JP2004083985A - スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Abstract
【課題】アーキングが発生することなく、安定して成膜することが可能であり、ノジュールが発生して、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことのないスパッタリングターゲットおよびスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の分割ターゲット材から構成されるターゲット材とバッキングプレートを、ボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲットであって、分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部において、厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成するとともに、厚さの厚い方の分割ターゲット材に、水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成した。
【選択図】 図３
【解決手段】複数の分割ターゲット材から構成されるターゲット材とバッキングプレートを、ボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲットであって、分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部において、厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成するとともに、厚さの厚い方の分割ターゲット材に、水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成した。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリング法により半導体などの薄膜を製造する際に使用される、ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲット、特に、複数のターゲット材がバッキングプレート上に配置された多分割タイプのスパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば、半導体などの電子・電気部品用材料の成膜法として、膜厚や成分を容易に制御できるため、スパッタリング法が広範に用いられている。
このようなスパッタリング法において用いるスパッタリングターゲットは、薄膜を形成しようとする材料からなるターゲット材と、導電性・熱伝導性に優れた材質からなるバッキングプレートとを、ボンディング材を介して接合した構成のものが一般に用いられている。
【０００３】
ところで、このようなスパッタリング法は、大面積に均一な膜を成膜することができるため、特に、液晶フラットパネルディスプレイの分野で多く使用されるようになっている。
このような液晶フラットパネルディスプレイの分野では、大型化しているのが現状であり、このため、複数のターゲット材がバッキングプレート上に配置された多分割タイプのスパッタリングターゲットが提案されている。
【０００４】
このような大面積の多分割タイプのスパッタリングターゲットに対して、スパッタリングを行う方法として、ターゲット背後に配置した磁石を揺動させてターゲット全体にスパッタリングする方法が行われている。
しかしながら、このような揺動磁石タイプのスパッタリング装置では、ある特定の箇所において、ターゲット材のエロージョンの進行が速く、このエロージョンの進行の速い部分が、ターゲット材とバッキングプレートを接合しているボンディング層に到達してしまうと、他の部分のターゲット材が大量に残っていても、スパッタリングターゲット全体が使用できなくなってしまうことになる。
【０００５】
このため、従来より、図７に示したように、エロージョンの進行の速い部分のターゲット材１０２の厚さを、エロージョンの進行の遅い部分のターゲット材１０４の厚さよりも厚くした構造のスパッタリングターゲット１００が提案されている。
しかしながら、このようなターゲット材１０２とターゲット材１０４の厚さ（高さ）が相違して、これらのスパッタリング面１０２ａ、１０４ａに段差１０６が形成されることになる。従って、このようなスパッタリングターゲット１００では、この段差１０６の部分において、相互に隣接したターゲット材の内、厚さの薄いターゲット材１０４から、スパッタリングによって飛び出した粒子が、隣接する厚さの厚いターゲット材１０２の側面１０２ｂに付着してしまう現象が発生することがある。
【０００６】
この厚さの厚いターゲット材１０２の側面１０２ｂに付着した粒子は、付着量の増加にともない剥離しやすくなり、剥離した薄片が基板に付着するとパーティクルとなってしまう。このようなパーティクルが付着すると、液晶表示素子（ＬＣＤ）などの品質が劣化することになっている。
また、このように厚さの厚いターゲット材１０２のエッジ部１０２ｃでは、アーキングが発生しやすく、安定した成膜を得ることが困難であった。
【０００７】
このため、特開２０００−２０４４６８号公報では、多分割スパッタリングターゲットであって、スパッタリングされる面の高さが分割された部材間で異なるターゲットにおいて、発生するパーティクルの発生量を低減させるように構成したスパッタリングターゲットが提案されている。
この特開２０００−２０４４６８号公報では、図８に示したように、隣り合ったターゲット材２０２、２０４の間のうち、厚さの厚いターゲット材２０２に対して傾斜部２０６を設けて、段差をなくすことにより、分割部におけるパーティクルの発生を低減するように構成したスパッタリングターゲット２００が開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述した特開２０００−２０４４６８号公報に開示されるようなスパッタリングターゲット２００では、図８に示したように、厚さの薄いターゲット材２０４から、直接傾斜部２０６を介して、厚さの厚いターゲット材２０２が立ち上がった状態になっている。
【０００９】
このため、図７に示したスパッタリングターゲット１００に比較すれば、若干の改善はみられるものの、傾斜部２０６への粒子の付着が依然として発生し、この様な立ち上がった状態の箇所では、放電が不安定となり、アーキングが発生して安定した成膜が得られず、ノジュールが発生して、パーティクルによる品質の劣化をきたすことになっているのが実情である。
【００１０】
本発明は、このような現状に鑑み、アーキングが発生することなく、安定して成膜することが可能であり、ノジュールが発生して、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことのないスパッタリングターゲットおよびスパッタリングターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述したような従来技術における課題及び目的を達成するために発明なされたものであって、本発明のスパッタリングターゲットは、複数の分割ターゲット材から構成されるターゲット材とバッキングプレートを、ボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲットであって、
前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部において、
厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成するとともに、
前記厚さの厚い方の分割ターゲット材に、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成したことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、複数の分割ターゲット材から構成されるターゲット材とバッキングプレートを、ボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部において、
厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成するとともに、
前記厚さの厚い方の分割ターゲット材に、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成することを特徴とする。
【００１３】
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成し、しかも、水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成してあるので、隣接部分での段差がなくなるので、傾斜面に粒子が付着することなく、ノジュールが発生することがなくなり、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことがない。
【００１４】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分の幅が、１ｍｍ以上であることを特徴とする。
このように傾斜部分を分割部より離間することによって放電が安定し、アーキングが発生しにくくなり、その結果、安定して成膜することが可能である。
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の傾斜部分と水平部分とのなす角度が、４５°以下であることを特徴とする。
【００１５】
このようにすることによって、隣接部分での段差がなくなるので、傾斜面に粒子が付着することなく、ノジュールが発生することがなくなり、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことがない。しかも、傾斜部分と水平部分とのなす角度が、４５°以下であれば、厚さの厚い方の分割ターゲット材のエッジ部でのアーキングが発生しにくくなり、その結果、安定して成膜することが可能である。
【００１６】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることを特徴とする。
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることによって、水平部分と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００１７】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることを特徴とする。
このように、厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることによって、水平部分と傾斜部分との間がより滑らかな曲線形状を呈することになり、水平部分と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００１８】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることを特徴とする。
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることによって、上部ターゲット面と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００１９】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることを特徴とする。
このように、厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることによって、上部ターゲット面と傾斜部分との間がより滑らかな曲線形状を呈することになり、上部ターゲット面と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２０】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることを特徴とする。
このように、厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることによって、水平部分と傾斜部分との間がより滑らかになり、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００２１】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されていることを特徴とする。
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されているので、水平部分と傾斜部分との間がより滑らかな曲線形状に近い形状を呈することになり、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２２】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることを特徴とする。
このように、厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることによって、上部ターゲット面と傾斜部分との間がより滑らかになり、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００２３】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されていることを特徴とする。
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されているので、上部ターゲット面と傾斜部分との間がより滑らかな曲線形状に近い形状を呈することになり、上部ターゲット面と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２４】
また、本発明は、前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部の隅角部に、エッジ処理が施されていることを特徴とする。
このように構成することによって、分割ターゲット材の隣接部の隅角部に、エッジ処理が施されているので、この部分にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２５】
また、本発明は、前記エッジ処理が、Ｒ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＲ面処理であることを特徴とする。
このように構成することによって、分割ターゲット材の隣接部の隅角部が、より滑らかな曲線形状を呈することになり、分割ターゲット材の隣接部の隅角部にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２６】
また、本発明は、前記エッジ処理が、Ｃ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＣ面処理であることを特徴とする。
このように構成することによって、エッジ部が滑らかになり、アーキングの発生を防止することができる。
また、本発明は、前記分割ターゲット材の相互に隣接する隣接部の間に、間隙が形成されていることを特徴とする。
【００２７】
スパッタリングを行うとＡｒイオンがターゲット材に叩き付けられることにより、ターゲット材に熱が加わることになる。この際に、分割ターゲット材の隣接部の間に間隙が存在しない場合には、ターゲット材が膨張した時に、分割部よりチッピングなどが発生し、パーティクル、アーキングの発生原因となる。また、ターゲット材の取り付け時などに少しねじれたときにもチッピングなどが発生してしまうことになる。
【００２８】
しかしながら、このように分割ターゲット材の相互に隣接する隣接部の間に、間隙が形成されていることによって、膨張、取り付け時におけるねじれを間隙によって吸収することができることになり、このようなチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止することが可能である。
また、本発明は、前記分割ターゲット材の隣接部の間の間隙が、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの間隙であることを特徴とする。
【００２９】
このようなチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止することが可能である。
このような範囲の大きさの間隙を有することによって、膨張、取り付け時におけるねじれを間隙によってより効果的に吸収することができ、このようなチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止することが可能である。
【００３０】
また、本発明では、前記ターゲット材が、ＩｎまたはＳｎを主成分とする金属酸化物であるのが望ましい。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態（実施例）を図面に基づいてより詳細に説明する。図１は、本発明のスパッタリングターゲットの第１の実施例の斜視図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線での断面図、図３は、図２の部分拡大断面図である。
図１において、１０は、全体で本発明のスパッタリングターゲットを示している。
【００３２】
図１および図２に示したように、スパッタリングターゲット１０は、矩形板状のバッキングプレート１２と、バッキングプレート１２の上面に、ボンディング材１４を介して接合されたエロージョン部を構成する複数個の矩形状の分割されたターゲット材１６とから構成されている。
この場合、ターゲット材１６の材料は、特に限定されるものではないが、ターゲットサイズが大きくなることが予想されるフラットパネルディスプレイの製造に使用される材料として好適である、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、ＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎの酸化物）、クロム、モリブデン、ＺＡＯ（Ａｌ−Ｚｎ酸化物）、酸化マグネシウムなどが使用可能である。
【００３３】
また、バッキングプレート１２の材質としては、特に限定されるものではなく、例えば、導電性・熱伝導性に優れた銅、ステンレスなどを用いることができる。この場合、バッキングプレート１２の厚さＤは、特に限定されるものではないが、強度を考慮すれば、例えば、材質が、Ｃｕ（ＪＩＳＣ１０２０）の場合には、１０ｍｍ〜５０ｍｍとするのが望ましい。
【００３４】
さらに、ターゲット材１６とバッキングプレート１２の接合に用いられるボンディング材１４としては、ターゲット材１６とバッキングプレート１２の材質にもより、特に限定されるものではないが、例えば、Ｉｎ系、Ｓｎ系などの金属からなるボンディングロウ材を用いることができる。
図２および図３に示したように、このスパッタリングターゲット１０では、ターゲット材１６として、エロージョンの進行の速い部分である端部の端部分割ターゲット材１８の厚さを、エロージョンの進行の遅い中央部分の中央部分割ターゲット材２０の厚さよりも厚くしている。
【００３５】
そして、図３に示したように、相互に隣接する厚さの相違する端部分割ターゲット材１８と中央部分割ターゲット材２０の隣接部２４、３６において、厚さの厚い方の分割ターゲット材である端部分割ターゲット材１８の隣接部分２４に、水平部分２６が形成されている。
この水平部分２６の厚さＴ１は、厚さの薄い分割ターゲット材である中央部分割ターゲット材２０の厚さＴ２と略同一の厚さとするのが望ましい。
【００３６】
この水平部分２６の幅Ｗとしては、厚さの厚い方の分割ターゲット材である端部分割ターゲット材１８のエッジ部２８が、厚さの薄いターゲット材である中央部分割ターゲット材２０の端部３０と十分離間することによって、アーキングの発生を抑制して、安定して成膜することができるようにするためには、１ｍｍ以上、好ましくは、５ｍｍ以上とするのが望ましい。
【００３７】
そして、この水平部分２６から、端部分割ターゲット材１８の上部ターゲット面３２に連続する傾斜部分３４が形成されている。
このように、水平部分２６から上部ターゲット面３２に連続する傾斜部分３４を形成してあるので、隣接部分２４、３６での段差がなくなるので、傾斜面に粒子が付着することなく、ノジュールが発生することがなくなり、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことがない。
【００３８】
この場合、厚さの厚い方の分割ターゲット材である端部分割ターゲット材１８のエッジ部２８でのアーキングの発生を抑制して、その結果、安定して成膜することが可能とするとともに、傾斜面に粒子が付着することがないようにするためには、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが、４５°以下、好ましくは、３０°以下とするのが望ましい。
【００３９】
さらに、図３に示したように、分割ターゲット材１８、２０の相互に隣接する隣接部分２４、３６の間には、間隙３８が形成されている。
すなわち、スパッタリングを行うとＡｒイオンがターゲット材１６に叩き付けられることにより、ターゲット材１６に熱が加わることになる。この際に、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の間に間隙が存在しない場合には、ターゲット材が膨張した時に、分割部よりチッピングなどが発生し、パーティクル、アーキングの発生原因となる。また、ターゲット材の取り付け時などに少しねじれたときにもチッピングなどが発生してしまうことになる。
【００４０】
しかしながら、このように分割ターゲット材１８、２０の相互に隣接する隣接部分２４、３６の間に、間隙３８が形成されていることによって、膨張、取り付け時におけるねじれを間隙によって吸収することができることになり、このようなチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止することが可能である。
【００４１】
このような間隙３８の大きさＳとしては、上記のチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止するためには、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍ、好ましくは、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍとするのが望ましい。
図４は、本発明のスパッタリングターゲットの第２の実施例を示す図３と同様な部分拡大断面図である。
【００４２】
この実施例のスパッタリングターゲットは、図１に示したスパッタリングターゲット１０と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
この実施例のスパッタリングターゲット１０では、端部分割ターゲット材１８の水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４０が形成されている。
【００４３】
このように水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４０が形成されていることによって、水平部分２６と傾斜部分３４との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
この場合、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４０が、Ｒ０．１ｍｍ以上、好ましくは、Ｒ０．５ｍｍ〜Ｒ５０ｍｍであるのが望ましい。
【００４４】
このように、水平部分２６と傾斜部分３４との間に形成されたＲ部分４０が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることによって、水平部分２６と傾斜部分３４との間がより滑らかな曲線形状を呈することになり、水平部分２６と傾斜部分３４との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００４５】
また、この実施例のスパッタリングターゲット１０では、端部分割ターゲット材１８の上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４２が形成されている。
また、このように上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４２が形成されていることによって、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００４６】
また、この実施例のスパッタリングターゲット１０では、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間に形成されたＲ部分４２が、Ｒ０．１ｍｍ以上、好ましくは、Ｒ０．５ｍｍ〜Ｒ５０ｍｍであるのが望ましい。
このように、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間に形成されたＲ部分４２が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることによって、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間がより滑らかな曲線形状を呈することになり、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００４７】
なお、この実施例では、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分のＲ部分４０と、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間のＲ部分４２との両方のＲ部分を設けたが、いずれか一方のＲ部分のみ設けることも可能である。
また、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分のＲ部分４０の代わりに、図６に示したように、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分４８が、水平部分２６とのなす角度βが４５°以下で、長さＬ１が０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）５０により形成されていてもよい。なお、図６の実施例では、βが３０°である場合を示している。
【００４８】
このように、これらの水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分４８が、水平部分２６とのなす角度βが４５°以下で、長さＬ１が０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）５０で形成されていることによって、角度が緩和されるので、これらの水平部分２６と傾斜部分３４との間に鋭角部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００４９】
また、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間のＲ部分４２の代わりに、図６に示したように、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分５２が、上部ターゲット面とのなす角度γが４５°以下で、長さＬ２が０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）５４により形成されていてもよい。なお、図６の実施例では、γが３０°である場合を示している。
【００５０】
このように、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分５２が、上部ターゲット面とのなす角度γが４５°以下で、長さＬ２が０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）５４により形成されていることによって、角度が緩和されるので、これらの上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間に鋭角部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００５１】
なお、この場合にも、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分のいずれか一方を、角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成することも可能である。
さらに、図示しないが、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分のＲ部分４０の代わりに、この水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分が、上記のような角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）からなる連続的に変化する直線群により形成されていても良い。
【００５２】
また、同様に、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間のＲ部分４２の代わりに、この上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分が、上記のような角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）からなる連続的に変化する直線群により形成されていても良い。
このように、これらの水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分が、上記のような角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）からなる連続的に変化する直線群により形成されているので、これらの水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分が、より滑らかな曲線形状に近い形状を呈することになり、これらの部分に鋭角なエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００５３】
なお、この場合にも、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分のいずれか一方を、このような連続的に変化する直線群により形成することも可能である。
さらに、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分を、これらのＲ部分、角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）、連続的に変化する直線群を組み合わせて用いることも可能である。
【００５４】
図５は、本発明のスパッタリングターゲットの第３の実施例を示す図３と同様な部分拡大断面図である。
この実施例のスパッタリングターゲットは、図１に示したスパッタリングターゲット１０と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００５５】
この実施例のスパッタリングターゲット１０では、分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する端部分割ターゲット材１８と中央分割ターゲット材２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６に、エッジ処理が施されているこのように構成することによって、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６に、エッジ処理が施されているので、この部分にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００５６】
この場合、エッジ処理としては、Ｒ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＲ面処理であるのが望ましい。
このようにエッジ処理として、Ｒ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＲ面処理とすることによって、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６が、より滑らかな曲線形状を呈することになり、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００５７】
また、エッジ処理として、Ｃ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＣ面処理であるのが望ましい。
このように構成することによって、鋭角なエッジがなくなり、アーキングの発生をより効果的に防止することができる。
なお、この場合にも、上記の第２の実施例のように、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分を、Ｒ部分、角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）、連続的に変化する直線群を組み合わせて用いることも可能である。
【００５８】
【実施例】
【００５９】
【実施例１】
図３に示したように、幅１２７ｍｍ×長さ４０６．４ｍｍの矩形状ののＩＴＯターゲット材（酸化インジウム・酸化スズターゲット材、ＳｎＯ２＝１０．０ｗｔ％、相対密度９９％以上）の両端の長さ１／３をそれぞれ、厚さ１０ｍｍの端部分割ターゲット材１８、１８として、残りの１／３の長さを、厚さ５ｍｍの中央分割ターゲット材２０となるように作製した。
【００６０】
図３に示したように、１０ｍｍ厚さの端部分割ターゲット材１８の隣接部（分割部）２４に、幅Ｗが５ｍｍの水平部分２６と、傾斜部分３４とを形成した。
この傾斜部分３４は、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが、６０°、４５°、３０°となるように、研磨加工を行って傾斜部分３４を作製した。
そして、無酸素銅製バッキングプレート１２（１５０ｍｍ×４４０ｍｍ×厚さ７ｍｍ、）を、予めホットプレート上で加熱して、低融点ハンダ（純Ｉｎ）（９９．９％〜９９．９９％程度の純度）からなるボンディング材１４を溶解した。
【００６１】
次いで、予め余熱したこれらの分割ターゲット材１８、２０を用いて、介在物を巻き込まないように注意しながらバッキングプレート１２に所定の位置に、分割間隔０．４ｍｍとなるように載置して押し付けて、冷風をバッキングプレート１２の裏面側から冷却することによって接合し、本発明のスパッタリングターゲットを作製した。
【００６２】
また、比較例として、水平部分を形成しないで、図８に示したように、傾斜部２０６として、傾斜部分３４と同様にして、角度αが４５°となるように作製した以外は同様にして、従来のバッキングプレート２０８を作製した。
これらのスパッタリングターゲットについて、アーキングカウンター（ランドマークテクノロジー社製）によって、アーキングの発生回数をモニターリングした。
【００６３】
スパッタ条件としては、下記の条件で行った。
プロセス圧力＝３ｍＴｏｒｒ（Ａｒ）
投入電力量＝１．２Ｗ／ｃｍ２
スパッタ時間＝４０時間
成膜温度＝室温
その結果を下記の表１に示した。表１から明らかなように、従来のスパッタリングターゲット２００に比較して、本発明のスパッタリングターゲット１０は、アーキングの発生回数も少なかった。特に、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが４５°以下であるのが、アーキングの発生回数が少なく良好であった。
【００６４】
【実施例２】
水平部分２６の幅Ｗを、０．５ｍｍ、１ｍｍとし、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが４５°とした以外は実施例１と同様にして、本発明のスパッタリングターゲット１０を作製した。
これらの本発明のスパッタリングターゲット１０について、実施例１と同様にして、アーキングカウンターによって、アーキングの発生回数をモニターリングした。
【００６５】
その結果を下記の表１に示した。表１から明らかなように、水平部分２６の幅Ｗが、１．０ｍｍ以上であれば、アーキングの発生回数が少なく良好であった。
【００６６】
【実施例３】
図４の実施例のように、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４０、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間に形成されたＲ部分４２を形成するとともに、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが４５°とした以外は実施例１と同様にして、本発明のスパッタリングターゲット１０を作製した。
【００６７】
なお、これらのＲ部分４０、４２について、Ｒ０．１ｍｍ、Ｒ５ｍｍとしたスパッタリングターゲット１０を作製した。
これらの本発明のスパッタリングターゲット１０について、実施例１と同様にして、アーキングカウンターによって、アーキングの発生回数をモニターリングした。
【００６８】
その結果を下記の表１に示した。表１から明らかなように、Ｒ部分４０、４２のＲがＲ０．１ｍｍ以上であれば、アーキングの発生回数が少なく良好であった。
【００６９】
【実施例４】
図５の実施例のように、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６に、Ｒ付けをするエッジ処理を施すとともに、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが４５°とした以外は実施例１と同様にして、本発明のスパッタリングターゲット１０を作製した。
【００７０】
なお、これらのＲ部分のＲを、Ｒ０．１ｍｍ、Ｒ２ｍｍとしたスパッタリングターゲット１０を作製した。
これらの本発明のスパッタリングターゲット１０について、実施例１と同様にして、アーキングカウンターによって、アーキングの発生回数をモニターリングした。
【００７１】
その結果を下記の表１に示した。表１から明らかなように、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６のＲ部分のＲが、Ｒ０．１ｍｍから１０ｍｍであれば、アーキングの発生回数が少なく良好であった。
【００７２】
【表１】
【００７３】
なお、上記の実施例では、水平部分２６を水平としたが、徐々に下降する緩やかな傾斜面とすることも勿論可能である。
また、上記実施例では、バッキングプレート１２の上面が平坦な実施例について説明したが、端部分割ターゲット材１８の水平部分２６と中央部分割ターゲット材２０の上面が同じ高さになればよく、バッキングプレート１２の厚さが、端部分割ターゲット材１８と中央部分割ターゲット材２０の部分で高さが相違するように（段差があるように）することも可能である。
【００７４】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、例えば、上記の実施例では、矩形状のターゲット材について説明したが、円盤形状のターゲット材の場合にも適用することができるなど本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００７５】
【発明の効果】
本発明によれば、厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成することによって、この水平部分が存在することで、厚さの厚い方の傾斜が、ターゲット分割部より離間することにより、放電が安定し、アーキングが発生しにくくなり、その結果、安定して成膜することが可能である。
【００７６】
しかも、水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成してあるので、隣接部分での段差がなくなるので、傾斜面に粒子が付着することなく、ノジュールが発生することがなくなり、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことがない。
また、本発明によれば、水平部分と傾斜部分との間の部分、上部ターゲット面と傾斜部分との間の、両方またはいずれか一方に、Ｒ部分、角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）、または、連続的に変化する直線群により形成されているので、より滑らかな曲線形状を呈することになり、上部ターゲット面と傾斜部分との間に鋭角なエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００７７】
さらに、本発明によれば、分割ターゲット材の隣接部の隅角部に、エッジ処理が施されているので、この部分にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができるなどの幾多の顕著で特有な作用効果を奏する極めて優れた発明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のスパッタリングターゲットの第１の実施例の斜視図である。
【図２】図２は図１のＩＩ−ＩＩ線での断面図である。
【図３】図３は、図２の部分拡大断面図である。
【図４】図４は、本発明のスパッタリングターゲットの第２の実施例を示す図３と同様な部分拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明のスパッタリングターゲットの第３の実施例を示す図３と同様な部分拡大断面図である。
【図６】図６は、本発明のスパッタリングターゲットの別の実施例を示す部分拡大概略図である。
【図７】図７は、従来のスパッタリングターゲットの部分拡大断面図である。
【図８】図８は、従来のスパッタリングターゲットの部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１０ スパッタリングターゲット
１２ バッキングプレート
１４ ボンディング材
１６ ターゲット材
１８ 端部分割ターゲット材
２０ 中央部分割ターゲット材
２２、２４ 隣接部分
２６ 水平部分
２８ エッジ部
３０ 端部
３２ 上部ターゲット面
３４ 傾斜部分
３８ 間隙
４０ Ｒ部分
４２ Ｒ部分
４４ 隅角部
１０２ ターゲット材
１０２ｂ 側面
１０４ ターゲット材
１０６ 段差
２００ スパッタリングターゲット
２０２ ターゲット材
２０４ ターゲット材
２０６ 傾斜部
２０８ バッキングプレート
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリング法により半導体などの薄膜を製造する際に使用される、ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲット、特に、複数のターゲット材がバッキングプレート上に配置された多分割タイプのスパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば、半導体などの電子・電気部品用材料の成膜法として、膜厚や成分を容易に制御できるため、スパッタリング法が広範に用いられている。
このようなスパッタリング法において用いるスパッタリングターゲットは、薄膜を形成しようとする材料からなるターゲット材と、導電性・熱伝導性に優れた材質からなるバッキングプレートとを、ボンディング材を介して接合した構成のものが一般に用いられている。
【０００３】
ところで、このようなスパッタリング法は、大面積に均一な膜を成膜することができるため、特に、液晶フラットパネルディスプレイの分野で多く使用されるようになっている。
このような液晶フラットパネルディスプレイの分野では、大型化しているのが現状であり、このため、複数のターゲット材がバッキングプレート上に配置された多分割タイプのスパッタリングターゲットが提案されている。
【０００４】
このような大面積の多分割タイプのスパッタリングターゲットに対して、スパッタリングを行う方法として、ターゲット背後に配置した磁石を揺動させてターゲット全体にスパッタリングする方法が行われている。
しかしながら、このような揺動磁石タイプのスパッタリング装置では、ある特定の箇所において、ターゲット材のエロージョンの進行が速く、このエロージョンの進行の速い部分が、ターゲット材とバッキングプレートを接合しているボンディング層に到達してしまうと、他の部分のターゲット材が大量に残っていても、スパッタリングターゲット全体が使用できなくなってしまうことになる。
【０００５】
このため、従来より、図７に示したように、エロージョンの進行の速い部分のターゲット材１０２の厚さを、エロージョンの進行の遅い部分のターゲット材１０４の厚さよりも厚くした構造のスパッタリングターゲット１００が提案されている。
しかしながら、このようなターゲット材１０２とターゲット材１０４の厚さ（高さ）が相違して、これらのスパッタリング面１０２ａ、１０４ａに段差１０６が形成されることになる。従って、このようなスパッタリングターゲット１００では、この段差１０６の部分において、相互に隣接したターゲット材の内、厚さの薄いターゲット材１０４から、スパッタリングによって飛び出した粒子が、隣接する厚さの厚いターゲット材１０２の側面１０２ｂに付着してしまう現象が発生することがある。
【０００６】
この厚さの厚いターゲット材１０２の側面１０２ｂに付着した粒子は、付着量の増加にともない剥離しやすくなり、剥離した薄片が基板に付着するとパーティクルとなってしまう。このようなパーティクルが付着すると、液晶表示素子（ＬＣＤ）などの品質が劣化することになっている。
また、このように厚さの厚いターゲット材１０２のエッジ部１０２ｃでは、アーキングが発生しやすく、安定した成膜を得ることが困難であった。
【０００７】
このため、特開２０００−２０４４６８号公報では、多分割スパッタリングターゲットであって、スパッタリングされる面の高さが分割された部材間で異なるターゲットにおいて、発生するパーティクルの発生量を低減させるように構成したスパッタリングターゲットが提案されている。
この特開２０００−２０４４６８号公報では、図８に示したように、隣り合ったターゲット材２０２、２０４の間のうち、厚さの厚いターゲット材２０２に対して傾斜部２０６を設けて、段差をなくすことにより、分割部におけるパーティクルの発生を低減するように構成したスパッタリングターゲット２００が開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述した特開２０００−２０４４６８号公報に開示されるようなスパッタリングターゲット２００では、図８に示したように、厚さの薄いターゲット材２０４から、直接傾斜部２０６を介して、厚さの厚いターゲット材２０２が立ち上がった状態になっている。
【０００９】
このため、図７に示したスパッタリングターゲット１００に比較すれば、若干の改善はみられるものの、傾斜部２０６への粒子の付着が依然として発生し、この様な立ち上がった状態の箇所では、放電が不安定となり、アーキングが発生して安定した成膜が得られず、ノジュールが発生して、パーティクルによる品質の劣化をきたすことになっているのが実情である。
【００１０】
本発明は、このような現状に鑑み、アーキングが発生することなく、安定して成膜することが可能であり、ノジュールが発生して、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことのないスパッタリングターゲットおよびスパッタリングターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述したような従来技術における課題及び目的を達成するために発明なされたものであって、本発明のスパッタリングターゲットは、複数の分割ターゲット材から構成されるターゲット材とバッキングプレートを、ボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲットであって、
前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部において、
厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成するとともに、
前記厚さの厚い方の分割ターゲット材に、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成したことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、複数の分割ターゲット材から構成されるターゲット材とバッキングプレートを、ボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部において、
厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成するとともに、
前記厚さの厚い方の分割ターゲット材に、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成することを特徴とする。
【００１３】
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成し、しかも、水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成してあるので、隣接部分での段差がなくなるので、傾斜面に粒子が付着することなく、ノジュールが発生することがなくなり、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことがない。
【００１４】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分の幅が、１ｍｍ以上であることを特徴とする。
このように傾斜部分を分割部より離間することによって放電が安定し、アーキングが発生しにくくなり、その結果、安定して成膜することが可能である。
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の傾斜部分と水平部分とのなす角度が、４５°以下であることを特徴とする。
【００１５】
このようにすることによって、隣接部分での段差がなくなるので、傾斜面に粒子が付着することなく、ノジュールが発生することがなくなり、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことがない。しかも、傾斜部分と水平部分とのなす角度が、４５°以下であれば、厚さの厚い方の分割ターゲット材のエッジ部でのアーキングが発生しにくくなり、その結果、安定して成膜することが可能である。
【００１６】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることを特徴とする。
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることによって、水平部分と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００１７】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることを特徴とする。
このように、厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることによって、水平部分と傾斜部分との間がより滑らかな曲線形状を呈することになり、水平部分と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００１８】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることを特徴とする。
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることによって、上部ターゲット面と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００１９】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることを特徴とする。
このように、厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることによって、上部ターゲット面と傾斜部分との間がより滑らかな曲線形状を呈することになり、上部ターゲット面と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２０】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることを特徴とする。
このように、厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることによって、水平部分と傾斜部分との間がより滑らかになり、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００２１】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されていることを特徴とする。
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されているので、水平部分と傾斜部分との間がより滑らかな曲線形状に近い形状を呈することになり、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２２】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることを特徴とする。
このように、厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることによって、上部ターゲット面と傾斜部分との間がより滑らかになり、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００２３】
また、本発明は、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されていることを特徴とする。
このように厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されているので、上部ターゲット面と傾斜部分との間がより滑らかな曲線形状に近い形状を呈することになり、上部ターゲット面と傾斜部分との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２４】
また、本発明は、前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部の隅角部に、エッジ処理が施されていることを特徴とする。
このように構成することによって、分割ターゲット材の隣接部の隅角部に、エッジ処理が施されているので、この部分にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２５】
また、本発明は、前記エッジ処理が、Ｒ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＲ面処理であることを特徴とする。
このように構成することによって、分割ターゲット材の隣接部の隅角部が、より滑らかな曲線形状を呈することになり、分割ターゲット材の隣接部の隅角部にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００２６】
また、本発明は、前記エッジ処理が、Ｃ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＣ面処理であることを特徴とする。
このように構成することによって、エッジ部が滑らかになり、アーキングの発生を防止することができる。
また、本発明は、前記分割ターゲット材の相互に隣接する隣接部の間に、間隙が形成されていることを特徴とする。
【００２７】
スパッタリングを行うとＡｒイオンがターゲット材に叩き付けられることにより、ターゲット材に熱が加わることになる。この際に、分割ターゲット材の隣接部の間に間隙が存在しない場合には、ターゲット材が膨張した時に、分割部よりチッピングなどが発生し、パーティクル、アーキングの発生原因となる。また、ターゲット材の取り付け時などに少しねじれたときにもチッピングなどが発生してしまうことになる。
【００２８】
しかしながら、このように分割ターゲット材の相互に隣接する隣接部の間に、間隙が形成されていることによって、膨張、取り付け時におけるねじれを間隙によって吸収することができることになり、このようなチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止することが可能である。
また、本発明は、前記分割ターゲット材の隣接部の間の間隙が、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの間隙であることを特徴とする。
【００２９】
このようなチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止することが可能である。
このような範囲の大きさの間隙を有することによって、膨張、取り付け時におけるねじれを間隙によってより効果的に吸収することができ、このようなチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止することが可能である。
【００３０】
また、本発明では、前記ターゲット材が、ＩｎまたはＳｎを主成分とする金属酸化物であるのが望ましい。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態（実施例）を図面に基づいてより詳細に説明する。図１は、本発明のスパッタリングターゲットの第１の実施例の斜視図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線での断面図、図３は、図２の部分拡大断面図である。
図１において、１０は、全体で本発明のスパッタリングターゲットを示している。
【００３２】
図１および図２に示したように、スパッタリングターゲット１０は、矩形板状のバッキングプレート１２と、バッキングプレート１２の上面に、ボンディング材１４を介して接合されたエロージョン部を構成する複数個の矩形状の分割されたターゲット材１６とから構成されている。
この場合、ターゲット材１６の材料は、特に限定されるものではないが、ターゲットサイズが大きくなることが予想されるフラットパネルディスプレイの製造に使用される材料として好適である、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、ＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎの酸化物）、クロム、モリブデン、ＺＡＯ（Ａｌ−Ｚｎ酸化物）、酸化マグネシウムなどが使用可能である。
【００３３】
また、バッキングプレート１２の材質としては、特に限定されるものではなく、例えば、導電性・熱伝導性に優れた銅、ステンレスなどを用いることができる。この場合、バッキングプレート１２の厚さＤは、特に限定されるものではないが、強度を考慮すれば、例えば、材質が、Ｃｕ（ＪＩＳＣ１０２０）の場合には、１０ｍｍ〜５０ｍｍとするのが望ましい。
【００３４】
さらに、ターゲット材１６とバッキングプレート１２の接合に用いられるボンディング材１４としては、ターゲット材１６とバッキングプレート１２の材質にもより、特に限定されるものではないが、例えば、Ｉｎ系、Ｓｎ系などの金属からなるボンディングロウ材を用いることができる。
図２および図３に示したように、このスパッタリングターゲット１０では、ターゲット材１６として、エロージョンの進行の速い部分である端部の端部分割ターゲット材１８の厚さを、エロージョンの進行の遅い中央部分の中央部分割ターゲット材２０の厚さよりも厚くしている。
【００３５】
そして、図３に示したように、相互に隣接する厚さの相違する端部分割ターゲット材１８と中央部分割ターゲット材２０の隣接部２４、３６において、厚さの厚い方の分割ターゲット材である端部分割ターゲット材１８の隣接部分２４に、水平部分２６が形成されている。
この水平部分２６の厚さＴ１は、厚さの薄い分割ターゲット材である中央部分割ターゲット材２０の厚さＴ２と略同一の厚さとするのが望ましい。
【００３６】
この水平部分２６の幅Ｗとしては、厚さの厚い方の分割ターゲット材である端部分割ターゲット材１８のエッジ部２８が、厚さの薄いターゲット材である中央部分割ターゲット材２０の端部３０と十分離間することによって、アーキングの発生を抑制して、安定して成膜することができるようにするためには、１ｍｍ以上、好ましくは、５ｍｍ以上とするのが望ましい。
【００３７】
そして、この水平部分２６から、端部分割ターゲット材１８の上部ターゲット面３２に連続する傾斜部分３４が形成されている。
このように、水平部分２６から上部ターゲット面３２に連続する傾斜部分３４を形成してあるので、隣接部分２４、３６での段差がなくなるので、傾斜面に粒子が付着することなく、ノジュールが発生することがなくなり、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことがない。
【００３８】
この場合、厚さの厚い方の分割ターゲット材である端部分割ターゲット材１８のエッジ部２８でのアーキングの発生を抑制して、その結果、安定して成膜することが可能とするとともに、傾斜面に粒子が付着することがないようにするためには、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが、４５°以下、好ましくは、３０°以下とするのが望ましい。
【００３９】
さらに、図３に示したように、分割ターゲット材１８、２０の相互に隣接する隣接部分２４、３６の間には、間隙３８が形成されている。
すなわち、スパッタリングを行うとＡｒイオンがターゲット材１６に叩き付けられることにより、ターゲット材１６に熱が加わることになる。この際に、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の間に間隙が存在しない場合には、ターゲット材が膨張した時に、分割部よりチッピングなどが発生し、パーティクル、アーキングの発生原因となる。また、ターゲット材の取り付け時などに少しねじれたときにもチッピングなどが発生してしまうことになる。
【００４０】
しかしながら、このように分割ターゲット材１８、２０の相互に隣接する隣接部分２４、３６の間に、間隙３８が形成されていることによって、膨張、取り付け時におけるねじれを間隙によって吸収することができることになり、このようなチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止することが可能である。
【００４１】
このような間隙３８の大きさＳとしては、上記のチッピングなどの発生による、パーティクル、アーキングを効果的に防止するためには、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍ、好ましくは、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍとするのが望ましい。
図４は、本発明のスパッタリングターゲットの第２の実施例を示す図３と同様な部分拡大断面図である。
【００４２】
この実施例のスパッタリングターゲットは、図１に示したスパッタリングターゲット１０と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
この実施例のスパッタリングターゲット１０では、端部分割ターゲット材１８の水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４０が形成されている。
【００４３】
このように水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４０が形成されていることによって、水平部分２６と傾斜部分３４との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
この場合、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４０が、Ｒ０．１ｍｍ以上、好ましくは、Ｒ０．５ｍｍ〜Ｒ５０ｍｍであるのが望ましい。
【００４４】
このように、水平部分２６と傾斜部分３４との間に形成されたＲ部分４０が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることによって、水平部分２６と傾斜部分３４との間がより滑らかな曲線形状を呈することになり、水平部分２６と傾斜部分３４との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００４５】
また、この実施例のスパッタリングターゲット１０では、端部分割ターゲット材１８の上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４２が形成されている。
また、このように上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４２が形成されていることによって、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００４６】
また、この実施例のスパッタリングターゲット１０では、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間に形成されたＲ部分４２が、Ｒ０．１ｍｍ以上、好ましくは、Ｒ０．５ｍｍ〜Ｒ５０ｍｍであるのが望ましい。
このように、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間に形成されたＲ部分４２が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることによって、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間がより滑らかな曲線形状を呈することになり、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００４７】
なお、この実施例では、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分のＲ部分４０と、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間のＲ部分４２との両方のＲ部分を設けたが、いずれか一方のＲ部分のみ設けることも可能である。
また、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分のＲ部分４０の代わりに、図６に示したように、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分４８が、水平部分２６とのなす角度βが４５°以下で、長さＬ１が０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）５０により形成されていてもよい。なお、図６の実施例では、βが３０°である場合を示している。
【００４８】
このように、これらの水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分４８が、水平部分２６とのなす角度βが４５°以下で、長さＬ１が０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）５０で形成されていることによって、角度が緩和されるので、これらの水平部分２６と傾斜部分３４との間に鋭角部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００４９】
また、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間のＲ部分４２の代わりに、図６に示したように、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分５２が、上部ターゲット面とのなす角度γが４５°以下で、長さＬ２が０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）５４により形成されていてもよい。なお、図６の実施例では、γが３０°である場合を示している。
【００５０】
このように、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分５２が、上部ターゲット面とのなす角度γが４５°以下で、長さＬ２が０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）５４により形成されていることによって、角度が緩和されるので、これらの上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間に鋭角部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００５１】
なお、この場合にも、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分のいずれか一方を、角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成することも可能である。
さらに、図示しないが、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分のＲ部分４０の代わりに、この水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分が、上記のような角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）からなる連続的に変化する直線群により形成されていても良い。
【００５２】
また、同様に、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間のＲ部分４２の代わりに、この上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分が、上記のような角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）からなる連続的に変化する直線群により形成されていても良い。
このように、これらの水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分が、上記のような角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）からなる連続的に変化する直線群により形成されているので、これらの水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分が、より滑らかな曲線形状に近い形状を呈することになり、これらの部分に鋭角なエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００５３】
なお、この場合にも、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分のいずれか一方を、このような連続的に変化する直線群により形成することも可能である。
さらに、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分を、これらのＲ部分、角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）、連続的に変化する直線群を組み合わせて用いることも可能である。
【００５４】
図５は、本発明のスパッタリングターゲットの第３の実施例を示す図３と同様な部分拡大断面図である。
この実施例のスパッタリングターゲットは、図１に示したスパッタリングターゲット１０と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００５５】
この実施例のスパッタリングターゲット１０では、分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する端部分割ターゲット材１８と中央分割ターゲット材２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６に、エッジ処理が施されているこのように構成することによって、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６に、エッジ処理が施されているので、この部分にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００５６】
この場合、エッジ処理としては、Ｒ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＲ面処理であるのが望ましい。
このようにエッジ処理として、Ｒ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＲ面処理とすることによって、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６が、より滑らかな曲線形状を呈することになり、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００５７】
また、エッジ処理として、Ｃ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＣ面処理であるのが望ましい。
このように構成することによって、鋭角なエッジがなくなり、アーキングの発生をより効果的に防止することができる。
なお、この場合にも、上記の第２の実施例のように、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分、および上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間の部分を、Ｒ部分、角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）、連続的に変化する直線群を組み合わせて用いることも可能である。
【００５８】
【実施例】
【００５９】
【実施例１】
図３に示したように、幅１２７ｍｍ×長さ４０６．４ｍｍの矩形状ののＩＴＯターゲット材（酸化インジウム・酸化スズターゲット材、ＳｎＯ２＝１０．０ｗｔ％、相対密度９９％以上）の両端の長さ１／３をそれぞれ、厚さ１０ｍｍの端部分割ターゲット材１８、１８として、残りの１／３の長さを、厚さ５ｍｍの中央分割ターゲット材２０となるように作製した。
【００６０】
図３に示したように、１０ｍｍ厚さの端部分割ターゲット材１８の隣接部（分割部）２４に、幅Ｗが５ｍｍの水平部分２６と、傾斜部分３４とを形成した。
この傾斜部分３４は、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが、６０°、４５°、３０°となるように、研磨加工を行って傾斜部分３４を作製した。
そして、無酸素銅製バッキングプレート１２（１５０ｍｍ×４４０ｍｍ×厚さ７ｍｍ、）を、予めホットプレート上で加熱して、低融点ハンダ（純Ｉｎ）（９９．９％〜９９．９９％程度の純度）からなるボンディング材１４を溶解した。
【００６１】
次いで、予め余熱したこれらの分割ターゲット材１８、２０を用いて、介在物を巻き込まないように注意しながらバッキングプレート１２に所定の位置に、分割間隔０．４ｍｍとなるように載置して押し付けて、冷風をバッキングプレート１２の裏面側から冷却することによって接合し、本発明のスパッタリングターゲットを作製した。
【００６２】
また、比較例として、水平部分を形成しないで、図８に示したように、傾斜部２０６として、傾斜部分３４と同様にして、角度αが４５°となるように作製した以外は同様にして、従来のバッキングプレート２０８を作製した。
これらのスパッタリングターゲットについて、アーキングカウンター（ランドマークテクノロジー社製）によって、アーキングの発生回数をモニターリングした。
【００６３】
スパッタ条件としては、下記の条件で行った。
プロセス圧力＝３ｍＴｏｒｒ（Ａｒ）
投入電力量＝１．２Ｗ／ｃｍ２
スパッタ時間＝４０時間
成膜温度＝室温
その結果を下記の表１に示した。表１から明らかなように、従来のスパッタリングターゲット２００に比較して、本発明のスパッタリングターゲット１０は、アーキングの発生回数も少なかった。特に、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが４５°以下であるのが、アーキングの発生回数が少なく良好であった。
【００６４】
【実施例２】
水平部分２６の幅Ｗを、０．５ｍｍ、１ｍｍとし、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが４５°とした以外は実施例１と同様にして、本発明のスパッタリングターゲット１０を作製した。
これらの本発明のスパッタリングターゲット１０について、実施例１と同様にして、アーキングカウンターによって、アーキングの発生回数をモニターリングした。
【００６５】
その結果を下記の表１に示した。表１から明らかなように、水平部分２６の幅Ｗが、１．０ｍｍ以上であれば、アーキングの発生回数が少なく良好であった。
【００６６】
【実施例３】
図４の実施例のように、水平部分２６と傾斜部分３４との間の部分にＲ部分４０、上部ターゲット面３２と傾斜部分３４との間に形成されたＲ部分４２を形成するとともに、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが４５°とした以外は実施例１と同様にして、本発明のスパッタリングターゲット１０を作製した。
【００６７】
なお、これらのＲ部分４０、４２について、Ｒ０．１ｍｍ、Ｒ５ｍｍとしたスパッタリングターゲット１０を作製した。
これらの本発明のスパッタリングターゲット１０について、実施例１と同様にして、アーキングカウンターによって、アーキングの発生回数をモニターリングした。
【００６８】
その結果を下記の表１に示した。表１から明らかなように、Ｒ部分４０、４２のＲがＲ０．１ｍｍ以上であれば、アーキングの発生回数が少なく良好であった。
【００６９】
【実施例４】
図５の実施例のように、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６に、Ｒ付けをするエッジ処理を施すとともに、傾斜部分３４と水平部分２６とのなす角度αが４５°とした以外は実施例１と同様にして、本発明のスパッタリングターゲット１０を作製した。
【００７０】
なお、これらのＲ部分のＲを、Ｒ０．１ｍｍ、Ｒ２ｍｍとしたスパッタリングターゲット１０を作製した。
これらの本発明のスパッタリングターゲット１０について、実施例１と同様にして、アーキングカウンターによって、アーキングの発生回数をモニターリングした。
【００７１】
その結果を下記の表１に示した。表１から明らかなように、分割ターゲット材１８、２０の隣接部分２４、３６の隅角部４４、４６のＲ部分のＲが、Ｒ０．１ｍｍから１０ｍｍであれば、アーキングの発生回数が少なく良好であった。
【００７２】
【表１】
なお、上記の実施例では、水平部分２６を水平としたが、徐々に下降する緩やかな傾斜面とすることも勿論可能である。
また、上記実施例では、バッキングプレート１２の上面が平坦な実施例について説明したが、端部分割ターゲット材１８の水平部分２６と中央部分割ターゲット材２０の上面が同じ高さになればよく、バッキングプレート１２の厚さが、端部分割ターゲット材１８と中央部分割ターゲット材２０の部分で高さが相違するように（段差があるように）することも可能である。
【００７４】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、例えば、上記の実施例では、矩形状のターゲット材について説明したが、円盤形状のターゲット材の場合にも適用することができるなど本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００７５】
【発明の効果】
本発明によれば、厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成することによって、この水平部分が存在することで、厚さの厚い方の傾斜が、ターゲット分割部より離間することにより、放電が安定し、アーキングが発生しにくくなり、その結果、安定して成膜することが可能である。
【００７６】
しかも、水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成してあるので、隣接部分での段差がなくなるので、傾斜面に粒子が付着することなく、ノジュールが発生することがなくなり、パーティクルによる基板などの品質の劣化をきたすことがない。
また、本発明によれば、水平部分と傾斜部分との間の部分、上部ターゲット面と傾斜部分との間の、両方またはいずれか一方に、Ｒ部分、角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）、または、連続的に変化する直線群により形成されているので、より滑らかな曲線形状を呈することになり、上部ターゲット面と傾斜部分との間に鋭角なエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができる。
【００７７】
さらに、本発明によれば、分割ターゲット材の隣接部の隅角部に、エッジ処理が施されているので、この部分にエッジ部分が存在しないことになるので、この部分におけるアーキングの発生をより効果的に防止することができるなどの幾多の顕著で特有な作用効果を奏する極めて優れた発明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のスパッタリングターゲットの第１の実施例の斜視図である。
【図２】図２は図１のＩＩ−ＩＩ線での断面図である。
【図３】図３は、図２の部分拡大断面図である。
【図４】図４は、本発明のスパッタリングターゲットの第２の実施例を示す図３と同様な部分拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明のスパッタリングターゲットの第３の実施例を示す図３と同様な部分拡大断面図である。
【図６】図６は、本発明のスパッタリングターゲットの別の実施例を示す部分拡大概略図である。
【図７】図７は、従来のスパッタリングターゲットの部分拡大断面図である。
【図８】図８は、従来のスパッタリングターゲットの部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１０ スパッタリングターゲット
１２ バッキングプレート
１４ ボンディング材
１６ ターゲット材
１８ 端部分割ターゲット材
２０ 中央部分割ターゲット材
２２、２４ 隣接部分
２６ 水平部分
２８ エッジ部
３０ 端部
３２ 上部ターゲット面
３４ 傾斜部分
３８ 間隙
４０ Ｒ部分
４２ Ｒ部分
４４ 隅角部
１０２ ターゲット材
１０２ｂ 側面
１０４ ターゲット材
１０６ 段差
２００ スパッタリングターゲット
２０２ ターゲット材
２０４ ターゲット材
２０６ 傾斜部
２０８ バッキングプレート
Claims (34)
- 複数の分割ターゲット材から構成されるターゲット材とバッキングプレートを、ボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲットであって、
前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部において、
厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成するとともに、
前記厚さの厚い方の分割ターゲット材に、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成したことを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分の幅が、１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の傾斜部分と水平部分とのなす角度が、４５°以下であることを特徴とする請求項１から２のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることを特徴とする請求項１から３、および６から７のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることを特徴とする請求項１から５、および８のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部の隅角部に、エッジ処理が施されていることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記エッジ処理が、Ｒ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＲ面処理であることを特徴とする請求項１２に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記エッジ処理が、Ｃ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＣ面処理であることを特徴とする請求項１２に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記分割ターゲット材の相互に隣接する隣接部の間に、間隙が形成されていることを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記分割ターゲット材の隣接部の間の間隙が、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの間隙であることを特徴とする請求項１５に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記ターゲット材が、ＩｎまたはＳｎを主成分とする金属酸化物であることを特徴とする請求項１から１６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 複数の分割ターゲット材から構成されるターゲット材とバッキングプレートを、ボンディング材を介して接合したスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部において、
厚さの厚い方の分割ターゲット材の隣接部分に、厚さの薄い分割ターゲット材の厚さと略同一の厚さを有する水平部分を形成するとともに、
前記厚さの厚い方の分割ターゲット材に、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分から上部ターゲット面に連続する傾斜部分を形成することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分の幅が、１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１８に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の傾斜部分と水平部分とのなす角度が、４５°以下であることを特徴とする請求項１８から１９のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることを特徴とする請求項１８から２０のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項２１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分にＲ部分が形成されていることを特徴とする請求項１８から２２のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間に形成されたＲ部分が、Ｒ０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項２３に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることを特徴とする請求項１８から２０、および２３から２４のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面とのなす角度が４５°以下で、長さが０．１ｍｍ以上の直線（Ｃ０．１ｍｍ以上）により形成されていることを特徴とする請求項１８から２２、および２５のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の水平部分と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されていることを特徴とする請求項１８から２６のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記厚さの厚い方の分割ターゲット材の上部ターゲット面と傾斜部分との間の部分が、連続的に変化する直線群により形成されていることを特徴とする請求項１８から２７のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記分割ターゲット材のうち、相互に隣接する厚さの相違する分割ターゲット材の隣接部の隅角部に、エッジ処理が施されていることを特徴とする請求項１８から２８のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記エッジ処理が、Ｒ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＲ面処理であることを特徴とする請求項２９に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記エッジ処理が、Ｃ０．１ｍｍ〜５ｍｍのＣ面処理であることを特徴とする請求項２９に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記分割ターゲット材の相互に隣接する隣接部の間に、間隙が形成されていることを特徴とする請求項１８から３１のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記分割ターゲット材の隣接部の間の間隙が、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの間隙であることを特徴とする請求項３２に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記ターゲット材が、ＩｎまたはＳｎを主成分とする金属酸化物であることを特徴とする請求項１８から３３のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
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