JP2004055453A

JP2004055453A - 有機ｅｌデバイスおよび製造方法

Info

Publication number: JP2004055453A
Application number: JP2002214132A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Ishikawa; 石川　信行
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-07-23
Filing date: 2002-07-23
Publication date: 2004-02-19

Abstract

【課題】パターンエッジに発生していたダークスポットの発生が防止する。
【解決手段】少なくとも２層の有機層うちの１層は、発光素子の基材側の電極の上面と離間領域に設けられており、且つ基材側の電極の側面には設けられておらず、
少なくとも２層のうちの１層とは別の層は、少なくとも２層のうちの１層と基材側の電極の側面とを覆い、且つ離間領域にも延在して設けられていることを特徴とする有機ＥＬデバイスを提供する。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機ＥＬデバイスおよびその製造方法に関し、より具体的には対向する一対の間に設けられた複数あるうちの１層が複数の有機発光素子間にまで延在して設けられる有機ＥＬデバイスおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ発光素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陰極電極と陽極電極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
【０００３】
この有機ＥＬ発光素子の特徴は、１０Ｖ以下の低電圧で１００〜１０００００ｃｄ／ｍ２程度の高輝度の面発光が可能であり、また蛍光物質の種類を選択することにより青色から赤色までの発光が可能なことである。
【０００４】
有機ＥＬ発光素子は、安価な大面積フルカラー表示素子や安価で消費電力の少なく小型の光源を実現するものとして注目を集めている（電子情報通信学会技術報告、第８９巻、ＮＯ．１０６、４９ページ、１９８９年）。報告によると、強い蛍光を発する有機色素を発光層に使用し、青、緑、赤色の明るい発光を得ている。これは、薄膜状で強い蛍光を発し、ピンホール欠陥の少ない有機色素を用いたことで、高輝度なフルカラー表示を実現できたと考えられている。
【０００５】
製造方法としては、一般的には発光部に対応したストライプ状の陽極電極（透明性）を有する基板に、有機ＥＬ層を形成し、さらにシャドウマスクを用いて陽極電極と垂直に交わるストライプ状の陰極電極（金属）を形成する方法がある。
【０００６】
また、特開平５−３０７６号公報に開示されているように、発光部に対応したストライプ状の陽極電極（透明性）を有する基板に、有機ＥＬ層及び陰極電極層（金属）を形成し、集光レーザービームにより陰極電極層の一部を切削して陽極電極と垂直に交わるストライプ状の陰極電極を形成する方法がある。
【０００７】
さらに、特開平８−３１５９８１号公報に開示されているように、発光部に対応したストライプ状の陽極電極（透明性）を有する基板に、陽極電極にオーバーハング部を有する垂直かつストライプ状の隔壁を形成し、さらに隔壁間の陽極電極部に有機層及び陰極電極を形成する方法がある。
【０００８】
これらの方法とは別に、特許第２８４８３７１号に開示されているように、発光部に対応したストライプ状の陽極電極（透明性）を有する基板に、この陽極電極間に陽極電極と平行に絶縁隔壁を設け、この隔壁を用いて、シャドーマスクと陽極電極の間隔を制御して、陽極電極と垂直かつストライプ状に有機ＥＬ層及び陰極電極を形成する方法がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
陽極電極間に絶縁隔壁を形成する方法は隔壁の形状によるところは大きいが、隔壁を乗り越えて、陰極電極を形成することが難しく、陰極電極の断線等が発生しやすい。
【００１０】
また、シャドーマスクを用いたり、オーバーハング状のセパレーターを陽極電極に対して垂直に用いる場合、フォトリソ／エッチングで形成された、ストライプ状の透明電極の端部形状は不安定であり、この部分に形成された有機ＥＬ層も膜厚等が不安定である。
【００１１】
また、このように、有機ＥＬ層の膜厚が不安定、特に極端に薄くなると、抵抗値が低下し部分的に電流が流れ、過電流状態となり有機ＥＬ層が劣化し、ダークスポットなりやすい。さらにはこのダークスポットは徐々に成長するという問題がある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
よって本発明は、
互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極の間に設けられている少なくとも２層の有機層とを有する発光素子を離間領域を介して複数基材上に有する有機ＥＬデバイスであって、
前記少なくとも２層の有機層うちの１層は、前記発光素子の前記基材側の電極の上面と前記離間領域に設けられており、且つ前記基材側の電極の側面には設けられておらず、
前記少なくとも２層のうちの１層とは別の層は、前記少なくとも２層のうちの１層と前記基材側の電極の前記側面とを覆い、且つ前記離間領域にも延在して設けられていることを特徴とする有機ＥＬデバイスを提供する。
【００１３】
また本発明は、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極の間に設けられている少なくとも２層の有機層とを有する発光素子を離間領域を介して複数基材上に有する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、
複数の発光素子の前記一対の電極の基材側の電極を前記基材上に設ける工程と、
それぞれの前記基材側の電極の上面と前記離間領域に前記少なくとも２層のうちの１層を設ける工程と、
それぞれの前記少なくとも２層のうちの１層に前記基材側の電極の側面と前記離間領域上の前記１層に延在するように前記少なくとも２層のうちの１層とは別の層を設ける工程とを有する事を特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下本発明の好適な実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１５】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬデバイスは、下部電極（対向する電極のうち、基板側の電極）上面に第１の有機層を設け、第２の有機層が下部電極側面及び第１の有機層上面とを覆い且つそれぞれの有機発光素子間にも延在して設けられている構成である。
【００１６】
図１は本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬデバイスを模式的に表した図であり、上図は基材上に設けられた有機発光素子を基材面側から模式的に表した図であり、また下図は上図Ａ−Ａ’における断面模式図である。
【００１７】
１は基材、２は基板側の電極（下部電極）、３は有機層（第１の有機層）、４は別の有機層（第２の有機層）、５は基板側の電極と対向して配置されている電極（上部電極）である。
【００１８】
図１上図からわかるように、本図においては１２個の有機発光素子が設けられている。すなわち、有機発光素子とは下部電極４と上部電極５とが交差する領域にある素子のことであり、これら電極が一対の対向する電極として、そしてその対向する電極間に第１及び第２の有機層が配置されている素子である。本図のような構成の有機ＥＬデバイスとはパッシブマトリクス型の有機ＥＬデバイスと称することができる。
【００１９】
基材１は透明部材である。そして下部電極４も透明であり、下部電極２と上部電極５との間において発光し、下部電極２、基材１を超えて光が出光する。また基材は撓まない部材（例えばガラス等の硬質基材）でもよいし、あるいはフレキシブルな部材（例えばＰＥＴ）でもよい。
【００２０】
また図１上図において模式的に下部電極２を、一方の実線からなる矩形を他方の実線からなる矩形が囲む２重矩形形状に図示した。これは内側の矩形が下部電極２の上面（下図第１の有機層３が接して配置されている下部電極２の面）を表し、外側の矩形が下部電極２の下側（基材と接する側の面）を表すもので、すなわち下部電極は上部電極から下部電極へ向かう方向においてその幅が広がる、言い換えればテーパーを有するテーパー構造であることを意味する（下図Ａ−Ａ‘断面図参照）。以下テーパー面（例えば図１下図の台形状に模式的に表現した下部電極２の台形斜辺に相当する面）を側面と称する。またこの下部電極２は例えばＩＴＯを材料とする透明電極である。そして上部電極５は反射性の高い金属電極（例えばＡｇやＣｕやＡｌ等の金属あるいはそれらを含むメタルアロイ、合金）である。この場合、光は基材側へ出光する。
【００２１】
第１の有機層３は上述したように下部電極２の上面に接して設けられるが、図１下図に示すように第１の有機層３の幅は下部電極２の矩形の上面の幅と等しい。すなわち第１の有機層３は下部電極２の上面の幅と等しくそして下部電極２と接して設けられている。
【００２２】
Ａ−Ａ’断面方向における１つの下部電極２と隣の別の下部電極２との間の領域である離間領域には、第１の有機層３が基材上に設けられている。この離間領域に設けられている第１の有機層３は下部電極２上面に設けられる第１の有機層３が下部電極２上面に設けられる工程中に設けられるものである。
【００２３】
矩形形状でストライプ状に設けられた複数の下部電極３に直交するように、矩形形状でストライプ状に複数の第２の有機層４が互いに離間して配置されている。第２の有機層４は下部電極２と交差する方向において第１の有機層３と下部電極２の側面とを覆っている。またさらにこの第２の有機層４は、離間領域にも延在している。
【００２４】
上部電極５は第２の有機層４の上に接して設けられている。第２の有機層４も上部電極５もともに模式的に矩形形状で表している。上部電極５の幅は、第２の有機層４よりも狭く、また上部電極５の長尺方向（図１上図でいうＡ−Ａ’断面方向）の長さは第２の有機層４よりも長い。これは上部電極５が第２の有機層４より超えた部分を用いて外部と電気な接続をするための部分である。
【００２５】
本実施形態において発光領域は下部電極２の上面と上部電極３とが交差している領域である。もちろん下部電極２の側面と上部電極３とが交差している領域も両電極の間に有機層が設けられている以上、この有機層が発光能力をもっているなら発光しないとはいえない。ただ、実質的な発光領域は下部電極２の側面と上部電極３とが交差している領域すなわち第１の有機層３と第２の有機層４とが両電極間に設けられている両電極の交差領域である。
【００２６】
本実施形態、すなわち第１の有機層３を下部電極２の上面のみに設けて、下部電極の側面に設けない構成とすることにより、両電極間におけるショートを防ぐことができる。つまり第２の有機層４は下部電極２の側面と、下部電極２の上面に設けられた第１の有機層３の上とに設けられるが、両者の場所が第１の有機層３の側部（第１の有機層３の厚み）を介して離れるのでこの第１の有機層３の側部において厚く形成することができ、その結果下部電極２の側部と下部電極２の上面との境における第１の有機層の膜厚が薄くなることによる両電極間のショートを防ぐことができるのである。
【００２７】
また本実施形態のように下部電極をテーパー構造にもすることで両電極のショートをさらに防ぐことができる。
【００２８】
本実施形態では、図１下図に示すように下部電極２上面と第１の有機層３との幅とが実質同じ幅であるが、上下電極２、５の間のショートを防ぐことができるように第２の有機層４の厚みを得ることができれば、第１の有機層３の幅を下部電極２の幅よりも少しだけ小さくしてもよい。
【００２９】
本実施形態では、離間領域に第１の有機層３を設けているが、設けなくてもよい。ただし、離間領域に第１の有機層３を設けることで、第１の有機層３の厚みにより離間領域における第２の有機層４の底部が第１の有機層３の厚み分だけ底上げされるので、その結果、離間領域における第２の有機層４の上面が高い位置となるので好ましい。第１の有機層３の厚み分だけ第１の有機層３上方に設けられている上部電極５はその高さ位置が高くなるので、仮に離間領域において第１の有機層３が無いとすると離間領域と下部電極２上方との間（下部電極２の側面上方）において上部電極５の傾斜が大きくなりその途中が薄くなり上部電極が断線する可能性が高くなってしまう。一方離間領域においてもダミーである第１の有機層３があれば上部電極５の傾斜を小さくすることができ、上部電極５の断線を防ぐことができる。
【００３０】
また離間領域に設けられた第１の有機層３は下部電極２上面に設けられた第１の有機層を形成する工程に同じに設けてもよい。
【００３１】
あるいは本図離間領域には第１の有機層３に代わり別の部材を用いてもよい。
【００３２】
本実施形態の有機ＥＬデバイスの作成工程は概略以下のとおりである。
まず基材上に下部電極２をストライプ状に例えば蒸着等により設ける。次いで第１の有機層をウエットプロセスにより下部電極２のストライプパターンに倣ってその上面に設ける。そしてこれらストライプ状の下部電極あるいは第１の有機層３のストライプ方向に交差するように第２の有機層４をストライプ状に設ける。そして上部電極５をストライプ状の第２の有機層４のそれぞれに倣って、そして第２の有機層４の幅よりも狭くなるように第２の有機層４上に設ける。
【００３３】
再び有機ＥＬデバイスの構成要素に関して述べる。
【００３４】
ここで陽極電極は光取り出し構造の違いにより、透明性が必要な場合と必要としない場合がある。ただし、仕事関数が大きい（４ｅＶ以上）材料が適している。透明性陽極としては、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどが良い。尚、光透過性に関しては可視光波長にて透過率が大きいほど良く、好ましくは８０％以上である。
【００３５】
不透明な陽極としては上記透明性陽極材料の下にアルミ、クロム、金、銅などの一般的な材料及びそれらの合金や酸化物などを用いても良い。
【００３６】
陰極電極も光取り出し構造の違いにより、透明性が必要な場合と必要としない場合がある。ただし、仕事関数が小さい（４ｅＶ以下）材料が適している。透明性陰極としては、セシウム及びマグネシウム、ナトリウム、リチウム、インジウムや希土類金属及び合金、酸化物、炭酸化物などの薄膜が良い。尚、光透過性に関しては可視光波長にて透過率が大きいほど良く、好ましくは８０％以上であり、抵抗値を下げる為にはＩＴＯとの複合化が好ましい。
【００３７】
不透明な陰極材料としてはセシウム及びマグネシウム、ナトリウム、リチウム、インジウムや希土類金属及び合金、酸化物、炭酸化物などが良い。さらに、抵抗値を下げる為に上記陰極材料にアルミ、クロム、金、銅などの一般的な材料及びそれらの合金や酸化物などを複合化しても良い。
【００３８】
陽極電極と陰極電極の一対の電極の間に設けられる層は複数の層で構成されており、それぞれは、分子量５０００以下のものが好ましく、発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料より選ばれる少なくとも２種類以上を用いることが出来る。また、前記有機ＥＬ層を発光効率のよいアモルファス膜とするために、融点ｍｐとガラス転移点Ｔｇとの差が５０℃以上であるものが好ましい。
層の数は２層以上でもよい。
【００３９】
各色の発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できるが、これに限られる物ではない。
【００４０】
また、正孔注入及び輸送材料としては、可溶性のフタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、これに限られるものではない。
【００４１】
また、電子注入及び輸送材料としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ３、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等が使用できるが、これに限られるものではない。
【００４２】
ウエットプロセス法により陽極電極に最も近い層を形成するに際しては、材料を常温で水分溶解度が低い疎水系有機溶媒に希釈または溶解させて用いる。溶媒としては、クロロホルム、トルエン、四塩化炭素、ジクロロエタン、テトラクロロエタン、キシレン、シメン、シクロヘキサノン、オクチルベンゼン、ドデシルベンゼン、デカリン、キノリン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、チモール、ニトロベンズアルデヒド、ニトロベンゼン、二硫化炭素、２ヘプタノン、ベンゼン、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、セルソルブ類等の単一もしくは混合溶媒が使用できるが、これに限られるものではない。
【００４３】
さらに、適当な結着樹脂中に材料を分散して使用することも可能である。
【００４４】
陽極電極と陰極電極の一対の電極の間に設けられる複数層（有機ＥＬ層）の膜厚は０．０５〜０．２μｍ程度必要であり、特に、陽極電極に最も近い層は０．０１〜０．０５μｍ程度である。膜厚は陽極電極上の厚さを基準とする。
【００４５】
例えば、陽極に透明電極としてＩＴＯを用いる場合、ガラス基板に直接電極を形成する場合は、このＩＴＯパターンはスパッタ、蒸着等で成膜し、レジスト塗布後に配線パターンを露光現像し、レジストのない部分のＩＴＯを酸によりエッチングし、最後にレジストを剥離して形成する。またはガラス基板にレジストでパターニングした後ＩＴＯを成膜し、レジストを剥離するときにＩＴＯも同時に剥離するリフトオフ法により形成する。
【００４６】
特に、ウェットプロセス方法においては、陽極電極の端部側面と基板とのなす角度は１５°以上であることが特徴であり、好ましくは３０°以上である。また、陽極電極の厚さは陽極電極に最も近い層の１０倍以上であることが特徴であるが、好ましくは１５倍以上である。
【００４７】
例えば、陰極に金属電極としてアルミを用いる場合、パターン形成方法は透明電極と同じで、ガラス基板に直接の場合はフォトリソエッチング法やリフトオフ法を用い、有機ＥＬ層を形成した後はシャドーマスクを用いる。
【００４８】
本発明のウェットプロセス方法としては、例えば、高精度高精細のパターニングが低コストで安定的に形成できるオフセット印刷方法、低粘度インクのパターニングに適しているインクジェット印刷方法、パターニングはできないが均一な膜を全面に塗布する方法としてスピンコート法やスリットコート法等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４９】
このような本実施形態の有機ＥＬデバイスにより、基板側の電極（陽極電極）の前記側面部では発光に必要な少なくとも２つの有機層全てがそろってもうけられていない。またそこでは電気的絶縁状態となり、膜厚不安定（薄膜化）による抵抗値低下が発生しない。したがって、電荷集中によるダークスポットの発生が防止できる。また、隔壁等の構造物がないため陰極電極の断線等がなく、信頼性が向上する。
【００５０】
【実施例】
（実施例１）
本実施例は、図１に示したような陽極と陰極の間に正孔注入兼輸送層と発光層／電子輸送層をもつ、パッシブ型の表示素子デバイスを作製した例である。
【００５１】
図１に示すように、ガラス基板１上に陽極である透明電極２を形成した。透明電極はイオンプレーティング蒸着により０．３２μｍ成膜したＩＴＯを用い、ストライプ状にフォトリソプロセスにより形成した。ＩＴＯの端部側面と基板とのなす角度は５°であった。
【００５２】
次に、陽極電極に最も近い層を正孔注入兼輸送材料として、トリフェニルアミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点２７７℃、Ｔｇ１５６℃）を用いて真空蒸着法により０．０３μｍの膜厚を形成した。ＩＴＯの陽極電極上にパターニングするために、電鋳法により作成したシャドウマスクを用いた。
【００５３】
次に、打ち抜き法により作成した、シャドウマスクを用いた真空蒸着法によりＡｌｑ３とクマリン６を共蒸着させた。パターンは取り出し電極部をマスクし、発光部は全面蒸着とした。Ａｌｑ３にクマリン６を０．５ｗｔ％ドープした発光層０．０２μｍが形成された。
さらに、クマリン６の蒸着を停止し、Ａｌｑ３を続けて真空蒸着し、電子輸送層０．０４μｍが形成された。
【００５４】
最後に、陽極電極と垂直に交わるストライプパターンの電鋳法によるシャドウマスクを用いて、厚さ０．１２μｍのＭｇＡｇ金属電極５を蒸着法により形成した。これにより、パッシブ型の発光素子部が完成した。
【００５５】
次に、酸化カルシウムの吸湿剤６を内側に形成したＳＵＳ製封止缶をＵＶ硬化型エポキシ接着剤（長瀬産業のＸＮＲ５５１６ＨＰ）にてガラス基板に接着した。
【００５６】
以上により、表示素子デバイスが完成した。
【００５７】
１００ｍＡ／ｃｍ^２の低電流２４時間耐久試験後のダークスポット観察では陽極電極端部側面からダークスポットの発生がなかった。
【００５８】
（実施例２）
本実施例は、図３に示したような陽極電極をもち、ウェットプロセスにより正孔注入兼輸送層を形成した、パッシブ型の表示素子デバイスを作製した例である。
【００５９】
図３に示すように、ガラス基板１上に陽極である透明電極２を形成した。透明電極はイオンプレーティング蒸着により０．２２μｍ成膜したＩＴＯを用い、ストライプ状にフォトリソプロセスにより形成した。ＩＴＯのパターニングの際に実施例１よりも早いエッチングスピードを用いた為、陽極電極端部側面と基板とのなす角度は３０°であった。
【００６０】
次に、正孔注入輸送材料としてトリフェニルアミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点２７７℃、Ｔｇ１５６℃）をトルエンに溶解し０．５％溶液を作成し、スピンコート法によりコーティングした。加熱乾燥することによって、厚さ０．０２μｍの正孔注入兼輸送層３が形成された。
【００６１】
この正孔注入兼輸送層３はＩＴＯの膜厚と形状及び正孔注入兼輸送層の厚さにより、陽極電極端部側面に成膜しなかった。
次に、実施例１と同様に、打ち抜き法により作成した、シャドウマスクを用いた真空蒸着法によりＡｌｑ３とクマリン６を共蒸着させた。パターンは取り出し電極部をマスクし、発光部は全面蒸着とした。Ａｌｑ３にクマリン６を０．５ｗｔ％ドープした発光層０．０２μｍが形成された。
さらに、クマリン６の蒸着を停止し、Ａｌｑ３を続けて真空蒸着し、電子輸送層０．０４μｍが形成された。
【００６２】
最後に、陽極電極と垂直に交わるストライプパターンの電鋳法によるシャドウマスクを用いて、厚さ０．１２μｍのＭｇＡｇ金属電極５を蒸着法により形成した。これにより、パッシブ型の発光素子部が完成した。
【００６３】
次に、酸化カルシウムの吸湿剤６を内側に形成したＳＵＳ製封止缶をＵＶ硬化型エポキシ接着剤（長瀬産業のＸＮＲ５５１６ＨＰ）にてガラス基板に接着した。
【００６４】
以上により、表示素子デバイスが完成した。
【００６５】
１００ｍＡ／ｃｍ^２の低電流２４時間耐久試験後のダークスポット観察では陽極電極端部側面からダークスポットの発生がなかった。
【００６６】
（比較例１）
本比較例は、図２に示したような陽極と陰極の間に正孔注入輸送層と発光層／電子輸送層をもつ、パッシブ型の表示素子デバイスを作製した例である。
実施例１と同様にして、陽極パターンが形成された基板を作成した。
【００６７】
次に、正孔注入輸送材料としてトリフェニルアミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点２７７℃、Ｔｇ１５６℃）を取り出し電極部をマスクした打ち抜き法により作成したシャドウマスクを用いて、真空蒸着法により成膜し、厚さ０．０３μｍの正孔注入兼輸送層３が形成された。
【００６８】
次に、同様の打ち抜き法により作成した、シャドウマスクを用いた真空蒸着法によりＡｌｑ３とクマリン６を共蒸着させた。Ａｌｑ３にクマリン６を０．５ｗｔ％ドープした発光層０．０２μｍが形成された。
【００６９】
さらに、クマリン６の蒸着を停止し、Ａｌｑ３を続けて真空蒸着し、電子輸送層０．０４μｍが形成された。
【００７０】
最後に、陽極電極と垂直に交わるストライプパターンの電鋳法によるシャドウマスクを用いて、厚さ０．１２μｍのＭｇＡｇ金属電極５を蒸着法により形成した。これにより、パッシブ型の発光素子部が完成した。
【００７１】
次に、酸化カルシウムの吸湿剤６を内側に形成したＳＵＳ製封止缶をＵＶ硬化型エポキシ接着剤（長瀬産業のＸＮＲ５５１６ＨＰ）にてガラス基板に接着した。
【００７２】
以上により、表示素子デバイスが完成した。
【００７３】
１００ｍＡ／ｃｍ^２の低電流２４時間耐久試験後のダークスポット観察では陽極電極端部側面からダークスポットが発生していた。
【００７４】
（比較例２）
本比較例は、図４に示したような陽極と陰極の間に正孔注入輸送層と発光層／電子輸送層をもつ、パッシブ型の表示素子デバイスを作製した例である。
実施例１と同様にして、陽極パターンが形成された基板を作成した。ただし、ＩＴＯの膜厚は０．１７μｍとした。
【００７５】
次に、実施例２と同様にして、正孔注入輸送材料としてトリフェニルアミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点２７７℃、Ｔｇ１５６℃）をトルエンに溶解し０．５％溶液を作成し、スピンコート法によりコーティングした。加熱乾燥することによって、厚さ０．０２μｍの正孔注入兼輸送層３が形成された。
【００７６】
この正孔注入兼輸送層３はＩＴＯの膜厚と形状及び正孔注入兼輸送層の厚さにより、陽極電極端部側面に成膜した。
【００７７】
次に、実施例１と同様に、打ち抜き法により作成した、シャドウマスクを用いた真空蒸着法によりＡｌｑ３とクマリン６を共蒸着させた。パターンは取り出し電極部をマスクし、発光部は全面蒸着とした。Ａｌｑ３にクマリン６を０．５ｗｔ％ドープした発光層０．０２μｍが形成された。
さらに、クマリン６の蒸着を停止し、Ａｌｑ３を続けて真空蒸着し、電子輸送層０．０４μｍが形成された。
【００７８】
最後に、陽極電極と垂直に交わるストライプパターンの電鋳法によるシャドウマスクを用いて、厚さ０．１２μｍのＭｇＡｇ金属電極５を蒸着法により形成した。これにより、パッシブ型の発光素子部が完成した。
【００７９】
次に、酸化カルシウムの吸湿剤６を内側に形成したＳＵＳ製封止缶をＵＶ硬化型エポキシ接着剤（長瀬産業のＸＮＲ５５１６ＨＰ）にてガラス基板に接着した。
【００８０】
以上により、表示素子デバイスが完成した。
【００８１】
１００ｍＡ／ｃｍ^２の低電流２４時間耐久試験後のダークスポット観察では陽極電極端部側面からダークスポットが発生していた。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明のように、本発明によれば、従来、パターンエッジに発生していたダークスポットの発生が防止できる。
【００８３】
また、ウェットプロセスを用いることにより正孔注入兼輸送層において、陽極パターンとのアライメントが不要になり、工程が簡略された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態および実施例１に係る有機発光表示デバイスの上面及び断面を示す模式図である。
【図２】比較例１に係る有機発光表示デバイスの上面及び断面を示す模式図である。
【図３】本発明の実施例２に係る有機発光表示デバイスの上面及び断面を示す模式図である。
【図４】比較例２に係る有機発光表示デバイスの上面及び断面を示す模式図である。
【符号の説明】
１　ガラス基板（基材）
２　陽極電極（基板側の電極）
３　正孔注入兼輸送層
４　発光層／電子輸送層
５　陰極電極（基板と離れた側の電極）

Claims

互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極の間に設けられている少なくとも２層の有機層とを有する発光素子を離間領域を介して複数基材上に有する有機ＥＬデバイスであって、
前記少なくとも２層の有機層うちの１層は、前記発光素子の前記基材側の電極の上面と前記離間領域に設けられており、且つ前記基材側の電極の側面には設けられておらず、
前記少なくとも２層のうちの１層とは別の層は、前記少なくとも２層のうちの１層と前記基材側の電極の前記側面とを覆い、且つ前記離間領域にも延在して設けられていることを特徴とする有機ＥＬデバイス。
前記基材側の電極は基板側から離れるに従い幅が狭くなるテーパー構造であり、前記側面は前記基板に対して１５°以上のテーパー角を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬデバイス。
互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極の間に設けられている少なくとも２層の有機層とを有する発光素子を離間領域を介して複数基材上に有する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、
複数の発光素子の前記一対の電極の基材側の電極を前記基材上に設ける工程と、
それぞれの前記基材側の電極の上面と前記離間領域に前記少なくとも２層のうちの１層を設ける工程と、
それぞれの前記少なくとも２層のうちの１層に前記基材側の電極の側面と前記離間領域上の前記１層に延在するように前記少なくとも２層のうちの１層とは別の層を設ける工程とを有する事を特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
前記少なくとも２層のうちの１層はウエットプロセスによって設けることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。