KR100583323B1 - 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR100583323B1
KR100583323B1 KR1020030058307A KR20030058307A KR100583323B1 KR 100583323 B1 KR100583323 B1 KR 100583323B1 KR 1020030058307 A KR1020030058307 A KR 1020030058307A KR 20030058307 A KR20030058307 A KR 20030058307A KR 100583323 B1 KR100583323 B1 KR 100583323B1
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미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

아크가 발생되지 않고, 안정되게 성막하는 것이 가능하고, 노듈이 발생하여, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는 스퍼터링 타겟 및 스퍼터링 타겟의 제조 방법을 제공한다.
복수의 분할 타겟재로 구성되는 타겟재와 배킹 플레이트를, 본딩재를 통하여 접합한 스퍼터링 타겟이며, 분할 타겟재 중, 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부에 있어서, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하는 동시에, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재에, 수평 부분에서 상부 타겟면에 연속하는 경사 부분을 형성했다.
스퍼터링 타겟, 인접 부분, 수평 부분, 경사 부분.

Description

스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 {A SPUTTERING TARGET AND A PRODUCING METHOD THEREFOR}
도 1은, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제1 실시예의 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II선에서의 단면도이다.
도 3은, 도 2의 부분 확대 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제2 실시예를 나타낸 도 3과 같은 부분 확대 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제3의 실시예를 나타낸 도 3과 같은 부분 확대 단면도이다.
도 6은, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 다른 실시예를 나타내는 부분 확대 개략도이다.
도 7은, 종래의 스퍼터링 타겟의 부분 확대 단면도이다.
도 8은, 종래의 스퍼터링 타겟의 부분 확대 단면도이다.
본 발명은, 스퍼터링법에 의해 반도체 등의 박막을 제조할 때에 사용되는, 타겟재와 배킹 플레이트를 본딩재를 통하여 접합한 스퍼터링(sputtering) 타겟, 특히, 복수의 타겟재가 배킹(backing) 플레이트 상에 배치된 다분할 타입의 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.
종래로부터, 예를 들면, 반도체 등의 전자·전기 부품용 재료의 성막법으로서, 막두께나 성분을 용이하게 제어할 수 있기 때문에, 스퍼터링법이 광범위하게 이용되고 있다.
이러한 스퍼터링법에 있어서 사용하는 스퍼터링 타겟은, 박막을 형성하려고 하는 재료로 이루어지는 타겟재와, 도전성·열전도성이 우수한 재질로 이루어지는 배킹 플레이트를, 본딩재를 통하여 접합한 구성의 것이 일반적으로 사용되고 있다.
그런데, 이러한 스퍼터링법은, 대면적으로 균일한 막을 성막할 수 있기 때문에, 특히, 액정 플랫 패널 디스플레이의 분야에서 많이 사용되고 있다.
이러한 액정 플랫 패널 디스플레이의 분야에서는, 대형화하고 있는 것이 현재의 상태이며, 이 때문에, 복수의 타겟재가 배킹 플레이트 상에 배치된 다분할 타입의 스퍼터링 타겟이 제안되어 있다.
이러한 대면적의 다분할 타입의 스퍼터링 타겟에 대해서, 스퍼터링을 행하는 방법으로서, 타겟 배후에 배치한 자석을 요동 시켜 타겟 전체에 스퍼터링하는 방법이 행해지고 있다.
그렇지만, 이러한 요동 자석 타입의 스퍼터링 장치에서는, 어느 특정의 개소에 있어서, 타겟재의 이로전(erosion)의 진행이 빠르고, 이 이로전의 진행이 빠른 부분이, 타겟재와 배킹 플레이트를 접합하고 있는 본딩층에 도달해 버리면, 다른 부분의 타겟재가 대량으로 남아 있어도, 스퍼터링 타겟 전체를 사용할 수 없게 되어 버리게 된다.
이 때문에, 종래로부터, 도 7에 나타낸 것처럼, 이로전의 진행이 빠른 부분의 타겟재(102)의 두께를, 이로전의 진행이 늦은 부분의 타겟재(104)의 두께보다 두껍게 한 구조의 스퍼터링 타겟(100)이 제안되어 있다.
그렇지만, 이러한 타겟재(102)와 타겟재(104)의 두께(높이)가 상이하여, 이들의 스퍼터링면(102a, 104a)에 단차(106)가 형성되게 된다. 따라서, 이러한 스퍼터링 타겟(100)에서는, 이 단차(106)의 부분에 있어서, 서로 인접한 타겟재 중, 두께가 얇은 타겟재(104)로부터, 스퍼터링에 의해 뛰쳐나온 입자가, 인접하는 두께가 두꺼운 타겟재(102)의 측면(102b)에 부착해 버리는 현상이 발생하는 것이 있다.
이 두께가 두꺼운 타겟재(102)의 측면(102b)에 부착된 입자는, 부착량의 증가에 따라 박리되기 쉬워져, 박리한 박편이 기판에 부착되면 파티클로 되어 버린다. 이러한 파티클이 부착되면, 액정 표시 소자(LCD) 등의 품질이 열화하게 되어 있다.
또, 이와 같이 두께가 두꺼운 타겟재(102)의 에지부(102c)에서는, 아크가 발생하기 쉽고, 안정된 성막을 얻는 것이 곤란했다.
그러므로, 일본국 특개 2000-204468호공보에서는, 다분할 스퍼터링 타겟이며, 스퍼터링되는 면의 높이가 분할된 부재간에 상이한 타겟에 있어서, 발생하는 파티클의 발생량을 저감시키도록 구성한 스퍼터링 타겟이 제안되어 있다.
이 일본국 특개 2000-204468호공보에서는, 도 8에 나타낸 것처럼, 서로 인접 한 타겟재(202, 204)의 사이 중, 두께가 두꺼운 타겟재(202)에 대해서 경사부(206)를 형성하여, 단차를 없앰으로써, 분할부에서의 파티클의 발생을 저감하도록 구성한 스퍼터링 타겟(200)이 개시되어 있다.
그런데, 전술한 일본국 특개 2000-204468호공보에 개시된 것 같은 스퍼터링 타겟(200)에서는, 도 8에 나타낸 것처럼, 두께가 얇은 타겟재(204)로부터, 직접 경사부(206)를 통하여, 두께가 두꺼운 타겟재(202)가 일어선 상태로 되어 있다.
이 때문에, 도 7에 나타낸 스퍼터링 타겟(100)과 비교하면, 약간의 개선은 보여지지만, 경사부(206)에의 입자의 부착이 여전히 발생하고, 이와 같은 일어선 상태의 개소에서는, 방전이 불안정하게 되어, 아크가 발생하여 안정된 성막을 얻지 못하고, 노듈(nodule;덩어리)이 발생하여, 파티클에 의한 품질의 열화를 초래하게 되어 있는 것이 실정이다.
본 발명은, 이러한 현재의 상태를 감안하여, 아크가 발생하지 않고, 안정되게 성막하는 것이 가능하고, 노듈이 발생하여, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는 스퍼터링 타겟 및 스퍼터링 타겟의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 전술한 것 같은 종래 기술에서의 과제 및 목적을 달성하기 위해서 발명된 것이며, 본 발명의 스퍼터링 타겟은, 복수의 분할 타겟재로 구성되는 타겟재와 배킹 플레이트를, 본딩재를 통하여 접합한 스퍼터링 타겟으로서,
상기 분할 타겟재 중, 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부에 있어서,
두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하는 동시에,
상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재에, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속하는 경사 부분을 형성한 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제조 방법은, 복수의 분할 타겟재로 구성되는 타겟재와 배킹 플레이트를, 본딩재를 통하여 접합한 스퍼터링 타겟의 제조 방법으로서,
상기 분할 타겟재 중, 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부에 있어서,
두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하는 동시에,
상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재에, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속하는 경사 부분을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하고, 또한, 수평 부분에서 상부 타겟면에 연속하는 경사 부분을 형성되어 있으므로, 인접 부분에서 의 단차가 없어지므로, 경사면에 입자가 부착되지 않고, 노듈이 발생하지 않게 되어, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분의 폭이, 1mm 이상인 것을 특징으로 한다.
이와 같이 경사 부분을 분할부로부터 이간함으로써 방전이 안정되어, 아크가 발생하지 않게 되어, 그 결과, 안정되게 성막하는 것이 가능하다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 경사 부분과 수평 부분과의 이루는 각도가, 45˚ 이하인 것을 특징으로 한다.
이와 같이 함으로써, 인접 부분에서의 단차가 없어지므로, 경사면에 입자가 부착되지 않고, 노듈이 발생하지 않아, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는다. 또한, 경사 부분과 수평 부분과의 이루는 각도가, 45˚ 이하이면, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 에지부에서의 아크가 발생하지 않아, 그 결과, 안정되게 성막하는 것이 가능하다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분에 R부분이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분에 R부분이 형성되어 있으므로, 수평 부분과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이에 형성된 R부분이, R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이에 형성된 R부분이, R 0.1mm 이상이므로, 수평 부분과 경사 부분 사이가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되고, 수평 부분과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분에 R부분이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분에 R부분이 형성되어 있으므로, 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 형성된 R부분이, R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 형성된 R부분이, R 0.1mm 이상이므로, 상부 타겟면과 경사 부분 사이가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되고, 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분이, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과의 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과의 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상)에 의해 형성되어 있으므로, 수평 부분과 경사 부분 사이가 보다 스무스하게 되어, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분이, 연속적으로 변화하는 직선군(直線群)에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분이, 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있으므로, 수평 부분과 경사 부분 사이가 보다 스무스한 곡선 형상에 가까운 형상을 이루게 되고, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분이, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과의 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분이, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과의 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되어 있으므로, 상부 타겟면과 경사 부분 사이가 보다 스무스하게 되어, 이 부분에서의 아 크의 발생을 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분이, 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분이, 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있으므로, 상부 타겟면과 경사 부분 사이가 보다 스무스한 곡선 형상에 가까운 형상을 이루게 되어, 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 분할 타겟재 중, 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에, 에지 처리가 행해지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부 에지 처리가 행해지고 있으므로, 이 부분에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 에지 처리가, R 0.1mm ~ 5mm의 R면 처리인 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되어, 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 에지 처리가, C 0.1mm~ 5mm의 C면 처리인 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 에지부가 스무스하게 되어, 아크의 발생을 방지할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 분할 타겟재의 서로 인접하는 인접부 간에, 간극이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
스퍼터링을 행하면 Ar 이온이 타겟재에 내던져 질 수 있으므로, 타겟재에 열이 가해지게 된다. 이 때에, 분할 타겟재의 인접부 간에 간극이 존재하지 않는 경우에는, 타겟재가 팽창했을 때에, 분할부로부터 치핑(chipping) 등이 발생하여, 파티클, 아크의 발생 원인으로 된다. 또, 타겟재의 장착시 등에 약간 비틀었을 때에도 치핑 등이 발생하여 버리게 된다.
그렇지만, 이와 같이 분할 타겟재의 서로 인접하는 인접부 간에, 간극이 형성되어 있으므로, 팽창, 장착시에서의 뒤틀림을 간극에 의해 흡수할 수 있게 되어, 이러한 치핑 등의 발생에 의한, 파티클, 아크를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
또, 본 발명은, 상기 분할 타겟재의 인접부 간의 간극이, 0.05mm ~ 0.7mm의 간극인 것을 특징으로 한다.
이러한 치핑 등의 발생에 의한, 파티클, 아크를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
이러한 범위의 크기의 간극을 가지는 것에 의해, 팽창, 장착시에서의 뒤틀림 을 간극에 의해로부터 효과적으로 흡수 할 수 있고, 이러한 치핑 등의 발생에 의한, 파티클, 아크를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
또, 본 발명에서는, 상기 타겟재가, In 또는 Sn를 주성분으로 하는 금속 산화물인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 따라 보다 상세하게 설명한다.
도 1은, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제1 실시예의 사시도, 도 2는 도 1의 II-II선에서의 단면도, 도 3은, 도 2의 부분 확대 단면도이다.
도 1에 있어서, (10)은, 전체로 본 발명의 스퍼터링 타겟을 나타내고 있다.
도 1 및 도 2에 나타낸 것처럼, 스퍼터링 타겟(10)은, 직사각형 판형의 배킹 플레이트(12)와, 배킹 플레이트(12)의 상면에, 본딩재(14)를 통하여 접합된 이로전부를 구성하는 복수개의 직사각형의 분할된 타겟재(16)으로 구성되어 있다.
이 경우, 타겟재(16)의 재료는, 특히 한정되는 것은 아니지만, 타겟 사이즈가 커지는 것이 예상되는 플랫 패널 디스플레이의 제조에 사용되는 재료로서 매우 적합하다, 예를 들면, ITO(In-Sn 산화물), IZO(In-Zn의 산화물), 크롬, 몰리브덴, ZAO(Al-Zn 산화물), 산화 마그네슘 등이 사용 가능하다.
또, 배킹 플레이트(12)의 재질로서는, 특히 한정되지 않고, 예를 들면, 도전성·열전도성이 우수한 강철, 스테인레스 등을 사용할 수 있다. 이 경우, 배킹 플레이트(12)의 두께 D는, 특히 한정되는 것은 아니지만, 강도를 고려하면, 예를 들면, 재질이, Cu(JISC1020)의 경우에는, 1Omm~ 50mm로 하는 것이 바람직하다.
또한, 타겟재(16)과 배킹 플레이트(12)의 접합에 사용되는 본딩재(14)로서 는, 타겟재(16)과 배킹 플레이트(12)의 재질에, 특히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, In계, Sn계 등의 금속으로 이루어지는 본딩재를 사용할 수 있다.
도 2 및 도 3에 나타낸 것처럼, 이 스퍼터링 타겟(10)에서는, 타겟재(16)로서, 이로전의 진행이 빠른 부분인 단부의 단부 분할 타겟재(18)의 두께를, 이로전의 진행이 늦은 중앙 부분의 중앙부 분할 타겟재(20)의 두께보다 두껍게 하고 있다.
그리고, 도 3에 나타낸 것처럼, 서로 인접하는 두께가 상이한 단부 분할 타겟재(18)와 중앙부 분할 타겟재(20)의 인접 부분(24, 36)에 있어서, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재인 단부 분할 타겟재(18)의 인접 부분(24)에, 수평 부분(26)이 형성되어 있다.
이 수평 부분(26)의 두께 T1는, 두께가 얇은 분할 타겟재인 중앙부 분할 타겟재(20)의 두께 T2와 대략 동일한 두께로 하는 것이 바람직하다.
이 수평 부분(26)의 폭W로서는, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재인 단부 분할 타겟재(18)의 에지부(28)가, 두께가 얇은 타겟재인 중앙부 분할 타겟재(20)의 단부(30)와 충분히 이간함으로써, 아크의 발생을 억제하여, 안정되게 성막할 수 있도록 하기 위해서는, 1mm 이상, 바람직하게는, 5mm 이상으로 하는 것이 바람직하다.
그리고, 이 수평 부분(26)으로부터, 단부 분할 타겟재(18)의 상부 타겟면(32)에 연속하는 경사 부분(34)이 형성되어 있다.
이와 같이, 수평 부분(26)으로부터 상부 타겟면(32)에 연속하는 경사 부분(34)이 형성되어 있어, 인접 부분(24, 36)에서의 단차가 없어지므로, 경사면에 입자가 부착되지 않고, 노듈이 발생하지 않아, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는다.
이 경우, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재인 단부 분할 타겟재(18)의 에지부(28)에서의 아크의 발생을 억제하여, 그 결과, 안정되게 성막하는 것을 가능하게 하는 동시에, 경사면에 입자가 부착되는 것이 없게 하기 위해서는, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)의 이루는 각도 α가, 45˚ 이하, 바람직하게는, 30˚ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 도 3에 나타낸 것처럼, 분할 타겟재(18, 20)의 서로 인접하는 인접 부분(24, 36)의 사이에는, 간극(38)이 형성되어 있다.
즉, 스퍼터링을 행하면 Ar 이온이 타겟재(16)에 내던져 질 수 있으므로, 타겟재(16)에 열이 가해지게 된다. 이 때에, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36) 사이에 간극이 존재하지 않는 경우에는, 타겟재가 팽창했을 때에, 분할부로부터 치핑 등이 발생하여, 파티클, 아크의 발생 원인으로 된다. 또, 타겟재의 장착시 등에 약간 비틀었을 때에도 치핑 등이 발생하여 버리게 된다.
그렇지만, 이와 같이 분할 타겟재(18, 20)의 서로 인접하는 인접 부분(24, 36) 사이에, 간극(38)이 형성되어 있으므로, 팽창, 장착시에서의 뒤틀림을 간극에 의해 흡수할 수 있게 되어, 이러한 치핑 등의 발생에 의한, 파티클, 아크를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
이러한 간극(38)의 크기 S로서는, 상기의 치핑 등의 발생에 의한, 파티클, 아크를 효과적으로 방지하기 위해서는, 0.05mm~ 0.7mm, 바람직하게는, 0.1mm~ 0.5mm로 하는 것이 바람직하다.
도 4는, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제2 실시예를 나타낸 도 3과 같은 부분 확대 단면도이다.
이 실시예의 스퍼터링 타겟은, 도 1에 나타낸 스퍼터링 타겟(10)과 기본적으로는 동일한 구성이며, 동일한 구성 부재에는 동일한 참조 번호를 부여하여, 그 상세한 설명을 생략한다.
이 실시예의 스퍼터링 타겟(10)에서는, 단부 분할 타겟재(18)의 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(40)이 형성되어 있다.
이와 같이 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 형성된 R부분(40)이 형성되어 있으므로, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.
이 경우, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(40)이, R 0.1mm 이상, 바람직하게는, R 0.5mm~ R 50mm인 것이 바람직하다.
이와 같이, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이에 형성된 R부분(40)이, R 0.1mm 이상이므로, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되고, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 이 실시예의 스퍼터링 타겟(10)에서는, 단부 분할 타겟재(18)의 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(42)이 형성되어 있다.
또, 이와 같이 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(42)이 형성되어 있으므로, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.
또, 이 실시예의 스퍼터링 타겟(10)에서는, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 형성된 R부분(42)이, R 0.1mm 이상, 바람직하게는, R 0.5mm~R 50mm인 것이 바람직하다.
이와 같이, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 형성된 R부분(42)이, R 0.1mm 이상이므로, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되어, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
그리고, 이 실시예에서는, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 R부분(40)과, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 R부분(42)와의 양쪽 모두 R부분을 형성했지만, 어느 한쪽의 R부분만 형성하는 것도 가능하다.
또, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 R부분(40) 대신에, 도 6에 나타낸 것처럼, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분(48)이, 수평 부분(26)과의 이루는 각도 β이 45˚ 이하이며, 길이 L1가 O.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)(50)에 의해 형성되어 있어도 된다. 그리고, 도 6의 실시예에서는, β 이 30˚인 경우를 나타내고 있다.
이와 같이, 이들의 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분(48)이, 수평 부분(26)과의 이루는 각도 β가 45˚ 이하이며, 길이 L1가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)(50)으로 형성되어 있으므로, 각도가 완화되므로, 이들의 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이에 예각 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.
또, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 R부분(42) 대신에, 도 6에 나타낸 것처럼, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분(52)이, 상부 타겟면과의 이루는 각도 Y가 45˚ 이하이며, 길이 L2가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)(54)에 의해 형성되어 있어도 된다. 그리고, 도 6의 실시예에서는, Y가30˚인 경우를 나타내고 있다.
이와 같이, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분(52)이, 상부 타겟면과의 이루는 각도 Y가 45˚ 이하이며, 길이 L2가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)(54)에 의해 형성되어 있어, 각도가 완화되므로, 이들 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 예각 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.
그리고, 이 경우에도, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 어느쪽이든 한쪽을, 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상)에 의해 형성하는 것도 가능하다.
또한, 도시하지 않지만, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 R부분(40) 대신에, 이 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분이, 상기와 같은 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)으로 이루어지는 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있어도 된다.
또, 마찬가지로, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 R부분(42) 대신에, 이 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분이, 상기와 같은 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)으로 이루어지는 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있어도 된다.
이와 같이, 이들 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분이, 상기와 같은 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상)으로 이루어지는 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있으므로, 이들의 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분이 보다 스무스한 곡선 형상에 가까운 형상을 이루게 되어, 이들의 부분에 예각인 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
그리고, 이 경우에도, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 어느쪽이든 한쪽을, 이러한 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성하는 것도 가능하다.
또한, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분을, 이들 R부분, 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상), 연속적으로 변화하는 직선군을 조합하여 사용하는 것도 가능하다.
도 5는, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제3 실시예를 나타낸 도 3과 같은 부분 확대 단면도이다.
이 실시예의 스퍼터링 타겟은, 도 1에 나타낸 스퍼터링 타겟(10)과 기본적으로는 동일한 구성이며, 동일한 구성 부재에는 동일한 참조 번호를 부여하여, 그 상세한 설명을 생략한다.
이 실시예의 스퍼터링 타겟(10)에서는, 분할 타겟재 중, 서로 인접하는 두께가 상이한 단부 분할 타겟재(18)과 중앙 분할 타겟재(20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)에, 에지 처리가 행해져 있다.
이와 같이 구성함으로써, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)에, 에지 처리가 행해지고 있으므로, 이 부분에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
이 경우, 에지 처리로서는, R 0.1mm~ 5mm의 R면 처리인 것이 바람직하다.
이와 같이 에지 처리로서, R 0.1mm~ 5mm의 R면 처리로 함으로써, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되어, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 에지 처리로서, C 0.1mm~ 5mm의 C면 처리인 것이 바람직하다.
이와 같이 구성함으로써, 예각인 에지가 없어져, 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
그리고, 이 경우에도, 상기의 제2 실시예와 같이, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분을, R부분, 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상), 연속적으로 변화하는 직선군을 조합하여 사용하는 것도 가능하다.
[실시예1]
도 3에 나타낸 것처럼, 폭 127mm×길이 406.4mm의 직사각형의 ITO 타겟재(산화 인듐·산화 주석 타겟재, SnO2=(1O.Owt%, 상대 밀도 99% 이상)의 양단의 길이 1/3를 각각 , 두께 10mm의 단부 분할 타겟재(18, 18)로 하고, 나머지 1/3의 길이를, 두께 5mm의 중앙 분할 타겟재(20)로 되도록 제작했다.
도 3에 나타낸 것처럼, 10mm두께의 단부 분할 타겟재(18)의 인접 부분(분할부)(24)에, 폭W가 5mm의 수평 부분(26)과, 경사 부분(34)을 형성했다.
이 경사 부분(34)은, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)의 이루는 각도 α가, 60˚, 45˚, 30˚로 되도록, 연마 가공을 행하여 경사 부분(34)을 제작했다.
그리고, 무산소 동제 배킹 플레이트(12)(150mm×440mm×두께 7mm)를, 미리 핫 플레이트 상에서 가열하여, 저융점 핸더(순In)(99.9%~ 99.99%정도의 순도)로 이루어지는 본딩재(14)를 용해했다.
이어서, 미리 서서히 가열한 이들 분할 타겟재(18, 20)을 사용하여, 개재물을 말려들게 하지 않게 주의하면서 배킹 플레이트(12)의 소정 위치에 분할 간격 0.4mm로 되도록 탑재하여 가압하고, 냉풍을 배킹 플레이트(12)의 배면 측으로부터 냉각함으로써 접합하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟을 제작했다.
또, 비교예로서, 수평 부분을 형성하지 않고, 도 8에 나타낸 것처럼, 경사부(206)로서, 경사 부분(34)과 마찬가지로 하여, 각도 α가 45˚로 되도록 제작한 이외는 마찬가지로 하여, 종래의 스퍼터링 타겟(200)을 제작했다.
이들의 스퍼터링 타겟에 대하여, 아크 카운터(랜드 마크 테크놀로지 사제)에 의해, 아크의 발생 회수를 모니터링 하였다.
스퍼터 조건으로서는, 아래와 같은 조건으로 행하였다.
프로세스 압력= 3m Torr(Ar)
투입 전력량= 1.2W/cm2
스퍼터 시간= 40시간
성막 온도= 실온
그 결과를 아래와 같은 표 1에 나타냈다. 표 1로부터 명백한 바와 같이, 종래의 스퍼터링 타겟(200)과 비교하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)은, 아크의 발생 회수도 적었다. 특히, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)과의 이루는 각도 α가 45˚ 이하인 것이, 아크의 발생 회수가 적고 양호했다.
[실시예 2]
수평 부분(26)의 폭W를, 0.5mm, 1mm로 하고, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)과의 이루는 각도 α가 45˚로 한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.
이들의 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)에 대해, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 아크 카운터에 의해, 아크의 발생 회수를 모니터링 했다.
그 결과를 아래와 같은 표 1에 나타냈다. 표 1로부터 명백한 바와 같이, 수평 부분(26)의 폭W가, 1.0mm 이상이면, 아크의 발생 회수가 적고 양호했다.
[실시예 3]
도 4의 실시예와 같이, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(40), 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(42)을 형성하는 동시에, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)과의 이루는 각도 α를 45˚로 한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.
그리고, 이들의 R부분(40, 42)에 대해, R 0.1mm, R 5mm로 한 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.
이들 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)에 대해, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 아크 카운터에 의해, 아크의 발생 회수를 모니터링 했다.
그 결과를 하기의 표 1에 나타냈다. 표 1로부터 명백한 바와 같이, R부분(40, 42)의 R이 R 0.1mm 이상이면, 아크의 발생 회수가 적고 양호했다.
[실시예 4]
도 5의 실시예와 같이, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)에, R을 부여하는 에지 처리를 행하는 것과 동시에, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)과의 이루는 각도 α가 45˚로 한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.
그리고, 이들 R부분의 R을, R 0.1mm, R 2mm으로 한 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.
이들 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)에 대해, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 아크 카운터에 의해, 아크의 발생 회수를 모니터링 했다.
그 결과를 아래와 같은 표 1에 나타냈다. 표 1로부터 명백한 바와 같이, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)의 R부분의 R이, R 0.1mm로부터 1Omm이면, 아크의 발생 회수가 적고 양호했다.
[표 1]
Figure 112003031083912-pat00001
그리고, 상기의 실시예에서는, 수평 부분(26)을 수평으로 하였으나, 서서히 하강하는 완만한 경사면으로 하는 것도 물론 가능하다.
또, 상기 실시예에서는, 배킹 플레이트(12)의 상면이 평탄한 실시예에 대하여 설명했지만, 단부 분할 타겟재(18)의 수평 부분(26)과 중앙부 분할 타겟재(20)의 상면이 같은 높이가 되면 되고, 배킹 플레이트(12)의 두께가, 단부 분할 타겟재(18)와 중앙부 분할 타겟재(20)의 부분에서 높이가 상이하도록(단차가 있도 록) 하는 것도 가능하다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 예를 들면, 상기의 실시예에서는, 직사각형의 타겟재에 대하여 설명했지만, 원반 형상의 타겟재의 경우에도 적용할 수 있는 등 본 발명의 목적을 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하다.
본 발명에 의하면, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성함으로써, 이 수평 부분이 존재함으로, 두께가 두꺼운 쪽의 경사가, 타겟 분할부로부터 이간됨으로써, 방전이 안정되어, 아크가 발생하지 않아, 그 결과, 안정되게 성막하는 것이 가능하다.
또한, 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속하는 경사 부분을 형성되어 있으므로, 인접 부분에서의 단차가 없어지므로, 경사면에 입자가 부착되지 않고, 노듈이 발생하지 않아, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는다.
또, 본 발명에 의하면, 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분, 상부 타겟면과 경사 부분 사이의, 양쪽 또는 어느 한쪽이, R부분, 각도가 45°이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상), 또는, 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있으므로, 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되고, 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 예각인 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에, 에지 처리가 행해져 있어, 이 부분에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있는 등의 현저하고 특유한 작용 효과를 얻을 수 있는 극히 우수한 발명이다.

Claims (34)

  1. 복수의 분할 타겟재로 구성되는 타겟재와 배킹(backing) 플레이트를 본딩재를 통하여 접합하는 스퍼터링 타겟으로서,
    상기 분할 타겟재 중 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부에 있어서, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에는 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 실질적으로 동일한 두께를 가지는 수평부분을 형성하는 동시에, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재에는 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속되는 경사 부분을 형성하고,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분의 폭은 1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 경사 부분과 수평 부분이 이루는 각도는 45˚ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분에는 R부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이에 형성되는 R부분은 R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분에는 R부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 형성되는 R부분은 R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분은 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분이 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분은 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면이 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분은 연속적으로 변화하는 직선군(直線群)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분은 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 분할 타겟재 중 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에는 에지 처리가 행해지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 에지 처리는 R 0.1mm ~ 5mm의 R면 처리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 에지 처리는 C 0.1mm ~ 5mm의 C면 처리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 분할 타겟재의 서로 인접하는 인접부 간에는 간극이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 분할 타겟재의 인접부 간의 간극은 0.05mm ~ 0.7mm의 간극인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 타겟재는 In 또는 Sn을 주성분으로 하는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  18. 복수의 분할 타겟재로 구성되는 타겟재와 배킹 플레이트를 본딩재를 통하여 접합하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법으로서,
    상기 분할 타겟재 중 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부에 있어서, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에는 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 실질적으로 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하는 동시에, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재에는 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속되는 경사 부분을 형성하고,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분의 폭은 1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  19. 삭제
  20. 제18항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 경사 부분과 수평 부분이 이루는 각도는 45˚ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분에는 R부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이에 형성되는 R부분은 R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분에는 R부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 형성되는 R부분은 R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  25. 제18항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분은 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분이 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  26. 제18항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분은 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면이 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  27. 제18항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분은 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  28. 제18항에 있어서,
    상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분은 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  29. 제18항에 있어서,
    상기 분할 타겟재 중 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에는 에지 처리가 행해지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 에지 처리는 R 0.1mm ~ 5mm의 R면 처리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 에지 처리는 C 0.1mm ~ 5mm의 C면 처리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  32. 제18항에 있어서,
    상기 분할 타겟재의 서로 인접하는 인접부 간에는 간극이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 분할 타겟재의 인접부 간의 간극은 0.05mm ~ 0.7mm의 간극인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  34. 제18항에 있어서,
    상기 타겟재는 In 또는 Sn을 주성분으로 하는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
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