SU741076A1 - Полупроводниковый датчик давлени - Google Patents

Полупроводниковый датчик давлени Download PDF

Info

Publication number
SU741076A1
SU741076A1 SU782653036A SU2653036A SU741076A1 SU 741076 A1 SU741076 A1 SU 741076A1 SU 782653036 A SU782653036 A SU 782653036A SU 2653036 A SU2653036 A SU 2653036A SU 741076 A1 SU741076 A1 SU 741076A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
pressure sensor
semiconductor pressure
consoles
sensor
elastic element
Prior art date
Application number
SU782653036A
Other languages
English (en)
Inventor
Анатолий Прокопьевич Моисеенко
Игорь Никитович Магден
Александр Владимирович Желудков
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4371
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4371 filed Critical Предприятие П/Я Г-4371
Priority to SU782653036A priority Critical patent/SU741076A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU741076A1 publication Critical patent/SU741076A1/ru

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к области измерительной техники и может быть использовано дл  измерени  давлени .
Из:вестны датчики давлени , содержащие в качестве упругого элемента консоль равного сопротивлени  со сквозным отверстием пр моугольной формы. На консоли закреплены тензорезисторы i.
Известны датчики давлени , содер жап (ие упругий элемент в виде консоли из полупроводникового материала с тензорезисторами , расположенными над концентраторами напр жений, выполненными в виде рисок 2.
Недостаток этого датчика - недоста точна  чувствительность к измер емому давлению.
Целью изобретени   ал етс  повышение чувствительности датчика.
Указанна  цель достигаетс  тем, что в полупроводниковом датчике давлени , содержащем корпус с размещенны ми в нем мембраной, концентратором и тензочувствительным узлом, расположенными по разные стороны основани  консольного упругого элемента, упругий элемент, расположенный в плоскости , параллельной плоскости заделки мембраны, выполнен в виде, по меньшей
мере, двух консолей, кажда  из которых содержит концентратор, в виде риски, вершина которой направлена к тензометрическому узлу.
На фиг. 1 показано внутреннее устройство полупроводникового датчика давлени , состо щего из корпуса 1, упругой металлической мембраны 2, соединенной с корпусом посредством сварки по периметру, прижимного кольца 3, электрических выводов 4, проведенных через корпус датчика при помощи стеклоизол торов 5. Датчик герметизирует::  при помощи крышки 6, соединенной г корпусом-посредством сварки по периметру . Электрические выводы 4, посредством сварки соедин ютс  золотой проволокой 7 с тензочувствительными узлами 8.
В корпусе крепитс  упругий элемент 9 с клиновидными концентраторами 10.
Полупроводниковый датчик давлени , снабженный дл  удобства креплени  резьбой 11, показан на фиг. 2. В корпусе 1 клеем 12 креп тс  упругий элемент и прижимное кольцо. В корпусе выполнены . отверсти  13, которые в процессе сборки закрываютс  кольцом 14, соединенным с корпусом сваркой по периметру.
Упругий элемент 9 (фиг. 3) сформирован из кремниевой пластины п - типа селективным травлением с диаметрально расположенными консол ми 15 и внутренними вырезами 16, на консол х с одной стороны размещены концентратор 10, а с противоположной (фиг. 4) - тензочувствительные узлы (диоды Шоттки) 8 с токоведущими дорожками 17 и контактными площадками 18.
Полупроводниковый датчик давлени  работает следующим образом.
Давление с упругой мембраны 2 посредством жесткой вершины передаетс  на свободные конхда консолей 15. При этом в области концентраторов 10 возникают механические напр жени  где F - сила, действукща  на свобод
ные концы консолей; Р - длина консолей, h - толщина консолей в месте концентраторов..
Так как длина консолей Е на несколько пор дков превышает толщину h консолей в месте концентраторов, то даже очень малые давлени  на мембрану вызывают значительные механические напр жени  в области концентраторов и соответственно в области тензочувствительных узлов (диодов Шоттки), которые преобразуют эти механические напр жени  в электрический сигнал, пропорциональный внешнему давлению, действующему на мембрану.
Увеличение глубины концентраторов уменьшает толщину консолей в области тензочувствительных узлов (диодов
/
Шоттки) и тем самым без изменени  конструкции упругого элемента и топологии размещени  тензочувствительных узлов и прочего позвол ет достичь сколько угодно больших механических напр жений, что, в свою очередь, увеличивает чувствительность датчика.
Предложенный датчик может найти широкое применение в области измерени  малых давлений жидкостей и газов , а также в качестве измерительного преобразовател  расходов.

Claims (2)

1.Авторское свидетельство СССР
W 395737, кл. G 01 L 9/04, 1971. .
2.Патент США № 3327525, кл. 73-88,5, 1964 (прототип). Ж,,-,™,. N ir7y/ /X/X y /
SU782653036A 1978-07-31 1978-07-31 Полупроводниковый датчик давлени SU741076A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782653036A SU741076A1 (ru) 1978-07-31 1978-07-31 Полупроводниковый датчик давлени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782653036A SU741076A1 (ru) 1978-07-31 1978-07-31 Полупроводниковый датчик давлени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU741076A1 true SU741076A1 (ru) 1980-06-15

Family

ID=20780649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782653036A SU741076A1 (ru) 1978-07-31 1978-07-31 Полупроводниковый датчик давлени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU741076A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1359402B1 (en) Pressure sensor
EP0832424B1 (en) Vapor pressure sensor and method
US20070151357A1 (en) Hermetically sealed displacement sensor apparatus
RU2004115393A (ru) Герметизированный динамометрический элемент
GB1601547A (en) Force detector
CN104204755B (zh) 微机械的压力传感器
US3482197A (en) Pressure sensitive device incorporating semiconductor transducer
SU741076A1 (ru) Полупроводниковый датчик давлени
JPS59158566A (ja) 半導体加速度センサ
US3161844A (en) Semiconductor beam strain gauge
CN1696627A (zh) 高量程高过载高温压力传感器
JP2654184B2 (ja) 半導体湿度センサ
JPH0618278Y2 (ja) 湿度検出装置
RU170862U1 (ru) Чувствительный элемент датчика удара
RU2080573C1 (ru) Полупроводниковый преобразователь давления
JPH07176769A (ja) 圧電抵抗センサ装置
SU372463A1 (ru) ЗС^СОЮЗНАЯ I ||.ггрмт5^^^.|;':?;'^^ц^"КД"^
JPH0648421Y2 (ja) 半導体加速度センサ
SU1295343A1 (ru) Молекул рно-электронный измерительный преобразователь
JPH0453252B2 (ru)
SU461382A1 (ru) Устройство дл измерени напр жени и тока
SU1553856A1 (ru) Датчик давлени
SU1631327A1 (ru) Устройство дл измерени давлени
Hamamoto et al. A Highly Sensitive Planer Silicon-Hair Device Reproducing the Function of Human Hair Follicle
RU1812455C (ru) Интегральный полупроводниковый датчик давлени