対向電極を構成する第１電極に周波数ω1であって電圧Ｖ1である第１の高周波電圧を印加する第１電源を接続し、第２電極に周波数ω2であって電圧Ｖ2である第２の高周波電圧を印加する第２電源を接続する。さらに、対向電極間に希ガスまたは窒素ガス（放電ガス）と反応性ガス（薄膜形成ガス）とを供給するガス供給手段を備える。更に、電極の温度を制御する電極温度制御手段を有することが好ましい。
【００７５】
更に、本発明のプラズマ放電処理装置の第１電源は、第２電源より高い電圧の高周波電圧を印加できる能力を有していることが好ましい。
【００７６】
また、本発明における別の放電条件としては、対向する第１電極と第２電極との間に、高周波電圧を印加し、高周波電圧が、第１の高周波電圧Ｖ1及び第２の高周波電圧Ｖ2を重畳したものであって、放電開始電圧をＩＶとしたとき、
Ｖ1≧ＩＶ＞Ｖ2
または Ｖ1＞ＩＶ≧Ｖ2
を満たす。更に好ましくは、
Ｖ1＞ＩＶ＞Ｖ2
を満たすことである。
【００７７】
高周波及び放電開始電圧の定義、また、上記本発明の高周波電圧を、対向電極間（同一放電空間）に印加する具体的な方法としては、上述したものと同様である。
【００７８】
ここで、本発明でいう高周波電圧（印加電圧）と放電開始電圧は、下記の方法で測定されたものをいう。
【００７９】
高周波電圧Ｖ1及びＶ2（単位：ｋＶ／ｍｍ）の測定方法：
各電極部の高周波プローブ（Ｐ６０１５Ａ）を設置し、該高周波プローブをオシロスコープ（Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ社製、ＴＤＳ３０１２Ｂ）に接続し、電圧を測定する。
【００８０】
放電開始電圧ＩＶ（単位：ｋＶ／ｍｍ）の測定方法：
電極間に放電ガスを供給し、電極間の電圧を増大させていき、放電が始まる電圧を放電開始電圧ＩＶと定義する。測定器は上記高周波電圧測定と同じである。
【００８１】
高い電圧をかけるような放電条件をとることにより、例え窒素ガスのように放電開始電圧が高い放電ガスを用いても、放電を開始し、高密度で安定なプラズマ状態を維持でき、高性能な薄膜形成を行うことができるのである。
【００８２】
上記の測定により放電ガスを窒素ガスとした場合、その放電開始電圧ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍ程度であり、従って、上記の関係において、第１の高周波電圧を、Ｖ1≧３．７ｋＶ／ｍｍとして印加することによって窒素ガスを励起し、プラズマ状態にすることができる。
【００８３】
ここで、第１電源の周波数としては、２００ｋＨｚ以下が好ましく用いることができる。またこの電界波形としては、サイン波でもパルスでもよい。下限は１ｋＨｚ程度が望ましい。
【００８４】
一方、第２電源の周波数としては、８００ｋＨｚ以上が好ましく用いられる。
この第２電源の周波数が高い程、プラズマ密度が高くなり、緻密で良質な薄膜が得られる。上限は２００ＭＨｚ程度が望ましい。
【００８５】
このような二つの電源から高周波電圧を印加することは、第１の周波数ω1側によって高い放電開始電圧を有する放電ガスの放電を開始するのに必要であり、また第２の周波数ω2側はプラズマ密度を高くして緻密で良質な薄膜を形成するのに必要であるということが本発明の重要な点である。
【００８６】
本発明において、第１電極、第１電源またはそれらの間の何れかには第１フィルターを、また第２電極、第２電源またはそれらの間の何れかには第２フィルターを接続することが好ましく、第１フィルターは第１電源からの周波数の電流をアース側へ通過しにくくし、第２電源からの周波数の電流をアース側へ通過し易くし、また、第２フィルターはその逆で、第２電源からの周波数の電流をアース側へ通過しにくくし、第１電源からの周波数の電流をアース側へ通過し易くするというそれぞれのフィルターには機能が備わっているものを使用する。ここで、通過しにくいとは、好ましくは、電流の２０％以下、より好ましくは１０％以下しか通さないことをいう。逆に通過しやすいとは、好ましくは電流の８０％以上、より好ましくは９０％以上を通すことをいう。本発明において、かかる性質のあるフィルターであれば制限無く使用できる。例えば、第１フィルターとしては、第２電源の周波数に応じて数１０〜数万ｐＦのコンデンサー、もしくは数μＨ程度のコイルを用いることができる。第２フィルターとしては、第１電源の周波数に応じて１０μＨ以上のコイルを用い、これらのコイルまたはコンデンサーを介してアース接地することでフィルターとして使用できる。
【００８７】
また、電極間の放電電流密度は０．０１〜５００ｍＡ／ｃｍ2が好ましい。プラズマ放電処理の放電強度は、アーク放電も起こらず安定した効果的な処理を行うには、５０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2以上５００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2未満が好ましい。この範囲でプラズマ放電処理を行うことにより、処理の均一性を有し、ダメージもなく仕上げることができる。
【００８８】
〔反応ガス〕
本発明のプラズマ放電処理装置に使用する反応ガスについて説明する。
【００８９】
本発明において、反応ガスは主に希ガス及び／または窒素ガスと反応性ガスの混合ガスを用いるのが特に好ましい。
【００９０】
本発明に有用な希ガスの元素としては、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等を挙げることができるが、本発明においては、ヘリウム、アルゴンが好ましい。反応ガス中の放電ガスの濃度は、９０体積％以上あることが安定したプラズマを発生させるために好ましい。特に９０〜９９．９９体積％が好ましい。放電ガスはプラズマ放電を発生するために必要であり、プラズマ放電中の反応性ガスをイオン化またはラジカル化し、表面処理に寄与する。反応ガスが５０〜９９．９９体積％の窒素と０．０１〜１０体積％の反応性ガスを有することが好ましい。
【００９１】
本発明において、反応性ガスは基材上に作製される機能性薄膜の種類によってさまざまな物質が用いられる。例えば、反応性ガスとして、有機フッ素化合物を用いることにより反射防止層等に有用な低屈折率層や防汚層を形成することができ、珪素化合物を用いることにより、反射防止層等に有用な低屈折率層やガスバリア層を形成することもできる。また、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、ＳｉあるいはＺｎのような金属を含有する有機金属化合物を用いることにより、金属酸化物層または金属窒化物層等を形成することができ、これらは反射防止層等に有用な中屈折率層や高屈折率層を形成することができ、更には導電層や帯電防止層を形成することもできる。
【００９２】
このように、本発明に有用な反応性ガスの物質として、有機フッ素化合物及び金属化合物を好ましく挙げることができる。
【００９３】
本発明に好ましく使用する反応性ガスの有機フッ素化合物としては、フッ化炭素やフッ化炭化水素等のガスが好ましく、例えば、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、１，１，２，２−テトラフルオロエチレン、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ヘキサフルオロプロペン等のフッ化炭素化合物；１，１−ジフルオロエチレン、１，１，１，２−テトラフルオロエタン、１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン等のフッ化炭化水素化合物；ジフルオロジクロロメタン、トリフルオロクロロメタン等のフッ化塩化炭化水素化合物；１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、１，３−ジフルオロ−２−プロパノール、パーフルオロブタノール等のフッ化アルコール；ビニルトリフルオロアセテート、１，１，１−トリフルオロエチルトリフルオロアセテート等のフッ化カルボン酸エステル；アセチルフルオライド、ヘキサフルオロアセトン、１，１，１−トリフルオロアセトン等のフッ化ケトン等を挙げることができるが、これらに限定されない。有機フッ素化合物がプラズマ放電処理によって、腐食性ガスあるいは有害ガスが発生しないような化合物を選ぶのが好ましいが、それらが発生しない条件を選ぶこともできる。有機フッ素化合物を本発明に有用な反応性ガスとして使用する場合、常温常圧で有機フッ素化合物が気体であることが目的を遂行するのに最も適切な反応性ガス成分としてそのまま使用でき好ましい。これに対して常温常圧で液体または固体の有機フッ素化合物の場合には、加熱や減圧等の気化装置等の手段により気化して使用すればよく、また適切な有機溶媒に溶解して噴霧あるいは蒸発させて用いてもよい。本発明に有用な有機フッ素化合物は、例えば、本発明の光学フィルムが反射防止フィルムの場合、その低屈折率層を形成することができる。
【００９４】
反応ガス中に上記の有機フッ素化合物を用いる場合、プラズマ放電処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、反応ガス中の有機フッ素化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。これらは単独でも混合して用いてもよい。
【００９５】
また、本発明に好ましく用いられる反応性ガスの金属化合物としては、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｇ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎまたはＺｒ等の金属化合物または有機金属化合物を挙げることができ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎまたはＺｒが有機金属化合物として好ましく用いられる。
【００９６】
これらのうち珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシラン等のアルキルシラン；テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等の珪素アルコキシド等の有機珪素化合物；モノシラン、ジシラン等の珪素水素化合物；ジクロルシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン等のハロゲン化珪素化合物；その他オルガノシラン等を挙げることができ、何れも好ましく用いることができる。本発明においては、これらに限定されない。また、これらは適宜組み合わせて用いることができる。上記の有機珪素化合物は、取り扱い上の観点から珪素アルコキシド、アルキルシラン、有機珪素水素化合物が好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れ等も少ないことから、特に有機珪素化合物として珪素アルコキシドが好ましい。
【００９７】
本発明に有用な反応性ガスとしての珪素以外の金属化合物としては、特に限定されないが、有機金属化合物、ハロゲン化金属化合物、金属水素化合物等を挙げることができる。有機金属化合物の有機成分としてはアルキル基、アルコキシド基、アミノ基が好ましく、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラジメチルアミノチタン等を好ましく挙げることができる。またハロゲン化金属化合物としては、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタン等を挙げることができ、更に金属水素化合物としては、モノチタン、ジチタン等を挙げることができる。本発明においては、チタン系の有機金属化合物を好ましく用いることができる。
【００９８】
上記有機金属化合物を放電部に導入するには、何れも、常温常圧で、気体、液体または固体の何れの状態のものであっても構わないが、それが液体または固体の場合は、加熱、減圧または超音波照射等の気化装置等の手段により気化させて使用すればよい。本発明においては、気化したり、蒸発させてガス状として使用することが好ましい。常温常圧で液体の有機金属化合物の沸点が２００℃以下のもであれば気化を容易にできるので、本発明の薄膜の製造に好適である。また有機金属化合物が金属アルコキシド、例えばテトラエトキシシランやテトライソプロポキシチタンのような場合、有機溶媒に易溶であるため有機溶媒、例えばメタノール、エタノール、ｎ−ヘキサン、アセトン等に希釈して使用してもよい。有機溶媒は、混合溶媒として使用してもよい。
【００９９】
本発明において、有機金属化合物を反応性ガスとして反応ガスに使用する場合、反応ガス中の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。上記金属化合物は同種あるいは異種の金属化合物を数種類混合して使用してもよい。
【０１００】
なお、上記のような有機フッ素化合物及び／または有機金属化合物の反応性ガスに水素、酸素、窒素、一酸化窒素、二酸化窒素、二酸化炭素、オゾン、過酸化水素を希ガスに対して０．１〜１０体積％混合させて使用してもよく、このように補助的に使用することにより薄膜の硬度を著しく向上させることができる。
【０１０１】
本発明の後述の光学フィルムが、反射防止層を有するフィルムの場合、例えば、有機珪素化合物は低屈折率層を形成するのに適しており、また、チタン系有機金属化合物は高屈折率層を形成するのに適しており、何れも好ましく用いられる。また、これらを混合したガスを用いて、その混合比率を調整することにより屈折率を制御して中屈折率層とすることもできる。
【０１０２】
上記反応ガスを用いてプラズマ放電処理で形成された低屈折率層や高屈折率層は、全てではないが主に金属の酸化物からなっていると考えられている。例えば、有機珪素化合物による低屈折率層と有機チタン化合物による高屈折率層の積層体には、低屈折率層が酸化珪素、また高屈折率層が酸化チタンをそれぞれ主成分として有していることが好ましい（ここで本発明において、主成分として有しているとは形成された薄膜中にそのものを５０質量％以上有していることをいう）。この際、酸化チタンを主成分とする高屈折率層に微量の酸化珪素が混入してもよいし、また反対に酸化珪素を主成分とする低屈折率層に微量の酸化チタンが混入してもよい。このような混合が起こることにより、各層の密着性（接着性）を改善することもできる。もちろん、合目的の屈折率に調整するために、あるいは、その他の目的で反応ガス中に主成分以外の有機金属化合物あるいはフッ素含有化合物を混合添加することもでき、反応ガスを反応ガス供給部から供給する前の段階で適宜混合しておくことが好ましい。前述のように、放電部には反応ガスで満たされており、例え同伴空気が若干処理室に入り込んだとしても実際には、微量の空気（酸素や窒素）あるいは水分の影響は無視できる。なお、処理条件によっては、意図的に反応ガスに空気（酸素あるいは窒素）や水分を添加して処理する場合もある。
【０１０３】
〔基材〕
次に、本発明に係る基材について説明する。
【０１０４】
本発明に係わる基材としては、セルロースエステルフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリビニルアルコール系フィルム、セルロース系フィルム、その他の樹脂フィルム等を挙げることができ、例えば、セルロースエステルフィルムとしてはセルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィルム、セルロースアセテートフタレートフィルム、セルローストリアセテート、セルロースナイトレート；ポリエステルフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンフタレートフィルム、１，４−ジメチレンシクロヘキシレンテレフタレート、あるいはこれら構成単位のコポリエステルフィルム；ポリカーボネートフィルムとしてはビスフェノールＡのポリカーボネートフィルム；ポリスチレンフィルムとしては、シンジオタクティックポリスチレンフィルム；ポリオレフィンフィルムとしてはポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム；ポリビニルアルコール系フィルムとしてはポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム；セルロース系フィルムとしてはセロファン；その他の樹脂フィルムとしては、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、アクリルフィルムあるいはポリアリレートフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム等を挙げることができる。
【０１０５】
これらのフィルムの素材を適宜混合して得られたフィルムも好ましく用いることができる。例えば、ゼオネックス、ゼオノア（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（ジェイエスアール（株）製）等の市販品の樹脂を混合したフィルムを用いることもできる。また、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルフォンあるいはポリエーテルスルフォン等の固有の複屈折率が高い素材であっても、溶液流延あるいは溶融押し出し等の条件、更には縦、横方向に延伸する条件等を適宜設定することにより、本発明に適した基材を得ることができる。本発明においては、上記の記載のフィルムに限定されない。
【０１０６】
本発明のプラズマ放電処理に適した基材の厚さとしては、１０〜１０００μｍ程度のフィルムを好ましく用いることができ、より好ましくは１０〜２００μｍであり、特に１０〜６０μｍの薄手の基材を好ましく用いることができる。
【０１０７】
本発明において、上記基材としてのフィルムのうちで、セルロースエステルフィルムが特に好ましく用いられる。
【０１０８】
ここで、本発明に特に有用な基材としてのセルロースエステルフィルムについて述べる。本発明に有用なセルロースエステルフィルムは、セルロースの水酸基を、アシル基、特に炭素原子数が２〜４のアシル基で２．４０〜２．９８置換したセルロースエステルを使用したものが好ましい。このようなセルロースエステルとしては、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートを挙げることができ、中でもセルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートが好ましい。これらの好ましいセルロースエステルにおいて、アセチル基の置換度が１．６以上であることが特に好ましい。セルロースエステルの原料のセルロースとしては、特に限定はないが、綿花リンター、木材パルプ（針葉樹由来、広葉樹由来）、ケナフ等を挙げることができる。
またそれらから得られたセルロースエステルはそれぞれ任意の割合で混合使用することができる。これらのセルロースエステルは、セルロース原料をアシル化剤が酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）である場合には、酢酸のような有機酸やメチレンクロライド等の有機溶媒を用い、硫酸のようなプロトン性触媒を用いて定法により反応させて得ることができる。特に混酸セルロースエステルの場合には、例えば混酸エステルでは特開平１０−４５８０４号公報に記載の方法で反応して得ることができる。アシル基の置換度の測定方法はＡＳＴＭ−８１７−９６の規定に準じて測定することができる。
【０１０９】
セルロースエステルの数平均分子量（Ｍｎ）は、７０，０００〜２５０，０００が、成型した場合の機械的強度が強く、かつ、適度な粘度となり好ましく、更に好ましくは、８０，０００〜１５０，０００である。
【０１１０】
これらセルロースエステルは後述するように一般的に溶液流延製膜法と呼ばれる方法で製造（製膜）される。この方法は、無限に移送する無端の金属ベルト（例えばステンレスベルト）あるいは回転する金属ドラム（例えば鋳鉄で表面をクロムメッキしたドラム）等の流延用金属支持体（以降、単に金属支持体ということもある）上に、加圧ダイからドープ（セルロースエステル溶液のこと）を流延（キャスティング）し、金属支持体上のウェブ（ドープ膜）を金属支持体から剥離し、乾燥させて製造するものである。
【０１１１】
ドープの調製に用いる有機溶媒としては、セルロースエステルを溶解でき、かつ、適度な沸点であることが好ましく、例えばメチレンクロライド、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アミル、アセトン、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、シクロヘキサノン、ギ酸エチル、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−ヘキサフルオロ−１−プロパノール、１，３−ジフルオロ−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノール、ニトロエタン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等を挙げることができるが、メチレンクロライド、ジオキソラン誘導体、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン等を好ましい有機溶媒（即ち、良溶媒）として挙げることができる。また、後述の製膜工程に示すように、溶媒蒸発工程において金属支持体上に形成されたウェブから溶媒を乾燥させる温度は、ウェブ中の有機溶媒の発泡を防止する観点から、有機溶媒の沸点以下が好ましく、３０〜８０℃が好ましい。例えば、上記の良溶媒の沸点は、メチレンクロライド（沸点４０℃）、酢酸メチル（同５６℃）、アセトン（同５６℃）、酢酸エチル（同７６℃）等である。上記の良溶媒の中でも溶解性に優れるメチレンクロライド及び酢酸メチルが特に好ましく用いられる。ドープには、良溶媒を全有機溶媒に対して５０質量％以上含み、良溶媒の他に貧溶媒として、０．１〜３０質量％の炭素原子数１〜４のアルコールやシクロヘキサンを含有させることが好ましい。特に好ましくは１０〜３０質量％で前記アルコールを含むことが好ましい。炭素原子数１〜４のアルコールとしては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｓ−ブタノール、ｔ−ブタノール等を挙げることができ、これらのうちドープの安定性、沸点も比較的低く、乾燥性も良く、かつ毒性がないこと等からエタノールが好ましい。ドープとして、良溶媒７０〜９５質量％に対してエタノール５〜３０質量％が好ましい。これら貧溶媒を含むドープを金属支持体に流延後、金属支持体上でウェブから溶媒の蒸発が始まるとアルコール（貧溶媒）の比率が多くなるに従いウェブがゲル化し、ウェブが丈夫になるので、有機溶媒を多く含んでいても金属支持体から容易に剥離することができる。またドープ中の貧溶媒の割合が少ない場合には、セルロースエステルの溶解を促進する役割もある。
【０１１２】
ドープ調製方法としては、主たる有機溶媒の沸点を越した温度で、圧力を高くして溶解する高温溶解法、−１００〜−１０℃に冷却して溶解する冷却溶解法、更に高圧で溶解する高圧溶解法等があり、いずれも好ましく用いることができるが、作業の容易さ、設備がシンプル等の理由から高温溶解法が特に好ましい。
【０１１３】
本発明に係わるセルロースエステルフィルムは可塑剤を含有するのが好ましい。可塑剤としては特に限定はないが、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤等を挙げることができる。リン酸エステル系としては、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等；フタル酸エステル系としては、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ブチルベンジルフタレート等；トリメリット酸系可塑剤として、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリメリテート、トリエチルトリメリテート等、ピロメリット酸エステル系可塑剤として、テトラブチルピロメリテート、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピロメリテート等；グリセリンエステルとしては、トリアセチン、トリブチリン等；グリコール酸エステル系では、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等；その他のカルボン酸エステルの例としては、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステル、トリメチロールプロパントリベンゾエート等を挙げることができる。これらのうち、リン酸エステル系可塑剤やグリコール酸エステル系の可塑剤が好ましい。これらの可塑剤の使用量は、フィルム性能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して１〜２０質量％であることが好ましい。
【０１１４】
本発明に係わるセルロースエステルフィルムには、画像表示装置として屋外に置かれた場合等の劣化防止の観点から紫外線吸収剤を含有させることが好ましい。紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものを好ましく用いることができる。
例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、トリアジン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物等を挙げることができるが、これらに限定されない。
【０１１５】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、例えば、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、オクチル−３−〔３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネート、２−エチルヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネート等を挙げることができ、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９、チヌビン１７１、チヌビン３２６（チバ・スペッシャリティ・ケミカル社製）等が市販されており、好ましく用いることができる。
【０１１６】
また、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤も本発明に係わるセルロースエステルフィルムに有用なものの一つである。例えば、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニルメタン）等を挙げることができる。
【０１１７】
本発明の光学フィルムには、紫外線吸収剤として透明性が高く、偏光板や液晶の劣化を防ぐ効果に優れたベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤やベンゾフェノン系紫外線吸収剤を好ましく用いることができ、不要な着色がより少ないベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤が特に好ましい。
【０１１８】
本発明に有用な基材としてのセルロースエステルフィルムには、マット剤をセルロースエステルフィルム中に含有させることによって、搬送や巻き取りをし易くすることができる。マット剤はできるだけ微粒子のものが好ましく、微粒子としては、例えば二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、カオリン、タルク、焼成ケイ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム等の無機微粒子や架橋高分子微粒子を挙げることができる。中でも二酸化珪素がフィルムのヘイズを小さくできるので好ましい。微粒子の一次粒子または二次粒子の平均粒径は０．０５〜１．０μｍの範囲で、その含有量はセルロースエステルに対して０．００５〜０．３質量％が好ましい。二酸化珪素のような微粒子は有機物により表面処理されている場合が多いが、このようなものはフィルムのヘイズを低下できるため好ましい。表面処理で好ましい有機物としては、ハロシラン類、アルコキシシラン類、シラザン、シロキサン等があげられる。微粒子の平均粒径が大きい方が滑り性効果は大きく、反対に平均粒径の小さい方は透明性に優れるため、好ましい微粒子の一次粒子の平均粒径は５〜５０ｎｍで、より好ましくは７〜１４ｎｍである。これらの微粒子はセルロースエステルフィルム中では、セルロースエステルフィルム表面に０．０１〜１．０μｍの凹凸を生成させることが好ましい。二酸化珪素の微粒子としては日本アエロジル（株）製のアエロジル（ＡＥＲＯＳＩＬ）２００、２００Ｖ、３００、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２、ＯＸ５０、ＴＴ６００等を挙げることができ、好ましくはアエロジル２００Ｖ、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２である。これらの微粒子は２種以上併用してもよい。２種以上併用する場合、任意の割合で混合して使用することができる。この場合、平均粒径や材質の異なる微粒子、例えばアエロジル２００ＶとＲ９７２Ｖを質量比で０．１：９９．９〜９９．９〜０．１の範囲で使用できる。
【０１１９】
本発明に有用な基材としてのセルロースエステルフィルムの製膜方法は、上記ドープを、金属支持体、例えばステンレスベルト上に加圧ダイから流延してウェブを形成させ、ウェブの表面側及び金属支持体の裏面側から加熱して有機溶媒を蒸発させて乾燥する。ウェブ表面からは乾球温度３０〜８０℃、露点温度１０℃以下の程度の温風を当て、裏面側からは、同様の温風を当てても、赤外線を照射しても、あるいは主たる有機溶媒の沸点以下の温度の温水を直接当てる方法が行われる。特に裏面加熱は温水加熱が好ましい。剥離点においてステンレスベルトからウェブを剥離し、ロールで引回すロール乾燥機、あるいはウェブの両端を把持して幅保持するか横延伸したりして、ウェブを乾燥し巻き取ることによってセルロースエステルフィルムを製膜することができる。剥離する際の後述の残留溶媒量は、乾燥条件により５〜１５０質量％が望ましく、４０〜１２０質量％が好ましい。巻き取る時の残留溶媒量は、本発明においては、セルロースエステルフィルムの残留溶媒量は２質量％未満であることが好ましく、０．５質量％未満であることがより好ましく、０．１質量％未満であることが特に好ましい。セルロースエステルフィルムのような溶液流延製膜法により製膜して得られる基材は有機溶媒が全て蒸発しきれないで有機溶媒が残存することがあるが、これを残留溶媒量といい、残留溶媒量が少ないほど後のプラズマ放電処理に対する弊害が少なくて済む。残留溶媒量は下記の式で表される。
【０１２０】
残留溶媒量（質量％）＝｛（Ｍ−Ｎ）／Ｎ｝×１００
ここで、Ｍは残留溶媒量を測定する試料の質量、ＮはＭの試料を１１０℃で３時間加熱して吸湿しないように室温に戻した質量である。
【０１２１】
本発明に係わる基材としての光学特性は、面内レターデーションＲ0が０〜１０００ｎｍのもの、厚み方向のレターデーションＲtが０〜３００ｎｍのものが好ましく、または、波長分散特性のＲ0（６００）／Ｒ0（４５０）が０．７〜１．３であることが好ましく、特に１．０〜１．３であること好ましい。ここで、Ｒ0（４５０）は波長４５０ｎｍの光による３次元屈折率測定に基づいた面内レターデーション、Ｒ0（６００）は波長６００ｎｍの光による３次元屈折率測定に基づいた面内レターデーションを表す。
【０１２２】
〔基材の被覆物及び被覆層〕
本発明に係わる基材は、前述のフィルムだけで基材として用いる以外に、前述のフィルム表面にゼラチン、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂等の被覆層を塗設したもの、または前述のフィルムに直接、または上記被覆層の上に、防眩層やクリアハードコート層、バックコート層、または帯電防止層等の被覆層を設層したものを基材として用いることができる。
【０１２３】
本発明において有用な被覆層として、不飽和エチレン性モノマーを１種以上含む成分を重合させて形成した層で、活性線硬化性の組成物または熱硬化性の組成物を用いるのが好ましく、特に活性線硬化性組成物を用いるのが好ましい。ここで、活性線硬化組成物とは、不飽和エチレン性モノマーを主として含有する組成物、または不飽和エチレン性基を有する比較的分子量の大きい化合物（通常、樹脂と称する）を含有する組成物で、紫外線や電子線のような活性線照射により架橋反応等により硬化層を形成する組成物をいう。活性線硬化性組成物としては、紫外線硬化性組成物や電子線硬化性組成物等が代表的なものとして挙げることができ、紫外線や電子線以外の活性線照射によって硬化する組成物でもよい。
【０１２４】
本発明の被覆物に有用な紫外線硬化性組成物（紫外線硬化性樹脂を含）について述べる。
【０１２５】
紫外線硬化性組成物に主として含有されている樹脂成分としては、例えば、紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【０１２６】
紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（以下アクリレートにはメタクリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表示する）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させることによって、特開昭５９−１５１１１０号公報に記載されているように得ることができる。
【０１２７】
紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂は、一般にポリエステルポリオールに２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート系のモノマーを反応させることによって、特開昭５９−１５１１１２号公報に記載されているように得ることができる。
【０１２８】
紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂としては、エポキシアクリレートをオリゴマーとし、下記のごとき光重合開始剤を添加して反応させた特開平１−１０５７３８号公報に記載のものを挙げることができる。光重合開始剤としては、ベンゾイン誘導体、オキシムケトン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体等を挙げることができ、２種以上を併用したものも用いられる。
【０１２９】
また、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることができる。
【０１３０】
紫外線硬化性組成物は、光重合開始剤あるいは増感剤を含有し、紫外線により硬化される。光重合開始剤としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、α−アミロキシムエステル、チオキサントン等及びこれらの誘導体を挙げることができる。また、エポキシアクリレート系の光重合開始剤を使用する際、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等の増感剤を用いることができる。
【０１３１】
紫外線硬化性組成物には、上記樹脂成分を希釈しかつ重合し硬化に関与する成分として不飽和エチレン性基を１〜４個１分子中に有するモノマーを含有させることがある。該モノマーとしては、例えば、不飽和エチレン性基を１個有するモノマーとして、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、酢酸ビニル、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることができる。また不飽和エチレン性基を二つ以上有するモノマーとして、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジアクリレート、１，４−シクロヘキシルジメチルジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジビニルベンゼン等を挙げることができる。紫外線硬化性樹脂について多くの市販品があり、例えば、アデカオプトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−４１０、ＫＲ−５５０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、ＢＹ−３２０Ｂ（以上、旭電化工業株式会社製）；コーエイハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ−１０１−ＷＳ、Ｃ−３０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５０１、Ｍ−１０１、Ｍ−１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０２、ＮＳ−１０１、ＦＴ−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ２０、ＡＧ−１０６、Ｍ−１０１−Ｃ（以上、広栄化学工業株式会社製）；セイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、ＰＨＣ Ｘ−９（Ｋ−３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１０、ＤＰ−２０、ＤＰ−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１００、Ｐ１２００、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５００、Ｐ１６００、ＳＣＲ９００（以上、大日精化工業株式会社製）；ＫＲＭ７０３３、ＫＲＭ７０３９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０２（以上、ダイセル・ユーシービー株式会社）；ＲＣ−５０１５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−５０３１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５１２０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１７１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（以上、大日本インキ化学工業株式会社製）；オーレックスＮｏ．３４０クリヤ（中国塗料株式会社製）；サンラッドＨ−６０１（三洋化成工業株式会社製）；ＳＰ−１５０９、ＳＰ−１５０７（昭和高分子株式会社製）；ＲＣＣ−１５Ｃ（グレース・ジャパン株式会社製）；アロニックスＭ−６１００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０（以上、東亞合成株式会社製）等を挙げることができる。このような市販品の紫外線硬化性樹脂を本発明に係わる被覆物として適宜選択して利用できる。
【０１３２】
紫外線硬化性組成物を光硬化反応させて皮膜を形成するための光源としては、紫外線を発生する光源であればいずれでも使用できる。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。照射条件はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は２０〜１００００ｍＪ／ｃｍ2程度あればよく、好ましくは、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。近紫外線領域から可視光線領域にかけて光源に対しては、それらの領域に吸収極大を有する増感剤を組成物に含有させることによって使用を可能にすることができる。
【０１３３】
紫外線硬化性組成物は有機溶媒を含有して紫外線硬化性組成物塗布液としてもよく、不飽和エチレン性モノマーを希釈性モノマーとして使用する場合でも、有機溶媒を含有させるのが好ましい。
【０１３４】
紫外線硬化性組成物塗布液に使用する有機溶媒としては、例えば、シクロヘキサン等の炭化水素類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、イソアミルアルコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノイソブチルエーテル等のグリコールエーテル類等を挙げることができ、適宜選択し、あるいはこれらを混合して使用できるが、上記のプロピレングリコールモノアルキルエーテルまたはプロピレングリコールモノアルキルエーテルエステルを５質量％以上含有させることが好ましく、これらを５〜８０質量％含有する混合有機溶媒を用いることがより好ましい。
【０１３５】
紫外線硬化性組成物塗布液を基材に塗布する方法としては、グラビアコーター、スピナーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、リバースコーター、押し出しコーター、エアードクターコーター等公知の方法を用いることができる。塗布の際の液膜厚（ウェット膜厚ともいう）で０．１〜３０μｍが好ましく、より好ましくは、０．５〜１５μｍである。
【０１３６】
紫外線硬化性組成物塗布液を塗布し、乾燥した後、もしくは生乾きの状態で、紫外線光源を上記のエネルギー値程度に照射し硬化反応を行わせる。この時の照射時間は、基材の移送速度、塗布液の組成、塗布厚さ等によって異なるが、概して０．５秒〜５分程度で照射及び硬化が完結することが好ましく、３秒〜２分がより好ましい。
【０１３７】
硬化した被覆層のブロッキング防止やすり傷防止等のためあるいは防眩層とするために、無機あるいは有機の微粒子を加えることが好ましい。例えば、無機微粒子としては酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン、硫酸カルシウム等を挙げることができ、また有機微粒子としては、ポリメタアクリル酸メチルアクリレート樹脂粉末、アクリルスチレン系樹脂粉末、ポリメチルメタクリレート樹脂粉末、シリコン系樹脂粉末、ポリスチレン系樹脂粉末、ポリカーボネート樹脂粉末、ベンゾグアナミン系樹脂粉末、メラミン系樹脂粉末、ポリオレフィン系樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂粉末、ポリイミド系樹脂粉末、あるいはポリ弗化エチレン系樹脂粉末等を挙げることができ、これらを紫外線硬化性組成物に加えることができる。これらの微粒子粉末の平均粒径は、０．００５〜３μｍが好ましく用いられ、異なる粒径の微粒子を用いることが好ましい。紫外線硬化性樹脂と微粒子粉末との割合は、樹脂１００質量部に対して、微粒子粉末を０．１〜１０質量部となるように配合することが望ましい。このようにして形成された紫外線硬化性被覆層の表面粗さは、目的や種類に応じて異なるが、中心線平均粗さＲａとして、Ｒａがクリアーハードコート層なら１〜５０ｎｍ、防眩層なら０．１〜１μｍ程度が好ましい。このようにして得られた樹脂層表面に、本発明の方法で均一に薄膜を形成することができる。
【０１３８】
〔薄膜、積層体及び光学フィルム〕
本発明において、薄膜の形成は、図５に示したような装置を用いて、対向電極の間隙の放電部で、基材を大気圧もしくはその近傍の圧力下で上記反応ガスによりプラズマ放電処理することによって行われる。本発明における大気圧もしくはその近傍の圧力下でのプラズマ放電処理は、基材の幅が、例えば２０００ｍｍもの非常に幅広いものを行うことができる。
【０１３９】
本発明は、図３または４に示したように、多層の薄膜を連続的に設けることができる。例えば、プラズマ放電処理して反射防止層を有する光学フィルムを製造する場合、基材表面に連続して、チタンアルコキシドで屈折率が１．６〜２．３の高屈折率層の薄膜を、この上にシランアルコキシドまたは有機フッ素化合物を用いて屈折率が１．３〜１．５の低屈折率層の薄膜を効率的に形成させることができる。このような、本発明の方法で多層の薄膜を連続して積層させることにより薄膜各層の間の密着性に優れた積層体を形成させることができる。
【０１４０】
本発明の光学フィルムの積層構成を下記に例示する。ここで、隣接する各層を／を挟んで表示したものであり、左側（基材のおもて面）から順に右側（基材の裏面）へと積層構成を示している。
【０１４１】
Ａ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／ハードコー
ト層／基材
Ｂ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／ハードコー
ト層／帯電防止層／基材／粘着層
Ｃ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層／ハードコート層／帯電防
止層／基材
Ｄ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／ハードコー
ト層／基材／導電性層／粘着層
Ｅ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層／ハードコート層／基材／
帯電防止層／バックコート層／粘着層
Ｆ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／導電性中屈折率層／ハードコート層／
基材／バックコート層／粘着層
Ｇ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層
／ハードコート層／基材／導電性層／粘着層
Ｈ：防汚層／低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層／帯電防止剤含有ハードコ
ート層／基材
Ｉ：防汚層兼低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／ハードコー
ト層／基材／導電性層／バックコート層
ここで、ハードコート層はクリアハードコート層または防眩層を指している。
【０１４２】
上記のように、機能層の塗設及び本発明のプラズマ放電処理によりさまざまな組み合わせの積層体を形成することができる。図３または４に示したような連続的にプラズマ放電処理をすることにより、上記のような所望の光学フィルムを精度よく得ることが、本発明の特徴である。
【０１４３】
上記防汚層としては、既にプラズマ放電処理した低屈折率層の表面に、有機フッ素樹脂を０．１〜２０ｎｍの膜厚で塗設した層であっても、また有機フッ素化合物を含む反応ガスで本発明のプラズマ放電処理した層であってもよく、表面を有機フッ素化合物で被覆したものを好ましく用いることができる。実際的には連続的に低屈折率層形成後に防汚層をプラズマ放電処理することにより形成するのが好ましい。
【０１４４】
上記低屈折率層としては、有機フッ素化合物を含む反応ガスで本発明のプラズマ放電処理して得られた有機フッ素化合物層あるいはアルコキシシラン等の有機珪素化合物を用いて形成された、主に酸化珪素を有する層が好ましく、高屈折率層としては有機金属化合物を含むガスを大気圧プラズマ放電処理して得られた金属酸化物、例えば酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化タンタル等を有する層である。それぞれの薄膜はこれだけに限定されるものではなく、層構成もこれらに限定されるものではない。
【０１４５】
上記中屈折率層としては、低屈折率層用反応性ガスと高屈折率層用反応性ガスを適宜混合して屈折率を調整したものでもよく、あるいは例えば重合性基を有する有機化合物を混合したものでもよい。
【０１４６】
図３のように一対の対向電極の放電部に供給する反応ガスを低屈折率層用の成分とし、次の一対の対向電極の放電部では高屈折率層用の成分を供給するというように交互にすることにより、また、図４のようにそれぞれの独立した処理部に、それぞれの成分の反応ガスを交互に供給することにより、高屈折率層と低屈折率層を交互に有する均一の膜厚の積層体を形成できることが本発明の特徴であり、このような連続積層体の形成方法は特に好ましい方法である。
【０１４７】
膜厚は放電条件や反応ガス濃度、基材の搬送速度によって適宜調整することができる。
【０１４８】
本発明のプラズマ放電処理により、基材上に形成した薄膜は片面のみにあるが、巻き取り後、その反対側をプラズマ放電処理するために装置内に通してもよい。必要であれば、一度放電処理された基材をＵターンさせる際に表裏を反転させて放電部に戻すことにより両面を処理することもできる。帯電防止層を金属酸化物で形成する場合に、帯電防止層または導電性層は、金属酸化物微粒子や架橋カチオンポリマー粒子等の塗布液を膜厚０．１〜２μｍ程度の層に基材に塗布して形成することができるが、本発明のプラズマ放電処理によっても薄膜の導電性層を形成することができる。例えば、酸化スズ、酸化インジウムあるいは酸化亜鉛等の金属酸化物の導電性層を形成してもよい。また、特願２０００−２７３０６６記載の易接着加工、特願２０００−８００４３記載の帯電防止加工等も本発明のプラズマ放電処理を用いて実施することができる。
【０１４９】
本発明のプラズマ放電処理方法による薄膜形成条件は前述プラズマ放電処理装置のところで述べたが、更に、処理するためのその他の条件等について述べる。
【０１５０】
本発明の薄膜を形成する際、あらかじめ基材を５０〜１２０℃に熱処理してからプラズマ放電処理することにより均一な薄膜を形成し易く、予め加熱するのは好ましい方法である。熱処理することにより、吸湿していた基材を乾燥させることができ、低湿度に維持したままプラズマ放電処理することが好ましい。６０％ＲＨ未満、より好ましくは４０％ＲＨで調湿した基材を吸湿させることなくプラズマ放電処理することが好ましい。含水率は３％以下であることが好ましく、２％以下であることがより好ましく、１％以下であることが更に好ましい。
【０１５１】
また、プラズマ放電処理後の基材を５０〜１３０℃の熱処理ゾーンで１〜３０分熱処理することにより薄膜を安定化させることができ、有効な手段である。
【０１５２】
更に、本発明の多段のプラズマ放電処理により積層体を作製する際、それぞれのプラズマ放電処理前後に処理面に紫外線を照射してもよく、形成した薄膜の基材への密着性（接着性）や安定性を改善することができる。紫外線照射光量としては５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2であることが好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ2未満では効果が十分ではなく、２０００ｍＪ／ｃｍ2を越えると基材の変形等が生じる恐れがある。
【０１５３】
本発明で形成される薄膜の膜厚としては、１〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１５４】
本発明のプラズマ放電処理により形成する薄膜の平均膜厚に対する膜厚偏差は小さく、均一な薄膜を形成することができ、優れた薄膜形成方法である。薄膜の膜厚偏差は±１０％のものを容易に得ることができ、好ましくは±５％以内、特に±１％以内の均一な薄膜を得ることができる。
【０１５５】
表面のＲａが０．１〜０．５μｍ程度凹凸表面を有する防眩層の上に、プラズマ放電処理により均一な膜厚の薄膜を形成することもできる。例えば、その薄膜が低屈折率層あるいは高屈折率層等の場合、光学干渉層として設けることができる。
【０１５６】
本発明の光学フィルムは本発明のプラズマ放電処理により形成する薄膜及びその積層体により構成される。
【０１５７】
本発明の光学フィルムとしては、反射防止フィルム、防眩性反射防止フィルム、電磁波遮蔽フィルム、導電性フィルム、帯電防止フィルム、位相差フィルム、光学補償フィルム、視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等があるが、これらに限定されない。
【０１５８】
〔偏光板〕
本発明の方法で作製した光学フィルムは、特に偏光板保護フィルムとして有用であり、公知の方法で偏光板を作製することができる。これらの光学フィルムは薄膜の均一性が高いため、各種表示装置に好ましく用いられ、優れた表示性能を得ることができる。
【０１５９】
偏光板は、例えばポリビニルアルコールフィルムにヨウ素や二色性色素を含有させ、縦方向に延伸した偏光子を保護フィルムで両側をサンドイッチしたような構成を有している。本発明の偏光板は、本発明のプラズマ放電処理により作製した積層体の光学フィルムを偏光板保護フィルムとして用いることにより、より均一な薄膜を有する積層体の光学フィルムを低コストで生産性よく提供することができる。
【０１６０】
〔画像表示装置〕
本発明の画像表示装置は特に限定されないが、例えば液晶ディスプレイ装置、有機ＥＬディスプレイ装置、無機ＥＬディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置等の各種ディスプレイ装置を挙げることができる。本発明の光学フィルムは均一な薄膜が形成されているため、これらの表示装置に用いた場合、ムラのない高い表示品質の表示装置を低コストで提供することができる。
【０１６１】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【０１６２】
〔評価方法〕
〈反射率の測定１（膜厚と偏差）〉
試料の分光反射率を分光光度計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、５度正反射の条件で反射率の測定を行った。測定では、試料の観察面の裏面を、目の細かいサンドペーパーを用いて粗面化処理した後、黒色のスプレーを吹きつけ光吸収処理を行い、試料裏面での光の反射を防止した。観察面について、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長での反射率の測定を行った。得られる反射スペクトルデータより、薄膜層の膜厚を算出する。セルロースエステルフィルムの製膜時の幅手方向及び長手方向についてそれぞれ１０ｃｍ間隔で１０点を測定して膜厚のバラツキをｎｍ単位で表す。
【０１６３】
〈反射率の測定２（反射率が０．５％以下となった点の数）〉
上記観察面の裏面を光反射を防止したのち、観察面について同様に反射スペクトルを測定しスペクトルデータから、幅手方向に１０点測定を行い、４５０〜６５０ｎｍの範囲で反射率が０．５％以下となった点の数をカウントした。
【０１６４】
〈目視ムラの評価〉
幅手方向全幅×長手方向５０ｃｍの試料を裏面に黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、表面から蛍光灯の反射を観察して反射光のムラについて評価した。
【０１６５】
◎：ムラが全く認められない
○：わずかにムラが認められる
△：ムラが認められる
×：明らかにムラが認められる。
【０１６６】
〈目視評価（偏光板のムラ、液晶表示パネルのムラ）〉
偏光板及び液晶表示パネルについて、黒表示の画面とし表面から蛍光灯をあてて観察して反射光のムラについて評価した。基準は上記と同様である。
【０１６７】
〈色ムラの評価〉
作製したサンプルを目視で評価した。評価基準は下記とし５段階で評価し、Ａが最もよい。
【０１６８】
Ａ 反射光の色調変化がほとんど認められない
Ｂ 部分的に反射光の色調変化がわずかに認められる
Ｃ 部分的に反射光の色調変化が認められる
Ｄ 全体的に反射光の色調変化が認められる
Ｅ 全体的に反射光の大きな色調変化が認められる
〈耐擦り傷性〉
１ｃｍ2当たり１００ｇの重りを載せた＃００００のスチールウールを用い、試料表面を１０回擦って、発生する傷を目視でカウントする。
【０１６９】
評価基準
Ａ ５本未満
Ｂ ５〜１０本未満
Ｃ １０〜２０本未満
Ｄ ２０本以上
実施例１
ハードコート層付トリアセチルセルロースフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＦ−Ｈ、コニカ社製）のハードコート層面に、図５に示したような装置を用いて放電部における圧力を１００ｋＰａとして下記組成の反応ガスを用いプラズマ放電処理を行った。図５の予備室の圧力を処理室より０．３Ｐａ低くして、何れにもアルゴンガスを導入して満たし、放電部には反応ガス供給部から反応ガスを供給し、排出口から処理後のガスを排気した。予備室の圧力は外界に対して０．３Ｐａ高くした。対向電極のロール電極は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケットロール母材（冷却機能は図５には図示していない）でできており、ロールの外周にはセラミック溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆し、その後テトラメトキシシランの有機溶媒溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させて封孔処理を行った固体誘電体を有するものである。ロール電極の一方をアースに接地した。ロール電極の間隙を１．５ｍｍとし、放電プラズマ発生に用いる使用電源１には春日電機製の高周波電源で１５ｋＨｚに設定し、出力密度を１Ｗ／ｃｍ2、使用電源２にはパール工業社製の高周波電源で８００ｋＨｚに設定し、出力密度を３Ｗ／ｃｍ2としてプラズマ放電処理を行い、ハードコート層面に膜厚約１００ｎｍとなるように酸化珪素層を形成し、光学フィルム１を作製した。なお、ロール電極はラインドライブモータと同期させて回転させた。
【０１７０】
反応ガスとして下記のものを用いた。
希ガス
アルゴン ９８．２％
反応性ガス
テトラエトキシシラン ０．３％
水素 １．５％
次ぎに、使用電源１にはハイデン研究所製のインパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）で１００ｋＨｚに設定し、出力密度を１Ｗ／ｃｍ2、使用電源２にはパール工業社製の高周波電源で１３．５６ＭＨｚに設定し、出力密度を３Ｗ／ｃｍ2として、光学フィルム１と同様にしてプラズマ放電処理を行い、ハードコート層面に膜厚約１００ｎｍとなるように酸化珪素層を形成し、光学フィルム２を作製した。
【０１７１】
比較例１
図８のプラズマ放電処理を使用し、一方向に基材のハードコート層付トリアセチルセルロースフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＦ−Ｈ、コニカ社製）を移送させ、使用電源にはパール工業社製の高周波電源で１３．５６ＭＨｚに設定し、出力密度を３Ｗ／ｃｍ2とした以外は実施例１と同様に行い、連続的に基材のハードコート層面に、膜厚約１００ｎｍとなるように薄膜を形成し、光学フィルム３を作製した。実施例１と比較して膜厚形成速度が遅かったため、約半分の速度で基材を搬送して処理しなければならなかった。
【０１７２】
図８はロール電極を用い一方向に通過する基材を処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。図８において、一対の対向ロール電極１０Ｓ及び１０Ｔを有し、これらのロール電極１０Ｓ及び１０Ｔには放電のための電圧を印加できる高周波電源８０Ｓが電圧供給手段８１Ｓと８２Ｓを介して接続されている。ロール電極１０Ｓ及び１０Ｔは基材ＦＴ及びＦＳをそれぞれ別々に巻き回しながら回転することができる回転電極である。放電部１００Ｓには大気圧もしくはその近傍の圧力下に維持され、反応ガス供給部３０Ｓから反応ガスＧが供給され放電部１００Ｓにおいてプラズマ放電が行われる。前工程または元巻きから供給される基材ＦＳはガイドロール２０Ｓによりロール電極１０Ｓに密着され、同期して回転移送され、放電部１００Ｓで大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスによりプラズマ放電処理が施される。もう一方の電極１０Ｔにおいても、同様に基材ＦＴも処理される。図８には基材の折り返しはなく、ロール電極１０Ｓ及び１０Ｔを別々の基材ＦＳとＦＴを移送し、基材ＦＳとＦＴはそれぞれが同じ放電部において同時に処理される。２１Ｓと２１Ｔは送り出す側のガイドロールである。処理後の反応ガスは排出口４０Ｓから排出される。比較例１はこのように、一方通過の基材を処理するものである。図示してないが図５のような処理室と予備室を有している。
【０１７３】
得られた光学フィルム１〜３について、前記評価方法に示した、幅手方向及び長手方向の薄膜の反射率から膜厚及びその偏差を測定し、目視ムラを目視で評価し、その結果を表１に示した。
【０１７４】
【表１】
本発明の方法による光学フィルム１、２は、比較の方法による光学フィルム３と比べて約２倍の速度で処理することができた。これに対して、光学フィルム３は処理ムラがあり、反射率による目視ムラも大きく本発明に対して何れも劣っていた。
【０１７６】
実施例２
基材としてハードコート層付トリアセチルセルロースフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＦ−Ｈ、コニカ社製）を用い、図５のプラズマ放電処理装置を５個直列につないだ図４に示したような連続積層プラズマ放電処理装置を用いて、表面に複数の薄膜を形成した積層体の光学フィルムを下記のようにして作製した。基材のハードコート層面をロール電極の放電部側にして下記条件で、１００ｋＰａの圧力下で順に、低屈折率層用反応ガス、高屈折率層形成用反応ガス、低屈折率層形成用反応ガス、高屈折率層形成用反応ガス及び低屈折率層用反応ガスを用いてプラズマ放電処理を、基材／高屈折率層１（膜厚１５ｎｍ）／低屈折率層１（膜厚３３ｎｍ）／高屈折率層２（膜厚１１９ｎｍ）／低屈折率層２（膜厚８６ｎｍ）になるように連続的に行った。なお、低屈折率層、高屈折率層のそれぞれの膜厚が上記のようになるように放電条件、放電部をそれぞれ調節して行った。高屈折率層形成用反応ガス及び低屈折率層形成用反応ガスはそれぞれの回数共同じ組成のものを使用した。対向ロール電極、高周波数電源、周波数及び放電密度の条件は実施例１の光学フィルム２と基本的に同様にした。使用した高屈折率層形成用反応ガス組成物は屈折率が２．１０となるように、また低屈折率層用反応ガス組成物は屈折率が１．４６となるように配合されている。上記のようにプラズマ放電処理し、光学フィルム４を作製した。
【０１７７】
（高屈折率層形成用反応ガス組成）
窒素ガス ９８．８体積％
反応性ガス１：テトラエトキシシラン蒸気
（１５０℃に加熱した液体に窒素ガスをバブリング） ０．２体積％
反応性ガス２：水素ガス １体積％
（低屈折率層形成用反応ガス組成）
窒素ガス ９８．２体積％
反応性ガス１：テトラエトキシシラン蒸気
（加熱した液体に窒素ガスをバブリング） ０．３体積％
反応性ガス２：水素ガス １．５体積％
比較例２
図８に示した装置が連続的に５個直列した装置（図５のような処理室と予備室を有している）を用いた以外は実施例２と同様にして、基材の上に積層体を形成し、光学フィルム５を作製した。
【０１７８】
上記で得られた積層体の光学フィルム４、５について、前記評価方法の反射率の測定１、目視評価（ムラ）、色ムラの評価及び耐擦り傷性の評価を行い、その結果を表２に示した。
【０１７９】
【表２】
表２から、本発明の方法で製造された薄膜を有する積層体は、目的の膜厚の薄膜が均一に形成できるため反射率が極めて低く、本発明の光学フィルム４は４５０〜６５０ｎｍの波長領域において、反射率０．５％以下で、しかもほとんど平らで波長によるムラが認められなかった。また目視によるムラも全くなく、色ムラ、耐擦り傷性も良好であった。これに対して、比較例の光学フィルム５は４５０〜６５０ｎｍの範囲内で反射率が０．５％以上を示す測定点があり、ムラが目立った。目視においてもムラが観察され、色ムラ、耐擦り傷性も本発明の光学フィルム４より劣った。また、プラズマ放電処理速度も本発明に対して約１／２に遅くしても、薄膜の膜厚が目標になかなか到達できなかった。
【０１８１】
実施例３及び比較例３
実施例２及び比較例２で作製した積層体の光学フィルム４、５を偏光板保護フィルムとして用いて、以下に述べる方法に従って偏光板４、５を作製し、評価を行った。
【０１８２】
〈偏光膜の作製〉
厚さ１２０μｍのポリビニルアルコールフィルムを、温度１１０℃で縦方向に倍率５倍に一軸延伸した。これをヨウ素０．０７５質量部、ヨウ化カリウム５質量部、水１００質量部からなる水溶液に６０秒間浸漬し、次いでヨウ化カリウム６質量部、ホウ酸７．５質量部、水１００質量部からなる６８℃の水溶液に浸漬した。これを水洗、乾燥し偏光膜を得た。
【０１８３】
〈偏光板の作製〉
次いで、下記工程１〜５に従って、偏光膜と各偏光板用保護フィルムとを貼り合わせて偏光板を作製した。
【０１８４】
工程１：実施例２及び比較例２で作製した光学フィルム４、５をそれぞれ長手方向３０ｃｍ及び巾手方向１８ｃｍの大きさに各２枚切り出し、２ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム溶液に６０℃で９０秒間浸漬し、次いで水洗、乾燥させた。低屈折率層の面には、再剥離性の保護フィルムを張り付けて処理を行った。
【０１８５】
工程２：上記偏光膜を長手方向３０ｃｍ、幅手方向１８ｃｍの大きさに光学フィルムの数だけ切りだし、完全鹸化ポリビニルアルコール２質量％含有する水性接着剤槽中に１〜２秒間それぞれの偏光膜を浸漬した。
【０１８６】
工程３：工程２で偏光膜に付着した過剰の接着剤を軽く取り除き、それを工程１で処理したそれぞれの光学フィルムのＡ面側に貼り合わせ、更に偏光膜のもう一方の面に工程１と同様にして鹸化処理したセルロースエステルフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＸＭＷ（コニカ製））を接着剤と接する様に貼り合わせ偏光膜をサンドイッチ型に積層体とした。
【０１８７】
工程４：上記積層体中の過剰の接着剤と気泡を取り除くために、ハンドローラで２０〜３０Ｎ／ｃｍ2の圧力で、ローラスピードは約２ｍ／分で工程３で積層押しかつ絞り出し圧着して貼り合わせた。
【０１８８】
工程５：工程４で圧着した積層体を８０℃の乾燥機中で２分間乾燥処理し、偏光板４、５を作製した。
【０１８９】
〈液晶表示パネル（液晶表示装置）〉
市販のＮＥＣ製カラー液晶ディスプレイ、ＭｕｌｔｉＳｙｎｃ ＬＣＤ１５２５Ｊ、型名ＬＡ−１５２９ＨＭの液晶画像表示パネルの最表面の偏光板を注意深く剥離し、ここに偏光方向を合わせて上記偏光板４、５を張り付け液晶表示パネル４、５を作製した。
【０１９０】
上記で得られた偏光板及び液晶表示パネルについて、前記評価方法の目視でムラの評価を行い、前述のムラの評価の基準で同様に評価し、その結果を表３に示した。
【０１９１】
【表３】
本発明の偏光板及び偏光板を用いた液晶表示パネルは、ムラ、特に干渉模様のような色の付いたムラがなく優れた偏光板及び液晶表示パネルを得、品質の高いものとして提供できることが分かった。これに対して、比較例の偏光板及び液晶表示パネルはムラが多く、特に色の付いたムラが表示性能を劣化させ、実用として提供できるものではなかった。
【０１９３】
【発明の効果】
本発明により、真空装置を必要とせず、高温での処理も行わず、また窒素のような安価かつ安全な反応ガスを用いても、広幅の基材を高速でかつ連続処理ができ、高生産性を有する薄膜を形成する装置、膜厚が均一な薄膜を得ることができ、かつ連続的に均一薄膜の多層積層体を形成する方法、かかる方法で形成した薄膜積層体の光学フィルム、この光学フィルムを使用し優れた偏光板及び画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ロール電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図２】ベルト電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図３】複数のロール電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図４】基材を往復させて処理するロール電極対を連続的につなげて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図５】外界と遮断する処理室とその出入口の両側に予備室を有するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図６】基材を往復させて処理するロール電極対を連続的につなげて処理するプラズマ放電処理装置の別の１態様を模式的に示した図である。
【図７】ロール電極を用い一方向に通過する基材を処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【図８】平板電極を用いて基材を往復させて処理するプラズマ放電処理装置を模式的に示した図である。
【符号の説明】
Ｆ、ＦＳ、ＳＴ 基材
Ｇ 反応ガス
Ｇ′ 処理後のガス
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ ロール電極
Ａ１〜Ａ５，Ｂ１〜Ｂ５ ロール電極
１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇ、１１Ｈ、１１Ｉ
折り返しロール（Ｕターンロール）
１３Ａ、１３Ｂ ベルト電極
１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆ サポートロール
２０、２０Ｅ、２０Ｇ、２１、２２、２３ ガイドロール
３０、３０Ｃ、３０Ｅ、３０Ｇ 反応ガス供給部
３１ ガス導入口
４０、４０Ｃ、４０Ｅ、４０Ｇ 排出口
６０Ａ、６０Ｂ 予備室
６５、６６ ニップロール
７０ 処理室
７１ 処理室容器
８０１、８０１Ｃ、８０１Ｅ、８０１Ｇ 第１電源
８０２、８０２Ｃ、８０２Ｅ、８０２Ｇ 第２電源
８１１、８１２、８２１、８２２ 電圧供給手段
８３１ 第１フィルター
８３２ 第２フィルター
１００、１００Ｓ、１０１ 放電部
Claims (27)
- 連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、少なくとも第１の電極と第２の電極を有する一対の対向電極と、該対向電極の間に形成される放電部を有し、該放電部において該対向電極の一方の電極に近い側を通過しながら処理された該基材が、折り返し移送手段により再び該対向電極のもう一方の電極に近い側を通過しながら該放電部に搬送され、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該第１の電極と第２の電極にそれぞれ周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
- 連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、複数対の対向電極と該対向電極の間に形成される複数の放電部を有し、該放電部においてそれぞれの一方の電極に接しながらそれぞれの該放電部を通過し処理された該基材を再び該対向電極のそれぞれのもう一方の電極に接しながらそれぞれの該放電部に移送し処理するための折り返し移送手段を有し、それぞれの該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該対向電極間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
- 連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、一対の対向電極と該対向電極の間に形成される放電部を有し、該放電部において該対向電極の一方の電極に接しながら該放電部を通過し処理された該基材を再び該対向電極のもう一方の電極に接しながら該放電部に移送し処理するための折り返し移送手段を有し、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該対向電極間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有する放電部を、連続して複数有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
- 対向電極が回転するロール電極であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
- 連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、少なくとも一つの回転するロール電極とこれに対向する複数の回転するロール電極との間に形成される複数の放電部を有し、該放電部において、該対向するロール電極の一方に接しながら該放電部を通過し処理された該基材が、再び該対向するロール電極のもう一方に接しながら該放電部を通過し処理することが可能な移送手段を有し、該放電部において往復して通過する該基材の間に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給する手段を有し、かつ該対向するロール電極間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによってプラズマ放電を発生させる手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
- 対向電極の表面が固体誘電体で被覆されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
- 対向電極間の間隙が０．５〜２０ｍｍであることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
- 高周波電圧の周波数ω1が２００ｋＨｚ以下であり、高周波電圧の周波数ω2が８００ｋＨｚ以上であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
- 一対の対向電極、該対向電極の間で形成される放電部、折り返し手段、反応ガス供給手段及び排ガスを排出する手段を一つの処理室内に有することを特徴とする請求項１、３〜８の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
- 複数の対向電極とそれらの間で形成される複数の放電部、一つの折り返し手段、複数の反応ガス供給手段及び複数の排ガスを排出する手段を一つの処理室内に有することを特徴とする請求項２、４〜８の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置。
- 処理室の基材の入口及び出口のそれぞれに予備室を隣接して有することを特徴とする請求項５、９または１０に記載のプラズマ放電処理装置。
- 周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによって形成されたプラズマ放電部を往復して連続移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理方法。
- 請求項１〜１１の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置を用いて、往復して連続移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理方法。
- 請求項２〜１１の何れか１項に記載のプラズマ放電処理装置を用いて、往復して連続移送する基材の表面に大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスにより処理することを特徴とするプラズマ放電処理方法。
- 反応ガスが５０〜９９．９９体積％の窒素と０．０１〜１０体積％の反応性ガスを有することを特徴とする請求項１２〜１４の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法。
- 反応性ガスがガス状の有機金属化合物またはガス状の有機フッ素化合物を含有することを特徴とする請求項１２〜１５の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法。
- 請求項１２、１５または１６に記載のプラズマ放電処理方法を用いて、基材表面に形成することを特徴とする薄膜。
- 請求項１２〜１６の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法を用いて、基材表面に複数層を形成することを特徴とする薄膜積層体。
- 請求項１７に記載の薄膜を有することを特徴とする光学フィルム。
- 請求項１８に記載の薄膜積層体を有することを特徴とする光学フィルム。
- 請求項１９または２０に記載の光学フィルムを有することを特徴とする偏光板。
- 請求項１９または２０に記載の光学フィルムを有することを特徴とする画像表示装置。
- 請求項２１に記載の偏光板を有することを特徴とする画像表示装置。
- 連続的に移送する基材の表面を大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電処理方法であって、少なくとも一対の対向電極の間に周波数ω1の高周波電圧成分と周波数ω2の高周波電圧成分を印加することによって形成された放電部を有し、該放電部において、一方の電極に接しながら該放電部を通過する該基材上に大気圧またはその近傍の圧力の反応ガスを供給し、かつ該対向電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させ、基材表面にプラズマ放電処理を行った後、直ちにまたは他の放電部を通過した後、折り返し移送手段によって折り返され、もう一方の対向電極に接しながら該放電部に再び移送され通過する基材に、該放電部において更にプラズマ放電処理を行うことを特徴とするプラズマ放電処理方法。
- 少なくとも１つの対向電極に対して、これと対となる２つ以上の対向電極が配置され、これらの該対向電極間にプラズマ放電可能な電圧が印加されて複数の放電部を形成し、各々の該放電部において、電極に接しながら搬送される基材表面にプラズマ放電処理を行うことを特徴とする請求項２４に記載のプラズマ放電処理方法。
- 複数対からなる対向電極群を有し、一方の対向電極群のうちの１つと、これと対となる対向電極群の複数の対向電極とが複数の放電部を形成するように隣接して配置され、各々の該放電部において、一方の該対向電極に接して搬送され、プラズマ放電処理された基材が折り返し移送手段によって折り返され、再度もう一方の該対向電極に接して搬送され、該基材表面に再びプラズマ放電処理を行うことを特徴とする請求項２４に記載のプラズマ放電処理方法。
- 周波数ω1＜周波数ω2であり、周波数ω1の高周波電圧をＶ1、周波数ω2の高周波電圧をＶ2とするとき、Ｖ2＜Ｖ1であることを特徴とする請求項２４〜２６の何れか１項に記載のプラズマ放電処理方法。
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| JP2009035724A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-02-19 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
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| JP2011232569A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
| JP2016056390A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 積水化学工業株式会社 | フィルム表面処理方法及び装置 |
| CN111672507A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-18 | 常熟理工学院 | 一种膨胀珍珠岩加载纳米金颗粒催化剂的制备方法及应用 |
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Cited By (13)
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|---|---|---|---|---|
| JP5206411B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2013-06-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜形成装置、及び、薄膜形成方法 |
| WO2008029622A1 (fr) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Appareil de formation de films minces et procédé de formation de films minces |
| JP2009035724A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-02-19 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| EP2243859A4 (en) * | 2008-02-19 | 2013-09-25 | Konica Minolta Holdings Inc | METHOD FOR FORMING A THIN FILM AND THIN FILM STACK |
| EP2243859A1 (en) * | 2008-02-19 | 2010-10-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin film forming method and thin film stack |
| WO2009104443A1 (ja) | 2008-02-19 | 2009-08-27 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜形成方法及び薄膜積層体 |
| WO2011111558A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 積水化学工業株式会社 | フィルム表面処理装置 |
| CN102791777A (zh) * | 2010-03-09 | 2012-11-21 | 积水化学工业株式会社 | 膜表面处理装置 |
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| JP2011232569A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
| JP2016056390A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 積水化学工業株式会社 | フィルム表面処理方法及び装置 |
| CN111672507A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-18 | 常熟理工学院 | 一种膨胀珍珠岩加载纳米金颗粒催化剂的制备方法及应用 |
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