SU741076A1 - Полупроводниковый датчик давлени - Google Patents
Полупроводниковый датчик давлени Download PDFInfo
- Publication number
- SU741076A1 SU741076A1 SU782653036A SU2653036A SU741076A1 SU 741076 A1 SU741076 A1 SU 741076A1 SU 782653036 A SU782653036 A SU 782653036A SU 2653036 A SU2653036 A SU 2653036A SU 741076 A1 SU741076 A1 SU 741076A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- consoles
- sensor
- elastic element
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области измерительной техники и может быть использовано дл измерени давлени .
Из:вестны датчики давлени , содержащие в качестве упругого элемента консоль равного сопротивлени со сквозным отверстием пр моугольной формы. На консоли закреплены тензорезисторы i.
Известны датчики давлени , содер жап (ие упругий элемент в виде консоли из полупроводникового материала с тензорезисторами , расположенными над концентраторами напр жений, выполненными в виде рисок 2.
Недостаток этого датчика - недоста точна чувствительность к измер емому давлению.
Целью изобретени ал етс повышение чувствительности датчика.
Указанна цель достигаетс тем, что в полупроводниковом датчике давлени , содержащем корпус с размещенны ми в нем мембраной, концентратором и тензочувствительным узлом, расположенными по разные стороны основани консольного упругого элемента, упругий элемент, расположенный в плоскости , параллельной плоскости заделки мембраны, выполнен в виде, по меньшей
мере, двух консолей, кажда из которых содержит концентратор, в виде риски, вершина которой направлена к тензометрическому узлу.
На фиг. 1 показано внутреннее устройство полупроводникового датчика давлени , состо щего из корпуса 1, упругой металлической мембраны 2, соединенной с корпусом посредством сварки по периметру, прижимного кольца 3, электрических выводов 4, проведенных через корпус датчика при помощи стеклоизол торов 5. Датчик герметизирует:: при помощи крышки 6, соединенной г корпусом-посредством сварки по периметру . Электрические выводы 4, посредством сварки соедин ютс золотой проволокой 7 с тензочувствительными узлами 8.
В корпусе крепитс упругий элемент 9 с клиновидными концентраторами 10.
Полупроводниковый датчик давлени , снабженный дл удобства креплени резьбой 11, показан на фиг. 2. В корпусе 1 клеем 12 креп тс упругий элемент и прижимное кольцо. В корпусе выполнены . отверсти 13, которые в процессе сборки закрываютс кольцом 14, соединенным с корпусом сваркой по периметру.
Упругий элемент 9 (фиг. 3) сформирован из кремниевой пластины п - типа селективным травлением с диаметрально расположенными консол ми 15 и внутренними вырезами 16, на консол х с одной стороны размещены концентратор 10, а с противоположной (фиг. 4) - тензочувствительные узлы (диоды Шоттки) 8 с токоведущими дорожками 17 и контактными площадками 18.
Полупроводниковый датчик давлени работает следующим образом.
Давление с упругой мембраны 2 посредством жесткой вершины передаетс на свободные конхда консолей 15. При этом в области концентраторов 10 возникают механические напр жени где F - сила, действукща на свобод
ные концы консолей; Р - длина консолей, h - толщина консолей в месте концентраторов..
Так как длина консолей Е на несколько пор дков превышает толщину h консолей в месте концентраторов, то даже очень малые давлени на мембрану вызывают значительные механические напр жени в области концентраторов и соответственно в области тензочувствительных узлов (диодов Шоттки), которые преобразуют эти механические напр жени в электрический сигнал, пропорциональный внешнему давлению, действующему на мембрану.
Увеличение глубины концентраторов уменьшает толщину консолей в области тензочувствительных узлов (диодов
/
Шоттки) и тем самым без изменени конструкции упругого элемента и топологии размещени тензочувствительных узлов и прочего позвол ет достичь сколько угодно больших механических напр жений, что, в свою очередь, увеличивает чувствительность датчика.
Предложенный датчик может найти широкое применение в области измерени малых давлений жидкостей и газов , а также в качестве измерительного преобразовател расходов.
Claims (2)
1.Авторское свидетельство СССР
W 395737, кл. G 01 L 9/04, 1971. .
2.Патент США № 3327525, кл. 73-88,5, 1964 (прототип). Ж,,-,™,. N ir7y/ /X/X y /
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782653036A SU741076A1 (ru) | 1978-07-31 | 1978-07-31 | Полупроводниковый датчик давлени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782653036A SU741076A1 (ru) | 1978-07-31 | 1978-07-31 | Полупроводниковый датчик давлени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU741076A1 true SU741076A1 (ru) | 1980-06-15 |
Family
ID=20780649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782653036A SU741076A1 (ru) | 1978-07-31 | 1978-07-31 | Полупроводниковый датчик давлени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU741076A1 (ru) |
-
1978
- 1978-07-31 SU SU782653036A patent/SU741076A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1359402B1 (en) | Pressure sensor | |
EP0832424B1 (en) | Vapor pressure sensor and method | |
US20070151357A1 (en) | Hermetically sealed displacement sensor apparatus | |
RU2004115393A (ru) | Герметизированный динамометрический элемент | |
GB1601547A (en) | Force detector | |
CN104204755B (zh) | 微机械的压力传感器 | |
US3482197A (en) | Pressure sensitive device incorporating semiconductor transducer | |
SU741076A1 (ru) | Полупроводниковый датчик давлени | |
JPS59158566A (ja) | 半導体加速度センサ | |
US3161844A (en) | Semiconductor beam strain gauge | |
CN1696627A (zh) | 高量程高过载高温压力传感器 | |
JP2654184B2 (ja) | 半導体湿度センサ | |
JPH0618278Y2 (ja) | 湿度検出装置 | |
RU170862U1 (ru) | Чувствительный элемент датчика удара | |
RU2080573C1 (ru) | Полупроводниковый преобразователь давления | |
JPH07176769A (ja) | 圧電抵抗センサ装置 | |
SU372463A1 (ru) | ЗС^СОЮЗНАЯ I ||.ггрмт5^^^.|;':?;'^^ц^"КД"^ | |
JPH0648421Y2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
SU1295343A1 (ru) | Молекул рно-электронный измерительный преобразователь | |
JPH0453252B2 (ru) | ||
SU461382A1 (ru) | Устройство дл измерени напр жени и тока | |
SU1553856A1 (ru) | Датчик давлени | |
SU1631327A1 (ru) | Устройство дл измерени давлени | |
Hamamoto et al. | A Highly Sensitive Planer Silicon-Hair Device Reproducing the Function of Human Hair Follicle | |
RU1812455C (ru) | Интегральный полупроводниковый датчик давлени |