CN1249182C - 低介电损耗正切膜和配线膜 - Google Patents

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Abstract

提供使用含有多官能团苯乙烯化合物具有优良介电特性的低介电损耗正切树脂组合物的低介电损耗正切膜以及配线膜。含有具有以下通式：式中，R表示可以有取代基的烃骨架；R1可以相同或不同，表示氢原子或1～20个碳原子的烃基；R2、R3和R4可以相同或不同，表示氢原子或1～6个碳原子的烷基；m表示1～4的整数；n表示2以上的整数；表示的数个苯乙烯基的重均分子量1000以下的交联成分，和高分子量体的固化性低介电损耗正切膜，以及以其为绝缘层的配线膜。

Description

低介电损耗正切膜和配线膜
技术领域
本发明涉及与高频信号对应的介电损失小的配线膜及其使用的低介电损耗正切膜。
背景技术
近年来，PHS、便携式电话等信息通讯仪器的信号带宽和电脑的CPU时标脉冲周期已经达到GHz带，正在进行高频化。电信号的介电损失，与形成电路的绝缘体比介电常数的平方根、介电损耗正切和使用信号频率数的乘积成正比。因此，所使用信号的频率越高介电损失越大。由于介电损失使电信号衰减而有损于信号的可靠性，所以为了抑制它，绝缘体必须选择介电常数和介电损耗正切小的材料。对于绝缘体的低介电常数化和低介电损耗正切化而言除去分子结构中的极性基团是有效的，因而提出了氟树脂、固化性聚烯烃、氰酸酯系树脂、固化性聚苯硫、烯丙基改性的聚苯醚、二乙烯基苯或二乙烯基萘改性的聚醚酰亚胺等。例如以聚四氟乙烯(PTEE)为代表的氟树脂，介电常数和介电损耗正切均低，被用作处理高频信号的基板材料。与此相比，为了能溶于有机溶剂容易处理起见，对属于非氟树脂系的一些低介电常数和低介电损耗正切的树脂也进行了各种考察，例如特开平8-208856中记载的、将聚丁二烯等二烯系聚合物浸渍在玻璃织物中用过氧化物固化的实例，特开平10-158337中记载的在降冰片烯系加成型聚合物中导入环氧基获得固化性的环状聚烯烃的实例，特开平11-124491中记载的将氰酸酯、二烯系聚合物和环氧树脂加热B阶段化的实例，特开平9-118759中记载的由聚苯撑氧化物、二烯系聚合物和三烯丙基异氰酸酯组成的改性树脂实例，特开平9-246429中记载的由烯丙基化聚苯撑醚和三烯丙基异氰酸酯等组成的树脂实例，特开平5-156159中记载的将聚醚酰亚胺与苯乙烯、二乙烯基苯或二乙烯基萘合金化的实例，特开平5-78552中记载的利用威廉逊合成法，由二羟基化合物和氯代甲基苯乙烯合成的例如氢醌双(乙烯基苄基)醚与清漆酚醛树脂组成的树脂组合物等多个实例。
发明内容
上记的低介电常数和低介电损耗正切材料，对今后的高频仪器而言介电特性并不充分。
本发明目的在于提供使用含有比已有材料介电特性优良的多官能团苯乙烯化合物的低介电损耗正切树脂组合物的低介电损耗正切膜以及使用这种膜的配线膜。
多官能团苯乙烯化合物的固化物，具有极低的介电常数和介电损耗正切，其数值在测定频率10GHz下介电常数约2.5，介电损耗正切低于0.002。
对于使本多官能团化合物具有膜生成能力进行了各种研究，结果开发出高分子量体和含有多官能团化合物的低介电损耗正切膜。本低介电损耗正切膜，通过与其他有机膜、有机织物、有机无纺布复合使用，能够赋予高强度、低热膨胀等特性。本发明的低介电损耗正切膜，由于具有固化性，所以形成一种热稳定性、耐药品性优良的低介电损耗正切膜。本发明的低介电损耗正切膜，可以作为柔性配线基板等的绝缘层使用。用本发明的低介电损耗正切膜制成的配线膜，因介电常数和介电损耗正切低而高频信号的输送特性优良，而且因重量轻而适于作为小型轻量电子仪器的配线组件使用。
以下说明本发明的低介电损耗正切膜和配线膜。
本发明的低介电损耗正切膜，基本上含有具有由下记通式：
Figure C0310769300061
式中，R表示可以有取代基的烃骨架；R1可以相同或不同，表示氢原子或1～20个碳原子的烃基；R2、R3和R4可以相同或不同，表示氢原子或1～6个碳原子的烃基，优选烷基；m表示1～4中整数；n表示2以上整数；
表示的数个苯乙烯基的、重均分子量1000以下的交联成分，和重均分子量5000以上的高分子量体的低介电损耗正切树脂组合物，借助于膜化方法形成。
本发明中通过使用不含极性基团的多官能团苯乙烯化合物作为交联成分，能够制成具有极低介电常数和介电损耗正切的固化性低介电损耗正切膜。本交联成分，由于不具有已有材料中作交联成分使用的二乙烯基苯那样的挥发性，当低介电损耗正切膜的制造和保存时因交联成分不向膜外挥发，所以树脂的组成比例很难发生变化。也就是说，使用本交联成分能够简单而稳定地制造具有优良介电特性的低介电损耗正切膜。本交联成分的重均分子量(GPC，苯乙烯换算值)优选处于1000以下。这样可以使交联成分熔融温度低温化、提高成形时的流动性、降低固化温度、改善各种聚合物、单量体与填充材料之间的相容性等，制成加工性良好的低介电损耗正切膜。作为交联成分的优选实例，可以举出1，2-二(对乙烯基苯基)乙烷、1，2-二(间乙烯基苯基)乙烷、1-(对乙烯基苯基)-2-(间乙烯基苯基)乙烷、1，4-二(对乙烯基苯基乙基)苯、1，4-二(间乙烯基苯基乙基)苯、1，3-二(对乙烯基苯基乙基)苯、1，3-二(间乙烯基苯基乙基)苯、1-(对乙烯基苯基乙基)-3-(间乙烯基苯基乙基)苯、二乙烯基苯基甲烷、1，6-(二乙烯基苯基)己烷以及侧链具有乙烯基的二基苯聚合物(低聚物)等。
本发明中，通过在低介电损耗正切交联成分中分散高分子量体，在赋予膜形成能力的同时，还能得到强度、延伸率和与导体配线的粘着力优良的绝缘膜。上记高分子量体优选分子量5000以上的，更优选10000～100000的，特别优选15000～60000的。分子量小的场合下，机械强度往往不足，而分子量过大时将低介电损耗正切树脂组合物漆化时粘度增高，往往使混合搅拌、成膜和浸渍等加工性能降低。高分子量体的实例，可以举出从丁二烯、异戊二烯、苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙烯基苯、N-乙烯基苯基马来酰亚胺、丙烯酸酯、丙烯腈中选出的单量体或共聚物、可以有取代基的聚苯撑氧化物、聚喹啉、环状聚烯烃、聚硅氧烷、聚醚酰亚胺等。其中从强度和低介电损耗正切性观点来看优选聚苯撑氧化物和环状聚烯烃。这些高分子量体也可以复合使用。本低介电损耗正切膜中交联成分含量一旦超过50重量％，往往失去自保持性性(セルフスタンデイング性)，所以从确保加工性能考虑优选以脱模膜或导体配线形成用导体箔作支持体，在该支持体上涂布低介电损耗正切树脂组合物漆，使之干燥成膜后使用。
本发明的低介电损耗正切膜固化后的介电损耗正切，因配入高分子量体的种类和配比而异，能够将10GHz下的介电损耗正切降低到极低的0.001～0.005。例如作为高分子量体配入聚苯撑氧化物的低介电损耗正切膜固化物，能够使其10GHz下的介电损耗正切低至0.002以下。
本发明中，通过将前记的交联成分和高分子量体与其他有机膜、有机织物、有机无纺布复合，在不依赖于交联成分与高分子量体的种类、组成比例的条件下，能够赋予未固化的低介电损耗正切膜以自保持性性。具有自保持性性的膜容易处理和进行各种加工。有机系的膜、织物和无纺布，比玻璃系的膜、织物和无纺布介电常数低而重量轻。从这一点来看优选作为小型轻量高频电子仪器中配线组件使用。借助于使有机膜、有机织物、有机无纺布含浸低介电损耗正切树脂组合物的漆容易制作复合的低介电损耗正切膜。此时，为改善与低介电损耗正切树脂组合物之间的粘结性，也可以预先对有机膜、有机织物、有机无纺布进行表面粗化处理和偶合处理等处理。复合型低介电损耗正切膜，在膜内包藏有有机膜、有机织物或有机无纺布。因此，低介电损耗正切膜的热膨胀率受其中包藏的有机膜、有机织物或有机无纺布的影响，所以作为有机膜、有机织物或有机无纺布例如选择热膨胀系数20ppm/℃以下的材料，可以降低低介电损耗正切膜的热膨胀率。作为能制成有机膜、有机织物、有机无纺布的优选聚合物实例，可以举出聚酰亚胺、芳族聚酰胺、聚苯并噁唑、聚苯硫等。
关于本发明低介电损耗正切膜所含低介电损耗正切树脂组合物的交联成分和高分子量体的添加量并无特别限制，但是优选添加5～95重量份交联成分和95～5重量份高分子量体。组成可以根据提高成膜性、强度、延伸率、粘着性等的目的在前记范围内进行调整。而且低介电损耗正切树脂组合物与有机膜、有机织物、有机无纺布复合时的配比，可以根据所需的热膨胀系数任意选择。
上记将介电损耗正切树脂组合物漆化用的有机溶剂，只要是能够溶解交联成分和高分子量体的就无特别限制，例如可以举出丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类，甲苯、二甲苯等芳香族烃类，N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等酰胺类，二乙基醚、乙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚、四氢呋喃、二噁烷等醚类，甲醇、乙醇、异丙醇等醇类等，这些有机溶剂可以单独使用或者两种以上混合使用。
本发明的低介电损耗正切膜，虽然不添加固化催化剂而仅靠加热就能固化，但是为了提高固化效率可以添加能使苯乙烯基聚合的固化催化剂。其添加量虽然没有特别限制，但是固化催化剂的残基对介电特性具有不利影响，所以其添加量相对于100重量份前记交联成分和高分子量体应为0.0005～10重量份。通过在前记范围内添加固化催化剂，可以促进苯乙烯基的聚合反应，能够在低温下得到牢固的聚合物。以下举例说明能使苯乙烯基开始聚合的阳离子或游离基活性物的在光或热作用下生成固化催化剂的实例。作为阳离子聚合引发剂，可以举出使BF4、PF6、AsF6、SbF6成为对阴离子的二烯丙基碘鎓盐、三烯丙基锍盐和脂肪族锍盐，可以使用旭电化工业制的SP-70、172和CP-66，日本曹达制的CI-2855、2823，三新化学工业制的SI-100L和SI-150L等市售品。作为游离基聚合引发剂，可以举出二苯乙醇酮及二苯乙醇酮甲基之类的二苯乙醇酮系化合物，乙酰苯和2，2-二甲氧基-2-苯基乙酰苯之类的乙酰苯化合物，噻吨酮和2，4-二乙基噻吨酮之类噻吨酮系化合物，4，4’-二叠氮基苯丙烯酰苯、2，6-二(4’-叠氮基苄叉)环己酮和4，4’-二叠氮基二苯甲酮之类二叠氮化合物，偶氮二异丁腈、2，2-偶氮二丙烷、m，m’-氧化偶氮基苯乙烯和腙之类偶氮化合物，以及2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧)己烷和2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧)己烯-3、二枯基过氧化物之类有机过氧化物等。尤其是应当添加能使无官能团的化合物产生氢原子去掉，导致交联成分与高分子量体之间交联的有机过氧化物或二叠氮化合物。
本发明的低介电损耗正切膜，也可以添加聚合抑制剂以增加未固化时的保存稳定性。其添加量优选处于不显著损介电特性固化时反应性的范围，相对于总量100重量份的前记交联成分和高分子量体，应为0.0005～5重量份。添加上记范围内的聚合抑制剂，能够抑制保存时不必要的交联反应，而且还在固化时不产生显著损害。作为聚合抑制剂的实例，可以举出氢醌、对苯醌、氯醌、三甲基苯醌、4-叔丁基邻苯二酚等苯醌类和芳香族二醇类。
制备本发明低介电损耗正切膜时的干燥条件和固化条件，虽然取决于低介电损耗正切树脂组合物的组成和漆化用溶剂，但是例如使用甲苯作溶剂场合下的干燥条件，优选在80～120℃下干燥30～90分钟，其后利用压力加工法将导体箔与低介电损耗正切膜叠层的情况下，优选在150～180℃和1～5MPa加压压力范围内下粘结固化1～3小时。当采用层压法将低介电损耗正切膜与导体箔粘接的情况下，虽然也取决于低介电损耗正切树脂组合物的组成，但是通过在100℃左右加热使铜箔与低介电损耗正切膜熔融粘着，然后在150～180℃进行后加热。
本发明的低介电损耗正切膜，作为第二交联成分还含有酚醛树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、乙烯基苄基醚树脂、热固性聚苯醚树脂。
本发明的低介电损耗正切膜，其中在其表面的至少-面上设置导体层。
附图说明
附图1是表示多层配线膜制备例的示意图。
符号的说明：1：低介电损耗正切膜，2：铜箔，3：配线，4：通孔，5：电镀保护层，6：铜镀层。
具体实施方式
以下列举实施例和对照例具体说明本发明，但是本发明不受其丝毫限定。其中在以下说明中提到“份”时，只要没有特别说明均指“重量份”而言。
以下说明实施例和对照例中使用的试剂名称、合成方法、漆的制备方法和固化物的评价方法。
(1)1，2-二(乙烯基苯基)乙烷(BVPE)的合成1，2-二(乙烯基苯基)乙烷(BVPE)按照以下所示的公知方法合成。在500毫升三口烧瓶中加入5.36g(220mmol)格林雅反应用颗粒状镁(关东化学制)，安装滴液漏斗、氮气导入管和隔板盖(Septumcap)。氮气气流下，一边用搅拌器搅拌镁粒，一边用干燥剂将全系统加热脱水。用注射器取300ml干燥四氢呋喃，经隔板盖注入。将溶液冷却到-5℃后，用滴液漏斗在大约4小时时间内滴加30.5g(200mmol)乙烯基苄基氯(VBC，东京化成制造)。滴加终止后，继续在0℃下搅拌20小时。反应终止后，过滤反应液，除去残存的镁，用蒸发器浓缩。用己烷稀释浓缩溶液，用3.6％盐酸水溶液洗涤一次，用纯水洗涤三次，然后用硫酸镁脱水。脱水的溶液用氧化硅凝胶(和光纯药制，ワコ—ゲルC300)/己烷短色谱柱精制，真空干燥后得到了BVPE。得到的BVPE是m-m体(液体)、m-p体(液体)和p-p体(结晶)的混合物，收率为90％。经1H-NMR分析其结构后，测定值与文献值一致(6H-乙烯基：α-2H，6.7；β-4H，5.7，5.2；8H-芳香族的：7.1～7.35；4H-亚甲基：2.9)。
使用了这种BVPE作为交联成分。
(2)其他试剂
作为其他的构成部件，使用了以下所示的。高分子量体：
PPO：アルドリツチ制造，聚-2，6-二甲基-1，4-苯撑氧化物聚喹啉：日立化成制造，PQ100
固化催化剂：
25B：日本油脂制造，2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧)己烯-3(过氧己烯25B)
复合材料：
杜邦制造芳族聚酰胺无纺布，サ—マウントE120(厚度约50μm，大约19ppm/℃)
东レ制造的聚苯硫醚膜，トレリナ(厚度约25μm，热膨胀系数约30ppm/℃)
(3)漆的制备方法
将预定量的高分子量体、交联成分和固化催化剂溶解在氯仿中，制成树脂组合物漆。
(4)固化绝缘膜的制备
将上记漆涂布在有机膜和无纺布上，在氮气气流下于80℃干燥60分钟后，使低介电损耗正切膜与铜箔重叠，借助于聚酰亚胺膜和镜板在真空下加热和加压，制成作为固化物的带铜箔绝缘膜。加热条件为依次在120℃/30分钟、150℃/30分钟和180℃/30分钟的压力为1.5MPa下的多阶段加热。将膜制成150×70×0.05mm尺寸。
(5)介电常数和介电损耗正切的测定
介电常数和介电损耗正切，采用空心谐振法(アジレントテクノロジ—制造，8722型网络分析仪，关东电子应用开发制造的空心谐振器)，观测了10GHz下的值。测定样品，是用蚀刻法除去上记带铜箔的低介电损耗正切膜的铜箔后，切成80×2mm尺寸而制成的。
(6)热膨胀率的测定
热膨胀率是采用真空理工制造的TM-7000型热机械分析仪求出了α1的数值。测定样品，是用蚀刻法除去上记带铜箔的低介电损耗正切膜的铜箔后，剪切成30×2mm尺寸而制成的。测定条件为：支点距离20mm，升温速度2℃/分钟，拉伸载荷定为2gf。
对照例1
对照例1是将聚苯撑氧化物(PPO)溶解在氯仿中涂布在铜箔上，干燥制成的带铜箔的低介电损耗正切膜的实例。对照例1的低介电损耗正切膜，具有介电常数约为2.4、介电损耗正切约为0.0022的优良电学特性，在甲苯中膨润和溶解。还有，热膨胀率显示高达60ppm/℃的较高数值。将两块对照例1的低介电损耗正切膜重合，在1.5MPa压力下加压加工后，在180℃下加热未能熔融附着，没有多层化。为了使之多层化，必须在280℃以上进行加压加工。这是因为聚苯撑氧化物的熔融温度高的缘故。
实施例1
实施例1是以PQ100为高分子量体，以BVPE为交联成分的的实例。实施例1的低介电损耗正切膜是自保持性膜。将本膜用铜箔夹住在1.5MPa压力下加压加工后，向180℃加热温度升温过程中与铜箔熔融附着。然后继续加热100分钟固化。通过蚀刻处理取出固化的低介电损耗正切膜。本低介电损耗正切膜在甲苯中不会膨润和溶解，是稳定的。还有，本低介电损耗正切膜显示介电常数约为2.65、介电损耗正切约为0.005的低值。热膨胀率为55ppm/℃。
实施例2
实施例2是以PPO作为高分子量体，以BVPE作为交联成分的实例。
实施例2的低介电损耗正切膜不是自保持性膜。本膜是在铜箔上涂布、干燥后制成的。将两块这种带铜箔的膜重合后，在1.5MPa压力下进行加压加工后，向180℃加热温度升温过程中与铜箔熔融附着。然后继续加热100分钟固化。通过蚀刻处理取出固化的低介电损耗正切膜。本低介电损耗正切膜在甲苯中不会膨润和溶解，是稳定的。还有，本低介电损耗正切膜显示介电常数约为2.43、介电损耗正切约为0.0018的低值。热膨胀率为60ppm/℃。
实施例3
实施例3是以聚苯撑氧化物(PPO)作为高分子量体，以BVPE作为交联成分，使用トレリナ作为有机膜的实例。有机膜表面用砂纸打毛。打毛后的膜表面凹凸大约5μm。然后将有机膜浸渍在低介电损耗正切树脂组合物的漆中，干燥后得到了复合的低介电损耗正切膜。实施例3的低介电损耗正切膜是，以有机膜重量为100，涂布了几乎100重量份低介电损耗正切树脂组合物的自保持性膜。本膜夹在铜箔之间，在1.5MPa压力下进行加压加工后，向180℃加热温度升温过程中与铜箔熔融附着。然后继续加热100分钟固化。通过蚀刻处理取出固化的低介电损耗正切膜。本低介电损耗正切膜在甲苯中不会膨润和溶解，是稳定的。还有，本低介电损耗正切膜显示介电常数约为2.70、介电损耗正切约为0.0025的低值。热膨胀率因复合化而降低到43ppm/℃。
实施例4
实施例4是以聚苯撑氧化物(PPO)作为高分子量体，以BVPE作为交联成分，使用E210作为有机无纺布的实例。使有机无纺布浸渍低介电损耗正切树脂组合物的漆，得到了低介电损耗正切膜。本膜的低介电损耗正切树脂组合物的浸渍量，以膜重量为100重量份时大约为100重量份。将本低介电损耗正切膜夹在铜箔之间，在1.5MPa压力下进行加压加工后，向180℃加热温度升温过程中与铜箔熔融附着。然后继续加热100分钟固化。通过蚀刻处理取出固化的低介电损耗正切膜。本低介电损耗正切膜在甲苯中不会膨润和溶解，是稳定的。还有，本低介电损耗正切膜显示介电常数约为2.75、介电损耗正切约为0.0025的低值。热膨胀率因复合化而降低到36ppm/℃。
表1
  对照例1   实施例1   实施例2   实施例3   实施例4
  BVPE   0   50   50   50   50
  PPO   100   0   50   50   50
  PQ   0   50   0   0   0
  25B   0   1   1   1   1
  复合材料   トレリナ   0   0   0   100   0
  E210   0   0   0   0   100
  介电常数(10GHz)   2.40   2.65   2.43   2.70   2.75
  介电损耗正切(10GHz)   0.0022   0.0050   0.0018   0.0025   0.0025
  热膨胀率   (ppm/℃)   60   55   60   43   36
  成形温度(℃)   300   180   180   180   180
实施例5
图1是说明配线膜和多层配线膜的制造实例。工序A：与实施例4同样制成具有铜箔2的低介电损耗正切膜1。工序B：用蚀刻法在铜箔上形成配线3。采用以上方法形成了柔性配线板。以下表示多层化的一例。工序C：借助于实施例4的未固化低介电损耗正切膜将两块柔性配线板叠层，经加压固化而多层化。工序D：在预定位置利用钻孔加工形成通孔。工序E：在通孔的正上方形成具有开口部分的电镀保护层5对通孔内并用无电解电镀电镀形成铜镀层6。工序G：除去电镀保护层后，用通常蚀刻法形成外层配线，制成柔性多层配线板。本柔性多层配线板由于用低介电常数和低介电损耗正切的材料形成绝缘层，所以传送损失低。
发明效果
按照本发明可以得到介电常数和介电损耗正切低的低介电损耗正切膜。本低介电损耗正切膜适于作为柔性配线膜的绝缘层使用。

Claims (15)

1.低介电损耗正切膜，其中含有具有由下记通式：
式中，R表示烃骨架；R1可以相同或不同，表示氢原子或1～20个碳原子的烃基；R2、R3和R4可以相同或不同，表示氢原子或1～6个碳原子的烷基；m表示1～4中的整数；n表示2以上整数；
表示的数个苯乙烯基的重均分子量1000以下的交联成分，和重均分子量5000以上的高分子量体。
2.按照权利要求1所述的低介电损耗正切膜，其中所说的低介电损耗正切膜固化后在10GHz下的介电损耗正切为0.001～0.005。
3.按照权利要求1所述的低介电损耗正切膜，其中所说的低介电损耗正切膜，是与其他有机膜、有机织物、有机无纺布的复合材料。
4.按照权利要求3所述的低介电损耗正切膜，其中所说的有机膜、有机织物、有机无纺布的热膨胀率在20ppm/℃以下。
5.按照权利要求3所述的低介电损耗正切膜，其中所说的有机膜、有机织物、有机无纺布，是以聚酰亚胺、芳族聚酰胺、聚苯并噁唑、聚苯硫中任何物质作为构成成分。
6.按照权利要求1所述的低介电损耗正切膜，其中所说的高分子量体，是从丁二烯、异戊二烯、苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙烯基苯、丙烯酸酯、丙烯腈和N-乙烯基苯基马来酰亚胺中至少一种单体的聚合物，可以有取代基的聚苯撑氧化物、聚喹啉、以及环状聚烯烃中选出的至少一种树脂。
7.按照权利要求1所述的低介电损耗正切膜，其中所说的低介电损耗正切膜，作为第二交联成分还含有酚醛树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、乙烯基苄基醚树脂、热固性聚苯醚树脂。
8.按照权利要求1所述的低介电损耗正切膜，其中在其表面的至少一面上设置导体层。
9.低介电损耗正切膜，其特征在于其中含有具有由下记通式：
式中，R表示烃骨架；R1可以相同或不同，表示氢原子或1～20个碳原子的烃基；R2、R3和R4可以相同或不同，表示氢原子或1～6个碳原子的烷基；m表示1～4中的整数；n表示2以上整数；
表示的数个苯乙烯基的重均分子量1000以下的交联成分，和重均分子量5000以上的高分子量体的树脂组合物的固化物。
10.按照权利要求9所述的低介电损耗正切膜，其中所说的低介电损耗正切膜，是与其他有机膜、有机织物、有机无纺布的复合材料。
11.按照权利要求10所述的低介电损耗正切膜，其中所说的有机膜、有机织物、有机无纺布的热膨胀率在20ppm/℃以下。
12.按照权利要求11所述的低介电损耗正切膜，其中所说的有机膜、有机织物、有机无纺布，以聚酰亚胺、芳族聚酰胺、聚苯并噁唑、聚苯硫中任何物质作为构成成分。
13.配线膜，其特征在于其中具有绝缘层和配线层；所说的绝缘层由含有具有下记通式：
式中，R表示烃骨架；R1可以相同或不同，表示氢原子或1～20个碳原子的烃基；R2、R3和R4可以相同或不同，表示氢原子或1～6个碳原子的烷基；m表示1～4中的整数；n表示2以上整数；
表示的数个苯乙烯基的重均分子量1000以下的交联成分，和重均分子量5000以上的高分子量体的树脂组合物的固化物的低介电损耗正切膜构成。
14.按照权利要求13所述的配线膜，其中所说的低介电损耗正切膜，是与其他有机膜、有机织物、有机无纺布的复合材料。
15.按照权利要求13所述的配线膜，其中所说的配线膜是叠层了两层以上所说的绝缘层和配线层。
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