JP2004083680A - 低誘電正接フィルムおよび配線フィルム - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波信号に対応するための誘電損失の小さな配線フィルムおよびそれに用いる低誘電正接フィルムに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、PHS,携帯電話等の情報通信機器の信号帯域,コンピューターのCPUクロックタイムはGHz帯に達し、高周波数化が進行している。電気信号の誘電損失は、回路を形成する絶縁体の比誘電率の平方根,誘電正接及び使用される信号の周波数の積に比例する。そのため、使用される信号の周波数が高いほど誘電損失が大きくなる。誘電損失は電気信号を減衰させて信号の信頼性を損なうので、これを抑制するために絶縁体には誘電率及び誘電正接の小さな材料を選定する必要がある。絶縁体の低誘電率化及び低誘電正接化には分子構造中の極性基の除去が有効であり、フッ素樹脂,硬化性ポリオレフィン,シアネートエステル系樹脂,硬化性ポリフェニレンオキサイド,アリル変性ポリフェニレンエーテル,ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンで変性したポリエーテルイミド等が提案されている。例えばポリテトラフルオロエチレン(PTFE)に代表されるフッ素樹脂は、誘電率及び誘電正接がともに低く、高周波信号を扱う基板材料に使用されている。これに対して、有機溶剤に可溶で取り扱い易い、非フッ素系の低誘電率で低誘電正接の樹脂も種々検討されており、例えば、特開平8−208856号記載のポリブタジエン等のジエン系ポリマーをガラスクロスに含浸して過酸化物で硬化した例;特開平10−158337号記載のノルボルネン系付加型重合体にエポキシ基を導入し、硬化性を付与した環状ポリオレフィンの例;特開平11−124491号記載のシアネートエステル,ジエン系ポリマー及びエポキシ樹脂を加熱してBステージ化した例;特開平9−118759号記載のポリフェニレンオキサイド,ジエン系ポリマー及びトリアリルイソシアネートからなる変性樹脂の例;特開平9−246429号記載のアリル化ポリフェニレンエーテル及びトリアリルイソシアネート等からなる樹脂組成物の例;特開平5−156159号記載のポリエーテルイミドと、スチレン,ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンとをアロイ化した例;特開平5−78552号記載のジヒドロキシ化合物とクロロメチルスチレンからウイリアムソン反応で合成した、例えばヒドロキノンビス(ビニルベンジル)エーテルとノボラックフェノール樹脂からなる樹脂組成物の例など多数の例が挙げられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような低誘電率,低誘電正接材においても、今後の高周波機器に対応するためには誘電特性が十分ではない。
【0004】
本発明の目的は、従来材に比べて優れた誘電特性を有する多官能スチレン化合物を含有する低誘電正接樹脂組成物を用いた低誘電正接フィルムとそれを用いた配線フィルムを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
多官能スチレン化合物の硬化物は極めて低い誘電率と誘電正接を有し、その値は測定周波数10GHzにおいて誘電率が約2.5、誘電正接が0.002未満である。
【0006】
本多官能スチレン化合物にフィルム形成能を付与する検討を種々行った結果、高分子量体と多官能スチレン化合物を含有する低誘電正接フィルムの開発に至った。本低誘電正接フィルムは、他の有機フィルム,有機クロス,有機不織布と複合化して用いることによって、高強度化,低熱膨張化等の特性を付与することができる。本発明の低誘電正接フィルムは硬化性を有しているため、熱安定性,耐薬品性に優れた低誘電正接フィルムとなる。本低誘電正接フィルムはフレキシブル配線基板等の絶縁層として利用できる。本発明の低誘電正接フィルムで作製した配線フィルムは、誘電率,誘電正接が低いため高周波信号の伝送特性が優れ、また、軽量であるため、小型,軽量な電子機器の配線部材に好適である。
【0007】
本発明の低誘電正接フィルム,配線フィルムについて説明する。
【0008】
本発明の低誘電正接フィルムは、基本的には下記一般式:
【0009】
【化1】
【0010】
(式中、Rは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、R2,R3,R4は、同一又は異なっても良い、水素原子又は炭素数1〜6の炭化水素基を表し、R5,R6,R7,R8は同一又は異なっても良い、水素原子又は炭素数1から20の炭化水素基を表し、nは2以上の整数を表す。)
で示される複数のスチレン基を有する重量平均分子量1000以下の架橋成分と重量平均分子量5000以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物をフィルム化することによって形成される。
【0011】
本発明では架橋成分として極性基を含まない多官能スチレン化合物を用いることによって極めて低い誘電率と誘電正接を有する硬化性の低誘電正接フィルムを作製することができる。本架橋成分は、従来材において架橋成分として用いられてきたジビニルベンゼンのような揮発性を有していないため、低誘電正接フィルム作成時および保存時に架橋成分がフィルム外に揮発しないので樹脂組成比の変化が生じにくい。即ち、本架橋成分を用いると優れた誘電特性を有する低誘電正接フィルムを簡便に安定して作製することができる。本架橋成分の重量平均分子量(GPC,スチレン換算置)は1000以下であることが好ましい。これにより架橋成分の溶融温度の低温化,成型時の流動性の向上,硬化温度の低温化,種々のポリマー,モノマー,充填材との相溶性の向上等が改善され、加工性に富んだ低誘電正接フィルムを作製できる。架橋成分の好ましい例としては、1,2−ビス(p−ビニルフェニル)エタン,1,2−ビス(m−ビニルフェニル)エタン,1−(p−ビニルフェニル)−2−(m−ビニルフェニル)エタン,1,4−ビス(p−ビニルフェニルエチル)ベンゼン,1,4−ビス(m−ビニルフェニルエチル)ベンゼン,1,3−ビス(p−ビニルフェニルエチル)ベンゼン,1,3−ビス(m−ビニルフェニルエチル)ベンゼン,1−(p−ビニルフェニルエチル)−3−(m−ビニルフェニルエチル)ベンゼン,ビスビニルフェニルメタン,1,6―(ビスビニルフェニル)ヘキサン及び側鎖にビニル基を有するジニルベンゼン重合体(オリゴマー)等が挙げられる。
【0012】
本発明では低誘電正接な架橋成分に高分子量体を分散させることによって、フィルム形成能を付与すると共に、強度,伸び,導体配線への接着力の優れた絶縁フィルムを得ることができる。前記高分子量体は分子量が5000以上であることが好ましく、より好ましくは10000〜100000、更に好ましくは15000〜60000であることが好ましい。分子量が小さい場合は、機械強度が不十分になる場合があり、分子量が大きすぎる場合は低誘電正接樹脂組成物をワニス化した際の粘度が高くなり、混合攪拌,成膜,含浸等の加工性が低下する場合がある。高分子量体の例としては、ブタジエン,イソプレン,スチレン,エチルスチレン,ジビニルベンゼン,N−ビニルフェニルマレイミド,アクリル酸エステル,アクリロニトリルから選ばれるモノマーの単独或いは共重合体,置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド,ポリキノリン,環状ポリオレフィン,ポリシロキサン,ポリエーテルイミド等が挙げられる。中でもポリフェニレンオキサイド,環状ポリオレフィンは強度や低誘電正接性の観点で好ましい。これらの高分子量体は複合して用いても良い。本低誘電正接フィルムは、架橋成分の含有量が50wt%を超えるとセルフスタンディング性を失う場合が多いので、離型フィルムあるいは導体配線の形成に使用する導体箔を支持体として、該支持体上に低誘電正接樹脂組成物ワニスを塗布,乾燥してフィルム化し、用いることが加工性の確保の点で好ましい。
【0013】
本発明の低誘電正接フィルムの硬化後の誘電正接は、配合する高分子量体の種類,配合量にもよるが、10GHzにおける誘電正接を0.001〜0.005と非常に低くすることができる。例えば高分子量体としてポリフェニレンオキサイドを配合した低誘電正接フィルムの硬化物では、10GHzにおける誘電正接を0.002未満とすることができる。
【0014】
本発明では、前記の架橋成分と高分子量体を他の有機フィルム,有機クロス,有機不織布と複合化することによって架橋成分と高分子量体の種類,組成比によらず未硬化の低誘電正接フィルムにセルフスタンディング性を付与することができる。セルフスタンディングなフィルムは取り扱い易く各種の加工が容易である。有機系のフィルム,クロス,不織布は、ガラス系のクロス,不織布に比べて誘電率が低く、軽量である。その点で小型,軽量な高周波用電子機器の配線部材としてより好ましい。複合化した低誘電正接フィルムは低誘電正接樹脂組成物のワニスを有機フィルム,有機クロス,有機不織布に塗布あるいは含浸し、乾燥することによって容易に作製できる。この際、有機フィルム,有機クロス,有機不織布に、あらかじめ低誘電正接樹脂組成物との接着性を改善する目的で表面粗化,カップリング処理等の処理を施してもよい。複合タイプの低誘電正接フィルムは硬化後のフィルム内に有機フィルム,有機クロス,有機不織布の何れかを内包する。そのため、低誘電正接フィルムの熱膨張率は、内包する有機フィルム,有機クロス,有機不織布の影響をうけ、例えば、有機フィルム,有機クロス,有機不織布として熱膨張率が20ppm/℃ 以下の材料を選定することによって、低誘電正接フィルムの熱膨張率を低くすることができる。有機フィルム,有機クロス,有機不織布を形成する好ましいポリマーの例としては、ポリイミド,アラミド,ポリベンズオキサゾール,ポリフェニレンスルフィド等が上げられる。
【0015】
本発明の低誘電正接フィルムに含まれる低誘電正接樹脂組成物の架橋成分と高分子量体の添加量に関しては特に制限はないが、架橋成分が5〜95重量部、高分子量体が95〜5重量部の範囲で添加するのが好ましい。前記組成範囲内で、成膜性,強度,伸び,接着性の向上等の目的に応じて組成を調整することができる。また、低誘電正接樹脂組成物と有機フィルム,有機クロス,有機不織布を複合化する際の配合比率は、必要とする熱膨張率に応じて任意に選定することができる。
【0016】
前記、低誘電正接樹脂組成物をワニス化するための有機溶剤は、架橋成分及び高分子量体を溶解するものであれば特に制限はなく、例えば、アセトン,メチルエチルケトン,メチルイソブチルケトン等のケトン類,トルエン,キシレン等の芳香族炭化水素類,N,N−ジメチルホルムアミド,N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類,ジエチルエーテル,エチレングリコールモノメチルエーテル,プロピレングリコールモノメチルエーテル,テトラヒドロフラン,ジオキサン等のエーテル類,メタノール,エタノール,イソプロパノール等のアルコール類等が挙げられ、これらの有機溶剤は単独で、又は2種以上混合して用いてもよい。
【0017】
本発明の低誘電正接フィルムは硬化触媒を添加しなくとも加熱のみによって硬化することができるが、硬化効率の向上を目的として、スチレン基を重合しうる硬化触媒を添加することができる。その添加量には特に制限はないが、硬化触媒の残基が誘電特性に悪影響を与える恐れがあるので、前記架橋成分及び高分子量体の合計100重量部に対して、0.0005 〜10重量部とすることが望ましい。硬化触媒を前記範囲で添加することにより、スチレン基の重合反応が促進され、低温で強固な硬化物を得ることができる。スチレン基の重合を開始しうるカチオン又はラジカル活性種を、熱又は光によって生成する硬化触媒の例を以下に示す。カチオン重合開始剤としては、BF4,PF6,AsF6,SbF6を対アニオンとするジアリルヨードニウム塩、トリアリルスルホニウム塩及び脂肪族スルホニウム塩が挙げられ、旭電化工業製SP−70,172,CP−66,日本曹達製CI−2855,2823,三新化学工業製SI−100L及びSI−150L等の市販品を使用することができる。ラジカル重合開始剤としては、ベンゾイン及びベンゾインメチルのようなベンゾイン系化合物,アセトフェノン及び2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノンのようなアセトフェノン系化合物,チオキサントン及び2,4−ジエチルチオキサントンのようなチオキサンソン系化合物,4,4′−ジアジドカルコン,2,6−ビス(4′−アジドベンザル)シクロヘキサノン及び4,4′−ジアジドベンゾフェノンのようなビスアジド化合物,アゾビスイソブチルニトリル,2,2−アゾビスプロパン,m,m′−アゾキシスチレン及びヒドラゾンのようなアゾ化合物、ならびに2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン及び2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3,ジクミルパーオキシドのような有機過酸化物等が挙げられる。特に、官能基を持たない化合物の水素引き抜きを生じさせ、架橋成分と高分子量体間の架橋をもたらしうる有機過酸化物又はビスアジド化合物を添加することが望ましい。
【0018】
本発明の低誘電正接フィルムには、未硬化時の保存安定性を増すために重合禁止剤を添加することもできる。その添加量は、誘電特性,硬化時の反応性を著しく阻害しないような範囲であることが好ましく、前記架橋成分及び高分子量体の合計100重量部に対して、0.0005 〜5重量部とすることが望ましい。重合禁止剤を前記範囲で添加すると、保存時の余計な架橋反応を抑制することができ、また、硬化時に著しい硬化障害をもたらすこともない。重合禁止剤の例としては、ハイドロキノン,p−ベンゾキノン,クロラニル,トリメチルキノン,4−t−ブチルピロカテコール等のキノン類及び芳香族ジオール類が挙げられる。
【0019】
本発明の低誘電正接フィルムを作製する際の乾燥条件,硬化条件は、低誘電正接樹脂組成物の組成,ワニス化に用いた溶媒によるが、例えば溶媒としてトルエンを使用した場合の乾燥条件は、80〜120℃で30〜90分程度乾燥するのが好ましく、その後、プレス加工によって導体箔と低誘電正接フィルムとを積層接着する場合には150℃〜180℃で1〜3時間,プレス圧力1〜5MPaの範囲内で接着,硬化することが好ましい。ラミネート法によって低誘電正接フィルムと導体箔を接着する場合には、低誘電正接樹脂組成物の組成にもよるが100℃前後の加熱によって銅箔と低誘電正接フィルムを融着し、その後、150℃〜180℃で後加熱することが好ましい。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下に実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、以下の説明中に部とあるのは、特に断りのない限り重量部を指す。
【0021】
以下に実施例及び比較例に使用した試薬の名称,合成方法,ワニスの調製方法及び硬化物の評価方法を説明する。
【0022】
(1)1,2−ビス(ビニルフェニル)エタン(BVPE)の合成
1,2−ビス(ビニルフェニル)エタン(BVPE)は、以下に示すような公知の方法で合成した。500mlの三つ口フラスコにグリニャール反応用粒状マグネシウム(関東化学製)5.36g(220mmol)をとり、滴下ロート,窒素導入管及びセプタムキャップを取り付けた。窒素気流下,スターラーによってマグネシウム粒を攪拌しながら、系全体をドライヤーで加熱脱水した。乾燥テトラヒドロフラン300mlをシリンジにとり、セプタムキャップを通じて注入した。溶液を−5℃に冷却した後、滴下ロートを用いてビニルベンジルクロライド(VBC,東京化成製)30.5g(200mmol)を約4時間かけて滴下した。滴下終了後、0℃/20時間、攪拌を続けた。反応終了後、反応溶液をろ過して残存マグネシウムを除き、エバポレーターで濃縮した。濃縮溶液をヘキサンで希釈し、3.6% 塩酸水溶液で1回、純水で3回洗浄し、次いで硫酸マグネシウムで脱水した。脱水溶液をシリカゲル(和光純薬製ワコーゲルC300)/ヘキサンのショートカラムに通して精製し、真空乾燥してBVPEを得た。得られたBVPEはm−m体(液状),m−p体(液状),p−p体(結晶)の混合物であり、収率は90%であった。1H−NMR によって構造を調べたところその値は文献値と一致した(6H−ビニル:α−2H,6.7,β−4H,5.7,5.2;8H−アロマティック:7.1〜7.35;4H−メチレン:2.9)。
【0023】
このBVPEを架橋成分として用いた。
【0024】
(2)その他の試薬
その他の構成部材として、以下に示すものを使用した。
高分子量体;
PPO:アルドリッチ製,ポリ−2,6−ジメチル−1,4−フェニレンオキシド
ポリキノリン:日立化成製,PQ100
硬化触媒;
25B:日本油脂製2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3(パーヘキシン25B)
複合材料;
デュポン製アラミド不織布,サーマウントE210(厚さ約50μm,約19ppm/℃ )
東レ製ポリフェニレンサルファイドフィルム,トレリナ(厚さ約25μm,熱膨張率約30ppm/℃ )
(3)ワニスの調製方法
所定量の高分子量体,架橋成分及び硬化触媒をクロロホルムに溶解することによって樹脂組成物のワニスを作製した。
【0025】
(4)硬化絶縁フィルムの作製
前記ワニスを有機フィルム,不織布に塗布して、窒素気流下80℃/60分間乾燥した後に、低誘電正接フィルムと銅箔を重ね合わせ、ポリイミドフィルム及び鏡板を介して真空下で、加熱及び加圧して硬化物としての銅箔付き絶縁フィルムを作製した。加熱条件は、120℃/30分,150℃/30分,180℃/100分で、プレス圧力1.5MPa の多段階加熱とした。フィルムの大きさは約150×70×0.05mmとした。
【0026】
(5)誘電率及び誘電正接の測定
誘電率,誘電正接は空洞共振法(アジレントテクノロジー製8722ES型ネットワークアナライザー,関東電子応用開発製空洞共振器)によって、10GHzでの値を観測した。測定試料は、前記、銅箔付き低誘電正接フィルムの銅箔をエッチングによって除去し、80×2mmのサイズの切り出して作製した。
【0027】
(6)熱膨張率の測定
熱膨張率は、真空理工製サーモメカニカルアナライザーTM―7000を用いてα1の値を求めた。測定試料は、前記銅箔付き低誘電正接フィルムの銅箔をエッチングによって除去し、30×2mmのサイズに切り出して作製した。測定条件は支点間距離を20mm、昇温速度を2℃/分、引張加重を2gfとした。
【0028】
[比較例1]
比較例1は、ポリフェニレンオキサイド(PPO)をクロロホルムに溶解して銅箔上に塗布,乾燥して作製した銅箔付き低誘電正接フィルムの例である。比較例1の低誘電正接フィルムは誘電率が約2.4、誘電正接が約0.0022と優れた電気特性を有するものの、トルエンに対して膨潤,溶解した。また、熱膨張率は60ppm/℃ と比較的高い値を示した。比較例1の低誘電正接フィルムを2枚重ね合わせて、1.5MPa の圧力でプレス加工したところ、180℃の加熱では融着せず、多層化できなかった。多層化するためには、280℃以上でのプレス加工が必要であった。これはポリフェニレンオキサイドの溶融温度が高いためである。
【0029】
[実施例1]
実施例1は、高分子量体としてPQ100を、架橋成分としてBVPEを用いた例である。実施例1の低誘電正接フィルムはセルフスタンディングフィルムであった。本フィルムを銅箔で挟み込み、1.5MPa の圧力でプレス加工したところ、加熱温度180℃への昇温過程で銅箔と融着した。その後、100分間加熱を続け硬化した。硬化した低誘電正接フィルムをエッチング処理によって取り出した。本低誘電正接フィルムは、トルエンに対して溶解,膨潤せず安定であった。また、本低誘電正接フィルムは誘電率が2.65、誘電正接が0.005と低い値を示した。熱膨張率は55ppm/℃ であった。
【0030】
[実施例2]
実施例2は、高分子量体としてPPOを、架橋成分としてBVPEを用いた例である。実施例2の低誘電正接フィルムはセルフスタンディングフィルムではない。本フィルムは銅箔上に塗布,乾燥して作製した。本銅箔付きフィルムを2枚重ね合わせて1.5MPaの圧力でプレス加工したところ、加熱温度180℃への昇温過程で銅箔と融着した。その後、100分間加熱を続け硬化した。硬化した低誘電正接フィルムをエッチング処理によって取り出した。本低誘電正接フィルムは、トルエンに対して溶解,膨潤せず安定であった。また、本低誘電正接フィルムは誘電率が2.43、誘電正接が0.0018と低い値を示した。熱膨張率は60ppm/℃ であった。
【0031】
[実施例3]
実施例3は、高分子量体としてポリフェニレンオキサイド(PPO)を、架橋成分としてBVPEを、有機フィルムとしてトレリナを用いた例である。有機フィルムの表面はサンドペーパーによって粗化した。粗化後のフィルム表面の凹凸は約5μmであった。その後、有機フィルムを低誘電正接樹脂組成物のワニスに浸し、乾燥して複合化した低誘電正接フィルムを得た。実施例2の低誘電正接フィルムは、有機フィルムの重量を100として、ほぼ100部の低誘電正接樹脂組成物が塗布されたセルフスタンディングフィルムであった。本フィルムを銅箔で挟み込み、1.5MPa の圧力でプレス加工したところ、加熱温度180℃への昇温過程で銅箔と融着した。その後、100分間加熱を続け硬化した。硬化した低誘電正接フィルムをエッチング処理によって取り出した。本低誘電正接フィルムは、トルエンに対して溶解,膨潤せず安定であった。また、本低誘電正接フィルムは誘電率が2.70、誘電正接が0.0025と低い値を示した。熱膨張率は43ppm/℃ と複合化によって低下した。
【0032】
[実施例4]
実施例4は、高分子量体としてポリフェニレンオキサイド(PPO)を、架橋成分としてBVPEを、有機不織布としてE210を用いた例である。有機不織布に低誘電正接樹脂組成物を含浸して低誘電正接フィルムを得た。本フィルムの低誘電正接樹脂組成物の含浸量はフィルム重量を100部として、ほぼ100部であった。本低誘電正接フィルムを銅箔で挟み込み、1.5MPa の圧力でプレス加工したところ、加熱温度180℃への昇温過程で銅箔と融着した。その後、100分間加熱を続け硬化した。硬化した低誘電正接フィルムをエッチング処理によって取り出した。本低誘電正接フィルムは、トルエンに対して溶解,膨潤せず安定であった。また、本低誘電正接フィルムは誘電率が2.75 、誘電正接が0.0025 と低い値を示した。熱膨張率は36ppm/℃ と複合化によって低下した。
【0033】
【表1】
【0034】
[実施例5]
配線フィルムおよび多層配線フィルムの作成例を図1にて説明する。工程A;実施例4と同様にして銅箔(2)を有する低誘電正接フィルム(1)を作製した。工程B;エッチング法によって銅箔に配線(3)を形成した。以上のようにしてフレキシブル配線板を作成した。次いで多層化の一例を示す。工程C;2枚のフレキシブル配線板を実施例4の未硬化低誘電正接フィルムを介して積層し、加熱,加圧によって硬化して多層化した。工程D;所定の位置にドリル加工によってスルーホールを形成した。工程E;スルーホール直上に開口部を有するめっきレジスト(5)を形成し、スルーホール内に無電解めっき,電気めっきを併用してめっき銅(6)を形成した。工程G;一旦、めっきレジストを除去した後、通常のエッチング法によって外層配線を形成し、レキシブル多層配線板を作製した。本フレキシブル配線板は低誘電率,低誘電正接材料によって絶縁層を形成しているため伝送損失が低い。
【0035】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電率,誘電正接が低い低誘電正接フィルムが得られる。本低誘電正接フィルムは、フレキシブルな配線フィルムの絶縁層として好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】配線フィルム,多層配線フィルムの作成例を示す模式図である。
【符号の説明】
1…低誘電正接フィルム、2…銅箔、3…配線、4…スルーホール、5…めっきレジスト、6…めっき銅。
Claims (15)
- 請求項1に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムの硬化後の10GHzにおける誘電正接が0.001〜0.005であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
- 請求項1に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムが他の有機フィルム,有機クロス,有機不織布との複合材料であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
- 請求項3に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記有機フィルム,有機クロス,有機不織布の熱膨張率が20ppm/℃ 以下であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
- 請求項4に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記有機フィルム,有機クロス,有機不織布が、ポリイミド,アラミド,ポリベンズオキサゾール,ポリフェニレンスルフィドの何れかを構成成分とすることを特徴とする低誘電正接樹脂フィルム。
- 請求項1に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記高分子量体が、ブタジエン,イソプレン,スチレン,メチルスチレン,エチルスチレン,ジビニルベンゼン,アクリル酸エステル,アクリロニトリル、N−フェニルマレイミド及びN−ビニルフェニルマレイミドの少なくとも一種からなる重合体、置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド,ポリキノリンならびに脂環式構造を有するポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
- 請求項1に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムが、第二の架橋成分としてフェノール樹脂,エポキシ樹脂,シアネート樹脂,ビニルベンジルエーテル樹脂,熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂を含有していることを特徴とする低誘電正接フィルム。
- 請求項1に記載の低誘電正接フィルムにおいて、その表面の少なくとも一方の面に導体層を設置したことを特徴とする低誘電正接フィルム。
- 請求項9に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムが他の有機フィルム,有機クロス,有機不織布との複合材料であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
- 請求項10に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記有機フィルム,有機クロス,有機不織布の熱膨張率が20ppm/℃ 以下であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
- 請求項11に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記有機フィルム,有機クロス,有機不織布が、ポリイミド,アラミド,ポリベンズオキサゾール,ポリフェニレンスルフィドの何れかを構成成分とすることを特徴とする低誘電正接樹脂フィルム。
- 請求項13に記載の配線フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムが他の有機フィルム,有機クロス,有機不織布との複合材料であることを特徴とする配線フィルム。
- 請求項13に記載の配線フィルムにおいて、前記絶縁層と配線層とを2層以上積層したことを特徴とする多層配線フィルム。
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