JP2004140355A - 画素構造及びその製造方法(関連出願のクロスリファレンス) - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板200上にゲート202aを形成し、次にゲートを覆う絶縁層204を形成する。ゲート上にある絶縁層上にチャンネル層206を形成する。このチャンネル層上にソース/ドレイン端子対208a,208bを形成して、これにより、基板上に薄膜フィルムトランジスタを作製する。基板上の薄膜フィルムトランジスタを覆うパシベーション層210を形成する。裏面露光プロセスを実行して、このパシベーション層上に、前記ゲート、ソース/ドレイン端子をマスクとして用いて、フォトレジスト層212をパターン化する。このパターン化したフォトレジスト層をエッチング・マスクとして、前記パシベーション層及び絶縁層をエッチングして、前記ドレイン端子208aの側壁を露出させる。前記パシベーション層上に画素電極を形成して、この画素電極と前記ドレイン端子とを、前記ドレイン端子の側壁を通して電気的に接続させる。
【選択図】図3F
Description
102 ゲート
104 絶縁層
106 チャンネル層
108a ドレイン端子
108b ソース端子
110 パシベーション層
112 開口部
114 画素電極
200 基板
202 走査線
202a ゲート
202b 金属パッド
204 絶縁層
204a パターン化した絶縁層
206 チャンネル層
208 データ線
208a ドレイン端子
208b ソース端子
208c 導電層
210 パシベーション層
210a パターン化したパシベーション層
211 薄膜フィルムトランジスタ
212 フォトレジスト層
212a パターン化したフォトレジスト層
216 画素電極
300 基板
302 走査線
302a ゲート
302b 金属パッド
304 絶縁層
304a パターン化した絶縁層
305 チャンネル材料層
306 チャンネル層
306a チャンネル材料層
307 金属層
308 データ線
308a ドレイン端子
308b ソース端子
308c 導電層
308d 金属パッド
308e ソース/ドレイン金属層
309 フォトレジスト層
309a パターン化したフォトレジスト層
310 パシベーション層
310a パターン化したパシベーション層
311 薄膜フィルムトランジスタ
312 フォトレジスト層
312a パターン化したフォトレジスト層
316 画素電極
320 開口部
Claims (24)
- 画素構造を形成する方法であって、この方法が、
基板上に、ゲート、及び該ゲートとの接続を有する走査線を形成するステップと;
前記基板上に、前記ゲート及び前記走査線を覆う絶縁層を形成するステップと;
前記ゲート上にある前記絶縁層上にチャンネル層を形成するステップと;
前記チャンネル層上にソース/ドレイン端子を形成して、前記絶縁層上に、前記ソース/ドレイン端子の一方との接続を有するデータ線を形成するステップとを具えて、前記ゲート、前記チャンネル層、及び前記ソース/ドレイン端子がまとまって薄膜フィルムトランジスタを構成し;
前記方法がさらに、
前記基板上に、前記薄膜フィルムトランジスタを覆うパシベーション層を形成するステップと;
前記パシベーション層上にフォトレジスト層を形成するステップと;
前記ソース/ドレイン端子、前記走査線、及び前記データ線をマスクとして用いて、裏面露光プロセスを実行して、前記フォトレジスト層を化学的に現像して、パターン化したフォトレジスト層を形成するステップと;
前記パターン化したフォトレジスト層をエッチング・マスクとして用いて、前記パシベーション層及び前記絶縁層をエッチングして、前記ソース/ドレイン端子の側壁を露出させるステップと;
前記パターン化したフォトレジスト層を除去するステップと;
前記パシベーション層上に画素電極を形成するステップとを具えて、前記画素電極と前記ドレイン端子とを、前記ドレイン端子の側壁を通して電気的に接続することを特徴とする画素構造の製造方法。 - 前記画素電極を形成するステップの前に、さらに、前記パシベーション層内の前記ドレイン端子を露出させる開口部を形成して、これにより、前記画素電極と前記ドレイン端子とを、前記開口部内の導電材料並びに前記ドレイン端子の側壁を通して電気的に接続することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ソース/ドレイン端子を形成するステップがさらに、前記走査線に隣接する他の走査線上に導電層を形成するステップを具えて、前記導電層、前記隣接する走査線、及び前記導電層と前記隣接する走査線との間にある前記絶縁層がまとまって、画素蓄積トランジスタを形成することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記画素電極と前記導電層の側壁とを電気的に接続することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記データ線を前記基板の端まで伸ばして、パターン化した金属パッドに接続して、これにより、前記画素電極と前記金属パッドの側壁とを電気的に接続することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記走査線を前記基板の端まで伸ばして、パターン化した金属パッドに接続して、これにより、前記画素電極と前記金属パッドの側壁とを電気的に接続することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記絶縁層上にチャンネル層を形成するステップの後に、さらに、前記チャンネル層上に抵抗性の接触層を形成するステップを具えていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記絶縁層上にチャンネル層を形成するステップの後に、さらに、前記チャンネル層上にエッチング停止層を形成するステップを具えていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 画素構造を形成する方法であって、この方法が、
基板上に、ゲート、及び該ゲートとの接続を有する走査線を形成するステップと;
前記基板上に、前記ゲート及び前記走査線を覆う絶縁層を形成するステップと;
前記絶縁層上にチャンネル材料層を形成するステップと;
前記チャンネル材料層上に金属層を形成するステップと;
前記金属層上に、パターン化した第1フォトレジスト層を形成するステップと;
前記第1フォトレジスト層をマスクとして用いて、前記金属層をパターン化して、データ線及びソース/ドレイン金属層を形成するステップと;
前記第1フォトレジスト層をマスクとして用いて、前記チャンネル材料層をパターン化してチャンネル層を形成するステップと;
前記第1フォトレジスト層をマスクとして用いて、前記ソース/ドレイン金属層をパターン化して、ソース/ドレイン端子を形成するステップとを具えて、前記ソース端子と前記データ線とを電気的に接続して、前記チャンネル層及び前記ソース/ドレイン端子がまとまって薄膜フィルムトランジスタを構成し;
前記方法がさらに、前記第1フォトレジスト層を除去するステップと;
前記基板上に、前記薄膜フィルムトランジスタを覆うパシベーション層を形成するステップと;
前記パシベーション層上に、第2フォトレジスト層を形成するステップと;
前記ゲート、前記ソース/ドレイン端子、前記走査線、及び前記データ線をマスクとして用いて、裏面露光プロセスを実行して、前記第2フォトレジスト層を化学的に現像して、パターン化した第2フォトレジスト層を形成するステップと;
前記パターン化した第2フォトレジスト層をマスクとして用いて、前記パシベーション層及び前記絶縁層をパターン化して、前記ソース/ドレイン端子の側壁を露出させるステップと;
前記パターン化した第2フォトレジスト層を除去するステップと;
前記パシベーション層上に画素電極を形成するステップとを具えて、前記画素電極と前記ドレイン端子とを、前記ドレイン端子の側壁を通して電気的に接続することを特徴とする画素構造の製造方法。 - 前記画素電極を形成するステップの前に、さらに、前記パシベーション層内の前記ドレイン端子を露出させる開口部を形成するステップを具えて、これにより、前記画素電極と前記ドレイン端子とを、前記開口部内の導電材料並びに前記ドレイン端子の側壁を通して電気的に接続することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記ソース/ドレイン端子を形成するステップがさらに、前記走査線に隣接する他の走査線上に導電層を形成するステップを具えて、該導電層、前記隣接する走査線、及び前記導電層と前記隣接する走査線との間にある前記絶縁層がまとまって、画素蓄積キャパシタを形成することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記画素電極と前記導電層の側壁とを電気的に接続することを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記データ線を前記基板の端まで伸ばして、パターン化した金属パッドに接続して、これにより、前記画素電極と前記金属パッドの側壁とを電気的に接続することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記走査線を前記基板の端まで伸ばして、パターン化した金属パッドに接続して、これにより、前記画素電極と前記金属パッドの側壁とを電気的に接続することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第1フォトレジスト層を用いて、前記ソース/ドレイン端子及び前記チャンネル層をパターン化する前記ステップが、
前記金属層上に、パターン化した第1フォトレジスト層を形成して、前記金属層の前記ゲート上の領域にある前記第1フォトレジスト層の厚さを、前記金属層の前記ソース/ドレイン端子及び前記データ線上の領域にある前記第1フォトレジスト層の厚さよりも小さくするサブステップと;
1回目のエッチング・ステップを実行して、前記金属層をパターン化して、前記データ線及び前記ソース/ドレイン金属層にするサブステップと;
2回目のエッチング・ステップを実行して、前記チャンネル材料層をパターン化して前記チャンネル層にして、前記第1フォトレジスト層の厚さを一定量だけ除去して、前記ゲート上の前記ソース/ドレイン金属層を露出させるサブステップと;
3回目のエッチング・ステップを実行して、前記ソース/ドレイン金属層をパターン化してソース/ドレイン端子にして、前記チャンネル層の厚さを一定量だけ除去するサブステップと
を具えていることを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記絶縁層上にチャンネル層を形成するステップの後に、さらに、前記チャンネル層上に抵抗性の接触層を形成するステップを具えていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 基板上にあり、ゲート、チャンネル層、及び一対のソース/ドレイン端子を有する薄膜フィルムトランジスタと;
前記基板上にあり、前記ゲートと電気的に接続された走査線と;
前記基板上にあり、前記ソース端子と電気的に接続されたデータ線と;
前記基板上の、前記ゲート、前記ソース/ドレイン端子、前記データ線及び前記走査線が存在する領域上のみにあり、前記ゲート及び前記走査線を覆う絶縁層と;
前記基板上の、前記ゲート、前記ソース/ドレイン端子、前記データ線及び前記走査線が存在する領域上のみにあり、前記ソース/ドレイン端子及び前記データ線を覆うパシベーション層と;
前記基板上にあり、かつ前記薄膜フィルムトランジスタに近接した位置にある画素電極とを具えて、
前記ソース/ドレイン端子の側壁が露出して、前記画素電極と前記薄膜フィルムトランジスタの前記ドレイン端子の側壁とが電気的に接続されていることを特徴とする基板上の画素構造。 - 前記画素構造がさらに、前記パシベーション層内に導電構造を具えて、これにより、前記画素電極と前記ドレイン端子とが、前記導電構造並びに前記ドレイン端子の側壁を通して電気的に接続されていることを特徴とする請求項17に記載の画素構造。
- 前記画素構造がさらに、前記走査線に隣接する他の走査線上に導電層を具えて、これにより、前記導電層、前記隣接する走査線、及び前記導電層と前記隣接する走査線との間にある前記絶縁層がまとまって、画素蓄積キャパシタを形成することを特徴とする請求項17に記載の画素構造。
- 前記導電層の側壁を、前記画素電極に電気的に接続したことを特徴とする請求項19に記載の画素構造。
- 前記画素構造がさらに、前記基板の端部付近に金属パッドを具えて、これにより、前記金属パッドと前記データ線とを電気的に接続して、前記画素電極と前記金属パッドの側壁とを電気的に接続したことを特徴とする請求項19に記載の画素構造。
- 前記画素構造がさらに、前記基板の端部付近に金属パッドを具えて、これにより、前記金属パッドと前記走査線とを電気的に接続して、前記画素電極と前記金属パッドの側壁とを電気的に接続したことを特徴とする請求項19に記載の画素構造。
- 前記画素構造がさらに、前記チャンネル層上に抵抗性の接触層を具えていることを特徴とする請求項19に記載の画素構造。
- 前記画素構造がさらに、前記チャンネル層上にエッチング停止層を具えていることを特徴とする請求項19に記載の画素構造。
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