JP2004053424A - 機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ - Google Patents

機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ Download PDF

Info

Publication number
JP2004053424A
JP2004053424A JP2002211654A JP2002211654A JP2004053424A JP 2004053424 A JP2004053424 A JP 2004053424A JP 2002211654 A JP2002211654 A JP 2002211654A JP 2002211654 A JP2002211654 A JP 2002211654A JP 2004053424 A JP2004053424 A JP 2004053424A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon nanotube
sensor
resistance element
deformation
deformed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002211654A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3969228B2 (ja
Inventor
Hisakazu Miyajima
宮島　久和
Masao Arakawa
荒川　雅夫
Akira Yabuta
薮田　明
Atsushi Sakai
阪井　淳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP2002211654A priority Critical patent/JP3969228B2/ja
Priority to CA002430451A priority patent/CA2430451C/en
Priority to US10/446,789 priority patent/US6848320B2/en
Priority to DE60330609T priority patent/DE60330609D1/de
Priority to EP07104218A priority patent/EP1790963B1/en
Priority to EP03012387A priority patent/EP1384612B1/en
Priority to DE60317273T priority patent/DE60317273T2/de
Priority to CNB031382754A priority patent/CN1238686C/zh
Publication of JP2004053424A publication Critical patent/JP2004053424A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3969228B2 publication Critical patent/JP3969228B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
    • G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
    • B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0086—Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0118—Cantilevers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/953—Detector using nanostructure
    • Y10S977/956—Of mechanical property

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

【課題】高感度な機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサを提供するにある。
【解決手段】センサ構造体１はシリコン基板よりなり、裏面側の一部を異方性エッチングして薄肉の受圧部たるダイヤフラム２を有する凹部３を形成している。ガラス製の台座４は凹部３に流体圧力を導入するための圧力導入孔５を設け、センサ構造体１の裏面に接合されている。ダイヤフラム２の両側の周縁部の中央に対応する位置には、ダイヤフラム２の周囲のセンサ構造体１の表面に跨るようにカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２を設けている。これらカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２とともに、検出信号取り出し用のブリッジ回路を組む基準用抵抗素子６３，６４をダイヤフラム２の周囲のセンサ構造体１表面上に配置固定している。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、検出対象とする物理量の大きさを検出するセンサとして、当該物理量がセンサ構造体に加わったときに生じるセンサ構造体の機械的変形の大きさを物理量の大きさを示す指標として捉え、この機械的変形量を電気信号に変換する機械的変形量検出センサが知られており、その代表例として例えば半導体加速度センサや半導体圧力センサ等がある。これら半導体加速度センサや半導体圧力センサ等にあっては、センサ構造体を半導体基板によって形成しており、半導体結晶に応力が加わると電気抵抗が変化する現象、つまりピエゾ抵抗を用いて電気信号として取り出すようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の如くピエゾ抵抗を用いたセンサでは、センサ構造体をシリコン基板を加工して形成する際に、センサ構造体の形成工程の流れの中でピエゾ抵抗を半導体拡散技術によって形成できるため、一連の半導体基板加工プロセスで製造可能であり製造上のメリットがあるものの、センサ構造体の機械的変形量に対応したピエゾ抵抗の電気抵抗の変化率、つまり導電率の変化量には限界があり、そのためピエゾ抵抗が有する潜在力を超える更に高感度化は困難であった。
【０００４】
本発明は、上記の点に鑑みて為されたもので、その目的とするところは従来方式に比べてより高感度化が実現できる機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明の機械的変形量検出センサは次の構成を備えている。すなわち本発明の機械的変形量検出センサは、半導体基板または絶縁基板により形成されたセンサ構造体を備えており、該センサ構造体は検出対象とする物理量が当該構造体に加わったときにその物理量に起因して変形する変形部と当該変形部を支持する支持部を一体に有している。前記変形部にはカーボンナノチューブ抵抗素子が、前記変形部の変形に共動して機械的に変形するように前記変形部に配置されている。前記センサ構造体上には、前記カーボンナノチューブ抵抗素子に接続された配線パターンがパターン形成されている。そして、前記配線パターンを介して前記カーボンナノチューブ抵抗素子に電圧印加されると、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の機械的変形に伴う導電率の変化が電気信号として取り出されるようになっている。
【０００６】
本発明の機械的変形量検出センサでは、上述の如く構成したことにより、カーボンナノチューブの電気的特性を利用し、従来に比して優れた感度での物理量検出が可能となる。すなわち、前記配線パターンを介して前記カーボンナノチューブ抵抗素子に電圧印加した状態で、当該検出センサが検出対象とする物理量が前記センサ構造体に加わると、まず前記変形部が変形し、この変形に共動、つまり変形する形状を追従するように前記カーボンナノチューブ抵抗素子が機械的に変形する。ここでカーボンナノチューブは機械的に形状変形させると通電率（つまり抵抗値）が変化するという特性を有し且つその通電率の変化量は相対的に見てピエゾ抵抗と比べて非常に大きいものであるため、前記カーボンナノチューブ抵抗素子はその機械的変形に伴って導電率が比較的大きく変化し、この導電率の変化に起因して変化する電圧値又は電流値等の変化量も比較的大きくなり、それが高感度な電気信号として配線パターンを介して取り出されることになる。そして、この電気信号を検出対象とする物理量の大きさの指標として、当該物理量に換算することで高感度な物理量検出が可能となる。
【０００７】
本発明において、前記変形部は、検出対象とする物理量が前記センサ構造体に加わったときに機械的変形を生じるものであれば特に形状等が限定されるものではないが、例えば前記支持部よりも薄肉にして、検出対象とする物理量が前記センサ構造体に加わったときに弾性的に撓んで変形するように形成することができる。
【０００８】
また本発明において、前記センサ構造体はシリコン基板を用いて微小構造加工することにより形成された、いわゆるＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）のセンサチップであると好ましい。このようにＭＥＭＳセンサチップとすることで、非常に微小な素子体であるカーボンナノチューブを用いている本発明にあっては、高感度化と小型化を両立するのに非常に有利だからである。この場合において、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は絶縁膜を介して前記変形部上に配置されていると好ましい。
【０００９】
また本発明において、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、その長手方向が前記変形部の変形方向に直交するよう配置されていると好ましい。カーボンナノチューブは長手方向において変形させると導電率が変化する性質を有しているため、このようにその長手方向と前記変形部の変形方向が直交することで、前記変形部の変形が前記カーボンナノチューブ抵抗素子の変形として最も良反映され、その結果、カーボンナノチューブ抵抗素子において導電率の変化もその分大きくなって高感度化に有利であるからである。
【００１０】
また本発明において、前記配線パターンにおける前記カーボンナノチューブ抵抗素子との接続端部に金属電極部を設け、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の両端部をこの金属電極部により覆うようにしても良い。このようにすることで、前記金属電極部により前記カーボンナノチューブ抵抗素子と前記配線パターンとの接続を確実に行えるとともに、前記カーボンナノチューブ抵抗素子を前記変形部上に強固に固定化することができる。
【００１１】
また本発明において、前記カーボンナノチューブ抵抗素子はその表面が絶縁性の被覆膜により覆われていると好ましい。すなわち、前記カーボンナノチューブ抵抗素子を保護できるとともに前記変形部上により強固に固定化することができるからである。この場合、前記被覆膜を前記センサ構造体の表面に設けたパッシベーション膜で構成すると良く、センサ構造体表面の保護とともに、前記カーボンナノチューブ抵抗素子を保護及び固定化を同時に行うことができる。
【００１２】
また本発明において、前記変形部に段部が形成され、この段部を跨ぐように前記カーボンナノチューブ抵抗素子が前記変形部上に配置されていると好ましい。このようにすることで、平坦面に配置する場合に比して変形角度の大きな部位での導電率変化が大きいというカーボンナノチューブの特徴を生かして、小さな変形量に対して大きな導電率変化を得ることが可能となり、更に高感度化が期待できる。
【００１３】
また本発明において、前記センサ構造体における前記変形部以外の前記応力では変形しない部位に基準用抵抗素子が配置され、該基準用抵抗素子と前記カーボンナノチューブ抵抗素子とを前記配線パターンにより接続することでブリッジ回路が構成されていると好ましい。この場合、前記ブリッジ回路の入力端に電圧を印加する一方、該ブリッジ回路の出力端の電圧を前記カーボンナノチューブ抵抗素子の機械的変形に伴う導電率変化に対応した電気信号として取り出すことができ、高感度化に加えて検出精度が向上する。この場合、前記基準用抵抗素子はカーボンナノチューブにより構成されていると好ましい。検出用の抵抗素子と基準用抵抗素子とを何れも同材料であるカーボンナノチューブにより構成することで、検出精度がより向上する。
【００１４】
また本発明において、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、単層カーボンナノチューブにより構成されていると好ましい。複層カーボンナノチューブと比べて単層カーボンナノチューブの方が長手方向において変形させたとき導電率の変化が大きく、ゆえに高感度化に有利であるからである。この場合、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、単層カーボンナノチューブを複数本並設したものを電気的に並列接続して構成されていると好ましい。このようにすることで、個々の単層カーボンナノチューブにおける導電率の変化度合いのバラツキを平均化して抑え、高感度に加えて検出精度の向上を図ることができる。
【００１５】
更に本発明においては、機械的変形量検出センサの一つの具体的な態様として、加速度を検出対象の物理量としている加速度センサが提供される。この当該加速度センサにあっては、前記センサ構造体は前記変形部を介して前記支持部に連結支持された重り部を更に一体に有している。
【００１６】
また本発明においては、機械的変形量検出センサの他の具体的な態様として、流体の圧力を検出対象の物理量としている圧力センサが提供される。この加速度センサは、前記センサ構造体において前記支持部が枠状に形成され、前記変形部は前記支持部の枠内領域を占めて流体の圧力を受圧するタイヤフラムにより構成されている。この場合、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は前記ダイヤフラムにおける周縁部位に配置されていると好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る機械的変形量検出センサについて説明する。
【００１８】
（実施形態１）
本実施形態に示す機械的変形量検出センサは、図１に示すように、流体の圧力を検出するための圧力センサである。本実施形態において、センサ構造体１はシリコン基板を加工して形成した、いわゆるＭＥＭＳセンサチップ（半導体圧力センサチップ）であって、矩形枠状の支持部１ａと、この支持部１ａの枠内を占める薄肉のダイヤフラム２とから構成されている。この圧力センサチップ１において、薄肉の受圧部たるダイヤフラム２はシリコン基板の裏面側の一部を異方性エッチングして所定厚を残すよう凹部３を掘り込むことで形成される。圧力センサチップ１の裏面には、上記凹部３に流体圧力を導入するための圧力導入孔５を有するガラス製の台座４が接合されている。圧力センサチップ１においてダイヤフラム２は圧力導入孔５から流体圧力が導入されたときに撓むように変形する。
【００１９】
ダイヤフラム２の表面には、流体圧力の大きさに応じてダイヤフラム２が変形する量を電気信号として取り出すために、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２が配置されている。これらカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は、ダイヤフラム２の周縁部であって、支持部１ａの枠内での対向辺の中央位置に夫々の軸線が同一線上に位置するように配置固定されている。ここでカーボンナノチューブは軸方向（長手方向）に対して垂直な方向に変形すると、その変形量に応じて導電率（電気抵抗値）が変化するという特性がある。一方、ダイヤフラム２の撓み変形は基板厚み方向に生ずる。従って、上記の如く配置することで、軸方向の配向がダイヤフラム２の撓み変形の方向と直交し、ダイヤフラム２の撓み変形が効率良くカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２に伝わって、カーボンナノチューブの導電率変化が大きくなる。また、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の配置位置をダイヤフラム２の撓み変形量が大きくなる周縁部とすることによっても、ダイヤフラム２の撓み変形が効率良くカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２に伝わって、カーボンナノチューブの導電率変化が大きくなる。
【００２０】
また、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２はその全長がダイヤフラム２上にあっても構わないが、当該実施形態では長手方向の中程位置でダイヤフラム２と支持部１ａとの境界を跨ぐようカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２を配置しその略１／２の部分はダイヤフラム２上に存在させている。ダイヤフラム２は撓み変形するとき、支持部１ａとの境界付近でその撓み変形は屈曲するように大きくなるからである。
【００２１】
またこれらカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２とともに、図２に示す如く、検出信号取り出し用のブリッジ回路を組むための基準用抵抗素子６３，６４が流体圧力により変形しない支持部１ａの表面においてカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の軸線と同一線上に位置するように配置固定されている。基準用抵抗素子６３，６４にはカーボンナノチューブが構成材料として用いられている。また、これらカーボンナノチューブからなる抵抗素子６１〜６４はダイヤフラム２が加圧されない状態では同じ電気抵抗を持つように形成している。このように検出用抵抗素子６１，６２と基準用抵抗素子６３，６４とを同様にカーボンナノチューブを構成材料として用い且つ抵抗値を等しくすることでブリッジ回路の検出精度を向上させている。
【００２２】
ブリッジ回路において、ダイヤフラム２の変形に共動して変形するカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２が対向する１対の辺に位置し、基準用抵抗素子６３，６４は別の対向する一対の辺に位置している。そして、カーボンナノチューブ抵抗素子６１と基準用抵抗素子６４との接続点と、カーボンナノチューブ抵抗素子６２と基準用抵抗素子６３との接続点間に直流電圧Ｖｄを印加し、カーボンナノチューブ抵抗素子６１と基準用抵抗素子６３との接続点と、カーボンナノチューブ抵抗素子６２とカーボンナノチューブ６４との接続点間の電位差を検出信号として取り出す回路構成となっている。
【００２３】
図３は、抵抗素子６１〜６４を接続し前記ブリッジ回路を構成している配線パターン７を例示する図である。この例において、配線パターン７はダイヤフラム２を含むセンサ構造体１表面にパターン形成されており、ブリッジ回路に電圧Ｖｄを印加するための入力端８ａ，８ｂ用の電極パッドと、検出信号取り出すための出力端９ａ，９ｂ用の電極パッドを夫々支持部１ａの表面に設けてある。ここで、配線パターン７はアルミ等の金属配線で形成することができるが、圧力センサチップ１の構成材料であるシリコン基板に不純物ドープ等により形成した拡散配線でパターン形成しても良く、それらの組合せであっても良い。
【００２４】
図４はカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２や基準用抵抗素子６３，６４を構成するカーボンナノチューブ６の配置状態を示す概要図である。図示の如く、カーボンナノチューブ６は棒状の微小構造体であって、その両端部において配線パターン７と接続されている。このカーボンナノチューブ６をセンサ構造体１の表面の所定位置に形成する手法としては、既に棒状に形成されているカーボンナノチューブを所定位置に配置固定化する方法と、センサ構造体１の表面の所定位置においてカーボンナノチューブを成長させる方法とが挙げられる。前者の場合、市販等されているカーボンナノチューブを用いることができるが、センサ構造体１のスケールが小さいのに加え、カーボンナノチューブ自体のサイズも極めて小さいため、所定位置に配置固定化するにはハンドリングが良いとは言えないため、後者の手法が好ましく用いられる。後者の場合、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等の金属（又はその化合物）を触媒としてこの触媒を起点として所定位置にカーボンナノチューブを生長させるようにする。例えば図４に示す例では、圧力センサチップ１表面におけるカーボンナノチューブ６を設けるべき位置において、カーボンナノチューブ６の両端部に相当する部位にＦｅ２Ｏ３を触媒部として形成し、ＣＶＤやアーク放電等の手法により前記触媒部間にカーボンナノチューブ６を生長させている。ここで触媒部の形成方法としては、例えば、圧力センサチップ１の表面にレジストパターニングを行い、触媒材料を滴下又はスピンコート等することで形成できる。またカーボンナノチューブ６の生長手法としては、メタン等の炭化水素と水素ガスからなる混合ガスをカーボンナノチューブ６を生長させたい方向に流しながら５００から１０００℃の温度範囲でＣＶＤやアーク放電等を行うことにより、カーボンナノチューブ６を生長させることができる。
【００２５】
ここで用いられるカーボンナノチューブ６の種別としては、単層カーボンナノチューブが好ましい。複層カーボンナノチューブでも良いが、単層カーボンナノチューブの方が長手方向において変形させたとき導電率の変化が大きく、ゆえに高感度化に有利となる。該実施形態では、カーボンナノチューブ６を用いた抵抗素子６１−６４は、単層カーボンナノチューブを複数本並設したものを電気的に並列接続して構成されたものが使用されている。これにより、個々の単層カーボンナノチューブにおける導電率の変化度合いのバラツキを平均化して抑え、高感度に加えて検出精度の向上を図ることができる。
【００２６】
該実施形態においてカーボンナノチューブ６の末端部は、配線パターン７から延設されたＡｌ、Ｔｉ／Ａｕ等の金属電極部１０により覆われている。この金属電極部１０を設けることで、カーボンナノチューブ６の末端部と配線パターン７との接続が確実に行えると共に、カーボンナノチューブ６の末端部を押さえるので、カーボンナノチューブ６がチップ１の所定位置表面から剥がれ落ちるのが防止され、カーボンナノチューブ６は強固に固定化される。
【００２７】
該実施形態では、図５に示すように、カーボンナノチューブ６の表面を絶縁性の被覆膜１３で覆うこともできる。被覆膜１３を設けることで、カーボンナノチューブ６を保護できるとともに圧力センサチップ１上により強固に固定化されることになる。この被覆膜１３は、スポット的にカーボンナノチューブ６を覆うようにしても構わないが、圧力センサチップ１表面に設けたパッシベーション膜を被覆膜１３として用いると良い。こうすることで、センサチップ１の表面保護とともに、カーボンナノチューブ６の保護と固定化を同時に行うことができる。
【００２８】
尚、該実施形態において、シリコン基板から形成されるダイヤフラム２や支持部１ａの表層にはＳｉＯ２等からなる絶縁膜１１が設けられており、この絶縁膜１１上にカーボンナノチューブ６及び配線パターン７（但し金属配線の部分）が設けられている。因みに、配線パターン７において拡散配線で構成される部分がある場合には、拡散配線の設けられる位置は絶縁膜１１より下側のシリコン層内になるが、例えば絶縁膜１１に所望の位置でコンタクトホールを設けることで絶縁膜１１の表面側と導通を図ることができる。
【００２９】
而して、当該半導体圧力センサにあっては、台座４に設けた圧力導入孔５から流体圧力が導入されない状態では、ブリッジ回路の出力端９ａ、９ｂ間の電位差は０であるが、凹部３内に流体圧力が導入されるとその圧力を受けてダイヤフラム２の中央部が図６において図示するように上方に膨らむように撓み、ダイヤフラム２の周縁部が斜め上向きに引っ張られるように変形する。このためダイヤフラム２の周縁部上に配置固定しているカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は軸方向に直交する方向（弾性定数の小さい方向）にダイヤフラム２の周縁部の変形と共動する形で圧縮変形する。この圧縮変形によってカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の両端間の電気抵抗（導電率）は変形量に応じて変化し、その電気抵抗の変化に応じた電位差がブリッジ回路の出力端９ａ，９ｂ間に生じることになる。つまりこの電位差の大きさがダイヤフラム２の受けている流体圧力の大きさに対応し、この電位差から流体圧力を検出することができるのである。
【００３０】
（実施形態２）
図７は本発明の実施形態２に係る半導体圧力センサを示している。上記実施形態１ではダイヤフラム２を含む圧力センサチップ１の表面が平坦面で、この平坦面上にカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２を配置固定しているが、カーボンナノチューブは変形する角度の大きい場所での電気抵抗の変化が大きいという特性があり、この特性を生かすように構成したのが本実施形態である。
【００３１】
つまり本実施形態は図７（ｂ）に示すようにダイヤフラム２の表面位置を、ダイヤフラム２の変形部たる周縁境界部と支持部１ａとの境界部において段部１２を形成し、ダイヤフラム２の周囲のセンサ構造体１の表面位置よりも低くしている。カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は、その長手方向がこの段部１２を跨いで上側面（支持部１ａの表面）から段部１２の立下り面、下側面（ダイヤフラム２の表面）と屈曲しながら沿わせて夫々配置固定されている。その他の構成は実施形態１と同じであるので、ブリッジ回路構成、電極配置、金属配線等の図示は省略する。
【００３２】
而して台座４に設けた圧力導入孔５から流体圧力が導入されるとその圧力を受けてダイヤフラム２の中央部が図８において図示するように上方に膨らむように撓み、ダイヤフラム２の周縁部が斜め上向きに引っ張られるように変形する。このためダイヤフラム２の周縁境界部の段部１２上に配置固定しているカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は軸方向（長手方向）に直交する方向（弾性定数の小さい方向）にダイヤフラム２の周縁部の変形と共動する形で圧縮変形する。この際段部１２の位置にあるカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の部位が大きな角度で圧縮変形するため、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の両端間の電気抵抗（導電率）は大きく変化することになり、ブリッジ回路の出力端９ａ，９ｂ間に生じる電位差も大きくなる。つまり、少ない変形量に対して大きなレベルの電気信号を得ることができ、高感度に流体圧力を検出することができるのである。
【００３３】
（実施形態３）
図９は本発明の実施形態３に係る半導体圧力センサを示している。上記実施形態１，２では基準用抵抗素子を設けてブリッジ回路を構成しているが、本実施形態は、図９に示すようにダイヤフラム２の表面中央部に、周縁部のカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の軸方向と軸方向を平行させた２つの基準用抵抗素子６３’、６４’を並行するように配置固定し、この基準用抵抗素子６３’，６４’を用いて図１０に示すブリッジ回路を構成している。基準用抵抗素子６３’，６４’はカーボンナノチューブにより構成されている。
【００３４】
而して台座４に設けた圧力導入孔５から流体圧力が導入されるとその圧力を受けてダイヤフラム２の中央部が図１１において図示するように上方に膨らむように撓み、ダイヤフラム２の周縁部が斜め上向きに引っ張られるように変形する。このためダイヤフラム２の中央部に配置している基準用抵抗素子６３’，６４’は伸張する形で変形することになり、一方周縁部上に配置固定しているカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は軸方向に直交する方向（弾性定数の小さい方向）にダイヤフラム２の周縁部の変形と共動する形で圧縮変形する。つまりカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の電気抵抗の変化方向と、基準用抵抗素子６３’６４の電気抵抗の変化方向とが逆となる。
【００３５】
これによりブリッジ回路の出力端９ａ，９ｂ間に生じる電位差は実施形態１の場合に比べて大きくなる。つまり、少ない変形量に対して大きなレベルの電気信号を得ることができ、高感度に流体圧力を検出することができるのである。
【００３６】
（実施形態４）
図１２は、本発明の実施形態４に係る加速度センサを示している。前掲の実施形態１乃至３は、圧力センサを構成するものであったが、本実施形態は、加速度センサを構成するもので、図１２（ａ）に示すように、シリコン基板に対してエッチング等のマイクロマシン加工処理を行うことにより加速度センサチップ２０が形成されている。この加速度センサチップ２０は、枠状の支持部２１と、２つの平行するビーム部２２、２２で片側が支持部２１に一体に支持されて、支持部２１に囲まれる空間内に揺動自在に配置された重り部２２と、上記ビーム部２３，２３とを有している。図１２（ｂ）に示すように、この支持部２１の上面にはセンサチップ２０の外周部に金属膜２４が周設されており、センサチップ２０の上面には、下面に重り部２２の上方向の移動を可能する凹部２５を形成した上部ガラスキャップ２６が配置固定されている。この上部ガラスキャップ２６の下面は金属膜２４を介してセンサチップ２０の上面周縁部と接合されている。
【００３７】
加速度センサチップ２０の下側には、重り部２２の下方移動を可能とする凹部２７を上面に有する下部ガラスキャップ２８が配置固定されている。この下部ガラスキャップ２８は、その上面周縁部においてセンサチップ２０の支持体２１の下面と陽極接合により接合されている。
【００３８】
重り部２２の揺動で変形する変形部たるビーム部２３，２３の上には、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２が配置固定されている。このカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は軸方向（長手方向）においてビーム部２３，２３の上面から重り部２２の上面に跨るように配置されており、ビーム部２３，２３の変形方向に対して軸方向が直交するように配置固定している。
【００３９】
また重り部２２の上面にはカーボンナノチューブからなる基準用抵抗素子６３，６４をカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の軸方向に直交する形で配置固定している。これらの抵抗素子６１〜６４の配置固定は実施形態１と同様な方法で行う。
【００４０】
またこれらの抵抗素子６１〜６４を図２と同様にブリッジ接続するための金属配線を支持部２１，重り部２２，ビーム部２３，２３の表面に形成し、また支持部２１の表面にはブリッジ回路の入力用、出力用の電極を形成しているが、図１２では図示を省略している。
【００４１】
尚図１２中２９、３０は重り部２２の動きを規制するストッパである。
【００４２】
而して図１２に示すように加速度が矢印方向Ｙに加わると、加速度に対応する力が重り部２２に加わって図示するように重り部２２は揺動し、この揺動によって支持部２１と重り部２２を連結するビーム部２３，２３が撓んで変形し、この変形に追従する形でカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２も変形することになる。
【００４３】
この変形量は加速度の大きさに対応し、この変形量に応じてカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の両端間の電気抵抗（導電率）は変化し、その電気抵抗の変化に応じた電位差が図２に示すブリッジ回路の出力端９ａ，９ｂ間に生じることになる。つまりこの電位差の大きさが重り部２２が受けている加速度の大きさに対応し、この電位差から加速度を検出することができるのである。
【００４４】
（実施形態５）
図１４は本発明の実施形態５に係る加速度センサを示している。本実施形態は、図１４に示すように支持部２１の表面の高さと、重り部２の表面の高さとの間に差を設けてビーム部２３の上面に段部２３ａを形成し、この段部２３ａを跨ぐように段の上側面から下側面に沿わせてカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２を夫々配置固定している。
【００４５】
つまり実施形態２の段部１２と同様にビーム部２３，２３の変形に対してナノチューブ６１，６３の大きな電気抵抗の変化が得られるようにして高感度化を図ったものである。段部２３ａの役割は実施形態２と同じであるので、詳細な説明は省略する。また図１５に示すように矢印方向Ｙの加速度が加わった場合の加速度センサとしての動作は実施形態４と同じであるので、加速度センサとしての動作の説明も省略する。
【００４６】
（実施形態６）
図１６は本発明の実施形態６に係る加速度センサを示すものである。実施形態３，４の加速度センサの何れもがカーボンナノチューブを用いた基準用抵抗素子６３’，６４’を重り部３３上面に設けてあったが、本実施形態は、図１６に示すように各ビーム部２３上にカーボンナノチューブ抵抗素子６１又は６２に対して軸線が直交するように配置固定したもので、上述した図１０のブリッジ回路をこれらカーボンナノチューブからなる抵抗素子６１，６２、６３’６４’で構成する。尚その他の構成は実施形態４と同じ構成であるの説明は省略する。
【００４７】
以上、本発明の具体例として各実施形態を説明してきたが、本発明がこれらに限定されるものではなく、その技術的思想の範囲において応用が可能であることは言うまでもない。
【００４８】
例えば、また上記実施形態中、基準用抵抗素子を用いる場合、この基準用抵抗素子を拡散抵抗で代用させても勿論良い。また、実施形態ではシリコン基板を用いたＭＥＭＳセンサを例示したが、他の半導体材料からなる基板より形成されるセンサ構造体であっても良い。また、本発明ではカーボンナノチューブを検出用素子として用いていることから、ピエゾ抵抗方式のように半導体基板である制約もなく、ガラス等の絶縁材料基板を使用することも可能である。
【００４９】
更に上記実施形態は、圧力センサ又は加速度センサを構成するものであったが、機械的変形量検出センサとして、接触圧を検出する触覚センサ、空気圧を検出する音波センサ（マイクロフォン）、超音波センサ、更に圧力を受けて変位する部位を身体に当て、心拍、脈拍等を脈動変化に伴う身体から受ける圧力変化を検出するセンサ等を構成することができるのは勿論である。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の機械的変形量検出センサは、センサ構造体に加わった検出対象の物理量の大きさをカーボンナノチューブ抵抗素子の導電率変化による電気信号として検出できるため、カーボンナノチューブの電気的特性を利用し、例えばピエゾ抵抗素子を用いた従来方式に比べて優れた感度での物理量検出が可能となる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の圧力センサを構成する実施形態１の上面図である。
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【図２】同上の検出信号取り出し用のブリッジ回路の構成図である。
【図３】同上の電極及び金属配線の配置説明図である。
【図４】同上に用いるカーボンナノチューブの配置固定の説明図である。
【図５】同上に用いるカーボンナノチューブの配置固定の説明図である。
【図６】同上の動作説明用断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の圧力センサを構成する実施形態２の上面図である。
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【図８】同上の動作説明用断面図である。
【図９】（ａ）は本発明の圧力センサを構成する実施形態３の上面図である。
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【図１０】同上の検出信号取り出し用のブリッジ回路の構成図である。
【図１１】同上の動作説明用断面図である。
【図１２】（ａ）は本発明の加速度センサを構成する実施形態４の上部ガラスキャップを外した状態の上面図である。
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘにおける上部ガラスキャップを被せた状態の断面図である。
【図１３】同上の動作説明用断面図である。
【図１４】（ａ）は本発明の加速度センサを構成する実施形態５の上部ガラスキャップを外した状態の上面図である。
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘにおける上部ガラスキャップを被せた状態の断面図である。
【図１５】同上の動作説明用断面図である。
【図１６】（ａ）は本発明の加速度センサを構成する実施形態６の上部ガラスキャップを外した状態の上面図である。
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘにおける上部ガラスキャップを被せた状態の断面図である。
【符号の説明】
１　センサ構造体
１ａ　支持部
２　ダイヤフラム
３　凹部
４　台座
５　圧力導入孔
６１、６２　カーボンナノチューブ抵抗素子
６３、６４　基準用抵抗素子

Claims (16)

  1. 半導体基板または絶縁基板により形成され、検出対象とする物理量が当該構造体に加わったときにその物理量に起因して変形する変形部と当該変形部を支持する支持部を一体に有したセンサ構造体と、前記変形部の変形に共動して機械的に変形するように前記変形部に配置されたカーボンナノチューブ抵抗素子と、前記センサ構造体上にパターン形成され前記カーボンナノチューブ抵抗素子に接続された配線パターンを備え、
    前記配線パターンを介して前記カーボンナノチューブ抵抗素子に電圧印加することにより、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の機械的変形に伴う導電率変化を電気信号として取り出すことを特徴とする機械的変形量検出センサ。
  2. 前記変形部は前記支持部よりも薄肉に形成されており、検出対象とする物理量が前記センサ構造体に加わったときに弾性的に撓むように変形することを特徴とする請求項１記載の機械的変形量検出センサ。
  3. 前記センサ構造体はシリコン基板により形成されたＭＥＭＳセンサチップであることを特徴とする請求項１又は２記載の機械的変形量検出センサ。
  4. 前記カーボンナノチューブ抵抗素子は絶縁膜を介して前記変形部上に配置されていることを特徴とする請求項３記載の機械的変形量検出センサ。
  5. 前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、その長手方向が前記変形部の変形方向と直交するよう配置されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
  6. 前記配線パターンは前記カーボンナノチューブ抵抗素子との接続端部に金属電極部を有しており、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の両端部は前記金属電極部により覆われていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
  7. 前記カーボンナノチューブ抵抗素子はその表面が絶縁性の被覆膜により覆われていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
  8. 前記被覆膜は前記センサ構造体の表面に設けられたパッシベーション膜であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
  9. 前記変形部に段部が形成され、この段部を跨ぐように前記カーボンナノチューブ抵抗素子が前記変形部上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
  10. 前記センサ構造体において前記変形部以外の前記応力では変形しない部位に基準用抵抗素子が配置され、該基準用抵抗素子と前記カーボンナノチューブ抵抗素子とを前記配線パターンにより接続することでブリッジ回路が構成されていることを特徴とする請求項１乃至９の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
  11. 前記基準用抵抗素子はカーボンナノチューブにより構成されていることを特徴とする請求項１０記載の機械的変形量検出センサ。
  12. 前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、単層カーボンナノチューブにより構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１記載の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
  13. 前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、単層カーボンナノチューブを複数本並設したものを電気的に並列接続して構成されていることを特徴とする請求項１２記載の機械的変形量検出センサ。
  14. 請求項１乃至１３の何れかの機械的変形量検出センサは検出対象とする物理量が加速度である加速度センサであって、前記センサ構造体は前記変形部を介して前記支持部に連結支持された重り部を更に一体に有していることを特徴とする加速度センサ。
  15. 請求項１乃至１３の何れかの機械的変形量検出センサは検出対象とする物理量が流体の圧力である圧力センサであって、前記センサ構造体において前記支持部は枠状に形成され、前記変形部は前記支持部の枠内領域を占めて流体の圧力を受圧するタイヤフラムにより構成されていることを特徴とする圧力センサ。
  16. 前記カーボンナノチューブ抵抗素子は前記ダイヤフラムにおける周縁部位に配置されていることを特徴とする請求項１５記載の圧力センサ。
JP2002211654A 2002-07-19 2002-07-19 機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ Expired - Fee Related JP3969228B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002211654A JP3969228B2 (ja) 2002-07-19 2002-07-19 機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ
US10/446,789 US6848320B2 (en) 2002-07-19 2003-05-29 Mechanical deformation amount sensor
CA002430451A CA2430451C (en) 2002-07-19 2003-05-29 Mechanical deformation amount sensor
EP07104218A EP1790963B1 (en) 2002-07-19 2003-05-30 Mechanical deformation amount sensor
DE60330609T DE60330609D1 (de) 2002-07-19 2003-05-30 Mechanischer Deformationsgradsensor
EP03012387A EP1384612B1 (en) 2002-07-19 2003-05-30 Mechanical deformation amount sensor
DE60317273T DE60317273T2 (de) 2002-07-19 2003-05-30 Sensor für mechanische Verformungsmessverfahren
CNB031382754A CN1238686C (zh) 2002-07-19 2003-05-30 机械形变量检测传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002211654A JP3969228B2 (ja) 2002-07-19 2002-07-19 機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007045978A Division JP4356754B2 (ja) 2007-02-26 2007-02-26 機械的変形量検出センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004053424A true JP2004053424A (ja) 2004-02-19
JP3969228B2 JP3969228B2 (ja) 2007-09-05

Family

ID=29997200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002211654A Expired - Fee Related JP3969228B2 (ja) 2002-07-19 2002-07-19 機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6848320B2 (ja)
EP (2) EP1384612B1 (ja)
JP (1) JP3969228B2 (ja)
CN (1) CN1238686C (ja)
CA (1) CA2430451C (ja)
DE (2) DE60317273T2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006090807A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Matsushita Electric Works Ltd 物理量センサ
JP2006292478A (ja) * 2005-04-07 2006-10-26 Matsushita Electric Works Ltd 物理量センサ
KR100801497B1 (ko) 2007-03-13 2008-02-12 한양대학교 산학협력단 Ｃｎｔ네트워크 박막이 구비된 압력 센서 소자, 이의 제작방법 및 이를 포함하는 센서
WO2008099638A1 (ja) * 2007-02-15 2008-08-21 Nec Corporation カーボンナノチューブ抵抗体、半導体装置、カーボンナノチューブ抵抗体及び半導体装置の製造方法
WO2011112059A2 (ko) * 2010-03-12 2011-09-15 고려대학교 산학협력단 나노 재료를 이용한 센서 시스템 및 그 제조 방법
KR101065280B1 (ko) 2008-11-24 2011-09-19 한국표준과학연구원 탄소나노튜브를 이용한 유연소자 및 그 제조방법
JP2012196727A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Fujitsu Ltd Ｍｅｍｓ素子
JP2013504442A (ja) * 2009-09-11 2013-02-07 ジェイピー ラボラトリーズ インコーポレイテッド ナノ構造の変形、破壊、および変換に基づくモニタリング装置およびモニタリング方法
WO2014017169A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 株式会社村田製作所 押圧力センサ
US8877538B2 (en) 2011-12-05 2014-11-04 Korea Institute Of Science And Technology Pressure sensor having nanostructure and manufacturing method thereof
KR20170034301A (ko) * 2015-09-18 2017-03-28 에스엠시 가부시키가이샤 압력센서 및 그 제조 방법
KR20200012728A (ko) * 2018-07-27 2020-02-05 아즈빌주식회사 압력 센서

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6911891B2 (en) * 2001-01-19 2005-06-28 Massachusetts Institute Of Technology Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications
US6593666B1 (en) * 2001-06-20 2003-07-15 Ambient Systems, Inc. Energy conversion systems using nanometer scale assemblies and methods for using same
US7491428B2 (en) * 2002-12-04 2009-02-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Controlled deposition and alignment of carbon nanotubes
US7148579B2 (en) * 2003-06-02 2006-12-12 Ambient Systems, Inc. Energy conversion systems utilizing parallel array of automatic switches and generators
US20040238907A1 (en) * 2003-06-02 2004-12-02 Pinkerton Joseph F. Nanoelectromechanical transistors and switch systems
US7095645B2 (en) * 2003-06-02 2006-08-22 Ambient Systems, Inc. Nanoelectromechanical memory cells and data storage devices
US7199498B2 (en) * 2003-06-02 2007-04-03 Ambient Systems, Inc. Electrical assemblies using molecular-scale electrically conductive and mechanically flexible beams and methods for application of same
FR2857153B1 (fr) * 2003-07-01 2005-08-26 Commissariat Energie Atomique Micro-commutateur bistable a faible consommation.
US7211873B2 (en) * 2003-09-24 2007-05-01 Denso Corporation Sensor device having thin membrane and method of manufacturing the same
US7286210B2 (en) * 2003-12-31 2007-10-23 Pettit John W Passive optical sensor using carbon nanotubes
WO2005083409A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-09 Nanonord A/S A sensor for use in detection of a target substance in a sample
US7353720B2 (en) * 2004-07-09 2008-04-08 Michelin Recherche Et Technique, S.A. Bridge patch for electromechanical transducer elements in tire assemblies
US7194912B2 (en) * 2004-07-13 2007-03-27 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Carbon nanotube-based sensor and method for continually sensing changes in a structure
WO2007024204A2 (en) 2004-07-19 2007-03-01 Ambient Systems, Inc. Nanometer-scale electrostatic and electromagnetic motors and generators
US7247877B2 (en) * 2004-08-20 2007-07-24 International Business Machines Corporation Integrated carbon nanotube sensors
JP2006118867A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 走査型プローブ顕微鏡及びそれを用いた計測方法
WO2006053213A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-18 University Of Florida Research Foundation, Inc. Methods and articles incorporating local stress for performance improvement of strained semiconductor devices
CN100427954C (zh) * 2005-02-07 2008-10-22 清华大学 一种基于纳米材料的微型膜片式加速度传感器
WO2006114832A1 (ja) * 2005-04-06 2006-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 加速度センサ
JP4641217B2 (ja) * 2005-06-08 2011-03-02 株式会社豊田中央研究所 マイクロホンとその製造方法
AT501760B1 (de) * 2005-06-14 2006-11-15 Electrovac Anordnung zur druckmessung
US7278324B2 (en) * 2005-06-15 2007-10-09 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Carbon nanotube-based sensor and method for detection of crack growth in a structure
WO2007012028A2 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Pinkerton Joseph P Heat activated nanometer-scale pump
US20070031318A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Jie Liu Methods of chemically treating an electrically conductive layer having nanotubes therein with diazonium reagent
US7337678B2 (en) * 2005-12-09 2008-03-04 General Electric Company MEMS flow sensor
US7878075B2 (en) 2007-05-18 2011-02-01 University Of Southern California Biomimetic tactile sensor for control of grip
EP2010868B1 (en) * 2006-03-28 2017-01-18 University of Southern California Biomimetic tactile sensor
JP4595862B2 (ja) * 2006-03-28 2010-12-08 パナソニック電工株式会社 静電容量式センサ
US8181540B2 (en) * 2006-03-28 2012-05-22 University Of Southern California Measurement of sliding friction-induced vibrations for biomimetic tactile sensing
JP4107356B2 (ja) * 2006-06-08 2008-06-25 株式会社村田製作所 加速度センサ
EP2056087A4 (en) * 2006-10-02 2011-11-30 Panasonic Elec Works Co Ltd PRESSURE SENSOR
US7878988B2 (en) * 2006-10-06 2011-02-01 Stephen Thomas Bush Method for measuring the strength of healing bone and related tissues
US7437938B2 (en) * 2007-03-21 2008-10-21 Rosemount Inc. Sensor with composite diaphragm containing carbon nanotubes or semiconducting nanowires
US8272278B2 (en) * 2007-03-28 2012-09-25 University Of Southern California Enhancements to improve the function of a biomimetic tactile sensor
WO2008124084A2 (en) 2007-04-03 2008-10-16 Pinkerton Joseph F Nanoelectromechanical systems and methods for making the same
DE102007025812A1 (de) * 2007-06-02 2008-12-04 Wilhelm Karmann Gmbh Verdeckgestängeteil mit Überlastsicherung und Sensoreinrichtung
FR2917731B1 (fr) * 2007-06-25 2009-10-23 Commissariat Energie Atomique Dispositif resonant a detection piezoresistive realise en technologies de surface
US8132468B2 (en) 2008-05-29 2012-03-13 Zoran Radivojevic Flexural deformation sensing device and a user interface using the same
US8264347B2 (en) * 2008-06-24 2012-09-11 Trelleborg Sealing Solutions Us, Inc. Seal system in situ lifetime measurement
EP2144054A1 (en) 2008-07-08 2010-01-13 ETH Zürich Sensor and measurement method using one-dimensional nanostrustures
US8313443B2 (en) * 2009-03-09 2012-11-20 Tom Michael D Tensiometer utilizing elastic conductors
CN102087101B (zh) * 2009-12-04 2012-07-18 清华大学 应变测量装置及测量方法
DE102010002274A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 Robert Bosch GmbH, 70469 Vorrichtung zur Messung von Torsionen, Biegungen und dergleichen sowie entsprechendes Herstellungsverfahren
US8250927B2 (en) * 2010-03-17 2012-08-28 Indian Institute Of Science Flexible, stretchable, and distributed strain sensors
JP2012073163A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Seiko Epson Corp 圧力センサー
JP5436404B2 (ja) * 2010-12-17 2014-03-05 三菱電機株式会社 半導体圧力センサ及びその製造方法
DE102011005676A1 (de) * 2011-03-17 2012-09-20 Robert Bosch Gmbh Bauteil
KR20140021606A (ko) * 2011-04-21 2014-02-20 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 역학량 측정 장치, 반도체 장치, 박리 검지 장치 및 모듈
JP5915103B2 (ja) * 2011-11-11 2016-05-11 セイコーエプソン株式会社 物理量検出器
US9511995B2 (en) 2012-02-15 2016-12-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for building three-dimensional MEMS elements
US9217755B2 (en) 2012-02-15 2015-12-22 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for building three-dimensional MEMS elements
US9573802B2 (en) * 2012-02-15 2017-02-21 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for building three-dimensional MEMS elements
US8797059B2 (en) 2012-03-01 2014-08-05 International Business Machines Corporation Implementing carbon nanotube based sensors for cryptographic applications
EP2839270B1 (en) * 2012-03-26 2019-11-06 Technion Research & Development Foundation Limited A platform unit for combined sensing of pressure, temperature and humidity
WO2014074092A2 (en) * 2012-11-07 2014-05-15 Empire Technology Development Llc Motion sensing
RU2517798C1 (ru) * 2012-12-03 2014-05-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
WO2014098565A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Mimos Berhad Dual range pressure sensor
US8692340B1 (en) * 2013-03-13 2014-04-08 Invensense, Inc. MEMS acoustic sensor with integrated back cavity
US9809448B2 (en) 2013-03-13 2017-11-07 Invensense, Inc. Systems and apparatus having MEMS acoustic sensors and other MEMS sensors and methods of fabrication of the same
US9625333B2 (en) 2013-03-15 2017-04-18 President And Fellows Of Harvard College Tactile sensor
RU2523754C1 (ru) * 2013-04-04 2014-07-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") Датчик давления
US9546922B2 (en) 2013-08-09 2017-01-17 Continental Automotive Systems, Inc. Absolute pressure sensor with improved cap bonding boundary
RU2537470C1 (ru) * 2013-08-15 2015-01-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
RU2545314C1 (ru) * 2013-09-24 2015-03-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
US9435821B1 (en) * 2013-12-12 2016-09-06 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Single-axis accelerometer
RU2547886C1 (ru) * 2013-12-30 2015-04-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
CN103792036B (zh) * 2014-03-05 2016-01-20 中国电子科技集团公司第三十八研究所 气压与加速度传感器相集成的mems芯片及其制作方法
WO2015153938A1 (en) * 2014-04-04 2015-10-08 Robert Bosch Gmbh Membrane-based sensor and method for robust manufacture of a membrane-based sensor
WO2015175398A1 (en) * 2014-05-12 2015-11-19 President And Fellows Of Harvard College Systems and methods for making and using sensors, probes, and other devices
CN106486039B (zh) * 2015-08-26 2020-02-07 乐金显示有限公司 具有弯曲感测装置的柔性显示装置
US20170057810A1 (en) * 2015-09-01 2017-03-02 Apple Inc. Strain Reduction and Sensing on Package Substrates
DE102016204557A1 (de) * 2016-03-18 2017-09-21 Zf Friedrichshafen Ag Sensoreinrichtung, Messeinrichtung, Kraftfahrzeug und Verfahren zum Erfassen einer momentanen Verformung eines Bauteils
JP6794293B2 (ja) * 2017-02-24 2020-12-02 日本電産コパル電子株式会社 起歪体およびその起歪体を備えた力覚センサ
CN107941139A (zh) * 2017-12-06 2018-04-20 中国建筑股份有限公司 脚手架钢管弯曲定量测量装置及其测量方法
US20230251076A1 (en) * 2019-10-17 2023-08-10 Tdk Corporation Measuring device and measuring system

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62268166A (ja) * 1986-05-15 1987-11-20 Komatsu Ltd 薄膜圧力センサ
JPH0691265B2 (ja) * 1986-08-01 1994-11-14 株式会社日立製作所 半導体圧力センサ
US4800759A (en) * 1987-08-31 1989-01-31 Yokogawa Electric Corporation Semiconductor pressure converter
JP2595829B2 (ja) * 1991-04-22 1997-04-02 株式会社日立製作所 差圧センサ、及び複合機能形差圧センサ
JP3399660B2 (ja) * 1994-10-06 2003-04-21 株式会社東海理化電機製作所 表面型の加速度センサの製造方法
JPH08236784A (ja) * 1995-02-23 1996-09-13 Tokai Rika Co Ltd 加速度センサ及びその製造方法
US5759870A (en) * 1995-08-28 1998-06-02 Bei Electronics, Inc. Method of making a surface micro-machined silicon pressure sensor
JP3489309B2 (ja) * 1995-12-27 2004-01-19 株式会社デンソー 半導体力学量センサの製造方法および異方性エッチングマスク
JPH10282130A (ja) * 1997-04-01 1998-10-23 Canon Inc プローブとそれを用いた走査型プローブ顕微鏡
US6276214B1 (en) * 1997-12-26 2001-08-21 Toyoaki Kimura Strain sensor functioned with conductive particle-polymer composites
JP3418561B2 (ja) 1997-12-26 2003-06-23 豊明 木村 導電性粒子−高分子系による歪みセンサー
US6150681A (en) * 1998-07-24 2000-11-21 Silicon Microstructures, Inc. Monolithic flow sensor and pressure sensor
KR20010073134A (ko) * 1998-09-07 2001-07-31 추후제출 연장 콘덕터간의 터널링 전류를 이용하는 측정
US6146227A (en) * 1998-09-28 2000-11-14 Xidex Corporation Method for manufacturing carbon nanotubes as functional elements of MEMS devices
JP2000121469A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Mitsubishi Electric Corp 圧力センサ
EP2239794A3 (en) * 1999-07-02 2011-03-23 President and Fellows of Harvard College Nanoscopic wire-based devices, arrays, and methods of their manufacture
US6286226B1 (en) * 1999-09-24 2001-09-11 Agere Systems Guardian Corp. Tactile sensor comprising nanowires and method for making the same
US6550337B1 (en) * 2000-01-19 2003-04-22 Measurement Specialties, Inc. Isolation technique for pressure sensing structure
JP3892198B2 (ja) * 2000-02-17 2007-03-14 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 マイクロプローブおよび試料表面測定装置
JP4112358B2 (ja) * 2000-07-04 2008-07-02 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト 電界効果トランジスタ
DE10034390C2 (de) * 2000-07-14 2003-06-26 Eads Deutschland Gmbh Drucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung, sowie Verbrennungskraftmaschine mit Drucksensor
US7301199B2 (en) * 2000-08-22 2007-11-27 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wires and related devices
EP1182784A3 (de) * 2000-08-23 2004-06-30 Infineon Technologies AG Widerstandskaskade zum Bilden elektrischer Referenzgrössen und Analog-/Digital-Wandler
US6743408B2 (en) * 2000-09-29 2004-06-01 President And Fellows Of Harvard College Direct growth of nanotubes, and their use in nanotweezers
US6559550B2 (en) * 2000-11-03 2003-05-06 Lockheed Martin Corporation Nanoscale piezoelectric generation system using carbon nanotube
JP4697829B2 (ja) * 2001-03-15 2011-06-08 ポリマテック株式会社 カーボンナノチューブ複合成形体及びその製造方法
US20020160111A1 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 Yi Sun Method for fabrication of field emission devices using carbon nanotube film as a cathode
KR100418881B1 (ko) * 2001-05-23 2004-02-19 엘지전자 주식회사 Ａｆｍ 용 고감도 압전저항 캔틸레버
JP3764853B2 (ja) * 2001-05-28 2006-04-12 喜萬 中山 ナノ物質の質量計測方法及びその装置
KR100421218B1 (ko) * 2001-06-04 2004-03-02 삼성전자주식회사 선택 성장된 탄소나노튜브 전자 방출원을 이용한 전자방출 리소그래피 장치 및 리소그래피 방법
US7125502B2 (en) * 2001-07-06 2006-10-24 William Marsh Rice University Fibers of aligned single-wall carbon nanotubes and process for making the same
US6515346B1 (en) * 2002-01-02 2003-02-04 Zoltan A. Kemeny Microbar and method of its making
US7186380B2 (en) * 2002-07-01 2007-03-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor and sensors made from molecular materials with electric dipoles

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006090807A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Matsushita Electric Works Ltd 物理量センサ
JP4569242B2 (ja) * 2004-09-22 2010-10-27 パナソニック電工株式会社 物理量センサ
JP4492416B2 (ja) * 2005-04-07 2010-06-30 パナソニック電工株式会社 物理量センサ
JP2006292478A (ja) * 2005-04-07 2006-10-26 Matsushita Electric Works Ltd 物理量センサ
US8101529B2 (en) 2007-02-15 2012-01-24 Nec Corporation Carbon nanotube resistor, semiconductor device, and manufacturing method thereof
WO2008099638A1 (ja) * 2007-02-15 2008-08-21 Nec Corporation カーボンナノチューブ抵抗体、半導体装置、カーボンナノチューブ抵抗体及び半導体装置の製造方法
KR100801497B1 (ko) 2007-03-13 2008-02-12 한양대학교 산학협력단 Ｃｎｔ네트워크 박막이 구비된 압력 센서 소자, 이의 제작방법 및 이를 포함하는 센서
KR101065280B1 (ko) 2008-11-24 2011-09-19 한국표준과학연구원 탄소나노튜브를 이용한 유연소자 및 그 제조방법
JP2016028238A (ja) * 2009-09-11 2016-02-25 ジェイピー ラボラトリーズ インコーポレイテッド ナノ構造の変形、破壊、および変換に基づくモニタリング装置およびモニタリング方法
JP2013504442A (ja) * 2009-09-11 2013-02-07 ジェイピー ラボラトリーズ インコーポレイテッド ナノ構造の変形、破壊、および変換に基づくモニタリング装置およびモニタリング方法
WO2011112059A2 (ko) * 2010-03-12 2011-09-15 고려대학교 산학협력단 나노 재료를 이용한 센서 시스템 및 그 제조 방법
WO2011112059A3 (ko) * 2010-03-12 2011-12-08 고려대학교 산학협력단 나노 재료를 이용한 센서 시스템 및 그 제조 방법
KR101105220B1 (ko) 2010-03-12 2012-01-13 고려대학교 산학협력단 나노 재료를 이용한 센서 시스템 및 그 제조 방법
JP2012196727A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Fujitsu Ltd Ｍｅｍｓ素子
US8877538B2 (en) 2011-12-05 2014-11-04 Korea Institute Of Science And Technology Pressure sensor having nanostructure and manufacturing method thereof
WO2014017169A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 株式会社村田製作所 押圧力センサ
JP5854143B2 (ja) * 2012-07-26 2016-02-09 株式会社村田製作所 押圧力センサ
JPWO2014017169A1 (ja) * 2012-07-26 2016-07-07 株式会社村田製作所 押圧力センサ
US9528890B2 (en) 2012-07-26 2016-12-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Pressing force sensor
KR20170034301A (ko) * 2015-09-18 2017-03-28 에스엠시 가부시키가이샤 압력센서 및 그 제조 방법
KR102488245B1 (ko) * 2015-09-18 2023-01-16 에스엠시 가부시키가이샤 압력센서 및 그 제조 방법
KR20200012728A (ko) * 2018-07-27 2020-02-05 아즈빌주식회사 압력 센서
KR102234831B1 (ko) 2018-07-27 2021-04-01 아즈빌주식회사 압력 센서

Also Published As

Publication number Publication date
EP1790963A2 (en) 2007-05-30
CN1469100A (zh) 2004-01-21
JP3969228B2 (ja) 2007-09-05
US20040012062A1 (en) 2004-01-22
DE60330609D1 (de) 2010-01-28
DE60317273T2 (de) 2008-08-28
EP1384612B1 (en) 2007-11-07
EP1790963B1 (en) 2009-12-16
CN1238686C (zh) 2006-01-25
DE60317273D1 (de) 2007-12-20
US6848320B2 (en) 2005-02-01
EP1790963A3 (en) 2007-07-18
EP1384612A2 (en) 2004-01-28
CA2430451C (en) 2007-01-16
CA2430451A1 (en) 2004-01-19
EP1384612A3 (en) 2006-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3969228B2 (ja) 機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ
US6988412B1 (en) Piezoresistive strain concentrator
US6651506B2 (en) Differential capacitive pressure sensor and fabricating method therefor
US8443671B2 (en) Micromechanical structure and method for manufacturing a micromechanical structure
US7444879B2 (en) Displacement transducer
WO2005124307A1 (ja) 圧力センサ
JP4356754B2 (ja) 機械的変形量検出センサ
JP5051039B2 (ja) 圧力センサ
JP4492416B2 (ja) 物理量センサ
CN114286929B (zh) 传感器和制造传感器的方法
US20170291812A1 (en) Sensor device
KR20150129913A (ko) 압저항형 세라믹 압력센서
JP2008082952A (ja) 半導体感歪センサ
JPH08248060A (ja) 半導体加速度検出装置
JP2004163373A (ja) 半導体物理量センサ
JP4569242B2 (ja) 物理量センサ
CN109738093A (zh) 用于微机电器件应力检测的片上谐振梁结构及检测方法
JP2017072384A (ja) 圧力センサ
EP4332053A1 (en) Arrangement of carbon nanotubes and a method for manufacturing the arrangement
JP2540972B2 (ja) センサ
JPH08114617A (ja) 流速センサ
SU741076A1 (ru) Полупроводниковый датчик давлени
Shaby et al. A Comparative Analysis on Nanowire Based MEMS Pressure Sensor
JPH10274580A (ja) 半導体圧力センサ
JPS63177030A (ja) 半導体圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070515

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070528

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees