JP2004119985A - 半導体装置及びその製造方法及びその搬送トレイ - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 513
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 248
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 248
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 213
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 192
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 162
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 4
- 240000004282 Grewia occidentalis Species 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Abstract
【解決手段】 突起電極23が形成されてなる半導体素子21と、この半導体素子21の突起電極形成側の面に形成されており、突起電極23の一部を残し突起電極形成側の面を封止する封止樹脂層22とを具備する半導体装置において、封止樹脂層22及び半導体素子21の外周部分に面取り部24Aを形成し、この部位における応力集中及び破損発生を回避する。
【選択図】 図1
Description
突起電極が形成されてなる半導体素子と、
前記半導体素子の突起電極形成側の面に形成されており、前記突起電極の一部を残し前記突起電極形成側の面を封止する封止樹脂層とを具備する半導体装置において、
前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周部分に、前記封止樹脂層と前記半導体素子とを跨るように連続的に面取り部を形成したことを特徴とするものである。
突起電極が形成されてなる半導体素子と、
前記半導体素子の突起電極形成側の面に形成されており、前記突起電極の一部を残し前記突起電極形成側の面を封止する封止樹脂層とを具備する半導体装置において、
前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周四隅位置に、前記封止樹脂層と前記半導体素子とを跨るように連続的に面取り部を形成したことを特徴とするものである。
突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、続いて前記突起電極の一部を前記封止樹脂層から露出させた後、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
角度を有した角度付き刃を用いて前記基板を切削して前記封止樹脂層及び前記基板の内、少なくとも前記封止樹脂層に面取り部用溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程終了後、前記面取り部用溝の溝幅より幅狭な寸法を有すると共に角度を有していない角度なし刃を用いて、前記面取り部用溝の形成位置を切削することにより前記基板を完全切削し個々の半導体素子に分離する切削工程と
を有することを特徴とするものである。
突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、続いて前記突起電極の一部を前記封止樹脂層から露出させた後、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
角度を有していない角度なし刃を用いて、前記基板の所定切断位置を前記封止樹脂層と共に切削することにより前記基板を完全切断して個々の半導体素子に分離する切削工程と
前記切削工程終了後、角度を有した角度付き刃を前記切断位置に挿入し、分離された前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周部分に面取り部を形成する面取り部形成工程とを有することを特徴とするものである。
突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、続いて前記突起電極の一部を前記封止樹脂層から露出させた後、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
角度を有した角度付き刃を用い、前記基板の所定切削位置が直交する切削交点部及びその近傍における前記封止樹脂層及び前記基板の内少なくとも前記封止樹脂層を切削し、十字状の四隅面取り部用溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程終了後、前記四隅面取り部用溝の溝幅より幅狭な寸法を有すると共に角度を有していない角度なし刃を用い、前記四隅面取り部用溝の形成位置を含め前記所定切削位置を切削することにより前記基板を完全切断し個々の半導体素子に分離する切削工程とを有することを特徴とするものである。
突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、続いて前記突起電極の一部を前記封止樹脂層から露出させた後、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
角度を有していない角度なし刃を用いて、前記基板の所定切削位置を前記封止樹脂層と共に切削することにより前記基板を完全切断して個々の半導体素子に分離する切削工程と
前記切削工程終了後、角度を有した角度付き刃を前記所定切削位置が直交する切削交点部に挿入し、分離された前記封止樹脂層及び前記半導体素子の内少なくとも前記封止樹脂層の前記切削交点部及びその近傍に面取り部を形成する面取り部形成工程とを有することを特徴とするものである。
前記請求項3乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分離工程を実施する前に、前記基板の前記突起電極形成側の面と反対側の面である背面を、全面的に切削する背面切削工程を実施することを特徴とするものである。
前記請求項1記載の半導体装置が装着されるトレイ本体を具備する搬送トレイであって、
前記トレイ本体の内側部に、前記半導体装置に形成された面取り部と対応した形状のトレイ側面取り部を形成したことを特徴とするものである。
前記請求項2記載の半導体装置が装着されるトレイ本体を具備する搬送トレイであって、
前記トレイ本体の内側四隅部に、前記半導体装置の外周四隅位置に形成された面取り部と対応した形状のトレイ側段付き部を形成したことを特徴とするものである。
前記請求項1または2記載の半導体装置において、
前記半導体素子の前記突起電極形成側の面と反対側の面である背面に、前記背面を覆う背面側樹脂層を形成したことを特徴とするものである。
前記請求項10記載の半導体装置において、
前記背面側樹脂層及び前記半導体素子の内、少なくとも前記背面側樹脂層の外周部分または外周四隅位置に、背面側面取り部を形成したことを特徴とするものである。
前記請求項1または2記載の半導体装置において、
前記半導体素子の前記突起電極形成側の面と反対側の面である背面外周部分または外周四隅位置に、背面側面取り部を形成したことを特徴とするものである。
前記請求項1または2記載の半導体装置において、
前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周四隅角部に、前記半導体素子の前記突起電極形成側の面に対し直交する方向に延在する角面取り部を形成したことを特徴とするものである。
前記請求項10乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置において、
少なくとも前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周四隅角部に、前記半導体素子の前記突起電極形成側の面に対し直交する方向に延在する角面取り部を形成したことを特徴とするものである。
突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
第一の刃を用いて前記封止樹脂層、及び前記基板の一部を切削して溝を形成する溝形成工程と、
前記第一の刃より幅狭な寸法を有する第二の刃を用いて、前記溝の形成位置を切削することにより前記基板を完全切削し個々の半導体素子に分離する切削工程とを有することを特徴とするものである。
突起電極が形成されてなる半導体素子と、
前記半導体素子の突起電極形成側の面に形成された封止樹脂層とを具備する半導体装置において、
前記半導体素子の露出する側面外周部分における、面取り部または段付き部の形成により、前記突起電極形成側の前記半導体素子側面よりも前記突起電極形成側の反対側の前記半導体素子側面が突出するよう形成してなることを特徴とするものである。
半導体素子と封止樹脂層との境界部における複合構成に対し、その外周の全体にわたり衝撃及び応力の集中を回避することが可能となり、使用環境に拘わらず高い信頼性を維持できると共に、搬送時におけるハンドリング等の取り扱いを容易化することができる。
半導体素子と封止樹脂層との境界部における複合構成に対し、特に衝撃及び応力の集中に弱い外周四隅位置で衝撃及び応力の集中を回避することが可能となり、使用環境に拘わらず高い信頼性を維持できると共に、搬送時におけるハンドリング等の取り扱いを容易化することができる。
角度を有した角度付き刃と角度を有しない角度なし刃を選択的に用い、角度付き刃で面取り部を形成すると共に角度なし刃で基板を完全切断することにより、封止樹脂層及び半導体素子の外周部分に面取り部を有する半導体装置を容易かつ確実に製造することができる。
角度を有した角度付き刃を用いて基板上に十字状の四隅面取り部用溝を形成し、その後に四隅面取り部用溝の溝幅より幅狭な寸法を有する角度なし刃を用いて所定切削位置を切削して基板を完全切断して個々の半導体素子に分離する構成としたことにより、半導体装置の構造上、温度変化等により発生する応力集中やハンドリングによる破壊による一番弱いとされる外周四隅位置に、衝撃及び応力の集中を回避しうる面取り部を容易かつ確実に形成することができる。
角度なし刃を用いて基板を完全切断して個々の半導体素子に分離した後、角度付き刃を切削交点部に挿入し、少なくとも封止樹脂層の切削交点部及びその近傍に面取り部を形成したことにより、半導体装置の構造上、温度変化等により発生する応力集中やハンドリングによる破壊による一番弱いとされる外周四隅位置に、衝撃及び応力の集中を回避しうる面取り部を容易かつ確実に形成することができる。 また、角度付き刃は、半導体装置の四隅部分にあたる切削交点部にある程度の長さの四隅面取り部用溝を形成するため、磨耗し易い角度付き刃の寿命を延ばすことが可能となり、また切削量が少ないため処理時間を短縮させることが可能となる。
分離工程を実施する前に、基板の背面を全面的に切削する背面切削工程を実施することにより、製造される半導体装置の薄型化を図ることができる。また、分離工程の前に基板背面を切削しているので、封止樹脂層が基板保護の役割を果たして基板の取り扱いが容易となり、近年求められている半導体素子を高集積化した大型基板または半導体装置の極薄型化に有効となる。
半導体装置に形成された面取り部及び段付き部を利用し、搬送トレイのトレイ本体にこれと対応したトレイ側面取り部及びトレイ側段付き部を形成したことにより、半導体装置の安定した搭載位置決めが可能となり、また半導体装置の水平方向の動きが抑えられて半導体装置の突起電極が搬送トレイと接触することを回避することができる。
半導体素子の背面にこれを覆う背面側樹脂層を形成したことにより、半導体素子の保護をより確実に行うことができ、かつ分離時において半導体素子の背面外周部分に破損(欠け等)が発生することを防止することができる。
半導体素子の背面に形成された背面側樹脂層及び半導体素子の内、少なくとも背面側樹脂層の外周部分または外周四隅位置に背面側面取り部を形成したことにより、或いは背面側樹脂層の外周部分または外周四隅位置に背面側段付き部を形成したことにより、半導体素子と背面側樹脂層との境界部における複合構成に対し、衝撃及び応力の集中を回避することが可能となり、使用環境に拘わらず高い信頼性を維持できると共に、搬送時におけるハンドリング等の取り扱いを容易化することができる。
半導体素子の背面外周部分または外周四隅位置に背面側面取り部を形成したことにより、角を有した形状では壊れやすい半導体素子の外周位置及び外周四隅位置に背面面取り部が形成されるため、この位置における破損防止を図ることができる。
封止樹脂層,背面側樹脂層,及び半導体素子の外周四隅角部に、半導体素子の突起電極形成面に対し直交する方向に延在する角面取り部を形成したことにより、角を有した形状では壊れやすい外周四隅角部の破損防止を図ることができる。
上記の(1)式より、例えば円形の刃を有する角度付き刃26(ダイシングソー等)で切断処理を行った場合、切込み量Z1は、角度付き刃26の外形変化により把握できる為、封止樹脂層22と基板51(半導体素子21)の面取り部24Aの形状を所定形状に維持させる為には、角度付き刃26の外形変化に応じて切込み量Z1を増加させて行けば良い。
21 半導体素子
21A 薄型半導体素子
22 封止樹脂層
23 突起電極
24A,24B 面取り部
25A,25B 段付き部
26 角度付き刃
27A 角度なし刃
27B 幅広角度なし刃
28 切削交点
29 四隅面取り部用溝
30 四隅段取り用溝
31 基準面出し用樹脂
32 薄型基板
33A,33B 切削面
34 基準面
35A〜35D 搬送トレイ
36A〜36D トレイ本体
37A〜37D キャップ
38A,38B トレイ側面取り部
40A,40B トレイ側段付き部
41 背面側樹脂層
42 背面側面取り部
43 背面側段付き部
44 角面取り部
45 セットフイルム
47 短冊状基板
48 素子側面取り部
49 素子側面取り部用溝
50 切削部
51 基板
53 段付き部用溝
54 素子側背面面取り部
55 ストレート部
Claims (16)
- 突起電極が形成されてなる半導体素子と、
前記半導体素子の突起電極形成側の面に形成されており、前記突起電極の一部を残し前記突起電極形成側の面を封止する封止樹脂層とを具備する半導体装置において、
前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周部分に、前記封止樹脂層と前記半導体素子とを跨るように連続的に面取り部を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 突起電極が形成されてなる半導体素子と、
前記半導体素子の突起電極形成側の面に形成されており、前記突起電極の一部を残し前記突起電極形成側の面を封止する封止樹脂層とを具備する半導体装置において、
前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周四隅位置に、前記封止樹脂層と前記半導体素子とを跨るように連続的に面取り部を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、続いて前記突起電極の一部を前記封止樹脂層から露出させた後、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
角度を有した角度付き刃を用いて前記基板を切削し、前記封止樹脂層及び前記基板の内、少なくとも前記封止樹脂層に面取り部用溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程終了後、前記面取り部用溝の溝幅より幅狭な寸法を有すると共に角度を有していない角度なし刃を用いて、前記面取り部用溝の形成位置を切削することにより前記基板を完全切削し個々の半導体素子に分離する切削工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、続いて前記突起電極の一部を前記封止樹脂層から露出させた後、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
角度を有していない角度なし刃を用いて、前記基板の所定切断位置を前記封止樹脂層と共に切削することにより前記基板を完全切断して個々の半導体素子に分離する切削工程と
前記切削工程終了後、角度を有した角度付き刃を前記切断位置に挿入し、分離された前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周部分に面取り部を形成する面取り部形成工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、続いて前記突起電極の一部を前記封止樹脂層から露出させた後、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
角度を有した角度付き刃を用い、前記基板の所定切削位置が直交する切削交点部及びその近傍における前記封止樹脂層及び前記基板の内少なくとも前記封止樹脂層を切削し、十字状の四隅面取り部用溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程終了後、前記四隅面取り部用溝の溝幅より幅狭な寸法を有すると共に角度を有していない角度なし刃を用い、前記四隅面取り部用溝の形成位置を含め前記所定切削位置を切削することにより前記基板を完全切断し個々の半導体素子に分離する切削工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、続いて前記突起電極の一部を前記封止樹脂層から露出させた後、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
角度を有していない角度なし刃を用いて、前記基板の所定切削位置を前記封止樹脂層と共に切削することにより前記基板を完全切断して個々の半導体素子に分離する切削工程と
前記切削工程終了後、角度を有した角度付き刃を前記所定切削位置が直交する切削交点部に挿入し、分離された前記封止樹脂層及び前記半導体素子の内少なくとも前記封止樹脂層の前記切削交点部及びその近傍に面取り部を形成する面取り部形成工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分離工程を実施する前に、前記基板の前記突起電極形成側が形成された面と反対側の面である背面を、全面的に切削する背面切削工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置が装着されるトレイ本体を具備する搬送トレイであって、
前記トレイ本体の内側部に、前記半導体装置に形成された面取り部と対応した形状のトレイ側面取り部を形成したことを特徴とする搬送トレイ。 - 請求項2記載の半導体装置が装着されるトレイ本体を具備する搬送トレイであって、
前記トレイ本体の内側四隅部に、前記半導体装置の外周四隅位置に形成された面取り部と対応した形状のトレイ側段付き部を形成したことを特徴とする搬送トレイ。 - 請求項1または2記載の半導体装置において、
前記半導体素子の前記突起電極形成側が形成された面と反対側の面である背面に、前記背面を覆う背面側樹脂層を形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10記載の半導体装置において、
前記背面側樹脂層及び前記半導体素子の内、少なくとも前記背面側樹脂層の外周部分または外周四隅位置に、背面側面取り部を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2記載の半導体装置において、
前記半導体素子の前記突起電極形成側が形成された面と反対側の面である背面の外周部分または外周四隅位置に、背面側面取り部を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2記載の半導体装置において、
前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周四隅角部に、前記半導体素子の前記突起電極形成側の面に対し直交する方向に延在する角面取り部を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 請求項10乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置において、
少なくとも前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周四隅角部に、前記半導体素子の前記突起電極形成側の面に対し直交する方向に延在する角面取り部を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を封止樹脂層により封止し、前記基板を前記封止樹脂層と共に切削して個々の半導体素子に分離する分離工程を実施する半導体装置の製造方法であって、
前記分離工程は、
第一の刃を用いて前記封止樹脂層、及び前記基板の一部を切削して溝を形成する溝形成工程と、
前記第一の刃より幅狭な寸法を有する第二の刃を用いて、前記溝の形成位置を切削することにより前記基板を完全切削し個々の半導体素子に分離する切削工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 突起電極が形成されてなる半導体素子と、
前記半導体素子の突起電極形成側の面に形成された封止樹脂層とを具備する半導体装置において、
前記半導体素子の露出する側面外周部分における、面取り部または段付き部の形成により、前記突起電極形成側の前記半導体素子側面よりも前記突起電極形成側の反対側の前記半導体素子側面が突出するよう形成してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003360160A JP4116962B2 (ja) | 2003-10-21 | 2003-10-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP04808298A Division JP3497722B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体装置及びその製造方法及びその搬送トレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004119985A true JP2004119985A (ja) | 2004-04-15 |
JP4116962B2 JP4116962B2 (ja) | 2008-07-09 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP4116962B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
US7405159B2 (en) | 2004-03-25 | 2008-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a semiconductor device package having a semiconductor element with a roughened surface |
JP2011218607A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Sharp Corp | 基板分割装置および基板分割方法 |
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US11533038B2 (en) | 2017-12-19 | 2022-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
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