JP2004133408A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 光ビームを回折するための光学装置において、
   第１半導体材料でできた第１半導体層、
   第２半導体材料でできた第２半導体層であって、この第２半導体層は前記第１半導体層と接触しており、前記第２半導体材料は前記第１半導体材料と適合性であり、前記第１及び第２の半導体層間でエピタキシャル成長が可能である、第２半導体層、及び
   前記第１及び第２の半導体層間の界面に位置決めされた回折格子であって、所定の空間周期によって間隔が隔てられた複数の空気チャンネルを含み、これらの空気チャンネルは前記第１半導体層の部分である半導体領域によって離間されている回折格子を含むことを特徴とする光学装置。
2. 請求項１に記載の装置において、前記空気チャンネルは、前記装置から除去されたパターン化されたエッチングされた誘電体ストリップによる形状を有することを特徴とする装置。
3. 請求項２に記載の装置において、前記空気チャンネルは矩形形状を有することを特徴とする装置。
4. 請求項１に記載の装置において、前記空気チャンネルは、パターン化されたエッチングされた誘電体マスク間で前記第１半導体層内に穴をエッチングで形成したことによって得られた形状を有することを特徴とする装置。
5. 請求項４に記載の装置において、前記空気チャンネルは円形の断面形状を有することを特徴とする装置。
6. 請求項１に記載の装置において、前記空気チャンネルは互いに実質的に平行であり、これらの空気チャンネルは、光ビームの波長に基づいて所定距離離間されていることを特徴とする装置。
7. 請求項１に記載の装置において、前記第１及び第２の半導体層は同じであり、前記回折格子は、共通の半導体領域内の埋設回折格子であることを特徴とする装置。
8. 請求項１に記載の装置において、前記第１半導体層は前記第２半導体層と異なる半導体材料でできていることを特徴とする装置。
9. 請求項８に記載の装置において、前記第１半導体層の屈折率は、前記第２半導体層の屈折率よりも高いことを特徴とする装置。
10. 請求項８に記載の装置において、前記第１半導体層の屈折率は、前記第２半導体層の屈折率よりも低いことを特徴とする装置。