JP2003243336A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は半導体基板の製造方法に関し、製造効
率及び信頼性の向上を図ることを課題とする。 【解決手段】基材より半導体基板５１を切り出す切り出
し工程と、切り出された半導体基板５１の一の面５１ａ
に第１の基準面３４を有した基準面出し用樹脂３１を配
設する樹脂形成工程と、この基準面３４を基準として半
導体基板５１の他面に整面処理を行うことにより第２の
基準面３３Ａを形成する第１の整面工程と、この第１の
整面工程で形成された第２の基準面３３Ａを基準とし
て、基準面出し用樹脂３１を除去すると共に前記一の面
５１ａに整面処理を行う第２の整面工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の製造
方法に関する。 【０００２】近年、電子機器及び装置の小型化の要求に
伴い、半導体装置の小型化、高密度化が図られている。
このため、半導体装置の形状を半導体素子（チップ）に
極力近づけることにより小型化を図った、いわゆるチッ
プサイズパッケージ構造の半導体装置が用いられてい
る。 【０００３】こうした中で、真のチップサイズであるパ
ッケージを成し得るため、また生産効率の向上のため、
複数の半導体素子が形成された基板を一括してパッケー
ジングし、その後、切断分離して個々の小型半導体装置
を得る、いわゆるウェーハーレベルパッケージングが提
案されている。 【０００４】 【従来の技術】図４０は、従来のウェーハーレベルパッ
ケージングによって得られた半導体装置の一例を示して
いる。同図に示す半導体装置１０Ａは、大略すると半導
体素子１Ａ（半導体チップ）、封止樹脂層２，及び多数
の突起電極３（バンプ）等とにより構成されている。 【０００５】この半導体装置１０Ａは、複数の半導体素
子１Ａが形成された基板の状態で突起電極３の形成面に
封止樹脂層２が形成され、その後突起電極３の一部を露
出させた上で個々の半導体素子に分離することにより製
造される。上記構成とされた半導体装置１０Ａは、その
外形が半導体素子１Ａと略等しくなるため、小型化を図
ることができる。 【０００６】また、図４１は、従来のウェーハーレベル
パッケージングによって得られた半導体装置１０Ａを搭
載する搬送トレイ５の一例を示している。この搬送トレ
イ５は、半導体装置１０Ａを内部に装着するトレイ本体
６と、トレイ本体６の上部開口部を塞ぐキャップ７とに
より構成されている。また、トレイ本体６の下部には鍔
部８が形成されており、装着された状態で装置本体１０
Ａの封止樹脂層２はこの鍔部８に載置される。また、鍔
部の中央には開口部が形成されており、突起電極３はこ
の開口部から外部に対し露出した構成となっている。 【０００７】また、図４２は、従来のチップサイズパッ
ケージ化された半導体装置１０Ｂを示している。同図に
示す半導体装置１０Ｂは、大略すると半導体素子１Ａ
（半導体チップ），インターポーザーを構成するバンプ
４及び回路基板９，及び半導体素子１Ａと回路基板９と
間に介装されたアンダーフィル樹脂１１，及び回路基板
９の下面に配設された多数の突起電極３（バンプ）等に
より構成されている。この構成の半導体装置１０Ｂは、
ＢＧＡ(Ball Grid Array) といわれる構造であり、小型
化が図れると共に、外部接続端子となる突起電極３の高
密度化を図ることができる。 【０００８】また、図４３は、薄型化を図った従来の半
導体装置の一例を示している。この半導体装置１０Ｃ
は、図４２に示した半導体装置１０Ｂと略同一の構成と
されているが、半導体素子１Ｂの背面（図における上
面）を研削処理することにより薄型化を図っている。 【０００９】また、図４４は、従来の半導体素子が形成
される半導体基板の製造方法の一例を示している。半導
体素子を形成する前の基板作製に於いては、近年では半
導体素子を高集積させるために基板を大きくする方法が
提案されている。この基板の作製は通常、基板素材より
所定の厚さでワイヤーソーにより切り出され、両面を整
面している。 【００１０】図４４（Ａ）は、ワイヤーソーにより切り
出された直後の基板１２Ａを示している。この切り出さ
れた基板１２Ａの表面及び背面は粗い面となっているた
め、その両面に整面処理が実施される。先ず、図４４
（Ｂ）に示すように、基板１２Ａの一方の面（図では、
表面）に仮想基準１３を設定する。そして、図４４
（Ｃ）に示されるように、この仮想基準１３に基づき基
板１２Ａの背面を整面処理し、図４４（Ｃ）に示す基板
１２Ｂを形成する。続いて、整面処理された基板１２Ｂ
の背面を仮想基準として表面側を整面処理し、これによ
り、図４４（Ｄ）に示す両面共に整面処理された基板１
２を製造していた。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】前記したように、図４
０に示した半導体装置１０Ａは、小型化を図ることがで
きるため高密度実装を行うことが可能となる。 【００１２】しかるに、半導体装置１０Ａは、半導体素
子１Ａの突起電極３が形成された面に、半導体素子１Ａ
とは特性の異なる封止樹脂層２が形成された構成とされ
ている。即ち、半導体素子１Ａと封止樹脂層２との境界
部は、複合構成となっておる。また、封止樹脂層２を含
めた半導体素子１Ａの形状は略矩形状であり、よって各
コーナー部は角張った構成とされている。 【００１３】従って、半導体装置１０Ａを製造するた
め、基板に対し切断処理を行うと、基板切断により発生
する衝撃及び応力は、主として半導体素子１Ａと封止樹
脂層２との境界部に集中して印加されてしまうという問
題点があった。この場合、半導体素子１Ａと封止樹脂層
２との境界部で剥離が生じたり、また半導体素子１Ａ或
いは封止樹脂層２にクラックが発生するおそれがある。 【００１４】また、上記の剥離やクラックが発生しなく
ても、切断後の半導体装置は半導体素子１Ａと封止樹脂
層２との境界部で壊れやすく、半導体装置の耐使用環
境、ハンドリングなど取り扱いが困難であるという問題
点もある。 【００１５】また、図４１に示した搬送トレイ５では、
単に鍔部８に半導体装置１０Ａを載置することにより保
持する構成であったため、トレイ本体６内において半導
体装置１０Ａにいわゆる遊びが発生し、確実な保持を行
うことができないという問題点があった。 【００１６】特に、半導体装置１０Ａの信頼性試験で
は、搬送トレイ５に搭載された状態で行うものがあり、
近年のように多ピン化された半導体装置１０Ａでは、搬
送トレイ５への搭載位置不良により良好な試験が行えな
くなるおそれがある。また、トレイ本体６内において半
導体装置１０Ａが移動（遊ぶ）ことにより、突起電極３
が鍔部８と衝突し、突起電極３の保護を確実に行えない
という問題点もある。 【００１７】また、図４３に示したように、半導体装置
１０Ｃの薄型化を図った場合、半導体素子１Ｂは背面研
削により薄くなり、非常に壊れやすくなる。よって、近
年求められている半導体素子１Ｂの高集積化を図ると、
基板はいっそう大型化し壊れやすくなり、結果的に基板
製造効率の低下及び取り扱いの困難化を招くという問題
点があった。 【００１８】更に、図４４に示した整面処理方法では、
基板の面積が大きいと基板両面にワイヤーソーの切削跡
がうねりとなって残存し、このうねり面を仮想基準１３
として研削を行うため、整面された面にうねり影響が出
てしまう。このため、従来の整面処理方法では、精度の
高い整面を得ることができないという問題点がある。 【００１９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、製造効率及び信頼性の向上を図りうる半導体基板
の製造方法を提供することを目的とする。 【００２０】 【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、基材より半導体基板を切り出す切り出
し工程と、切り出された前記半導体基板の一の面に第１
の基準面を有した基準面出し用樹脂を配設する樹脂形成
工程と、前記基準面を基準として、前記半導体基板の他
面に整面処理を行うことにより、第２の基準面を形成す
る第１の整面工程と、前記第１の整面工程で形成された
第２の基準面を基準として、前記基準面出し用樹脂を除
去すると共に前記一の面に整面処理を行う第２の整面工
程とを具備することを特徴とするものである。 【００２１】上記発明によれば、樹脂形成工程において
半導体基板の一の面に形成される基準面出し用樹脂の第
１の基準面を基準とし、切り出された半導体基板の他面
を第１の整面工程において整面処理することにより、こ
の他面は高い平面度を有した面となる。 【００２２】また、第２の整面工程では、第１の整面工
程で形成された平面度の高い他面を第２の基準面として
半導体基板の一の面に整面処理を行うため、この一の面
も高い平面度を有した面となる。よって、両面共に高精
度を有した半導体基板を容易かつ生産性良く製造するこ
とが可能となる。 【００２３】 【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。 【００２４】図１は、本発明の第１実施例である半導体
装置２０Ａを示している。図１（Ａ）は半導体装置２０
Ａの側面図であり、図２（Ｂ）は半導体装置２０Ａの平
面図である。この半導体装置２０Ａは、大略すると半導
体素子２１，突起電極２３（バンプ），及び封止樹脂層
２２等よりなる極めて簡単な構成とされている。 【００２５】半導体素子２１（半導体チップ）は、その
実装側面に電子回路（図示せず）が形成されると共に多
数の突起電極２３が配設されている。突起電極２３は、
例えば半田ボールを転写法を用いて配設された構成とさ
れており、外部接続端子として機能するものである。本
実施例では、突起電極２３は半導体素子２１に形成され
ている電極パッド（図示せず）に直接配設された構成と
されている。 【００２６】また、封止樹脂層２２（梨地で示す）は、
例えばポリイミド，エポキシ（ＰＰＳ，ＰＥＫ，ＰＥ
Ｓ，及び耐熱性液晶樹脂等の熱可塑性樹脂）等よりな
り、半導体素子２１の突起電極形成側の面全体にわたり
形成されている。従って、半導体素子２１に配設されて
いる突起電極２３は、この封止樹脂層２２により封止さ
れた状態となるが、突起電極２３の少なくとも先端部は
封止樹脂層２２から露出するよう構成されている。 【００２７】また、半導体装置２０Ａの突起電極２３が
形成された突起電極形成側の面の外周部分に注目する
と、この外周部分における封止樹脂層２２及び半導体素
子２１には、面取り部２４Ａが形成されている。本実施
例では、この面取り部２４Ａは、封止樹脂層２２と半導
体素子２１とを跨がるように連続的に形成されており、
かつ平面状の面取り部構造とされている。 【００２８】上記構成とされた半導体装置２０Ａは、そ
の全体的な大きさが略半導体素子２１の大きさと等し
い、いわゆるチップサイズパッケージ構造となる。従っ
て、半導体装置２０Ａは、近年特に要求されている小型
化のニーズに十分対応することができる。 【００２９】また、上記のように半導体装置２０Ａは、
半導体素子２１上に封止樹脂層２２が形成された構成と
されており、かつこの封止樹脂層２２は突起電極２３の
少なくとも一部を封止した構造とされている。このた
め、封止樹脂層２２によりデリケートな突起電極２３は
保持されることとなり、よってこの封止樹脂層２２は、
従来から用いられているアンダーフィル樹脂と同様な機
構を奏することとなる。これにより、半導体装置２０Ａ
を実装基板に実装した際、突起電極２３と実装基板との
接合部位はアンダーフィル樹脂として機能する封止樹脂
層２２に保持されるため、この接合部位に破損が発生す
ることを防止することができる。 【００３０】一方、本実施例に係る半導体装置２０Ａ
は、前記したように外周部分における封止樹脂層２２及
び半導体素子２１に面取り部２４Ａが形成されている。
この面取り部２４Ａを形成することにより、半導体素子
２１と封止樹脂層２２との境界部における複合構成に対
し、その外周の全体にわたり衝撃及び応力の集中を回避
することが可能となる。よって、使用環境（例えば、高
温環境，低温環境等）に拘わらず高い信頼性を維持でき
ると共に、搬送時に実施されるハンドリングにおいては
ハンドラーの把持による破損防止を図ることができ、ハ
ンドリング時における取り扱いを容易化することができ
る。 【００３１】尚、本実施例では封止樹脂層２２と半導体
素子２１とを跨がるよう面取り部２４Ａを形成した例を
示しているが、封止樹脂層２２にのみ面取り部２４Ａを
形成することも可能である。 【００３２】また、面取り部の表面構造も、本実施例で
適用した平面構造の面取り部２４Ａに限定されるもので
はなく、曲面を有した構造としても、また複数の面を組
み合わせた構成としてもよい。即ち、本明細書で述べる
面取り部は、半導体装置の上記外周部分において、衝撃
及び応力の集中を回避しうる構造の全てを含むものとす
る。 【００３３】続いて、本発明の第２実施例である半導体
装置について説明する。 【００３４】図２は、第２実施例に係る半導体装置２０
Ｂを示している。図２（Ａ）は半導体装置２０Ｂの側面
図であり、また図２（Ｂ）は半導体装置２０Ｂの平面図
である。尚、図２において、図１を用いて説明した第１
実施例に係る半導体装置２０Ａの構成と対応する構成に
ついては、同一符号を付してその説明を省略する。ま
た、以下説明する各実施例の説明においても同様とす
る。 【００３５】本実施例に係る半導体装置２０Ｂは、封止
樹脂層２２の外周部分に段付き部２５Ａを形成したこと
を特徴とするものである。本実施例では、段付き部２５
Ａは封止樹脂層２２の外周部に一段の段差を有するよう
形成されているが、複数段設けることも可能である。ま
た、段付き部２５Ａは、必ずしも矩形状の段差に限定さ
れるものではなく、曲線を含めた段差形状としてもよ
い。 【００３６】本実施例のように、封止樹脂層２２の外周
部分に段付き部２５Ａを形成することによっても、半導
体素子２１と封止樹脂層２２との境界部における複合構
成に対し、その外周の全体にわたり衝撃及び応力の集中
を回避することが可能となり、使用環境に拘わらず高い
信頼性を維持できると共に、搬送時におけるハンドリン
グ等の取り扱いを容易化することができる。 【００３７】続いて、本発明の第３実施例である半導体
装置について説明する。 【００３８】図３は、第３実施例に係る半導体装置２０
Ｃを示している。図３（Ａ）は半導体装置２０Ｃの側面
図であり、また図３（Ｂ）は半導体装置２０Ｃの平面図
である。 【００３９】本実施例に係る半導体装置２０Ｃは、その
外周四隅位置における封止樹脂層２２及び半導体素子２
１に面取り部２４Ｂを形成したことを特徴とするもので
ある。よって、図３（Ｂ）に示されるように、面取り部
２４Ｂは、半導体装置２０Ｃの外周に４箇所形成された
構成とされている。本実施例に係る面取り部２４Ｂは、
封止樹脂層２２と半導体素子２１とを跨がるように連続
的に形成されている。このように、半導体装置２０Ｃの
外周四隅位置における封止樹脂層２２及び半導体素子２
１に面取り部２４Ｂを形成したことにより、半導体素子
２１と封止樹脂層２２との境界部における複合構成に対
し、特に衝撃及び応力の集中に弱い外周四隅位置で衝撃
及び応力の集中を回避することが可能となり、使用環境
に拘わらず高い信頼性を維持できると共に、搬送時にお
けるハンドリング等の取り扱いを容易化することができ
る。 【００４０】尚、本実施例では封止樹脂層２２と半導体
素子２１とを跨がるよう面取り部２４Ｂを形成した例を
示しているが、封止樹脂層２２にのみ面取り部２４Ｂを
形成することも可能である。 【００４１】続いて、本発明の第４実施例である半導体
装置について説明する。 【００４２】図４は、第４実施例に係る半導体装置２０
Ｄを示している。図４（Ａ）は半導体装置２０Ｄの側面
図であり、また図４（Ｂ）は半導体装置２０Ｄの平面図
である。 【００４３】本実施例に係る半導体装置２０Ｃは、その
外周四隅位置における封止樹脂層２２に段付き部２５Ｂ
を形成したことを特徴とするものである。よって、図４
（Ｂ）に示されるように、段付き部２５Ｂは、半導体装
置２０Ｄの外周に４箇所形成された構成とされている。 【００４４】本実施例のように、半導体装置２０Ｄの外
周四隅位置における封止樹脂層２２に段付き部２５Ｂを
形成したことにより、半導体素子２１と封止樹脂層２２
との境界部における複合構成に対し、特に衝撃及び応力
の集中に弱い外周四隅位置で衝撃及び応力の集中を回避
することが可能となり、使用環境に拘わらず高い信頼性
を維持できると共に、搬送時におけるハンドリング等の
取り扱いを容易化することができる。 【００４５】尚、本実施例では、段付き部２５Ｂは封止
樹脂層２２の外周部に一段の段差を有するよう形成され
ているが、複数段設けることも可能である。また、段付
き部２５Ｂは、必ずしも矩形状の段差に限定されるもの
ではなく、曲線を含めた段差形状としてもよい。 【００４６】続いて、本発明の第１及び第２実施例であ
る半導体装置の製造方法について説明する。図５は第１
実施例に係る製造方法を説明するための図であり、図６
は第２実施例に係る製造方法を説明するための図であ
る。この第１及び第２実施例に係る製造方法は、図１を
用いて説明した第１実施例に係る半導体装置２０Ａを製
造するための方法である。 【００４７】尚、本実施例で説明する半導体装置の製造
方法は、基板５１を分離して個々の半導体素子２１に分
離する分離工程に特徴を有するものであり、この分離工
程が実施される前に行われる処理（突起電極２３が配設
された複数の半導体素子２１が形成された基板を封止樹
脂層２２により封止し、続いて突起電極２３の一部を封
止樹脂層２２から露出させる処理）は、従来方法（例え
ば、本出願人により出願された特願平９−１０６８３号
に開示した方法）と同一である。このため、以下の説明
では、分離工程についてのみ説明するものとする。ま
た、以下説明する半導体装置の各製造方法においても同
様とする。 【００４８】先ず、図５を用いて、本発明の第１実施例
である半導体装置２０Ａの製造方法について説明する。 【００４９】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、図５（Ａ）に示すように、先ず角度θを有した角
度付き刃２６を用い、図５（Ｂ），（Ｃ）に示すよう
に、封止樹脂層２２及び基板５１の一部を切削して面取
り部用溝５６を形成する（溝形成工程）。この時形成さ
れる面取り部用溝５６は、角度付き刃２６により形成さ
れるため、両側部に面取り部２４Ａが形成された構造と
なっている。尚、この時の基板５１の切削深さをＺ１と
する。 【００５０】上記の溝形成工程が終了後すると、続いて
図５（Ｄ）に示すように、面取り部用溝の溝幅（図中、
矢印Ｗで示す）より幅狭な寸法（図中、矢印Ｚ２で示
す）を有すると共に角度を有していない角度なし刃２７
Ａを用い、図５（Ｅ）に示されるように面取り部用溝５
６の中央位置を切削する（切削工程）。 【００５１】この際、溝形成工程において、面取り部用
溝５６の形成位置には封止樹脂層２２が存在しない構成
となっている。よって、角度なし刃２７Ａによる切削
は、基板５１のみを切削する処理となる。これにより、
切削工程において封止樹脂層２２と基板５１を同時に切
削する必要がなくなり、切削処理を容易に行うことがで
きる。 【００５２】切削工程が終了することにより、図５
（Ｆ）に示されるように、基板５１は完全切削され、基
板５１は個々の半導体素子２１に分離される。以上の処
理を実施することにより、面取り部２４Ａを有した半導
体装置２０Ａが形成される。 【００５３】続いて、図６を用いて、本発明の第２実施
例である半導体装置２０Ａの製造方法について説明す
る。 【００５４】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、図６（Ａ）に示すように、角度を有していない角
度なし刃２７Ａ（刃幅を図中矢印Ｚ２で示す）を用い
て、基板５１の所定切断位置を封止樹脂層２２と共に切
削し、図６（Ｂ），（Ｃ）に示すように、封止樹脂層２
２を含め基板５１を完全切断して個々の半導体素子に分
離する（切削工程）。 【００５５】この切削工程が終了すると、図６（Ｄ），
（Ｅ）に示すように、角度を有した角度付き刃２６を角
度なし刃２７Ａにより切削された切断部５０に挿入し、
各半導体素子２１の切り込み量がＺ３となるよう切削処
理を行う。この際、角度付き刃２６の刃幅Ｚ５は、角度
なし刃２７Ａの刃幅Ｚ２より大きいため、角度付き刃２
６は封止樹脂層２２及び半導体素子２１の外周部分に面
取り部２４Ａを形成する（面取り部形成工程）。以上の
処理を実施することにより、図６（Ｆ）に示されるよう
に、面取り部２４Ａを有した半導体装置２０Ａが形成さ
れる。 【００５６】上記した第１及び第２実施例に係る半導体
装置２０Ａの製造方法によれば、角度を有した角度付き
刃２６と角度を有しない角度なし刃２７Ａを選択的に用
い、角度付き刃２６で面取り部２４Ａを形成すると共に
角度なし刃２７Ａで基板５１を完全切断することによ
り、封止樹脂層２２及び半導体素子２１の外周部分に面
取り部２４Ａを有する半導体装置２０Ａを容易かつ確実
に製造することができる。 【００５７】特に、図６に示した第２実施例の順序で各
刃２６，２７Ａを使用することにより、磨耗し易い角度
付きの刃２６の先端における摩耗を低減でき、よって刃
先の角度変化を防止でき、角度付きの刃２６の寿命を延
ばすことが可能となる。 【００５８】続いて、図７を用いて本発明の第３実施例
である半導体装置の製造方法について説明する。本実施
例は、図３を用いて説明した第３実施例に係る半導体装
置２０Ｃの製造方法である。 【００５９】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、先ず角度を有した角度付き刃（図示せず）を用い
て基板５１の所定切削位置（図中、符号５２Ｘ，５２Ｙ
で示す）が直交する切削交点部２８及びその近傍部分に
おける封止樹脂層２２及び基板５１の一部を切削し、同
図に拡大して示すような十字状の四隅面取り部用溝２９
を形成する（溝形成工程）。 【００６０】続いて、溝形成工程で形成された四隅面取
り部用溝２９の溝幅より幅狭な寸法を有する角度なし刃
（図示せず）を用い、この四隅面取り部用溝２８の形成
位置を含め所定切削位置５２Ｘ，５２Ｙを切削すること
により、基板５１を完全切断し個々の半導体素子２１に
分離する（切削工程）。以上の処理を行うことにより、
外周四隅位置に面取り部２４Ｂが形成された半導体装置
２０Ｃが製造される。上記のように本実施例に係る製造
方法では、角度付き刃を用いて基板５１上に十字状の四
隅面取り部用溝２９を形成し、その後に四隅面取り部用
溝２９の溝幅より幅狭な寸法を有する角度なし刃を用い
て所定切削位置５２Ｘ，５２Ｙで基板５１を完全切断し
て半導体装置２０Ｃを製造する構成としたことにより、
半導体装置２０Ｃの構造上、温度変化等により発生する
応力集中やハンドリングによる破壊による一番弱いとさ
れる外周四隅位置に、衝撃及び応力の集中を回避しうる
面取り部２４Ｂを容易かつ確実に形成することができ
る。 【００６１】また、角度付き刃により形成される四隅面
取り部用溝２９は、半導体装置２０Ｃの四隅部分にあた
る切削交点部２８のみに所定の深さで形成されるため、
磨耗し易い角度付き刃の寿命を延ばすことが可能とな
り、また切削量が少ないため処理時間を短縮させること
が可能となる。 【００６２】更に、角度なし刃により行われる基板５１
の切断処理は、基板５１上に残存した封止樹脂層２２が
少ない状態或いは全く存在しない状態で実施されるた
め、困難であった封止樹脂層２２と半導体素子２１との
境界部の切断を容易にすることが可能となり、分離工程
において半導体素子２１及び封止樹脂２２にダメージが
生じることを防止することができる。 【００６３】続いて、図８及び図９を用いて本発明の第
４実施例である半導体装置の製造方法について説明す
る。本実施例も、図３を用いて説明した第３実施例に係
る半導体装置２０Ｃの製造方法である。 【００６４】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、先ず角度なし刃（図示せず）を用いて基板５１の
所定切削位置５２Ｘ，５２Ｙを封止樹脂層２２と共に切
削し、基板５１を完全切断して個々の半導体素子２１に
分離する処理を行う（切削工程）。 【００６５】続いて、この切削工程が終了した後、角度
付き刃（図示せず）を所定切削位置５２Ｘ，５２Ｙが直
交する切削交点部２８に挿入し、分離された封止樹脂層
２２及び半導体素子２１を切削して切削交点部２８及び
その近傍部分に面取り部２４Ｂを形成する（面取り部形
成工程）。 【００６６】上記した本実施例に係る製造方法において
も、半導体装置２０Ｃの外周四隅位置に、衝撃及び応力
の集中を回避しうる面取り部を容易かつ確実に形成する
ことができる。また、面取り部を形成するために角度付
き刃が半導体素子２１及び封止樹脂層２２を切削する切
削量は少ないため、磨耗し易い角度付き刃の寿命を延ば
すことが可能となり、また切削量が少ないため処理時間
を短縮させることが可能となる。 【００６７】また、本実施例では、先ず角度なし刃を用
いて切削し、続いて角度有り刃を用いて切削処理を行う
ことにより、角度有り刃を用いる際には既に角度なし刃
により切削交点部２８は切削された状態（直線状の切削
状態）であるため、磨耗し易い角度付きの刃の先端及び
磨耗による刃の角度変化の寿命をさらに延ばすことが可
能となる。 【００６８】ところで、半導体装置２０Ａ〜２０Ｃの外
周部分及び外周四隅位置に面取り部２４Ａ，２５Ａを形
成するには、下式を満足させる必要がある。尚、下式で
は、角度付き刃２６の刃先角度をθ，基板５１の切込み
量をＺ１，角度なし刃２７Ａの刃幅をＺ５としている
（図５参照）。 【００６９】 Ｚ５＜２（ Ｚ１×ｔａｎ（θ／２）） ……（１） 上記の（１）式より、例えば円形の刃を有する角度付き
刃２６（ダイシングソー等）で切断処理を行った場合、
切込み量Ｚ１は、角度付き刃２６の外形変化により把握
できる為、封止樹脂層２２と基板５１（半導体素子２
１）の面取り部２４Ａの形状を所定形状に維持させる為
には、角度付き刃２６の外形変化に応じて切込み量をＺ
１を増加させて行けば良い。 【００７０】続いて、図１０を用いて本発明の第５実施
例である半導体装置の製造方法について説明する。本実
施例は、図２を用いて説明した第２実施例に係る半導体
装置２０Ｂの製造方法である。 【００７１】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、角度を有していない第１及び第２の角度なし刃２
７Ｂ，２７Ａを用いる。第１の角度なし刃２７Ｂの刃幅
Ｚ４は、第２の角度なし刃２７Ａの刃幅Ｚ２に対して幅
広となるよう設定されている（Ｚ４＞Ｚ２）。尚、以下
の説明では、第１の角度なし刃２７Ｂを幅広角度なし刃
２７Ｂといい、第２の角度なし刃２７Ａを単に角度なし
刃２７Ａというものとする。 【００７２】本実施例では、図１０（Ａ），（Ｂ）に示
すように、先ず幅広角度なし刃２７Ｂを用いて基板５１
を切削し、図１０（Ｃ）に示されるように封止樹脂層２
２に段付き部用溝５３を形成する（溝形成工程）。 【００７３】そして、この溝形成工程が終了した後、前
記した幅広角度なし刃２７Ｂの幅Ｚ４（これは、段付き
部用溝５３の溝幅と等価）より幅狭な寸法Ｚ２を有した
角度なし刃２７Ａを用い、図１０（Ｄ），（Ｅ）に示さ
れるように、段付き部用溝５３の形成位置を切削する
（切削工程）。これにより、図１０（Ｆ）に示されるよ
うに、基板５１は完全切削されて個々の半導体素子５１
が形成され、段付き部２５Ａを有した半導体装置１０Ｂ
が製造される。 【００７４】本実施例の製造方法によれば、角度なし刃
２７Ａと幅広角度なし刃２７Ｂとを選択的に用い、幅広
角度なし刃２７Ｂで段付き部２５Ａ（段付き部用溝５
３）を形成すると共に、幅狭な角度なし刃２７Ａで基板
５１を完全切断することにより、封止樹脂層２２の外周
部分に段付き部２５Ａを有する半導体装置２０Ｂを容易
かつ確実に製造することができる。 【００７５】尚、本実施例に係る製造方法では、角度な
し刃２７Ａは封止樹脂層２２が残存する基板５１を切削
することとなる。しかるに、溝形成工程において実施さ
れる幅広角度なし刃２７Ｂによる封止樹脂２２の切削処
理により、封止樹脂層２２は薄くなっている。よって、
角度なし刃２７Ａによる切削処理時において、封止樹脂
層２２が切削処理に与える影響は少なく、よって容易か
つ確実に分離処理を行うことができる。 【００７６】続いて、図１１を用いて本発明の第６実施
例である半導体装置の製造方法について説明する。本実
施例は、図４を用いて説明した第４実施例に係る半導体
装置２０Ｄの製造方法である。 【００７７】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、先ず角度を有していない第１の角度なし刃（図示
せず）を用い、基板５１の切削位置５２Ｘ，５２Ｙが直
交する切削交点部２８及びその近傍部分における封止樹
脂層２２を切削し、十字状の四隅段付き用溝３０を形成
する（溝形成工程）。 【００７８】そして、この溝形成工程が終了した後、四
隅段付き部用溝３０の溝幅より幅狭な寸法を有する第２
の角度なし刃（図示せず）を用い、この四隅段付き部用
溝３０の形成位置を含め切削位置５２Ｘ，５２Ｙを切削
する（切削工程）。これにより基板５１を完全切断して
個々の半導体素子２１に分離し、これにより外周四隅位
置に段付き部２５Ｂを有する半導体装置２０Ｄが製造さ
れる。 【００７９】本実施例に係る製造方法では、第１の角度
なし刃を用いて基板５１の切削交点部２８及びその近傍
の封止樹脂層２２を切削し十字状の四隅段付き用溝３０
を形成した後、第２の角度なし刃を用いて基板５１を完
全切断し個々の半導体素子２１に分離するため、温度変
化等により発生する応力集中やハンドリング等において
破壊し易いとされる封止樹脂層２２の外周四隅部分に、
衝撃及び応力の集中を回避しうる段付き部２５Ｂを容易
かつ確実に形成することができる。 【００８０】また、第１の角度なし刃は、封止樹脂層２
２の切削交点部２８及びその近傍のみに溝入れ加工を行
うものであり、かつその溝入れ深さは封止樹脂層２２の
厚さよりも小さいため、第１の角度なし刃の寿命を延ば
すことが可能となり、合わせて処理時間の短縮を図るこ
とができる。 【００８１】図１２（Ａ）は、図１に示した第１実施例
に係る半導体装置２０Ａの変形例を示している。同図に
示される半導体装置２０Ｅは、半導体素子２１の背面
側、即ち突起電極２３が形成される面と反対側の面に切
削加工を行うことにより、半導体素子２１を薄型化し
（以下、この半導体素子２１を薄型半導体素子２１Ａと
いう）、半導体装置２０Ｅの低背化を図ったものであ
る。以下、この半導体装置２０Ｅの製造方法について説
明する。 【００８２】半導体装置２０Ｅを製造するには、図１２
（Ｂ）に示されるように、突起電極２３及び封止樹脂層
２２が形成された基板５１を用意する。続いて、図１２
（Ｃ）に示されるように、基板５１の突起電極２３が敬
せされた面側と反対側の面（背面）に切削処理を行い、
基板５１を薄型化する（背面切削工程）。 【００８３】続いて、図１２（Ｄ）に破線で示す切断位
置において薄型化された基板５１を切断し（分離工
程）、薄型半導体素子２１Ａを有した半導体装置２０Ｅ
を製造する。尚、図１２及び上記の説明では、面取り部
２４Ａを形成する方法については省略したが、前記した
と同様の方法により形成される。 【００８４】上記した製造方法によれば、分離工程を実
施する前に基板５１の背面を全面的に切削する背面切削
工程を実施することにより、製造される半導体装置２０
Ｅの薄型化を図ることができる。また、分離工程の前に
基板５１の背面を切削しているので、封止樹脂層２２が
基板保護の役割を果たす。このため、基板５１の取り扱
いが容易となり、近年求められている半導体素子２１Ａ
を高集積化した大型基板または半導体装置２０Ｅの極薄
型化に有効となる。 【００８５】また、図１３は、高品質で生産効率の良い
基板５１の製造方法を説明するための図である。この製
造方法は、半導体素子２１を形成する前の基板５１の作
製において使用するものである。 【００８６】図１３（Ａ）は、基板素材より所定の厚さ
でワイヤーソーにより切り出された状態の基板５１を示
している。同図に示されるように、この状態の基板５１
の上面５１ａ及び背面５１ｂは切削後が存在し凹凸が発
生した状態となっている。 【００８７】この基板５１には、先ずその一方の面（本
実施例では、上面５１ａ）に、図１３（Ｂ）に示される
ように、基準面出し用樹脂３１が形成される。この基準
面出し用樹脂３１の上面は平坦面とすることが可能であ
り、この上面を基準面３４として用いることができる。 【００８８】続いて、図１３（Ｃ）に示されるように、
基準面３４を基準として背面５１ｂに切削処理を行うこ
とにより、背面５１ｂの整面処理を行う。この整面処理
により形成された切削面３３Ａは、基準面３４が平坦面
であるため、平坦な面に仕上げることができる。よっ
て、この整面処理された切削面３３Ａを基準面として用
いることが可能となる。 【００８９】よって、切削面３３Ａを基準面として基準
面出し用樹脂３１の除去処理及び上面５１ａの整面処理
を行い、これにより、図１３（Ｄ）に示されるように、
上面３３Ｂ及び下面３３Ａが共に高い平面度を有した高
品質で生産効率の良い基板５１が形成される。 【００９０】続いて、本発明の第１乃至第４実施例であ
る搬送トレイについて説明する。 【００９１】図１４乃至図１７は、第１乃至第４実施例
である搬送トレイ３５Ａ〜３５Ｄを示している。各図に
示す搬送トレイ３５Ａ〜３５Ｄは、前記した半導体装置
２０Ａ〜２０Ｄが装着され、これを搬送したり試験した
りするために用いられるものである。以下、各実施例に
ついて説明する。 【００９２】尚、図１４乃至図１７において、（Ａ）は
搬送トレイ３５Ａ〜３５Ｄを分解した状態を示してお
り、（Ｂ）は半導体装置の装着状態を示しており、
（Ｃ）は後述するトレイ本体３６Ａ〜３６Ｄを平面視し
た状態を示している。 【００９３】図１４は、第１実施例に係る搬送トレイ３
５Ａを示している。この搬送トレイ３５Ａは、前記した
第１実施例に係る半導体装置２０Ａに対応した構成とさ
れている。 【００９４】この搬送トレイ３５Ａは、トレイ本体３６
Ａとキャップ２７Ａとにより構成されている。本実施例
に係る搬送トレイ３５Ａでは、トレイ本体３６Ａの内側
部に、装着される半導体装置２０Ａに形成された面取り
部２４Ａと対応した形状のトレイ側面取り部３８Ａを形
成したことを特徴としている。 【００９５】また、図１５は第２実施例に係る搬送トレ
イ３５Ｂを示している。この搬送トレイ３５Ｂは、前記
した第２実施例に係る半導体装置２０Ｂに対応した構成
とされている。 【００９６】この搬送トレイ３５Ｂは、トレイ本体３６
Ｂの内側部に、半導体装置２０Ｂに形成された段付き部
２５Ａと対応した形状のトレイ側段付き部４０Ａを形成
したことを特徴としている。 【００９７】また、図１６は第３実施例に係る搬送トレ
イ３５Ｃを示している。この搬送トレイ３５Ｃは、前記
した第３実施例に係る半導体装置２０Ｃに対応した構成
とされている。 【００９８】この搬送トレイ３５Ｃは、トレイ本体３６
Ｃの内側四隅部に、半導体装置２０Ｃの外周四隅位置に
形成された面取り部２４Ｂと対応した形状のトレイ側段
付き部３８Ｂを形成したことを特徴としている。 【００９９】更に、図１７は第４実施例に係る搬送トレ
イ３５Ｄを示している。この搬送トレイ３５Ｄは、前記
した第４実施例に係る半導体装置２０Ｄに対応した構成
とされている。 【０１００】この搬送トレイ３５Ｄは、トレイ本体３６
Ｄの内側四隅部に、半導体装置２０Ｄの外周四隅位置に
形成された段付き部２５Ｂと対応した形状のトレイ側段
付き部４０Ｂを形成したことを特徴としている。 【０１０１】上記した各実施例に係る搬送トレイ３５Ａ
〜３５Ｄによれば、半導体装置２０Ａ〜２０Ｄに形成さ
れた面取り部２４Ａ，２４Ｂ及び段付き部２５Ａ，２５
Ｂを利用し、搬送トレイ３５Ａ〜３５Ｄのトレイ本体３
６Ａ〜３６Ｄにこれと対応したトレイ側面取り部３８
Ａ，３８Ｂ及びトレイ側段付き部４０Ａ，４０Ｂを形成
した。これにより、トレイ本体３６Ａ〜３６Ｄに対し半
導体装置２０Ａ〜２０Ｄの安定した搭載位置決めが可能
となり、搬送トレイ３５Ａ〜３５Ｄ内で半導体装置２０
Ａ〜２０Ｄが遊んでしまうことを防止することができ
る。また半導体装置２０Ａ〜２０Ｄの水平方向の動きが
抑えられるため、突起電極２３が搬送トレイ３５Ａ〜３
５Ｄと接触することを回避することができる。 【０１０２】また、特に第１及び第３実施例に係る搬送
トレイ３５Ａ，３５Ｃでは、傾斜面とされたトレイ側面
取り部３８Ａ，３８Ｂにて半導体装置２０Ａ，２０Ｃを
保持する構成とされているため、他実施例の構成とこと
なり、トレイ側段付き部４０Ａ，４０Ｂと半導体装置２
０Ｂ，２０Ｄとのオバーハング量を考慮する必要はな
く、簡単かつ確実に半導体装置２０Ａ，２０Ｃの保持を
行うことができる。 【０１０３】続いて、本発明の第６及び第７実施例であ
る半導体装置について説明する。 【０１０４】図１８は第６実施例に係る半導体装置２０
Ｆであり、前記した第１実施例に係る半導体装置２０Ａ
において、その背面（突起電極２３の形成面と反対側の
面）に背面側樹脂層４１を形成したことを特徴とするも
のである。 【０１０５】また、図１９は第７実施例に係る半導体装
置２０Ｇであり、前記した第２実施例に係る半導体装置
２０Ａにおいて、その背面に背面側樹脂層４１を形成し
たことを特徴とするものである。 【０１０６】この背面側樹脂層４１の材質は、封止樹脂
層２２の材質と等しいものが選定されており、具体的に
はポリイミド，エポキシ（ＰＰＳ，ＰＥＫ，ＰＥＳ，及
び耐熱性液晶樹脂等の熱可塑性樹脂）等を用いることが
できる。また、この背面側樹脂層４１は、例えば圧縮成
形法を用い半導体素子２１の背面全面に形成されてい
る。 【０１０７】このように、半導体素子２１の背面にこれ
を覆う背面側樹脂層４１を形成したことにより、半導体
素子２１の保護をより確実に行うことができ、かつ分離
時において半導体素子２１の背面外周部分に破損（欠け
等）が発生することを防止することができる。 【０１０８】続いて、本発明の第８及び第９実施例であ
る半導体装置について説明する。 【０１０９】図２０は、第８実施例である半導体装置２
０Ｈを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｈ
は、前記した第６実施例に係る半導体装置２０Ｆと類似
した構成とされているが、背面側樹脂層４１及び半導体
素子２１の外周部分に、背面側面取り部４２を形成した
ことを特徴とするものである。 【０１１０】本実施例では、背面側面取り部４２を背面
側樹脂層４１と半導体素子２１との間を跨がるように形
成しているが、背面側樹脂層４１のみに形成することも
可能である。また、背面側面取り部４２は、必ずしも背
面の外周全体に形成する必要はなく、外周四隅位置に形
成する構成としてもよい。更に、本実施例では、背面側
面取り部４２を平面構造としているが、曲面等を有した
構成としてもよい。 【０１１１】図２１は、第９実施例である半導体装置２
０Ｉを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｉ
は、前記した第７実施例に係る半導体装置２０Ｇと類似
した構成とされているが、背面側樹脂層４１の外周部分
に背面側段付き部４３を形成したことを特徴とするもの
である。 【０１１２】本実施例では、背面側段付き部４３を背面
外周全体に形成しているが、背面側面段付き４３は必ず
しも背面の外周全体に形成する必要はなく、外周四隅位
置に形成する構成としてもよい。また、本実施例では、
背面側面段付き４３を矩形状とした構造としているが、
曲面を有した構造としてもよく、また複数の段部を形成
した構成としてもよい。 【０１１３】上記した第８及び第９実施例に係る半導体
装置２０Ｈ，２０Ｇによれば、半導体素子２１の背面に
形成された背面側樹脂層４１，半導体素子２１の外周部
分または外周四隅位置に背面側面取り部４２或いは背面
側段付き部４３を形成したことにより、半導体素子２１
と背面側樹脂層４１との境界部における複合構成に対
し、衝撃及び応力の集中を回避することが可能となり、
使用環境に拘わらず高い信頼性を維持できると共に、搬
送時におけるハンドリング等の取り扱いを容易化するこ
とができる。 【０１１４】続いて、本発明の第１０及び第１１実施例
である半導体装置について説明する。 【０１１５】図２２は、第１０実施例である半導体装置
２０Ｊを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｊ
は、前記した第１実施例に係る半導体装置２０Ａと類似
した構成とされているが、図２２（Ｃ）に示されるよう
に、半導体素子２１の背面外周部分に、背面側面取り部
４２を形成したことを特徴とするものである。 【０１１６】図２３は、第１１実施例である半導体装置
２０Ｋを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｋ
は、前記した第２実施例に係る半導体装置２０Ｂと類似
した構成とされているが、背面側樹脂層４１の外周部分
に背面側段付き部４２を形成したことを特徴とするもの
である。 【０１１７】上記した各実施例では、背面側面取り部４
２を半導体素子２１の背面外周部分の全体にわたり形成
しているが、必ずしも背面の外周全体に形成する必要は
なく、外周四隅位置に形成する構成としてもよい。更
に、上記した各実施例では、背面側面取り部４２を平面
構造としているが、曲面等を有した構成としてもよい。
上記した各実施例に係る半導体装置２０Ｊ，２０Ｋによ
れば、半導体素子２１の背面外周部分または外周四隅位
置に背面側面取り部４２を形成したことにより、角を有
した形状では壊れやすい半導体素子２１の外周位置及び
外周四隅位置に背面面取り部４２が形成されるため、こ
の位置における破損防止を図ることができる。 【０１１８】尚、上記した第１７乃至第１１実施例に係
る半導体装置２０Ｈ〜２０Ｋにおいて、背面側面取り部
４２及び背面側段付き部４３の形成方法は、先に図５乃
至図１１を用いて説明した第１乃至第６実施例に係る製
造方法を用いて形成することができる。 【０１１９】次に、本発明の第１２乃至第１６実施例で
ある半導体装置について説明する。図２４は、第１２実
施例に係る半導体装置２０Ｌを示している。本実施例に
係る半導体装置２０Ｌは、図４０を用いて説明した従来
技術に係る半導体装置１０Ａと類似した構成とされてい
る。しかるに、本実施例に係る半導体装置２０Ｌは、半
導体素子２１の外周四隅角部に角面取り部４４を形成し
たことを特徴とするものである。この角面取り部４４
は、半導体素子２２の突起電極形成側の面に対し直交す
る方向（即ち、図における上下方向）に延在するよう構
成されている。図２５は、第１３実施例に係る半導体装
置２０Ｍを示している。本実施例に係る半導体装置２０
Ｍは、前記した第１実施例に係る半導体装置２０Ａ（図
１参照）と類似した構成とされているが、半導体素子２
１の外周四隅角部に、突起電極形成側の面に対し直交す
る方向に延在する角面取り部４４を形成した構成とされ
ている。 【０１２０】図２６は、第１４実施例に係る半導体装置
２０Ｎを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｎ
は、前記した第２実施例に係る半導体装置２０Ｂ（図２
参照）と類似した構成とされているが、半導体素子２１
の外周四隅角部に、突起電極形成側の面に対し直交する
方向に延在する角面取り部４４を形成した構成とされて
いる。 【０１２１】図２７（Ａ）は、第１５実施例に係る半導
体装置２０Ｐを示している。本実施例に係る半導体装置
２０Ｐは、前記した第８実施例に係る半導体装置２０Ｈ
（図２０参照）と類似した構成とされているが、半導体
素子２１の外周四隅角部に、突起電極形成側の面に対し
直交する方向に延在する角面取り部４４を形成した構成
とされている。 【０１２２】図２７（Ｂ）は、第１６実施例に係る半導
体装置２０Ｑを示している。本実施例に係る半導体装置
２０Ｑは、前記した第１０実施例に係る半導体装置２０
Ｊ（図２２参照）と類似した構成とされているが、半導
体素子２１の外周四隅角部に、突起電極形成側の面に対
し直交する方向に延在する角面取り部４４を形成した構
成とされている。 【０１２３】図２８は、第１７実施例に係る半導体装置
２０Ｒを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｒ
は、前記した第９実施例に係る半導体装置２０Ｉ（図２
１参照）と類似した構成とされているが、半導体素子２
１の外周四隅角部に、突起電極形成側の面に対し直交す
る方向に延在する角面取り部４４を形成した構成とされ
ている。 【０１２４】図２９は、第１８実施例に係る半導体装置
２０Ｓを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｓ
は、前記した第１１実施例に係る半導体装置２０Ｋ（図
２３参照９と類似した構成とされているが、半導体素子
２１の外周四隅角部に、突起電極形成側の面に対し直交
する方向に延在する角面取り部４４を形成した構成とさ
れている。 【０１２５】上記した第１２乃至第１６実施例に係る半
導体装置２０Ｌ〜２０Ｓによれば、封止樹脂層２２，背
面側樹脂層４１，及び半導体素子２１の外周四隅角部
に、半導体素子２１の突起電極形成面に対し直交する方
向に延在する角面取り部４４が形成されているため、角
を有した形状では壊れやすい外周四隅角部の破損防止を
図ることができる。また、角面取り部４４を面取り部２
４Ａ，２４Ｂ、段付き部２５Ａ，２５Ｂ、背面側面取り
部４２、及び背面側段付き部４３と組み合わせて設ける
ことにより、半導体装置半導体装置２０Ｍ〜２０Ｓの信
頼性を更に向上させることができる。 【０１２６】尚、上記した第１２乃至第１６実施例で
は、角面取り部４４を平面構造した例を示したが、角面
取り部４４は必ずしも平面構造する必要はなく、例えば
曲面を有した構造としたり、また段付き構造とすること
も可能である。 【０１２７】続いて、本発明の第９実施例である半導体
装置の製造方法について説明する。本実施例に係る製造
方法は、先に図２４乃至図２９を用いて説明した第１２
乃至第１６実施例に係る半導体装置２０Ｌ〜２０Ｓに設
けられた角面取り部４４を形成する方法に特徴を有す
る。以下、図３０乃至図３３を用いて、分離工程におい
て半導体素子２２等の外周四隅角部に角面取り部４４を
形成する方法について説明する。 【０１２８】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、図３０に示すように、先ず予め突起電極２３及び
封止樹脂層２２が形成された基板５１をセットフイルム
４５（固定部材）に貼着して固定する（基板固定工
程）。 【０１２９】続いて、セットフイルム４５に固定された
基板５１を個々の半導体素子２１に対応した形状に分離
する切削処理が実施される。図３１示すように、基板５
１は図中矢印Ｘ方向に延在する切断線４６Ｘと、矢印Ｙ
方向に延在する切断線４６Ｙに沿って切断される。 【０１３０】この切削処理では、先ず基板５１を切断線
４６Ｘに沿って複数回平行に切削処理を行う（第１の切
削工程）。この第１の切削工程では、セットフイルム４
５を残し封止樹脂層２２を含め基板５１のみを切削す
る。よって、第１の切削工程が終了した状態では、基板
５１はセットフイルム４５に貼着され、切削処理開始前
の状態を維持している。 【０１３１】上記の第１の切削工程が終了すると、続い
て基板５１を切断線４６Ｘに直交する切断線４６Ｙに沿
って複数回平行に切削処理を行う（第２の切削工程）。
この第２の切削工程では、基板５１，封止樹脂２２と共
に、セットフイルム４５も合わせ切削し切断する。 【０１３２】これにより、図３２に示される短冊形状と
された短冊状基板４７が形成される。この短冊状基板４
７は、複数個（図３２では５個）の半導体素子２２が貼
着された状態となっており、また個々の半導体素子２１
の側面（ずにおける左右側面）は、外部に露出した状態
となっている。 【０１３３】上記のように短冊状基板４７が形成される
と、続いて図３３に示される角面取り部形成工程が短冊
状基板４７に対し実施される。この角面取り部形成工程
では、先ず図３３（Ａ）に示されるように、角度を有し
た角度付き刃２６を、前記した第１の切削工程で切削さ
れた切削位置の側面（第２の切削工程で切断された側
面）と対向するよう位置決めする。 【０１３４】続いて、この角度付き刃２６を用い、図３
３（Ｂ）に示されるように、前記の第１の切削工程で切
削された切削位置の側面から封止樹脂層２２及び基板２
１を切削する。これにより、図３３（Ｃ）に示されるよ
うに、半導体素子２２及び封止樹脂層２２の外周四隅角
部に角面取り部４４が形成された半導体装置が製造され
る。この後、セットフイルム４５を除去することによ
り、個々の半導体装置に分離される。 【０１３５】上記した製造方法を用いて角面取り部４４
を形成することにより、耐使用環境の応力集中やハンド
リング等により破損が発生し易いとされる外周四隅角部
に、衝撃及び応力の集中を回避しうる角面取り部４４を
容易かつ確実に形成することができる。また、角度付き
刃２６は、第１の切削工程で切削された切削位置近傍の
みに溝入れ加工を行うため、その溝入れ深さは浅い。こ
のため、角度付き刃２６の寿命を延ばすことが可能とな
り、合わせて処理時間の短縮を図ることができる。 【０１３６】続いて、本発明の第１９実施例である半導
体装置について説明する。 【０１３７】図３４は、第１９実施例である半導体装置
２０Ｔを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｔ
は、半導体素子２１の封止樹脂層２２が形成される上面
外周部分に素子側面取り部４８が形成された構成とされ
ている。また、封止樹脂層２２は、この素子側面取り部
４８を含めて半導体素子２１の突起電極形成側の面を覆
うよう形成されている。 【０１３８】本実施例に係る半導体装置２０Ｔは、上記
のように半導体素子２１に素子側面取り部４８を形成
し、封止樹脂層２２がこの素子側面取り部４８を含めて
半導体素子２１上に形成される構成としたため、樹脂封
止層２２と半導体素子２１との密着面積を増大させるこ
とができる。このため、樹脂封止層２２と半導体素子２
１との接合力は増大し、樹脂封止層２２が半導体素子２
１から剥離することを防止でき、半導体装置２０Ｔの信
頼性を向上させることができる。 【０１３９】図３５は、本発明の第１０実施例である半
導体装置の製造方法を示している。同図に示される製造
方法は、図３４に示した第１９実施例に係る半導体装置
２０Ｔの製造方法である。 【０１４０】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、先ず図３５（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、角
度を有した角度付き刃２６を用いて基板５１の上面を切
削して素子側面取り部用溝４９を形成する（溝形成工
程）。続いて、この素子側面取り部用溝４９が形成され
た基板５１の上面に、素子側面取り部用溝４９を含め封
止樹脂層２２を形成する（樹脂層形成工程）。これによ
り、図３５（Ｄ）に示されるように、素子側面取り部用
溝４９の内部にも封止樹脂層２２が充填された構成とな
る。 【０１４１】この樹脂層形成工程が終了すると、図３５
（Ｅ），（Ｆ）に示されるように、素子側面取り部用溝
４９より幅狭な寸法を有する角度なし刃２７Ａを用い
て、素子側面取り部用溝４９の略中央位置において封止
樹脂層２２及び基板５１を切削する。これにより、封止
樹脂層２２及び基板５１は完全に切断され、図３５
（Ｇ）に示されるように、素子側面取り部４８に封止樹
脂層２２が充填された構成の半導体装置２０Ｔが製造さ
れる。 【０１４２】上記した製造方法によれば、樹脂層形成工
程を実施する前に素子側面取り部用溝４９が形成される
ため、素子側面取り部４８に封止樹脂層２２が形成され
た半導体装置を容易に形成することができる。また、角
度付き刃２６により素子側面取り部用溝４９を形成する
際、その溝入れ深さは浅いため、角度付き刃２６の寿命
を延ばすことが可能となり、合わせて処理時間の短縮を
図ることができる。 【０１４３】続いて、本発明の第２０実施例である半導
体装置について説明する。 【０１４４】図３６は、第２０実施例である半導体装置
２０Ｕを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｕ
は、図３４を用いて説明した第１９実施例である半導体
装置２０Ｔに対し、半導体素子２１の背面外周部分に素
子側背面面取り部５４を形成すると共に、この背面に素
子側背面面取り部５４を含め背面側樹脂層４１を形成し
たことを特徴とするものである。 【０１４５】本実施例の構成により半導体装置２０Ｕに
よれば、第１９実施例である半導体装置２０Ｔで実現で
きる作用効果に加え、背面側樹脂層４１と半導体素子２
１との密着面積を増大することができるため、背面側樹
脂層４１が半導体素子２１から剥離することを防止で
き、半導体装置２０Ｕの信頼性を更に向上させることが
できる。 【０１４６】図３７は、本発明の第１１実施例である半
導体装置の製造方法を示している。同図に示される製造
方法は、図３６に示した第２０実施例に係る半導体装置
２０Ｕの製造方法である。 【０１４７】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、先ず図３７（Ａ），（Ｂ）に示されるように、角
度を有した角度付き刃２６を用いて基板５１の上面を切
削して素子側面取り部用溝４９を形成する。続いて、角
度付き刃２６を用いて基板５１の背面を切削して素子側
面取り部用溝４９を形成する（溝形成工程）。よって、
この溝形成工程を実施することにより、図３７（Ｃ）に
示されるように、基板５１には対向する一対の素子側面
取り部用溝４９が形成された状態となる。 【０１４８】続いて、この一対の素子側面取り部用溝４
９が形成された基板５１の上面及び背面に、素子側面取
り部用溝４９を含め封止樹脂層２２及び背面側樹脂層４
１を形成する（樹脂層形成工程）。これにより、図３７
（Ｄ）に示されるように、各素子側面取り部用溝４９の
内部にも封止樹脂層２２及び背面側樹脂層４１が充填さ
れた構成となる。 【０１４９】この樹脂層形成工程が終了すると、図３７
（Ｅ），（Ｆ）に示されるように、各素子側面取り部用
溝４９より幅狭な寸法を有する角度なし刃２７Ａを用い
て、各素子側面取り部用溝４９の略中央位置において封
止樹脂層２２及び基板５１を切削する。これにより、封
止樹脂層２２，背面側樹脂層４１及び基板５１は完全に
切断され、図３７（Ｇ）に示されるように、上面側の素
子側面取り部４８に封止樹脂層２２が、また背面側面取
り部５４に背面側樹脂層４１が充填された構成の半導体
装置２０Ｕが製造される。 【０１５０】上記した製造方法によっても、図３５を用
いて説明した第１０実施例に係る製造方法と同様に、素
子側面取り部４８，背面側面取り部５４に封止樹脂層２
２，背面側樹脂層４１が形成された半導体装置を容易に
形成することができる。また、角度付き刃２６により素
子側面取り部用溝４９を形成する際、その溝入れ深さは
浅いため、角度付き刃２６の寿命を延ばすことが可能と
なり、合わせて処理時間の短縮を図ることができる。 【０１５１】尚、上記した第１９及び第２０実施例に係
る半導体装置２０Ｔ，２０Ｕでは、素子側面取り部４８
及び素子側背面面取り部５４を平面構造とした例を示し
たが、素子側面取り部４８及び素子側背面面取り部５４
は必ずしも平面構造とする必要はなく、例えば曲面を有
した構造としたり、また段付き構造とすることも可能で
ある。即ち、封止樹脂層２２及び背面側樹脂層４１に対
し、アンカー効果を持たせ得る形状であれば、他の構造
とすることも可能である。 【０１５２】続いて、本発明の第２１実施例である半導
体装置について説明する。 【０１５３】図３８は、第２１実施例である半導体装置
２０Ｖを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｖ
は、その突起電極形成側の面の外周部分に、封止樹脂層
２２から半導体素子２１に到る面取り部２４Ａを形成す
ると共に、封止樹脂層２２に突起電極形成側の面に対し
直角方向（図中、上下方向）に延在するストレート部５
５を形成したことを特徴とするものである。 【０１５４】このように、封止樹脂層２２に上記構成と
されたストレート部５５を形成することにより、搬送時
に実施されるハンドリング時におけるハンドラーの装着
を容易かつ確実に行うことができ、ハンドリング時の取
り扱いを容易化することができる。 【０１５５】尚、本実施例では封止樹脂層２２から半導
体素子２１に到る面取り部２４Ａが形成されているた
め、封止樹脂層２２と半導体素子２１との境界部におけ
る複合構成に対し、その外周の全体にわたり衝撃及び応
力の集中を回避することが可能となり、使用環境に拘わ
らず高い信頼性を維持できる。また、本実施例では面取
り部２４Ａが封止樹脂層２２と半導体素子２１とを跨ぐ
ように形成された構成とされているが、封止樹脂層２２
にのみ形成する構成としてもよい。 【０１５６】図３９は、本発明の第１２実施例である半
導体装置の製造方法を示している。同図に示される製造
方法は、図３８に示した第２１実施例に係る半導体装置
２０Ｖの製造方法である。 【０１５７】本実施例に係る製造方法における分離工程
では、図３９（Ａ），（Ｂ）に示すように、先ず先端部
に角度を有すると共に側部に側面垂立部５７を有した角
度付き刃２６を用いて、面取り部用溝５６を形成する
（溝形成工程）。 【０１５８】この際、角度付き刃２６の側面垂立部５７
が封止樹脂層２２に到るまで基板５１を切削する。これ
により、面取り部用溝５６の両側部分には、ストレート
分５５が形成される。 【０１５９】上記の溝形成工程が終了すると、続いて上
記した（１）式の条件を満たす面取り部用溝５６の溝幅
より幅狭な寸法を有した角度なし刃２７Ａを用いて、図
３９（Ｃ）に示すように、面取り部用溝５６の略中央位
置で基板５１を切削する。これにより、図３９に示され
るように、封止樹脂分２２にストレート部５５を有した
半導体装置２０Ｖが製造される。 【０１６０】上記した製造方法によれば、溝形成工程に
おいて、角度付き刃２６の側面垂立部５７が封止樹脂層
２２に到るまで基板５１を切削し、封止樹脂層２２から
基板５１に到る面取り部用溝５６を形成することによ
り、樹脂封止層２２の厚さが大となった場合でも、角度
付き刃２６の寿命延長確保、及び切削時間の短縮を図る
ことができる。 【０１６１】以下、この理由について説明する。いま、
側面垂立部５７を有していない（即ち、切削部位が全て
角度を有している構成）の角度付き刃（以下、これを全
体角度付き刃という）を想定し、この全体角度付き刃を
用いて厚い封止樹脂層２２が形成された半導体素子２１
に対し面取り部用溝５６を形成しようとした場合を想定
する。 【０１６２】この場合では、全体角度付き刃の先端が基
板に到るまでに封止樹脂層２２に大きな切削処理が必要
となり、必然的に全体角度付き刃として刃幅寸法の大き
なものが必要となる。ところが、このように刃幅が厚い
全体角度付き刃の加工は難しく、刃幅の薄いものと比較
すると、・コストが高くなる、・刃が特殊加工となり半
導体装置の製造安定性に欠ける等の問題点が生じる。 【０１６３】一方、面取り部２４Ａに応力集中の回避等
の機能を実現させるためには、必ずしも面取り部２４Ａ
はその全体にわたり傾斜を有する完全な面取り構造とす
る必要はなく、封止樹脂層２２と半導体素子２１との境
界部分近傍のみ完全な面取り構造とすれば足る。そこ
で、本発明では、上記のように角度付き刃２６に側面垂
立部５７を設け、この側面垂立部５７が封止樹脂層２２
を切削する構成とした。この構成では、封止樹脂層２２
と半導体素子２１との境界部分近傍では面取り部２４Ａ
が形成されるため、封止樹脂層２２と半導体素子２１と
の境界部分の強度向上を図ることができる。また、角度
付き刃２６の刃幅を厚くする必要がなくなるため、角度
付き刃２６のコスト低減を図ることができる。 【０１６４】また、角度付き刃２６の製造に際し、特殊
加工が不要となるため、半導体装置２０Ｖの製造安定性
を向上させることができ、更に切削エネルギーの低下が
図れるため、切削力の低減及び切削速度の向上を図るこ
とができる。 【発明の効果】上述の如く本発明によれば、両面共に高
精度を有した半導体基板を容易かつ生産性良く製造する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の第１実施例である半導体装置を説明す
るための図である。 【図２】本発明の第２実施例である半導体装置を説明す
るための図である。 【図３】本発明の第３実施例である半導体装置を説明す
るための図である。 【図４】本発明の第４実施例である半導体装置を説明す
るための図である。 【図５】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である。 【図６】本発明の第２実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である。 【図７】本発明の第３実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である。 【図８】本発明の第４実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である（その１）。 【図９】本発明の第４実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である（その２）。 【図１０】本発明の第５実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。 【図１１】本発明の第６実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。 【図１２】本発明の第５実施例である半導体装置及び本
発明の第７実施例である半導体装置の製造方法を説明す
るための図である。 【図１３】本発明の第８実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。 【図１４】本発明の第１実施例である搬送トレイを説明
するための図である。 【図１５】本発明の第２実施例である搬送トレイを説明
するための図である。 【図１６】本発明の第３実施例である搬送トレイを説明
するための図である。 【図１７】本発明の第４実施例である搬送トレイを説明
するための図である。 【図１８】本発明の第６実施例である半導体装置を説明
するための図である。 【図１９】本発明の第７実施例である半導体装置を説明
するための図である。 【図２０】本発明の第８実施例である半導体装置を説明
するための図である。 【図２１】本発明の第９実施例である半導体装置を説明
するための図である。 【図２２】本発明の第１０実施例である半導体装置を説
明するための図である。 【図２３】本発明の第１１実施例である半導体装置を説
明するための図である。 【図２４】本発明の第１２実施例である半導体装置を説
明するための図である。 【図２５】本発明の第１３実施例である半導体装置を説
明するための図である。 【図２６】本発明の第１４実施例である半導体装置を説
明するための図である。 【図２７】本発明の第１５実施例及び第１６実施例であ
る半導体装置を説明するための図である。 【図２８】本発明の第１７実施例及び第１８実施例であ
る半導体装置を説明するための図である。 【図２９】本発明の第１９実施例である半導体装置を説
明するための図である。 【図３０】本発明の第９実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である（その１）。 【図３１】本発明の第９実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である（その２）。 【図３２】本発明の第９実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である（その３）。 【図３３】本発明の第９実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である（その４）。 【図３４】本発明の第２０実施例である半導体装置を説
明するための図である。 【図３５】本発明の第１０実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。 【図３６】本発明の第２１実施例である半導体装置を説
明するための図である。 【図３７】本発明の第１１実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。 【図３８】本発明の第２２実施例である半導体装置を説
明するための図である。 【図３９】本発明の第１２実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。 【図４０】従来の半導体装置の一例を示す図である（そ
の１）。 【図４１】従来の半導体装置を搭載する搬送トレイの一
例を示す図である。 【図４２】従来の半導体装置の一例を示す図である（そ
の２）。 【図４３】従来の半導体装置の一例を示す図である（そ
の３）。 【図４４】従来の半導体装置の製造方法の一例を説明す
るための図である。 【符号の説明】 ２０Ａ〜２０Ｖ 半導体装置 ２１ 半導体素子 ２１Ａ 薄型半導体素子 ２２ 封止樹脂層 ２３ 突起電極 ２４Ａ，２４Ｂ 面取り部 ２５Ａ，２５Ｂ 段付き部 ２６ 角度付き刃 ２７Ａ 角度なし刃 ２７Ｂ 幅広角度なし刃 ２８ 切削交点 ２９ 四隅面取り部用溝 ３０ 四隅段取り用溝 ３１ 基準面出し用樹脂 ３２ 薄型基板 ３３Ａ，３３Ｂ 切削面 ３４ 基準面 ３５Ａ〜３５Ｄ 搬送トレイ ３６Ａ〜３６Ｄ トレイ本体 ３７Ａ〜３７Ｄ キャップ ３８Ａ，３８Ｂ トレイ側面取り部 ４０Ａ，４０Ｂ トレイ側段付き部 ４１ 背面側樹脂層 ４２ 背面側面取り部 ４３ 背面側段付き部 ４４ 角面取り部 ４５ セットフイルム ４７ 短冊状基板 ４８ 素子側面取り部 ４９ 素子側面取り部用溝 ５０ 切削部 ５１ 基板 ５３ 段付き部用溝 ５４ 素子側背面面取り部 ５５ ストレート部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永重 健一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 濱中 雄三 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 森岡 宗知 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基材より半導体基板を切り出す切り出し
   工程と、 切り出された前記半導体基板の一の面に第１の基準面を
   有した基準面出し用樹脂を配設する樹脂形成工程と、 前記基準面を基準として、前記半導体基板の他面に整面
   処理を行うことにより、第２の基準面を形成する第１の
   整面工程と、 前記第１の整面工程で形成された第２の基準面を基準と
   して、前記基準面出し用樹脂を除去すると共に前記一の
   面に整面処理を行う第２の整面工程とを具備することを
   特徴とする半導体基板の製造方法。