JP5761754B2 - 光モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1における光モジュールについて図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における光モジュールの構成を示す断面図(a)および平面図(b)である。
次に、実施の形態2における光モジュールについて図3を用いて説明する。図3は、本発明の実施の形態2における光モジュールの構成を示す断面図(a)および平面図(b)である。
Claims (4)
- ゲルマニウムフォトダイオード、シリコンコアからなるシリコン光導波路、石英コアからなる石英光導波路がこれらの順に接続した光モジュールの製造方法であって、
シリコン基板の上にSiO2からなる下部クラッド層を形成する工程と、
前記下部クラッド層の上にシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層をパターニングして第1領域に下部シリコンパターンを形成するとともに、前記第1領域に連続する第2領域に前記シリコンコアを形成する工程と、
前記下部シリコンパターンおよび前記シリコンコアを覆って前記下部クラッド層の上に、SiO2より酸素の組成比が少ない酸化シリコン層を形成する工程と、
前記酸化シリコン層の前記下部シリコンパターンの上部に開口部を形成する工程と、
前記酸化シリコン層を選択成長マスクとして前記開口部の底部の前記下部シリコンパターンの上にゲルマニウムを選択的に成長してゲルマニウムパターンを形成し、前記下部シリコンパターンおよび前記ゲルマニウムパターンよりなる前記ゲルマニウムフォトダイオードを形成する工程と、
前記酸化シリコン層をパターニングすることで前記第2領域の一部から前記第2領域に連続する第3領域にかけて前記石英コアを形成する工程と、
前記ゲルマニウムフォトダイオード,前記シリコンコア,および前記石英コアの上にSiO2からなる上部クラッド層を形成する工程と
を少なくとも備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。 - ゲルマニウムフォトダイオード、シリコンコアからなるシリコン光導波路、石英コアからなる石英光導波路がこれらの順に接続した光モジュールの製造方法であって、
シリコン基板の上にSiO2からなる下部クラッド層を形成する工程と、
前記下部クラッド層の上にシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層をパターニングして第1領域に下部シリコンパターンを形成するとともに、前記第1領域に連続する第2領域に前記シリコンコアを形成する工程と、
前記下部シリコンパターンおよび前記シリコンコアを覆って前記下部クラッド層の上に、SiO2からなる選択成長マスクを形成する工程と、
前記選択成長マスクの前記下部シリコンパターンの上部に開口部を形成する工程と、
前記選択成長マスクの前記開口部の底部の前記下部シリコンパターンの上にゲルマニウムを選択的に成長してゲルマニウムパターンを形成し、前記下部シリコンパターンおよび前記ゲルマニウムパターンよりなる前記ゲルマニウムフォトダイオードを形成する工程と、
前記選択成長マスクをエッチングして薄くして前記シリコンコアおよび前記ゲルマニウムパターンの側面を覆う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上にSiO2より酸素の組成比が少ない酸化シリコン層を形成する工程と、
前記酸化シリコン層をパターニングすることで前記第2領域の一部から前記第2領域に連続する第3領域にかけて前記石英コアを形成する工程と、
前記ゲルマニウムフォトダイオード,前記シリコンコア,および前記石英コアの上にSiO2からなる上部クラッド層を形成する工程と
を少なくとも備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 請求項1記載の光モジュールの製造方法によって製造された光モジュールであって、
シリコン基板と、
前記シリコン基板の上に形成されたSiO2からなる下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上の第1領域に形成されたゲルマニウムフォトダイオードと、
前記下部クラッド層の上の前記第1領域に連続する第2領域に形成されたシリコンコアと、
前記第2領域の一部から前記第2領域に連続する第3領域にかけて形成された石英コアと、
前記ゲルマニウムフォトダイオード,前記シリコンコア,および前記石英コアの上に形成されたSiO2からなる上部クラッド層と
を備え、
前記ゲルマニウムフォトダイオードは、前記シリコンコアに連続して形成された下部シリコンパターンと、前記下部シリコンパターンの上に形成されたゲルマニウムパターンとから構成され、
前記ゲルマニウムフォトダイオード、前記シリコンコアからなるシリコン光導波路、前記石英コアからなる石英光導波路がこれらの順に接続した状態に形成され、
前記石英コアは、前記ゲルマニウムパターンの形成に用いたSiO2より酸素の組成比が少ない酸化シリコンよりなる選択成長マスクをパターニングすることで形成されている
ことを特徴とする光モジュール。 - 請求項2記載の光モジュールの製造方法によって製造された光モジュールであって、
シリコン基板と、
前記シリコン基板の上に形成されたSiO2からなる下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上の第1領域に形成されたゲルマニウムフォトダイオードと、
前記下部クラッド層の上の前記第1領域に連続する第2領域に形成されたシリコンコアと、
前記シリコンコアを覆うSiO2からなる保護膜と、
前記第2領域の一部から前記第2領域に連続する第3領域にかけて形成された石英コアと、
前記ゲルマニウムフォトダイオード,前記シリコンコア,および前記石英コアの上に形成されたSiO2からなる上部クラッド層と
を備え、
前記ゲルマニウムフォトダイオードは、前記シリコンコアに連続して形成された第1導電型の下部シリコンパターンと、前記下部シリコンパターンの上に形成されたゲルマニウムパターンとから構成され、
前記ゲルマニウムフォトダイオード、前記シリコンコアからなるシリコン光導波路、前記石英コアからなる石英光導波路がこれらの順に接続した状態に形成され、
前記保護膜は、前記ゲルマニウムパターンの形成に用いた選択成長マスクを薄層化することで形成されて前記ゲルマニウムパターンの側面を覆っている
ことを特徴とする光モジュール。
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