JP2004094240A5

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Publication number: JP2004094240A5
Application number: JP2003292199A
Authority: JP
Filing date: 2003-08-12
Publication date: 2006-09-28
Anticipated expiration: 2023-08-12

Claims

熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５および最低光学濃度の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ｕ^*ｖ^*）色空間の横軸をｕ^*、縦軸をｖ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのｕ^*、ｖ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であり、かつ下記一般式（Ａ−１）で表される還元剤と、下記一般式（Ａ−４）、下記一般式（Ａ−３）で表される化合物を含有することを特徴とする熱現像感光材料。

（式中、Ｚは炭素原子と共に３〜１０員環を構成するのに必要な原子群を表し、Ｒ _x は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表す。Ｒ ₁ 、Ｒ ₂ 、Ｑ ₀ はベンゼン環上に置換可能な基を表し、Ｌは２価の連結基を表し、ｋは０〜１の整数を表し、ｎ及びｍは０〜２の整数を表す。複数のＲ ₁ 、Ｒ ₂ 、Ｑ ₀ は同じでも異なっていても良い。）

（式中、Ｒ ₄₁ は置換または無置換のアルキル基を表し、Ｒ ₄₂ は水素原子、置換又は無置換のアルキル基または置換又は無置換のアシルアミノ基を表すが、Ｒ ₄₁ 、Ｒ ₄₂ は２−ヒドロキシフェニルメチル基であることはない。Ｒ ₄₃ は水素原子または置換または無置換のアルキル基を表し、Ｒ ₄₄ はベンゼン環に置換可能な置換基を表す。）

（式中、Ｘ ₁ はカルコゲン原子またはＣＨＲを表す。ＣＨＲにおけるＲは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、Ｒ ₃ はアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一方は２級または３級のアルキル基であり、Ｒ ₄ は水素原子またはベンゼン環に置換可能な基を表す。Ｑ ₀ は一般式（Ａ−１）のＱ ₀ と同義であり、ｎ及びｍは一般式（Ａ−１）のｎ及びｍと同じ整数を表す。）
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５および最低光学濃度の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ｕ^*ｖ^*）色空間の横軸をｕ^*、縦軸をｖ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのｕ^*、ｖ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であり、かつ縦軸との交点のｖ^*値が−５以上５以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５および最低光学濃度の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ｕ^*ｖ^*）色空間の横軸をｕ^*、縦軸をｖ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのｕ^*、ｖ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であり、かつ傾き（ｖ^*／ｕ^*）が０．７以上２．５以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５および最低光学濃度の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）色空間の横軸をａ^*、縦軸をｂ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのａ^*、ｂ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５および最低光学濃度の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）色空間の横軸をａ^*、縦軸をｂ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのａ^*、ｂ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であり、かつ縦軸との交点のｂ^*値が−５以上５以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５および最低光学濃度の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）色空間の横軸をａ^*、縦軸をｂ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのａ^*、ｂ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であり、かつ傾き（ｂ^*／ａ^*）が０．７以上２．５以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ｕ^*ｖ^*）色空間の横軸をｕ^*、縦軸をｖ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのｕ^*、ｖ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ｕ^*ｖ^*）色空間の横軸をｕ^*、縦軸をｖ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのｕ^*、ｖ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であり、かつ縦軸との交点のｖ^*値が−５以上５以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ｕ^*ｖ^*）色空間の横軸をｕ^*、縦軸をｖ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのｕ^*、ｖ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であり、かつ傾き（ｖ^*／ｕ^*）が０．７以上２．５以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）色空間の横軸をａ^*、縦軸をｂ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのａ^*、ｂ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）色空間の横軸をａ^*、縦軸をｂ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのａ^*、ｂ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であり、かつ縦軸との交点のｂ^*値が−５以上５以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
熱現像感光材料の光学濃度０．５、１．０、１．５の各濃度を測定し、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）色空間の横軸をａ^*、縦軸をｂ^*とする二次元座標に、上記各光学濃度でのａ^*、ｂ^*を配置し作成した線形回帰直線の重決定Ｒ²が０．９９８以上１．０００以下であり、かつ傾き（ｂ^*／ａ^*）が０．７以上２．５以下であることを特徴とする熱現像感光材料。
一般式（Ａ−４）のＲ ₄₁ 、Ｒ ₄₂ の少なくとも一方が２級または３級のアルキル基であることを特徴とする請求項１に記載の熱現像感光材料。
前記一般式（Ａ−１）で表される還元剤が下記一般式（Ａ−２）で表される還元剤であることを特徴とする請求項１又は１３に記載の熱現像感光材料。

（式中、Ｑ ₁ はハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、またはヘテロ環基を表し、Ｑ ₂ は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。Ｇは窒素原子または炭素原子を表すが、Ｇが窒素原子の場合、ｎｇは０であり、Ｇが炭素原子の場合、ｎｇは０または１である。Ｚ ₂ は炭素原子、及びＧとともに３〜１０員の非芳香族環を構成するのに必要な原子群を表す。Ｒ ₁ 、Ｒ ₂ 、Ｒ _x 、Ｑ ₀ 、Ｌ、ｋ、ｎ、及びｍは一般式（Ａ−１）におけるものと同義である。）
一般式（Ａ−２）におけるＺ ₂ が表す非芳香環が６員であることを特徴とする請求項１、１３、１４のいずれか１項に記載の熱現像感光材料。
前記熱現像感光材料の画像形成層を有する側の層が、ビニル化合物、ヒドラジン誘導体、シラン化合物および４級オニウム塩から選ばれる少なくとも１種の省銀化剤を含有することを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の熱現像感光材料。
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の熱現像感光材料を、温度１１０℃以上１４０℃以下、時間５秒以上２０秒以下で現像し、画像を形成することを特徴とする画像形成方法。
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の熱現像感光材料を、４００ｎｍ以上８３０ｎｍ以下のレーザー波長で露光し、画像を形成することを特徴とする画像形成方法。
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の熱現像感光材料を、７８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下のレーザー波長で露光し、画像を形成することを特徴とする画像形成方法。