JP2004047574A

JP2004047574A - 多層配線基板、光トランシーバ、およびトランスポンダ

Info

Publication number: JP2004047574A
Application number: JP2002200347A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Sato; 佐藤　正啓
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2002-07-09
Filing date: 2002-07-09
Publication date: 2004-02-12
Also published as: US6807065B2; US20040053014A1

Abstract

【課題】信号ビアの近傍における特性インピーダンスの調整を行うことにより全体としての特性インピーダンスの安定化を図った多層配線基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板１の第１階層Ｌ１の表面側に第１信号伝送路１１が形成され、第２階層Ｌ２には第１信号伝送路１１と対をなす第１グランド層１５が形成されている。第３階層Ｌ３には、第２信号伝送路１２が形成されており、第１信号伝送路１１と第２信号伝送路１２は、信号ビア１３によって互いに接続されている。信号ビア１３の側方には、第１グランドビア１８Ａ配設されており、第１グランド層１５における第１信号伝送路１１と対をなす部位は、第１グランドビア１８Ａよりも信号ビア１３側に張り出す張り出し部１５Ｄとされ、信号ビア１３近傍の特性インピーダンスの調整を行っている。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板並びに多層配線基板を備える光トランシーバおよびトランスポンダに関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータの基板などとして用いられる多層配線基板の従来の例を図８に示す。図８（ａ）は、従来の多層配線基板の側断面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。図８に示すように、従来における多層配線基板７０は、その表側の表面に形成された第１信号伝送路７１およびその裏側の表面であって第１信号伝送路７１とは異なる階層に形成された第２信号伝送路７２を備えている。第１信号伝送路７１と第２信号伝送路７２の間には、絶縁体７３が設けられており、第１信号伝送路７１と第２信号伝送路７２とは、絶縁体７３を貫通して設けられた信号ビア７４によって互いに接続されている。
【０００３】
第１信号伝送路７１に対向する位置には、第１グランド層７５が配設されている。第１グランド層７５は、信号ビア７４の周囲に配設されており、その一部が第１信号伝送路７１と対をなし、他の一部が第２信号伝送路７２と対をなしている。また、第２信号伝送路７２と同一階層には第２グランド層７６が形成され、第１信号伝送路７１と同一階層には第３グランド層７７が形成されている。さらに、信号ビア７４の側方には、グランドビア７８Ａ〜７８Ｈが設けられている。第１グランドビア７８Ａは、第１グランド層７５と第２グランド層７６とを互いに接続しており、第２グランドビア７８Ｂは第１グランド層７５と第３グランド層７７とを互いに接続している。
【０００４】
このような従来の多層配線基板７０では、信号伝送路７１，７２に信号電流が流れると、グランド層７５〜７７にも反対向きに電流が流れることにより、信号伝送路７１，７２および信号ビア７４における特性インピーダンスの安定を図っている。このような多層配線基板を改良してさらなる特性インピーダンスの安定を図ったものとして、たとえば特開２０００−１８８４７８号公報に開示された多層配線基板がある。この多層配線基板は、配線層（信号伝送路）と中間接続層（ビアランド）の径を調整することによって、特性インピーダンスの安定化を図るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種の多層配線基板では、信号伝送路とグランド層との対向方向に沿って見て、信号伝送路とグランド層が重なっている部位では、信号伝送路とグランド層の離間距離および絶縁体の比誘電率を調整することにより、特性インピーダンスを調整することができる。しかし、信号ビアの近傍では、グランド層と信号ビアとの接触を避ける必要があるので、製造の容易性をも加味して、グランドビアの位置までグランド層を形成していた。このため、信号ビアの近傍では、特性インピーダンスの整合が図られておらず、全体としての特性インピーダンスの安定化を妨げるものとなるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、信号伝送路同士を互いに接続する信号ビアの近傍において、特性インピーダンスの調整を行うことにより全体としての特性インピーダンスの安定化を図った多層配線基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明に係る多層配線基板は、表面に形成された信号伝送路と、信号伝送路に対向して配設され信号伝送路と対をなすグランド層と、信号伝送路とグランド層との対向方向に沿って配設され、信号伝送路とは異なる階層に形成された他の信号伝送路と信号伝送路とを互いに接続する信号ビアと、信号ビアの側方で信号伝送路に対して対向方向に離間して配置され、グランド層とは異なる階層に形成された他のグランド層とグランド層とを互いに接続するグランドビアと、を備え、グランド層が、グランドビアと信号ビアとの間でグランドビアよりも信号ビア側に張り出して形成されていることものである。
【０００８】
本発明に係る多層配線基板では、外部に形成された信号伝送路と対をなすグランド層が、グランドビアよりも信号ビア側に張り出して形成されている。グランドビアが信号ビアよりも張り出して形成されていることから、グランドビアが張り出した位置までも特性インピーダンスの調整を行うことができる。このため、信号ビアの近傍においても、特性インピーダンスの調整を行うことができるので、全体としてのインピーダンスの安定化を図ることができる。
【０００９】
なお、本発明において、グランド層がグランドビアよりも信号ビア側に張り出すとは、グランドビアにビアランドを設けたとするとそのビアランドよりもグランド層が信号ビア側に張り出すことを意味するものである。
【００１０】
また、上記課題を解決した本発明に係る多層配線基板は、内部に形成された信号伝送路と、信号伝送路に対向して配設され信号伝送路と対をなすグランド層と、信号伝送路とグランド層との対向方向に沿って配設され、信号伝送路とは異なる階層に形成された他の信号伝送路と信号伝送路を互いに接続する信号ビアと、信号ビアの側方で信号伝送路に対して対向方向に離間して配置され、グランド層とは異なる階層に形成された他のグランド層とグランド層とを互いに接続するグランドビアと、を備え、グランド層が、グランドビアと信号ビアとの間でグランドビアよりも信号ビア側に張り出して形成されているものである。
【００１１】
本発明に係る多層配線基板では、基板の内部に形成された信号伝送路と対をなすグランド層がグランドビアよりも信号ビア側に張り出して形成されている。このため、基板の内部に形成された信号伝送路に接続された信号ビアの近傍における特性インピーダンスの調整を行うことができる。
【００１２】
また、グランドビアと異なる位置に７個の他のグランドビアが配設され、グランドビアと７個の他のグランドビアとは、信号ビアを囲んで、正方形をなす線上にそれぞれ等間隔に離間して配設されているのが好適である。
【００１３】
このように、グランドビアが信号ビアを囲んで正方形をなす線上にそれぞれ等間隔で離間して並設されていることにより、インピーダンス設計を容易に行うことができる。
【００１４】
また、上記多層配線基板と、多層配線基板に取り付けられた発光モジュール、受光モジュール、および電子素子と、を備え、発光モジュールまたは受光モジュールと、電子素子とが、多層配線基板に形成された信号伝送路を介して接続されている光トランシーバとすることができる。
【００１５】
さらに、上記多層配線基板に取り付けられた発光モジュール、受光モジュール、マルチプレクス用ＩＣ、およびマルチプレクス用ＩＣとを備え、発光モジュールとマルチプレクス用ＩＣ、または受光モジュールとデマルチプレクス用ＩＣとが多層配線基板に形成された信号伝送路を介して接続されている態様とすることができることができる。
【００１６】
このように、上記多層配線基板を用いることにより、インピーダンス特性が安定した光トランシーバまたはトランスポンダとすることができる。特に、１０Ｇｂｐｓという高速通信に用いる場合光トランシーバまたはトランスポンダであっても、安定したインピーダンス特性を得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明する。図１は、本実施形態に係る多層配線基板の側断面図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ線断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態に係る多層配線基板１は、第１階層Ｌ１〜第３階層Ｌ３を備えており、第１階層Ｌ１の表面には、第１信号伝送路１１が形成されている。第１信号伝送路１１は、図２（ａ）に示すように、たとえば銅線からなる細長い線であり、その厚さは約０．０１８ｍｍとされている。また、第３階層Ｌ３には、第２信号伝送路１２が形成されている。第２信号伝送路１２は、図２（ｃ）に示すように、第１信号伝送路１１と同様にたとえば銅線からなる細長い線を形成しており、その厚さはおよそ０．０１８ｍｍとされている。第１信号伝送路１１の端部と第２信号伝送路１２の端部は、信号ビア１３を介して互いに接続されている。信号ビア１３は、第１階層Ｌ１〜第３階層Ｌ３の積層方向に沿って形成された円柱形状をなす導電体によって構成されている。第１信号伝送路１１を介して供給される信号電流は、信号ビア１３を介して第２信号伝送路１２に供給される。また、第１信号伝送路１１が形成された第１階層Ｌ１と、第２信号伝送路１２が形成された第３階層Ｌ３との間には、絶縁体１４が設けられている。絶縁体１４の膜厚はおよそ０．１１ｍｍとされている。第１信号伝送路１１は絶縁体１４の表側表面に形成され、第２信号伝送路１２は、絶縁体１４の裏側表面に形成されている。信号ビア１３は、絶縁体１４を貫通するようにして設けられている。
【００１９】
また、第２階層Ｌ２には、第１グランド層１５が形成されている。第１グランド層１５は、図２（ｂ）に示すように、第２階層Ｌ２において、信号ビア１３を囲んで形成されており、第１階層Ｌ１における第１信号伝送路１１に対向して配設されている部位と、第２信号伝送路１２に対向して配設されている部位とを有している。さらに、図２（ｃ）に示すように、第３階層Ｌ３には第２信号伝送路１２を囲んで第２グランド層１６が形成されており、図２（ａ）に示すように、第１階層Ｌ１には第１信号伝送路１１を囲んで第３グランド層１７が形成されている。第１グランド層１５と第２グランド層１６とは、第１グランドビア１８Ａを介して接続されており、第１グランド層１５と第２グランド層１６とは同一の電位に保たれている。また、第１グランド層１５と第３グランド層１７とは、第２グランドビア１８Ｂを介して接続されており、第１グランド層１５と第３グランド層１７とは同一電位に保たれている。
【００２０】
さらに、信号ビア１３の周囲には、第１グランドビア１８Ａ、第２グランドビア１８Ｂのほかに、第３グランドビア１８Ｃ〜第８グランドビア１８Ｈが配設されている。したがって、第１グランドビア１８Ａの他、合計で７個のグランドビアが配設されている。これらのグランドビア１８Ａ〜１８Ｈは、信号伝送路とグランド層との対向方向からみて、信号ビア１３を囲む正方形をなす線上にそれぞれ等間隔で配置されている。したがって、インピーダンス設計を容易に行うことができるようにされている。
【００２１】
第３グランドビア１８Ｃ〜第８グランドビア１８Ｈは、絶縁体１４および第１グランド層１５を貫通して第２グランド層１５および第３グランド層１７を接続している。これらの各グランドビア１８Ａ〜１８Ｈによってそれぞれ第１グランド層１５〜第３グランド層１７を接続することにより、第１グランド層１５〜第３グランド層１７を安定した状態で同一電位に維持されている。これらの第１グランドビア１８Ａ〜第８グランドビア１８Ｈは、同一の径を有する柱状体であり、第１グランドビア１８Ａおよび第２グランドビア１８Ｂは同一の高さを有している。また、第３グランドビア１８Ｃ〜第８グランドビア１８Ｈは、いずれも同一の高さを有している。なお、これらの第３グランドビア１８Ｃ〜第８グランドビア１８Ｈと、信号ビア１３は同一の高さを有している。
【００２２】
また、第２階層Ｌ２における信号ビア１３が貫通する位置には、信号ビア用ビアランド１９が設けられている。さらに、図２（ａ）に示すように、第３グランド層１７のうち、第２グランドビア１８Ｂ〜第８グランドビア１８Ｈと接触する位置には、グランドビア用ビアランド１７Ａ〜１７Ｇが形成されている。また、図２（ｂ）に示すように、第１グランド層１５のうち、第４グランドビア１８Ｄおよび第８グランドビア１８Ｈと接触する位置には、グランドビア用ビアランド１５Ａ，１５Ｂがそれぞれ形成されている。さらに、図２（ｃ）に示すように、第２グランド層１５のうち、第１グランドビア１８Ａおよび第３グランドビア１８Ｃ〜第９グランドビア１８Ｉと接触する位置には、グランドビア用ビアランド１６Ａ〜１６Ｈがそれぞれ形成されている。これらのグランドビア用ビアランドは、いずれも同じ大きさに設定されている。
【００２３】
他方、第１グランド層１５における第１信号伝送路１１と対をなす部位には、第１グランドビア１８Ａよりも信号ビア１３側に張り出す張り出し部１５Ｃが形成されている。この張り出し部１５Ｃの長さ（第１グランドビア１８Ａと張り出し部１５Ｃの端辺１５Ｄとの長さ）は、各ビアランドの幅（ビアランドの外周と内周との間の距離）よりも大きなものとされている。そして、張り出し部１５Ｃの端辺１５Ｄは、第１グランドビア１８Ａと信号ビア１３のほぼ中間に位置している。また、第１グランド層１５における第２信号伝送路１２と対をなす部位には、第２グランドビア１８Ｂよりも信号ビア１３側に張り出す張り出し部１５Ｅが形成されている。この張り出し部１５Ｅの長さは、ビアランドの幅よりも大きなものとされている。
【００２４】
以上の構成を有する本実施形態に係る多層配線基板１における作用について説明する。
【００２５】
本実施形態に係る多層配線基板１では、第１信号伝送路１１と対になる第１グランド層１５の部位には、第１グランドビア１８Ａよりも信号ビア１３側に張り出す張り出し部１５Ｃが形成されている。この張り出し部１５Ｃを有するため、信号ビア１３の近傍においても第１信号伝送路１１の特性インピーダンスが不連続となる部分を少なくすることができる。したがって、全体としての特性インピーダンスの安定化を図ることができる。また、第２信号伝送路１２と対になる第１グランド層１５の部位には、第２グランドビア１８Ｂよりも信号ビア１３側に張り出す張り出し部１５Ｅが形成されている。このため、第２信号伝送路１２についても、信号ビア１３の近傍で特性インピーダンスが不連続となる部分を少なくすることができ、もって全体としての特性インピーダンスの安定化をさらに促進することができる。
【００２６】
ところで、信号ビア１３の近傍において第１信号伝送路１１の特性インピーダンスの調整を行うことができるようにするためには、第１グランド層１５の張り出し部１５Ｃを信号ビア１３に対してできるだけ近づけることが望ましい。ところが、張り出し部１５Ｃを信号ビア１３に対して近づけすぎると、今度は信号ビア１３における特性インピーダンスに不整合が生じ、全体としての特性インピーダンスの安定化を阻害するものとなる。そこで、第１グランド層１５の張り出し部１５Ｃの張り出し長さについて、特性インピーダンスを好適に安定化することができる長さを知るべく、本発明者らは以下に示す実験を行った。
【００２７】
図３（ａ）は比較例に係る多層配線基板におけるグランド層とグランドビアとの位置関係を模式的に示す図、（ｂ）は本発明に係る多層配線基板におけるグランド層とグランドビアとの位置関係を模式的に示す図である。両図において、これらのグランドビアと対をなす信号伝送路を破線で示す。また、グランドビアおよび信号ビアの周囲に形成されているビアランドの表示は省略している。
【００２８】
図３（ａ）に示すように、比較例に係る多層配線基板では、グランド層１５の端辺をグランドビア１８の中心に合わせて設計し、グランドビア１８と信号ビア１３の中心との距離Ｄ１を０．６４ｍｍに設定した。また、絶縁体の比誘電率３．７４、各ビアのビア径は０．１５ｍｍ、各ビアに設けたビアランドのビアランド径は０．２５ｍｍとした。一方、図３（ｂ）に示すように、本発明例に係る多層配線基板では、グランド層１５をグランドビア１８よりも信号ビア１３側に張り出して形成した。グランド層１５の端辺と信号ビア１３との間の距離Ｄ２を０．３０ｍｍに設定した。絶縁体の比誘電率、各ビアのビア径、ビアランドのビアランド径は、上記に比較例と同一の条件とした。また、本発明例として、グランド層１５の端辺と信号ビア１３の距離Ｄ２を０．２ｍｍに設定したものと、０．４ｍｍに設定したものも用意した。これらの比較例に係る多層配線基板と本発明例に係る多層配線基板のそれぞれの周波数と特性インピーダンスの関係について測定した。その結果を図４に示す。図４中、（ａ）は比較例に係る多層配線基板における周波数と反射特性の関係を示すグラフ、（ｂ）〜（ｄ）は本発明に係る多層配線基板における周波数と反射特性の関係を示すグラフであり、（ｂ）はＤ２＝０．３ｍｍ、（ｃ）はＤ２＝０．２ｍｍ、（ｄ）はＤ２＝０．４ｍｍのものである。
【００２９】
図４（ａ）から判るように比較例に係る多層配線基板では、広い周波数領域で反射特性が−２０ｄＢより大きくなり、安定した特性インピーダンスを得ることができなかった。これに対し、図４（ｂ）から判るように、本実施形態に係る多層配線基板のうち、Ｄ２＝０．３ｍｍとしたものは、１８ＧＨｚ以下の周波数領域での反射特性は常に−２０ｄＢ以下となり、安定した特性インピーダンスとすることができた。また、図４（ｃ）に示すように、Ｄ２＝０．２ｍｍとしたものは、ある程度の範囲の周波数領域での反射特性が−２０ｄＢを超えてしまった。このため、Ｄ２＝０．３ｍｍとしたものよりは安定した特性インピーダンスとすることはできなかったが、比較例よりは良好な結果を得ることができた。さらに、図４（ｄ）に示すように、Ｄ２＝０．４ｍｍとしたものは、ある程度の範囲の周波数領域で反射特性が−２０ｄＢを超えてしまった。したがってＤ２＝０．２ｍｍのものよりは、安定した特性インピーダンスとすることはできなかったが、比較例よりは良好な結果を得ることができた。
【００３０】
上記の実験などの結果、良好な特性インピーダンスを得るためには、グランド層１５の端辺−信号ビア１３間の距離Ｄ２は、グランドビア１８−信号ビア１３間の距離Ｄ１に対して０．３〜０．７倍の範囲内に設定するのが好適である。
【００３１】
次に、本実施形態に係る多層配線基板を用いた製品の例について説明する。
【００３２】
図５は、本実施形態に係る多層配線基板を用いた光トランシーバを備える光リンクモジュールの分解斜視図である。図５に示すように、この光リンクモジュール２０は、光トランシーバ３０、筐体４０、およびホストコネクタ５０を備えている。
【００３３】
光トランシーバ３０は、半導体レーザなどの発光素子を内蔵する発光モジュール３１と、フォトダイオードなどの受光素子を内蔵する受光モジュール３２と、上記のとおり説明した多層配線基板１と、を備えている。これらの発光モジュール３１および受光モジュール３２が、多層配線基板１に取り付けられている。
【００３４】
発光モジュール３１は、発光素子が封止された発光素子封止部３３と、図示しない光コネクタプラグが係合される係合部３４と、を有している。
【００３５】
発光素子封止部３３は、ベース部材３５、複数のリードピン３６、および図示しない放熱板を有しており、リードピン３６のうち信号ライン用のリードピンは、ｚ−整合するように設計されている。これら複数のリードピン３６および図示しない放熱板は、ベース部材３５の底面に取り付けられている。複数のリードピン３６と放熱板はコバールといった金属から形成されており、接地ライン用の一部のリードピン３６は放熱板と電気的に接続されている。
【００３６】
係合部３４は、内部に光ファイバが挿入されたフェルールやフェルールを保持するスリーブ等を有している。また、係合部３４の側方には光コネクタプラグの係合爪と係合される突起部３４Ａが設けられている。また、これら一対の側面には、光コネクタプラグを取り付ける際にこの両者の成す角度を規定するためのガイドリブ３４Ｂが設けられている。
【００３７】
受光モジュール３２は、発光モジュール３１と同様の構成を有しており、受光モジュール３２は、受光素子が封止された受光素子封止部と、光コネクタプラグが係合される係合部と、を備えている。
【００３８】
また、多層配線基板１の長手方向後縁部には、その上下面１ａ，１ｂに信号ライン用の複数の配線パターン３７が形成されている。そして、複数の配線パターン３７を挟むように、電源ライン用の配線パターン３８Ａ、および接地ライン用の配線パターン３８Ｂが形成されている。これら配線パターン３８Ａ，３８Ｂは、多層配線基板１の縁部付近まで、配線パターン３７よりも長めに形成されている。さらに、多層配線基板１の上下面１ａ，１ｂに、波形整形用の電子素子であるＩＣ３９がそれぞれ搭載されている。多層配線基板１の内部では、発光モジュール３１および受光モジュール３２におけるリードピン３６、配線パターン３７，３８Ａ，３８Ｂ、およびＩＣ３９を接続する信号伝送路がそれぞれ形成されている。
【００３９】
筐体４０は、両開口端４１，４２が矩形状をなす筒状の金属ケースから構成されている。筐体４０における一対の側壁の内面それぞれには、側壁の長手方向に沿って設けられた一対の突条からなるレール部４３が設けられている。
【００４０】
ホストコネクタ５０は、樹脂製の四角柱状の部材から構成されている。ホストコネクタ５０の前面には多層配線基板１と嵌合する凹部５１が設けられている。この凹部５１の側面には、多層配線基板１の上下面１ａ，１ｂにそれぞれ設けられた配線パターン３７，３８Ａ，３８Ｂと電気的に接続される金属ばね端子５２が複数設けられている。
【００４１】
上記した構成のホストコネクタ５０は、筐体４０内部の後部開口端４２付近に固定されている。そして、光トランシーバ３０は、多層配線基板１が筐体４０の一対のレール部４３に案内されることにより、前部開口端４１から筐体４０内にスライド収容されている。このとき、多層配線基板１の長手方向後縁部は、ホストコネクタ５０の前面に設けられた凹部５１に嵌合されている。これにより、多層配線基板１の上下面１ａ，１ｂにそれぞれ設けられた配線パターン３７，３８Ａ，３８Ｂと金属ばね端子５２とが電気的に接続されている。
【００４２】
この光トランシーバ３０は、上記多層配線基板１を有しているので、特性インピーダンスの安定化を図ることができるので、安定した送受信性能を発揮することができる。特に、光トランシーバ３０において、１０ＧＨｚの周波数領域で良好な反射特性を得ることができることから、１０Ｇｂｐｓ以上の速度で信号を送受信する場合においても、好適に特性インピーダンスの安定化を図ることができる。
【００４３】
また、図６は、本発明に係る多層配線基板を用いたトランスポンダの斜視図である。このトランスポンダ６０は、多層配線基板１を有しており、多層配線基板１の上には、発光モジュール６１および受光モジュール６２が取り付けられている。発光モジュール６１の先端部および受光モジュール６２の先端部には、それぞれ光ファイバ６３，６４が接続されている。また、多層配線基板１上における発光モジュール６１の後端側には、マルチプレクス用ＩＣ６５が設けられており、受光モジュール６２の後端側には、デマルチプレクス用ＩＣ６６が設けられている。
【００４４】
発光モジュール６１および受光モジュール６２は、多層配線基板１内に設けられた信号伝送路を介して、それぞれマルチプレクス用ＩＣ６５およびデマルチプレクス用ＩＣ６６に接続されている。発光モジュール６１内には、半導体レーザダイオードやドライバなどが設けられており、マルチプレクス用ＩＣ６５から出力される電気信号を光信号に変換して、光ファイバ６３を介して出力する。受光モジュール６２内には、フォトダイオードやプリアンプなどが設けられており、光ファイバ６４から出力される光信号を電気信号に変換し、デマルチプレクス用ＩＣ６６に対して出力する。また、マルチプレクス用ＩＣ６５およびデマルチプレクス用ＩＣ６６の側方には、処理用ＩＣ６７等の電子部品が実装されており、さらにその側方であって多層配線基板１の端部にはコネクタ６８が設けられている。
【００４５】
以上の構成を有するトランスポンダ６０は、上記多層配線基板１を有しているので、特性インピーダンスの安定化を図ることができるので、安定した送受信性能を発揮することができる。特に、トランスポンダ６０において、１０ＧＨｚの周波数領域で良好な反射特性を得ることができることから、１０Ｇｂｐｓ以上の速度で信号を送受信する場合においても、好適に特性インピーダンスの安定化を図ることができる。
【００４６】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。たとえば、上記実施形態では、第１グランド層１５の張り出し部は、グランドビア１８Ａ，１８Ｃ，１８Ｆから同じ長さを有する張り出し部１５Ｃを形成しているが、図７（ａ）に示すように、第１信号伝送路１１にと対になる位置のみ張り出し部１５Ｃを短くし、その両側（図７（ａ）では上下）位置を長めに張り出す態様とすることができる。また、図７（ｂ）に示すように、第１グランド層１５における第１信号伝送路１１と対になる部分を、半円が切り欠かれた形状とする態様とすることもできる。さらには、図７（ｃ）に示すように、８個のグランドビア１８Ａ〜１８Ｈを、信号ビアを囲む円形に線上に等間隔に配置することができる。このとき、第１グランド層１５の張り出し部１５Ｃを半円が切り欠かれた形状とする態様とすることができる。
【００４７】
また、上記実施形態では、多層配線基板に形成される信号伝送路として、基板の表面に形成された信号伝送路である、いわゆるマイクロストリップラインを対象としているが、基板の内部に形成されたいわゆるストリップラインを対象とすることもできる。さらに、上記実施形態では第１階層〜第３階層まで有する多層配線基板を対象としているが、２層あるいは４層以上の多層配線基板を対象とすることもできる。
【００４８】
【発明の効果】
以上の説明のとおり、本発明によれば、信号伝送路同士を互いに接続する信号ビアの近傍において、特性インピーダンスの調整を行うことにより全体としての特性インピーダンスの安定化を図った多層配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係る多層配線基板の側断面図である。
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ線断面図である。
【図３】（ａ）は比較例に係る多層配線基板におけるグランド層とグランドビアとの位置関係を模式的に示す図、（ｂ）は本発明に係る多層配線基板におけるグランド層とグランドビアとの位置関係を模式的に示す図である。
【図４】（ａ）は比較例に係る多層配線基板における周波数と反射特性の関係を示すグラフ、（ｂ）〜（ｄ）は本発明に係る多層配線基板における周波数と反射特性の関係を示すグラフであり、（ｂ）はＤ２＝０．３ｍｍ、（ｃ）はＤ２＝０．２ｍｍ、（ｄ）はＤ２＝０．４ｍｍのものである。
【図５】本実施形態に係る多層配線基板を用いた光トランシーバを備える光リンクモジュールの分解斜視図である。
【図６】本発明に係る多層配線基板を用いたトランスポンダの斜視図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）とも、第１グランド層における張り出し部の形状の変形例を示す図である。
【図８】（ａ）は従来の多層配線基板の側断面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【符号の説明】
１…多層配線基板、１ａ，１ｂ…上下面、１１…第１信号伝送路、１２…第２信号伝送路、１３…信号ビア、１４…絶縁体、１５…第１グランド層、１５Ａ，１５Ｂ…グランドビア用ビアランド、１５Ｃ…張り出し部、１５Ｄ…端辺、１６…第２グランド層、１６Ａ〜１６Ｈ…グランドビア用ビアランド、１７…第３グランド層、１７Ａ〜１７Ｇ…グランドビア用ビアランド、１８Ａ〜１８Ｈ…第１〜第８グランドビア、１９…信号ビア用ビアランド、２０…光リンクモジュール、３０…光トランシーバ、３１…発光モジュール、３２…受光モジュール、３３…発光素子封止部、３４…係合部、３４Ａ…突起部、３４Ｂ…ガイドリブ、３５…ベース部材、３６…リードピン、３７…配線パターン、３７，３８Ａ，３８Ｂ…配線パターン、３９…ＩＣ、４０…筐体、４１，４２…両開口端、４１…前部開口端、４２…後部開口端、４３…レール部、５０…ホストコネクタ、５１…凹部、５２…端子、６０…トランスポンダ、６１…発光モジュール、６２…受光モジュール、６３，６４…光ファイバ、６５…マルチプレクス用ＩＣ、６６…デマルチプレクス用ＩＣ、６７…処理用ＩＣ、６８…　　　　コネクタ、Ｌ１…第１階層、Ｌ２…第２階層、Ｌ３…第３階層。

Claims

表面に形成された信号伝送路と、
前記信号伝送路に対向して配設され前記信号伝送路と対をなすグランド層と、
前記信号伝送路と前記グランド層との対向方向に沿って配設され、前記信号伝送路とは異なる階層に形成された他の信号伝送路と前記信号伝送路とを互いに接続する信号ビアと、
前記信号ビアの側方で前記信号伝送路に対して前記対向方向に離間して配置され、前記グランド層とは異なる階層に形成された他のグランド層と前記グランド層とを互いに接続するグランドビアと、を備え、
前記グランド層が、前記グランドビアと前記信号ビアとの間で前記グランドビアよりも前記信号ビア側に張り出して形成されていることを特徴とする多層配線基板。
内部に形成された信号伝送路と、
前記信号伝送路に対向して配設され前記信号伝送路と対をなすグランド層と、
前記信号伝送路と前記グランド層との対向方向に沿って配設され、前記信号伝送路とは異なる階層に形成された他の信号伝送路と前記信号伝送路を互いに接続する信号ビアと、
前記信号ビアの側方で前記信号伝送路に対して前記対向方向に離間して配置され、前記グランド層とは異なる階層に形成された他のグランド層と前記グランド層とを互いに接続するグランドビアと、を備え、
前記グランド層が、前記グランドビアと前記信号ビアとの間で前記グランドビアよりも前記信号ビア側に張り出して形成されていることを特徴とする多層配線基板。
前記グランドビアと異なる位置に７個の他のグランドビアが配設され、
前記対向方向からみて、前記グランドビアと７個の他のグランドビアとは、前記信号ビアを囲む正方形をなす線上にそれぞれ等間隔に離間して配設されている請求項１または請求項２に記載の多層配線基板。
請求項１〜請求項３のうちのいずれか１項に記載の多層配線基板と、
前記多層配線基板に取り付けられた発光モジュール、受光モジュール、および電子素子と、を備え、
前記発光モジュールまたは前記受光モジュールと、前記電子素子とが、前記多層配線基板に形成された信号伝送路を介して接続されている光トランシーバ。
請求項１〜請求項３のうちのいずれか１項に記載の多層配線基板と、
前記多層配線基板に取り付けられた発光モジュール、受光モジュール、マルチプレクス用ＩＣ、およびマルチプレクス用ＩＣとを備え、
前記発光モジュールと前記マルチプレクス用ＩＣ、または前記受光モジュールと前記デマルチプレクス用ＩＣとが前記多層配線基板に形成された前記信号伝送路を介して接続されているトランスポンダ。