SE518181C2 - Förfarande och anordning vid elektroniska kretsarrangemang - Google Patents

Förfarande och anordning vid elektroniska kretsarrangemang

Info

Publication number
SE518181C2
SE518181C2 SE9904527A SE9904527A SE518181C2 SE 518181 C2 SE518181 C2 SE 518181C2 SE 9904527 A SE9904527 A SE 9904527A SE 9904527 A SE9904527 A SE 9904527A SE 518181 C2 SE518181 C2 SE 518181C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
conductor
compensating
planar
planar conductor
via hole
Prior art date
Application number
SE9904527A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9904527D0 (sv
SE9904527L (sv
Inventor
Bjoern Albinsson
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9904527A priority Critical patent/SE518181C2/sv
Publication of SE9904527D0 publication Critical patent/SE9904527D0/sv
Priority to PCT/SE2000/002288 priority patent/WO2001043192A1/en
Priority to AU20331/01A priority patent/AU2033101A/en
Priority to US09/732,027 priority patent/US6501181B2/en
Publication of SE9904527L publication Critical patent/SE9904527L/sv
Publication of SE518181C2 publication Critical patent/SE518181C2/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237High frequency adaptations
    • H05K1/025Impedance arrangements, e.g. impedance matching, reduction of parasitic impedance
    • H05K1/0251Impedance arrangements, e.g. impedance matching, reduction of parasitic impedance related to vias or transitions between vias and transmission lines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/642Capacitive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/04Fixed joints
    • H01P1/047Strip line joints
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6616Vertical connections, e.g. vias
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H05K1/0219Printed shielding conductors for shielding around or between signal conductors, e.g. coplanar or coaxial printed shielding conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/0929Conductive planes
    • H05K2201/093Layout of power planes, ground planes or power supply conductors, e.g. having special clearance holes therein
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09618Via fence, i.e. one-dimensional array of vias
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09781Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09809Coaxial layout
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09845Stepped hole, via, edge, bump or conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

20 25 30 . ...- ' O 518181 2 i ett första plan och en plan signalledare som sträcker sig parallellt med jordledaren i ett andra plan nära det första planet. J ordledaren har normalt en bredare lateral ut- sträckning i dess plan än vad signalledaren har.
När två mikrostripöverföringsledningar som sträcker sig i olika grupper av skikt skall förbindas åstadkoms detta medelst vialedare. Då förbinder en första via re- spektive plana jordledare under det att en annan via förbinder respektive plana sig- nalledare.
Ett problem med denna typ av övergång är att kapacitansen per längdenhet mellan signalledaren och jordledaren ofta är lägre i övergångsområdet jämfört med de hori- sontellt gående överföringsledningsdelama. Detta resulterar i reflektioner när en signal som har en förutbestämd frekvens fortplantar sig i överföringsledningen i riktning mot övergångsonirådet. Således är övergången inte matchad och detta be- gränsar RF-prestandan, t.ex. bandbredden hos kretsen.
En lösning på detta problem är att tillsätta ett kompensationselement i övergången.
Detta kan anordnas på följande sätt. Om exempelvis resp. jordledare hos två för- bundna plana överföringsledningar placeras ovanför deras resp. signalledare kom- mer vian som förbinder signalledama att passera i närheten av en kant hos den undre plana jordledaren. Om en projektion anordnas i denna plana ledare och skjuter ut i riktning mot vian så kommer detta att resultera i en högre kapacitans mellan jordle- daren och signalvian. Därigenom ökar den genomsnittliga kapacitansen per längd- enhet mellan signalledaren och jordledaren. Detta resulterar i en krets med förbätt- rad RF-prestanda.
Emellertid skall noteras att i detta sammanhang är toleransema hos de relativa läge- na för närliggande skikt samt också de relativa lägena för ett viahålmönster och ett plant ledarmönster inom ett skikt i en LTCC-krets relativt stora. 10 15 20 25 30 .u .en 518181 3 Detta förorsakar ett problem med ovan beskrivna kompensationsarrangemang. Om en liten ändring från den ideala distansen mellan jordledaren och delar av signalvian förefinnes kommer kapacitansen dem emellan att skilja sig från den avsedda. För- hållandet mellan distans och kapacitans är icke linjär. En relativt liten förskjutning att anbringa en segmentdel hos vialedaren ett stycke närmare den plana jordledaren, kan göra den kompenserande kapacitansen avgjort alltför stor. Detta kommer san- nolikt att minska kretsens bandbredd i sådan utsträckning att den blir oanvändbar för de avsedda syftena. En övergång konstruerad att helt kompenseras i det ideala läget kommer därför att ha en relativt låg avkastning när den tillverkas, t.ex. kommer bara ett relativt litet antal av kretsar i en sats med en given storlek att fungera på avsett sätt. Detta gör naturligtvis kretsarna mycket dyra.
Ett sätt att hantera detta problem är att underkompensera övergången, t.ex. att kon- struera en jordledare som, i ett idealt relativläge mellan ledaren och vian, har en ka- pacitans som är något mindre än den optimala kapacitansen. Detta resulterar i ett högre utfall men mindre bandbredd. Således förekommer en kompromiss mellan ut- fall och RF-prestanda, t.ex. bandbredd.
SAMMANFATTNING AV UPPFINNINGEN Föreliggande uppfinning har som syfte att minska ovannämnda problem.
Ett syfie med föreliggande uppfinning är att till en låg kostnad tillhandahålla en fler- skiktad RF-krets.
Ett annat syfte är att uppnå en flerskiktad RF-krets med förbättrad bandbredd.
Ytterligare ett annat syfte med föreliggande uppfinning är att uppnå ett förfarande för att tillverka en flerskiktad RF-krets med förbättrat utfall. 10 15 20 25 . u v u. »au 518181 4 Ovannämnda syften uppnås medelst en anordning i en flerskiktad krets och ett förfa- rande för att tillverka en sådan krets i enlighet med uppfinningen såsom ovan be- skrivits.
Uppfinnaren har noterat att i en krets som är tillverkad i en LTCC-process är tole- ransema hos de relativa lägena för olika plana ledare inom ett skikt mycket små (ty- piskt omkring 5-10 um) jämfört med toleransema hos de relativa lägena hos närlig- gande skikt (som är typiskt omkring 50-100 um). Detsamma gäller för de relativa lägena hos individuella viahål inom viahålmönster i ett skikt som också har små to- leranser (typiskt omkring 5-10 um). Tillverkningstoleransema med avseende på lä- get för hâlmönstret vis-à-vis läget för det plana ledarmönstret inom ett skikt är emellertid jämförbart med toleransema hos de relativa lägena hos närliggande skikt.
I enlighet med uppfinningen göres kompensationen i en övergång mellan två plana överföringsledningar mera processtolerant genom att utnyttja denna iakttagelse. I ett arrangemang enligt uppfinningen bildas en första plan ledare, som t.ex. kan utgöra jordledare i en plan överföringsledning, pâ ett första substratskikt bland ett flertal substratskikt som bildar en flerskiktad krets. Kretsen innefattar vidare ett första via- hål utformat i det första substratskiktet eller i ett substratskikt nära det första sub- stratskiktet på sidan av den första plana ledaren. Det förstas viahålet fylls med ett ledande material och kan bilda en segmentdel för en signalvia som tillhandahåller en övergång mellan två överföringsledningar. Den kapacitiva kopplingen mellan det ledande materialet i det första viahålet och den första plana ledaren är avsedd att ligga inom ett förutbestämt omrâde. I enlighet med uppfinningen bildas en andra plan ledare, som kan benämnas en kompenserande plan ledare, mellan det första viahålet och den första plana ledaren, på samma sida av samma substratskikt som den första plana ledaren. Ytoma hos den första och den kompenserande plana leda- ren är utformade att vara ej korsande. Den första och den kompenserande plana le- daren är förbundna medelst ett ledande material anbragt i ett andra viahål som är ut- 10 15 20 25 uno v: . 518181 5 forrnat i samma substratskikt som det första viahålet. Det andra viahålet kan benäm- nas ett kompenserande viahål.
Under antagande att den första plana ledaren bildar en jordledare i en plan överfö- ringsledning och att det ledande materialet med vilket det första viahålet är fyllt, bildar en segmentdel för en signalvialedare, som skär det plan i vilket den första plana ledaren sträcker sig på ett avstånd från dess närmaste kant. I ett idealfall, och i ett arrangemang i en krets såsom definierats här ovan, uppnås en viss kapacitans, inom ett avsett område, mellan den första och den andra plana ledaren å ena sidan och den korsande vian å den andra sidan. Den ekvivalenta modellen i denna situa- tion kan schematiskt beskrivas som en enda kapaeitans C. Om, under tillverkningen av kretsen, hela mönstret förskjuts från dess ideala läge så att en del av den korsande vian närmar sig den första ledaren ändrar sig också den kompenserande strukturen.
Detta beror på det faktum att det kompenserande viahålet också förskjuts. Vid en viss förskjutning av hålmönstret upphör det ledande materialet hos det kompense- rande viahålet att vara i kontakt med både den första och den kompenserande leda- ren. Detta ändrar den schematiskt ekvivalenta modellen för den kompenserande strukturen i två kapacitanser som är förbundna i serie. Den resulterande kapacitan- sen hos två kapacitanser som är förbundna i serie kan skrivas som l/(l/Cfil/CZ). Detta tjänar att kompensera för förskjutningen av segmentet hos den korsande vian. Kapacitansen mellan den korsande vian och den plana jordledaren kan därför fortfarande ligga inom det avsedda förutbestämda området.
Detta resulterar i en mindre dyr krets emedan dess feltoleranskvaliteter ger högre utfall i en given tillverkningsprocess.
Härvid medges också att multiskiktade RF -kretsar med förbättrade bandbreddsegen- skaper kan tillverkas till en relativt låg kostnad. 10 15 20 25 an -øn 518181 6 Ett motsvarande förfarande kan definieras när, i ett steg då viahål utformas i ett skikt, ett viahål lokaliseras när nämnda kompenserande viahål utformas. I ett annat steg enligt uppfinningen, där ett ledarmönster är anordnat på ett skikt, bildas en le- dare motsvarande den kompenserande plana ledaren såsom nämnts här ovan.
Detta ger som resultat en tillverkningsprocess som framställer flerskiktade RF- kretsar med förbättrat utfall.
Ett arrangemang i en flerskiktad elektronisk krets for radiofrekvenstillämpningar i enlighet med uppfinningen kännetecknas då såsom framgår av kravet 1 eller 10.
Ett forfarande for att tillverka en sådan krets i enlighet med uppfinningen känne- tecknas såsom framgår av krav 7.
BESKRIVNING AV RITNINGARNA F ig. 1 illustrerar några steg i en LTCC-process.
F ig. 2a och 2b visar en vertikal övergång mellan två överfóringsledníngar av strip- line typen enligt känd teknik.
Fig. 3a, 3b, 3c och 3d visar schematiskt kompensationsarrangemang for en övergång mellan två överfóringsledningar i en flerskiktstruktur.
Fig. 4a och 4b visar ett kompenserande arrangemang i enlighet med uppfinningen for en övergång mellan två överfóringsledningar.
Fig. 5a visar schematiskt ett annat kompenserande arrangemang i enlighet med upp- finningen för en övergång mellan två överfóringsledningar. Fig. 5b visar en vialeda- re.
Fig. 6 visar ett annat kompenserande arrangemang i enlighet med uppfinningen för en övergång mellan två överfóringsledningar. 10 15 20 25 30 . 1 u: .n 518181 7 BESKRIVNING Av FÖREDRAGNA UTFÖRANDEN Fig. 1 visar några steg i en LTCC-process. Substratarken 101 som används i proces- sen är företrädesvis gjorda av ett tunt dielektriskt keramiskt material. I ett första steg stansas hål 102 i förutbestämda mönster i dessa substrat 101. Dessa hål 102 fylls med ett lämpligt ledande material, såsom exempelvis guld. Sedan trycks ledare 103 på en eller i vissa fall två sidor av substratet genom att använda en screentryckpro- cess. Komponenter 104 såsom motstånd kan även anordnas på substratet 101. I kret- sar som arbetar vid mikrovågfrekvenser kan ofta komponenter såsom kapacitanser och filter av olika slag utformas genom olika konfigurationer hos plana ledare.
När alla substratark förberetts staplas de i en hög 105. Högen 105 kan innefatta upp till fler än 40 skikt men 10 anses vara ett mera normalt antal. Högen 105 kan lami- neras och föruppvärmas innan den bränns i en ugn vid omkring 850°C, typiskt under cirka två timmar. Efter bränningen förbinder vioma utformade genom det ledande materialet i viahålen olika skikt i kretsen. Vior kan även utformas vilka då sträcker sig genom mer än ett skikt, t.ex. inkluderande flera segment.
Fig. 2a och 2b visar en vertikal övergång mellan två överföringsledningar hos strip- linetypen enligt känd teknik. En första vy visas i fig. 2a. En första överföringsled- ning 201, 202, 203 består av en övre jordledare 201, en signalledare 202 och en und- re jordledare 203. Dessa ledare är vardera tryckt på ett respektive substratskikt 207.
En andra överföringsledning 204, 205, 206 inkluderande en övre jordledare 204, en signalledare 205 och en undre jordledare 206 sträcker sig vertikalt förskjutet från den första överföringsledningen. I det visade fallet trycks de första 201, 202, 203 och andra 204, 205, 206 överföringsledningama på icke korsande grupper skikt.
Detta är emellertid inte nödvändigt emedan exempelvis signalledaren 202 hos den första överföringsledningen och den övre jordledaren 204 hos den andra överfö- ringsledningen kan tryckas på samma substratskikt. 10 15 20 25 30 s .o ø-o 518 181 8 Ett första antal vior 208 förbinder de övre jordledama 201, 204 hos den första och den andra överföringsledningen. En andra via 210 förbinder signalledama 202, 205 hos den första och den andra överföringsledningen. Ett tredje antal vior 209 förbin- der de undre jordledama 203, 206 hos de första och andra överföringsledningama.
Detta framgår tydligare i fig. 2b. För vinnande av större klarhet är proportionerna för viorna något ändrade i fig. 2b. Tjockleken hos ett substratskikt är ofta mindre än två gånger så stort som diametern hos ett viahål. Överföringsledningarna som visas i fig. 2b är överföringsledningar av striplinetypen och som vardera har övre 201 och undre 203 plana jordledare med en däremellan anordnad plan signalledare 202. Signalledarens 202 laterala utsträckning 211 är nonnalt mindre än den laterala utsträckningen 212 hos respektive jordledare 201, 203.
En överföringsledning av mikrostriptypen (ej visad) skulle kunna erhållas genom att ta bort den övre eller den undre jordledaren hos en av överföringsledningama visade i fig. 2b. En kvasikoaxiell överföringsledning (ej visad) skulle kunna erhållas genom att förbinda de övre och undre jordledama hos överföringsledningen medelst vior.
Viorna placeras sedan med regelbundna avstånd vid jordledarens laterala sidor. Den uppfinning som här beskrivs arbetar med överföringsledningar av striplinetypen, mikrostriptypen och den kvasi-koaxiella typen.
Fig. 3a, 3b, 3c och 3d visar kompenserande arrangemang för en övergång mellan två överföringsledningar i en flerskiktstruktur. Arrangemanget som visas i fig. 3a inne- fattar en signalledare 301. En signalvia 305 förbinder signalledaren 301 med en an- nan plan signalledare (ej visad), belägen i ett annat skikt. En plan jordledare 302 trycks på ett undre skikt i strukturen jämfört med skiktet hos signalledaren 301.
Jordvior 306 förbinder jordledaren 302 med en annan jordledare (ej visad) högre upp i strukturen. Signalvian 305 skär det plan ivílket den plana jordledaren 302 10 15 20 25 . . u . ua u; u-n 518181 9 sträcker sig. Ett kompenserande element 303 är utformat som en projicering i jord- ledaren. Det kompenserande elementet 303 skjuter ut i riktning mot det område där signal-vian 305 skär det plan i vilket den plana jordledaren 302 sträcker sig. I ett idealfall, exempelvis såsom återges i fig. 3a, tjänar det kompenserande elementet att öka kapacitansen mellan den planajordledaren och signalvian 305 till en lämplig nivå som förbättrar överföringsegenskapema för övergången.
Men beroende av tillverkningstoleranser i en LTCC-process kommer sannolikt mot- svarande övergångar i ett antal kretsar i en sats med en given storlek att likna över- gången visad i fig. 3b. I denna övergång har viahålmönstret i skiktet omedelbart ovanför det skikt på vilket den plana jordledaren 302 är tryckt, rört sig åt höger. Åt- minstone denna segmentdel av signalvian 305 har således lämnat dess avsedda läge 307. Andra delar av vian, t.ex. delar som är byggda av material anordnat i motsva- rande viahål i andra skikt, kan fortfarande vara belägna nära det ideala läget. Det- samma gäller för jordvior 306. Åtminstone en del av signalvian 305 är således belägen närmare den plana jordleda- ren 302 och dess kompenserande element 303 än vad som var avsett. Detta resulte- rar i en högre kapacitans mellan signalvian och den plana jordledaren än vad som var avsett. Emedan förhållandet mellan avstånd och kapacitans är icke linjärt gör en liten förflyttning av viahålmönstret ifråga kapacitansen mycket för stor. Detta kan vara mycket menligt för överföringsegenskapema hos övergången. Därför har i de flesta fall övergångama varit underkompenserade för att öka utfallet i LTCC- processen. Naturligtvis minskar detta också RF-prestandan, t.ex. bandbredden, hos kretsen.
I fig. 3c och 3d visas samma problem som i fig. 3a och 3b men med en annan kom- penserande struktur 303. 10 15 20 25 30 n - o . nu a. s , , , , , . - o n 51 a 181 10 Fig. 4a och 4b visar ett kompenserande arrangemang i enlighet med uppfinningen för en övergång mellan två överföringsledningar. Överföringsledningen innefattar en plan signalledare 401 med vilken en signalvialedare 405 är förbunden. Såsom i fig. 3a och 3c är jordvialedare 406 förbundna med en plan jordledare 402. I enlighet med uppfinningen trycks en kompenserande plan ledare 404 på samma substrat som och nära den plana jordledaren 402. Den kompenserande plana ledaren 404 trycks i närheten av det område där signalvian 405 skär det plan i vilket den plana jordleda- ren 402 och den kompenserande plana ledaren 404 sträcker sig. Den plana jordleda- ren 402 och den kompenserande plana ledaren 404 är icke korsande, det finns ett minsta avstånd mellan deras kanter som är större än noll men mindre än ett viahåls diameter.
I ett idealfall är den plana jordledaren 402 och den kompenserande ledaren 404 för- bundna med en kompenserande via 409 bestående av det konduktiva material med vilket ett kompenserande viahål är fyllt. Denna via är utformad i det skikt i vilket den plana jordledaren 402 är tryckt eller i ett närliggande skikt på sidan om den pla- na jordledaren 402. Denna kompenserande via 409 gör det kompenserande arran- gemanget mera tolerant för förskjutning av segmentet hos signalvian 405 som är belägen i samma skikt som den kompenserande vian 409. Den kompenserande plana ledaren 404 kan utformas att omge signalvian 405 på ett cirkulärt segmentsätt. I detta läge kan den schematiska ekvivalenta modellen av den kompenserande struk- turen skrivas som en enda kapacitans C.
Om det under tillverkning av kretsen sker en förskjutning av viahålmönstret, liknan- de de som sker mellan fig. 3a och 3b eller 3c och 3d förskjuts det relevanta viahål- mönstret såsom återges i fig. 4b. En del av signalvian 405 är då belägen närmare den plana jordledaren 402. I ett arrangemang enligt uppfinningen har emellertid topolo- gin för det kompenserande arrangemanget också ändrats. Den kompenserande vian 409 tillhör samma viahålmönster som sígnalvians 405 förskjutna segment. Därför förskjuts även den kompenserande vian 409 som frånkopplar den kompenserande 10 15 20 25 30 - n n . .c 518 181 11 plana ledaren 404 från den plana jordledaren 402. Kompensationen för den schema- tiskt ekvivalenta modellen kan därför beskrivas som två kapacitanser förbundna i serie som kompenserar för förskjutningen av signalviasegmentet i riktning mot den plana jordledaren. Kapacitansen hos det kompenserande arrangemanget kan således fortfarande ligga inom det avsedda området även om en viss förskjutning av ett sig- nalviasegment har skett.
Fig. 5a är en tredimensionell vy av en överföringsledningsövergâng i enlighet med uppfinningen. En första överföringsledning visas, däri ingående övre 501 och undre 503 plana jordledare samt även en plan signalledare 502. Den första överföringsled- ningen sträcker sig i en första grupp av skikt i en flerskiktad, RF-krets. En andra överföringsledning innefattar övre 504 och undre 506 plana jordledare samt också en plan signalledare 505. Den andra överföringsledningen sträcker sig i en andra grupp av skikt i en flerskiktad RF-struktur. Respektive övre och undre plana jordle- dare samt även de plana signalledama hos de första och andra överföringsledningar- na är förbundna medelst vialedare 508, 509, 510, vilka sträcker sig i en riktning som är väsentligen vinkelrät mot de plan i vilka de plana ledama sträcker sig. Vialedaren 510 som förbinder respektive plana signalledare 502, 505, skär det plan i vilket den övre jordledaren 504 hos de andra överföringsledningama sträcker sig. Vialedaren 510 har ingen kontakt med den övre jordledaren 504.
Ett kompenserande arrangemang 511, 512 är anordnat mellan den övre jordledaren 504 i den andra transmissionsledningen och signalvian 510. Det kompenserande ar- rangemanget består av en kompenserande plan ledare 511 och en kompenserande via 512. Om delen 513 hos signalvian 510, som tillhör samma viahålmönster som den kompenserande vian 512, förflyttas under tillverkning förflyttar sig den kom- penserande vian också. Detta tjänar att frånkoppla den kompenserande plana ledaren 511 från den relevanta plana jordledaren 504. Som visas i fig. 5 kan den kompense- rande plana ledaren 511 utformas, åtminstone delvis, i ett urtag i den relevanta plana jordledaren 504. 10 15 20 25 30 | . . . .u - n . . , , . . . u .- 518181 12 I klargörande syfte har i fig. 5 bara en kompenserande ledare i enlighet med uppfin- ningen placerats mellan den övre jordledaren 504 i den undre överföringsledningen och signalvian. Sådana arrangemang kan emellertid även användas exempelvis mellan signalvian 510 och den undre jordledaren 503 i den första överföringsled- ningen eller mellan den plana signalledaren 502 i den första överföringsledningen och signalvior 508 som förbinder de övre plana jordledarna 501, 504 i de första och andra överföringsledningama.
Såsom i fig. 2b är proportionema för vioma något ändrade i fig. Sa. En vialedare med mera lämpliga proportioner visas i fig. 5b. Vian är då uppbyggd av fyra via- segment 515, 516, 517, 518. Segmenten är något förskjutna i förhållande till var- andra under tillverkning.
Fig. 6 visar ett annat kompenserande arrangemang i enlighet med uppfinningen för en övergång mellan två överföringsledningar. En plan signalledare 601 är förbunden med en motsvarande plan signalledare (ej visad) som är belägen i ett annat skikt, medelst en signalvialedare 603. Signalvialedaren 603 skär det plan i vilket en plan jordledare 602 sträcker sig i närheten av en av dess kanter, Ett variabelt kompense- rande arrangemang 604a-604g, 605a-606g är anordnat mellan den plana jordledaren 602 och vian 603. Detta används för att kompensera för en förskjutning från det ide- ala läget för ett substratsegment hos vialedaren 603 i förhållande till den plana jordledaren 602. Det kompenserande arrangemanget består av ett antal plana kom- penserande ledare 605a-605 g, som icke korsar den plana jordledaren 602 men som sträcker sig i samma plan. De kompenserande ledarna 605a-605 g är placerade mel- lan den plana jordledaren 602 och Signalvialedaren 603 och bildar tillsammans ett halvcirkulärt mönster. Var och en av de kompenserande ledama 605a-605g är, i ett idealt relativt läge för det relevanta segmentet hos vian 603 och den plana jordleda- ren 602, förbundna med jordledaren medelst en motsvarande kompenserande via 604a-604g. De kompenserande vioma 604a-604g består av ledande material anord- 10 15 20 25 30 o n n nu .no 518181 13 nat i viahål i det substrat i vilket det relevanta segmentet för signalledarvian 603, för vilket processtoleransen skall uppnås, sträcker sig.
Det kompenserande arrangemanget såsom återges i fig. 6 kan kompensera för rörel- ser hos viahålmönstret i förhållande till det relevanta plana ledarmönstret i två di- mensioner. Om viahålmönstret rör sig uppåt under tillverkning närmar sig signalle- darvians 603 segment de övre plana kompenserande ledama 605a, 605b. I detta fall kan en eller båda dessa ledare frigöras från resp. kompenserande vior 604a, 604b under det att andra kompenserande ledare fortfarande är förbundna med den plana jordledaren 602. En förflyttning åt höger i figuren av viahålmönstret under tillverk- ning kan förorsaka att de centrumkompenserande ledama 605e, 605d, 605e fiigöras från deras resp. kompenserande vior 604c, 604d, 604e. De undre plana kompense- rande ledama 605 f, 605 g kan, exempelvis å andra sidan fortfarande förbindas med den plana jordförbindningen 602 genom den kompenserande vian 604g.
Det skall observeras att uppfinningens idé inte är begränsad till ovan beskrivna ut- föranden. Olika ändringar kan göras utan att frångå ramen för bifogade krav. Så ex- empelvis kan processtolerans uppnås separat för ett viasegment som utgöres av ett fyllt viahâl i det substrat på vilket en plan ledare är tryckt och ett viasegment som utgöres av ett fyllt viahål i substratet nära det substrat på vilket den plana ledaren är tryckt på sidan av denna ledare. Dessa viasegment kan båda tillhöra samma vialeda- re men deras toleranser kan vara oberoende.
Det är också möjligt att göra kompensationen stegvis variabel genom att tillhanda- hålla multipla kompenserande ledare. Om då en första förflyttning av ett viahål- mönster i viss riktning sker under tillverkning frigöres bara en första kompenseran- de ledare genom dess motsvarande via under det att en andra kompenserande ledare fortfarande är förbunden med en plan jordledare. Om en andra förflyttning sker, som är större än den första förflyttningen, så frigöres då också den andra ledaren. 10 - . - - v: . . . . s. . , . . , . - n .- 518 181 14 Uppfinningen är användbar även vid övergångar i multiskiktade RF -kretsar där övergången i sig själv inte är underkompenserad. Ett sådant exempel är där begräns- ningar i storlek gör övergången som sådan överkompenserad.
Den kompenserande vian i ett kompenserande arrangemang i enlighet med uppfin- ningen kan samtidigt användas för att förbinda en plan ledare på ett första skikt med en plan ledare på ett annat skikt.
Uppfinningen är även tillämpbar för andra processer än LTCC-processen, såsom L I I l-processen där LTTT är en förkortning för Low Temperature Transfer Tape.

Claims (1)

1. 0 15 20 25 30 518181 15 PATENTKRAV . Anordning vid en flerskiktad elektronisk krets för radiofrekvenstillämpningar varvid kretsen innefattar ett antal substratskikt varvid en första plan ledare (504) är utformad på ett första substratskikt bland nämnda flertal substratskikt; kretsen innefattar vidare ett första viahål utformat i närrmda första substratskikt eller i ett substratskikt intill nämnda första substratskikt på sidan av den första plana leda- ren varvid nänmda första viahål är fyllt med ett ledande material som utgör ett första viasegment (513) varvid den kapacitiva kopplingen mellan det förstavia- segmentet (513) i nämnda första viahål och nämnda första plana ledare (504) är avsedd att ligga inom ett förutbestämt område, kännetecknar] av att en kompen- serande plan ledare (511) är belägen mellan det första viahålsegmentet (513) och nämnda första plana ledare (504) på samma sida om samma substratskikt som näiinida första plana ledare (504) varvid den första (504) och den andra kompen- serande (511) plana ledaren icke är korsande, och att den första (504) och den andra kompenserande (511) plana ledaren är förbundna medelst ett ledande ma- terial (512) anordnat i ett kompenserande viahål som är utformat i samma sub- stratskikt som nämnda första viahål. . Anordning vid en flerskiktad elektronisk krets för radiofrekvenstillämpningar enligt krav 1, kännetecknad av att den innefattar fler än en sådan kompenseran- de plan ledare och mer än ett sådant kompenserande viahål. . Anordning vid en flerskiktad elektronisk krets för radiofrekvenstillämpningar enligt krav 1, kännetecknad av att nänmda vialedarsegment (513) i närrmcla- första viahål bildar del av en signalvia (510) i en övergång mellan två plana överföringsledningar och att nämnda första plana ledare (504) bildar del av en jordledare i en av nämnda två plana överföringsledningar. . Airmühing vid en flerskiktad elektronisk krets för radiofrekvenstillämpningar enligt krav 1, kännetecknad av att vialedarsegmentet (513) i det första viahålet 10 15 20 25 30 518 181 16 bildar del av en jordvia i en övergång mellan två plana överföringsledningar och att den första plana ledaren (504) bildar del av en signalledare i en av nämnda två plana överföringsledningar. . Anordning vid en flerskiktad elektronisk krets för radiofrekvenstillärnpningar enligt krav 3 eller 4, kännetecknad av att den kompenserande plana ledaren (Sg-Iilvšflär utformad, åtminstone delvis, i ett urtag i den första plana ledaren (504). _ . Anordning vid en flerskiktad elektronisk krets för radiofrekvenstilläinpningar enligt krav 3 eller 4, kännetecknad av att den kompenserande plana ledaren (404) är utformad att åtminstone delvis omge nämnda viasegrnent (405). . Förfarande för att tillverka en integrerad flerskiktad elektronisk krets för RF- tillämpningar varvid förfarandet innefattar, oberoende av ordningsföljd, följande steg: a) att bilda hål avsedda för vialedare i åtminstone ett av ett flertal skikt av keramiskt material och att fylla dessa hål med ledande material, b) att utforma ett plant kretsmönster på åtminstone ett av nämnda skikt; förfarandet innefattar vi- dare stegen där dessa skikt är staplade och uppvärmda, kännetecknat att _, _. att under steg b) bildas på nänmda skikt .en första och en separat kompenserande ledare, att närrmda första och kompenserande ledare, när skikten är staplade och upp- värmda, är avsedda att förbindas eller icke förbindas medelst konduktivt mate- riefilfïfiordnat i ett första hål, utformat under steg a) i nämnda skikt eller ett skikt intill nämnda skikt på sidan av de första och kompenserande ledarna, beroende av avståndet mellan en kant hos nämnda första ledare och ett ledande material som är anordnat i ett andra hål utformat i samma skikt som det första hålet. . Förfarande enligt krav 7, kännetecknat av att nämnda första ledare utgöres av en jordremsa av en RF-överföringsledning och av att det ledande materialet an- c o ~ e nu 518 181 ÄÉÅII: 17 ordnat i det andra hålet utgör en del av en signalvia hos nämnda RF- överfóringsledning. 9. Förfarande enligt krav 7, kännetecknat av att nämnda första ledannönster utgör en signalremsa hos en RF-överfóringsledning och att det ledande materialet an- ordnat i det andra hålet utgör en del av en jordvia hos Rßövertöringsledningen. 10. Flerskiktad Rf-krets innefattande en anordning enligt ett av kraven 1-6..
SE9904527A 1999-12-10 1999-12-10 Förfarande och anordning vid elektroniska kretsarrangemang SE518181C2 (sv)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9904527A SE518181C2 (sv) 1999-12-10 1999-12-10 Förfarande och anordning vid elektroniska kretsarrangemang
PCT/SE2000/002288 WO2001043192A1 (en) 1999-12-10 2000-11-21 A method and an arrangement relating to electronic circuitry
AU20331/01A AU2033101A (en) 1999-12-10 2000-11-21 A method and an arrangement relating to electronic circuitry
US09/732,027 US6501181B2 (en) 1999-12-10 2000-12-08 Arrangement relating to electronic circuitry

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9904527A SE518181C2 (sv) 1999-12-10 1999-12-10 Förfarande och anordning vid elektroniska kretsarrangemang

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9904527D0 SE9904527D0 (sv) 1999-12-10
SE9904527L SE9904527L (sv) 2001-06-11
SE518181C2 true SE518181C2 (sv) 2002-09-03

Family

ID=20418079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9904527A SE518181C2 (sv) 1999-12-10 1999-12-10 Förfarande och anordning vid elektroniska kretsarrangemang

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6501181B2 (sv)
AU (1) AU2033101A (sv)
SE (1) SE518181C2 (sv)
WO (1) WO2001043192A1 (sv)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047574A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 多層配線基板、光トランシーバ、およびトランスポンダ
EP1420443A3 (fr) * 2002-11-14 2014-10-15 Nxp B.V. Dispositif de connexion électrique entre deux pistes d'un circuit integré
US7348498B2 (en) * 2003-07-17 2008-03-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Partially voided anti-pads
US6881895B1 (en) 2003-09-30 2005-04-19 National Semiconductor Corporation Radio frequency (RF) filter within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate
US6873228B1 (en) 2003-09-30 2005-03-29 National Semiconductor Corporation Buried self-resonant bypass capacitors within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate
US6872962B1 (en) 2003-09-30 2005-03-29 National Semiconductor Corporation Radio frequency (RF) filter within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate
US7030712B2 (en) * 2004-03-01 2006-04-18 Belair Networks Inc. Radio frequency (RF) circuit board topology
GB0428591D0 (en) * 2004-12-31 2005-02-09 Bae Systems Plc Printed circuit boards
US7485966B2 (en) * 2005-04-11 2009-02-03 Via Technologies, Inc. Via connection structure with a compensative area on the reference plane
US7492146B2 (en) * 2005-05-16 2009-02-17 Teradyne, Inc. Impedance controlled via structure
TWI286049B (en) * 2006-04-04 2007-08-21 Advanced Semiconductor Eng Circuit substrate
JP2008262989A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Toshiba Corp 高周波回路基板
JP6822100B2 (ja) * 2016-11-28 2021-01-27 富士通株式会社 ビアモデル生成プログラム、ビアモデル生成方法及び情報処理装置
US20220268688A1 (en) * 2021-02-05 2022-08-25 Cytek Biosciences, Inc. Integrated compact cell sorter

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE426894B (sv) 1981-06-30 1983-02-14 Ericsson Telefon Ab L M Impedansriktig koaxialovergang for mikrovagssignaler
US4401955A (en) * 1981-07-15 1983-08-30 Rca Corporation Broadband, high power, coaxial transmission line coupling structure
US4816791A (en) 1987-11-27 1989-03-28 General Electric Company Stripline to stripline coaxial transition
JPH03226101A (ja) 1990-01-31 1991-10-07 Hitachi Ltd 高周波回路装置
US5736783A (en) * 1993-10-08 1998-04-07 Stratedge Corporation. High frequency microelectronics package
US5844450A (en) 1996-03-05 1998-12-01 Motorola, Inc. Integrated microstrip to suspend stripline transition structure and method of fabrication
WO1998044564A1 (en) * 1997-04-02 1998-10-08 Tessera, Inc. Chip with internal signal routing in external element

Also Published As

Publication number Publication date
SE9904527D0 (sv) 1999-12-10
US20010003380A1 (en) 2001-06-14
SE9904527L (sv) 2001-06-11
US6501181B2 (en) 2002-12-31
WO2001043192A1 (en) 2001-06-14
AU2033101A (en) 2001-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE518181C2 (sv) Förfarande och anordning vid elektroniska kretsarrangemang
US5635761A (en) Internal resistor termination in multi-chip module environments
CN100477030C (zh) 用于印刷线路板的共同烧制的陶瓷电容器及其制造方法
US7212088B1 (en) Electrical connecting element and a method of making such an element
US6819202B2 (en) Power splitter having counter rotating circuit lines
SE522404C2 (sv) Riktkopplare
EP0042987A2 (en) Electronic circuit chip carrier
US20010011571A1 (en) Method for making high k dielectric material with low k dielectric sheathed signal vias
KR100754712B1 (ko) 전력 코어 장치 및 그 제조 방법
EP0506062A2 (en) Stripline shielding techniques in low temperature co-fired ceramic
CN101965096A (zh) 软性电路板
US5861664A (en) LSI package and manufacturing method thereof
EP1003216A2 (en) Multilayered ceramic structure
JPH0897603A (ja) 積層型誘電体フィルタ
KR20090020203A (ko) 연성 인쇄회로 기판
JPH0680964B2 (ja) ストリップラインを有する回路装置
JPH0993069A (ja) 多連ノイズフィルタ
CN110099504A (zh) 用于制作印刷电路组件的过程及其印刷电路组件
US7014784B2 (en) Methods and apparatus for printing conductive thickfilms over thickfilm dielectrics
JP3141350B2 (ja) 発振回路の発振周波数の調整方法
US20050205195A1 (en) Method of forming one or more base structures on an LTCC cofired module
JP2007227942A (ja) 高周波モジュール
KR100949518B1 (ko) 보상 커패시터를 갖는 수직 천이 구조의 기판 및 이의 제조방법
JPH0225276B2 (sv)
JP2000244133A (ja) 多層配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed