JP2004111850A5

JP2004111850A5 -

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Publication number: JP2004111850A5
Application number: JP2002275749A
Authority: JP
Filing date: 2002-09-20
Publication date: 2005-04-21
Anticipated expiration: 2022-09-20

Description

（１）本発明は、組成式Ｂａ_xＳｒ_1-xＲｕＯ₃（式中、０＜ｘ＜０．３）で表わされ、結晶構造がペロブスカイト型結晶構造を有し、該ペロブスカイト型結晶構造が、擬似立方晶であるとして求めた格子定数が3.930〜3.999Åであるペロブスカイト結晶構造であるバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウムにより形成されたバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極に関するものである。

（２）本発明はさらに、電極の形成が、ＣＳＤ法を適用して実施されることを特徴とする前記（１）記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極の製造方法に関するものである。

（３）本発明はさらに、電極の形成が、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリング法または蒸着法を適用して実施されることを特徴とする前記（１）記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極の製造方法に関するものである。

（４）本発明はさらに、圧電体素子において、該圧電体素子が下部電極および上部電極に挟持された圧電体を含む圧電体素子であって、該下部電極および上部電極が前記（１）記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極であることを特徴とする圧電体素子に関するものである。

（５）本発明はさらに、前記（４）記載の圧電体素子において、下部電極および上部電極が、前記（２）または（３）記載の電極の製造方法により形成されたものであり、圧電体が、ＣＳＤ法により成膜された、ペロブスカイト型結晶構造を有する、組成式Pb_1-xLa_x(Zr_yTi_1-y)Ｏ₃（式中、０≦x＜１、０≦ｙ≦１）で表される（ランタン含有）チタン酸ジルコニウム酸鉛から構成された圧電体であることを特徴とする圧電体素子に関するものである。

（６）本発明はさらに、薄膜キャパシタにおいて、該薄膜キャパシタが下部電極および上部電極に挟持された誘電体を含む薄膜キャパシタであって、該下部電極および上部電極が前記（１）記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極であることを特徴とする薄膜キャパシタに関するものである。

（７）本発明はさらに、前記（６）記載の薄膜キャパシタにおいて、下部電極および上部電極が、前記（２）または（３）記載の電極の製造方法により形成されたものであり、誘電体が、ＣＳＤ法により形成された、ペロブスカイト型結晶構造を有する、組成式Pb_1-xLa_x(Zr_yTi_1-y)Ｏ₃（式中、０≦x＜１、０≦ｙ≦１）で表される（ランタン含有）チタン酸ジルコニウム酸鉛から構成された誘電体であることを特徴とする薄膜キャパシタに関するものである。

（８）本発明はさらに、少なくとも、圧力室が形成された圧力室基板と、該圧力室の一方の面に設けられた振動板と、該振動板の該圧力室に対応する位置に設けられ該圧力室に体積変化を及ぼすことができるように構成された圧電体素子と、を備えたインクジェット式記録ヘッドにおいて、該圧電体素子が、前記（５）記載の圧電体素子であることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドに関するものである。

Claims

組成式Ｂａ_xＳｒ_1-xＲｕＯ₃（式中、０＜ｘ＜０．３）で表わされ、結晶構造がペロブスカイト型結晶構造を有し、該ペロブスカイト型結晶構造が、擬似立方晶であるとして求めた格子定数が 3.930 〜 3.999 Åであるペロブスカイト結晶構造であるバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウムにより形成されたバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極。
電極の形成が、ＣＳＤ法を適用して実施されることを特徴とする請求項１記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極の製造方法。
電極の形成が、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリング法または蒸着法を適用して実施されることを特徴とする請求項１記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極の製造方法。
圧電体素子において、該圧電体素子が下部電極および上部電極に挟持された圧電体を含む圧電体素子であって、該下部電極および上部電極が請求項1記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極であることを特徴とする圧電体素子。
請求項４記載の圧電体素子において、下部電極および上部電極が、請求項２または３記載の電極の製造方法により形成されたものであり、圧電体が、ＣＳＤ法により成膜された、ペロブスカイト型結晶構造を有する、組成式Pb_1-xLa_x(Zr_yTi_1-y)Ｏ₃（式中、０≦x＜１、０≦ｙ≦１）で表される（ランタン含有）チタン酸ジルコニウム酸鉛から構成された圧電体であることを特徴とする圧電体素子。
薄膜キャパシタにおいて、該薄膜キャパシタが下部電極および上部電極に挟持された誘電体を含む薄膜キャパシタであって、該下部電極および上部電極が請求項１記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極であることを特徴とする薄膜キャパシタ。
請求項６記載の薄膜キャパシタにおいて、下部電極および上部電極が、請求項２または３記載の電極の製造方法により形成されたものであり、誘電体が、ＣＳＤ法により形成された、ペロブスカイト型結晶構造を有する、組成式Pb_1-xLa_x(Zr_yTi_1-y)Ｏ₃（式中、０≦x＜１、０≦ｙ≦１）で表される（ランタン含有）チタン酸ジルコニウム酸鉛から構成された誘電体であることを特徴とする薄膜キャパシタ。
少なくとも、圧力室が形成された圧力室基板と、該圧力室の一方の面に設けられた振動板と、該振動板の該圧力室に対応する位置に設けられ該圧力室に体積変化を及ぼすことができるように構成された圧電体素子と、を備えたインクジェット式記録ヘッドにおいて、該圧電体素子が、請求項５記載の圧電体素子であることを特徴とするインクジェット式記録ヘッド。