JP2004032776A

JP2004032776A - 複合材料の誘電性基板を用いたダイポールアンテナ

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Publication number: JP2004032776A
Application number: JP2003179770A
Authority: JP
Inventors: William Dean Killen; ウィリアム　ディーン　キレン; Randy T Pike; ランディー　テッド　パイク
Original assignee: Harris Corp
Current assignee: Harris Corp
Priority date: 2002-06-27
Filing date: 2003-06-24
Publication date: 2004-01-29
Anticipated expiration: 2023-06-24
Also published as: DE60311360D1; CA2431185A1; JP4142507B2; US6753814B2; DE60311360T2; EP1376759B1; CA2431185C; EP1376759A2; ATE352886T1; AU2003204642A1; AU2003204642B2; US20040001027A1; EP1376759A3

Abstract

【課題】本発明は、改善されたインピーダンス帯域幅を持つ減少された寸法のダイポールアンテナに関する。
【解決手段】アンテナは、好ましくは、複数の領域を有する誘電性基板上に形成される。これらの領域の各々は、特性比誘電率と特性比透磁率を持つ。伝導経路を定義する第１ダイポール放射要素と第２ダイポール放射要素は、第１特性誘電率と第１透磁率を持つ誘電性基板の第１特性領域に選択的に形成される。リアクタンス性接続要素は、第１ダイポール放射要素を第２ダイポール放射要素にリアクタンス的に接続するために、第１ダイポール放射要素と第２ダイポール放射要素の間に設けられる。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、ＲＦ回路のための設計の向上した融通性を提供する方法と装置に関し、改善した性能のための誘電性回路基板材料の最適化のための方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＲＦ回路、伝送路およびアンテナ要素は、特別に設計された基盤の上で共通に製造される。これらのタイプの回路のために、インピーダンス特性に関して注意深い制御を維持することが重要である。回路の異なる部分でのインピーダンスが整合（ｍａｔｃｈ）しない場合は、非効率的な電力伝達となり、部品が不必要に加熱され、他の問題を引き起こすことになる。伝送路の電気的な長さとこれらの回路のラジエーター（ｒａｄｉａｔｏｒｓ）は、きわめて重要な設計要素である。
【０００３】
基板材料の性能に影響を与える２つの重要な要素は、誘電率（時には、比誘電率またはε_ｒと呼ばれる）と誘電正接（ｌｏｓｓ　ｔａｎｇｅｎｔ）（時には、熱放散定数（ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ　ｆａｃｔｏｒ）と呼ばれる）である。比誘電率は、基板材料における信号のスピードを決定し、従って、伝送路の電気的な長さを決定し、基板上で実施される他の部品を決定する。誘電正接は、基板において移動する信号に関して生じる損失の量を特徴づける。損失は、周波数の増加に伴い、増加する傾向がある。特に、受信部の前端部と低ノイズ増幅回路を設計するときには、低損失材料は、周波数が増加する場合に、さらに重要になる。マイクロストリップ（ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ）として知られる第１の構成では、基板表面にシグナルライン（ｓｉｇｎａｌ　ｌｉｎｅ）を配置し、普通はグラウンド層（ｇｒｏｕｎｄ　ｌａｙｅｒ）とよばれる第２の伝導層が供給される。埋め込みマイクロストリップ（ｂｕｒｉｅｄ　ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ）として知られる第２の構成は、シグナルラインが誘電性基板材料で覆われること以外は、第１の構成と同様である。ストリップライン（ｓｔｒｉｐｌｉｎｅ）と呼ばれる第３の構成では、シグナルラインが、２つの電気的伝導（グラウンド）面に挟まれる。損失を無視すると、ストリップラインやマイクロストリップのような伝送路の特性インピーダンスは、
【０００４】
【数１】

に等しい。ここで、Ｌ_ｉは、単位長さ当たりのインダクタンスであり、Ｃ_ｉは、単位長さ当たりの電気容量である。Ｌ_ｉとＣ_ｉの値は、一般的に、物理的な幾何とライン構造の間隔と、誘電性材料の誘電率によって決定される。誘電性材料は、伝送路構造を分離するのに使用される。一般的に、従来の基板材料は、およそ１．０の透磁率を持つ。
【０００５】
従来のＲＦ設計では、設計に適切な比誘電率を持つ基板材料が選択される。一旦基板材料が選択されると、ライン特性インピーダンスの値が、ライン幾何と物理的構造を制御することによって特別に調整される。
【０００６】
無線周波数（ＲＦ）回路は、一般的に、ハイブリッド回路で具現化される。このハイブリッド回路では、複数の能動回路部品とリアクタンス性回路部品が、セラミック基板のような電気的に絶縁されたボード基板（ｂｏａｒｄ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）上に配置され接続される。ストリップラインやマイクロストリップやツインライン構造のような伝送路である、例えば、銅や金やタンタル（ｔａｎｔａｌｕｍ）のプリントされた金属導体によって、様々な部品・要素が、一般的に、お互いに接続される。
【０００７】
伝送路、リアクタンス性ＲＦデバイスまたは放射素子のための選択された基板材料の誘電率は、そのライン構造のための所定の周波数でのＲＦエネルギーの物理的な波長を決定する。マイクロＲＦ回路を設計する場合に出くわす１つの問題は、ボード上に形成される様々なリアクタンス性部品、放射素子および伝送路回路のすべてに関して最適化される誘電性ボード基板材料の選択である。特に、ある回路要素の幾何は、そのような要素に要求される独特の電気的特性またはインピーダンス特性のために、物理的に大きかったり小さかったりする。例えば、多くの回路要素または同調・整調された（ｔｕｎｅｄ）回路は、電気的な１／４波長（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　１／４　ｗａｖｅ）である必要がある。同様に、特別に高いまたは低い特性インピーダンスの値のために要求されるラインの幅は、多くの場合には、所定の基板での実用的な実施のためには、狭すぎたり広すぎたりする可能性がある。マイクロストリップまたはストリップラインの物理的な寸法は、誘電性材料の比誘電率に逆数的に関係するので、伝送路の寸法は、基板ボード材料の選択に大きく影響され得る。
【０００８】
また、いくつかの部品に関する最適ボード基板材料設計選択は、アンテナ要素のような他の部品に関する最適ボード基板材料と一貫性がない。さらに、ある回路部品に関する設計目標が、他の回路部品に関する設計目標と一貫性がない場合がある。例えば、アンテナ要素の寸法を小さくすることが望ましい場合がある。このことは、比較的高い誘電率を持つボード材料を選択することにより、達成可能である。しかしながら、より高い比誘電率を持つ誘電性材料を用いることは、アンテナの放射効率を下げることになる望ましくない結果を引き起こす。
【０００９】
アンテナ設計の目標は、しばしば、放射効率をあまり下げることなく、アンテナの寸法を効果的に小さくすることである。アンテナの寸法を小さくする１つの方法は、ダイポールアレイ要素（ｄｉｐｏｌｅ　ａｒｒａｙ　ｅｌｅｍｅｎｔｓ）のための高い誘電率の基板を用いることのように、電気容量付加（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ　ｌｏａｄｉｎｇ）によるものでる。
【００１０】
例えば、ダイポールアーム（ｄｉｐｏｌｅ　ａｒｍ）を高い誘電率の基板部分に配置することによって、ダイポールアームを容量的に付加する場合には、低い誘電率の基板を用いる場合に必要とされるアームの長さに比べて、短くされる。これは、アーム部分とグラウンド面の間の高い誘電率の部分における電場が、誘電性基板のより小さい体積に集中するためである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アンテナに供給される合計電力に対するアンテナが放射する電力の周波数に依存する比率である放射効率は、より短いダイポールアーム長のために減らされる。より短いアーム長は、放射抵抗を減らす。この放射抵抗Ｒ_ｒは、次の式で示されるように、短い（１／２波長より短い）ダイポールアンテナに関してアーム長の２乗にほぼ比例する。
Ｒ_ｒ＝２０π^２（ｌ／λ）^２
　ここで、ｌは、アンテナラインの電気的な長さであり、λは、対象とされる波長である。
【００１２】
単一の短いダイポールを持つ導体トレース（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｔｒａｃｅ）が、直列接続の放射抵抗を持つオープン伝送路（ｏｐｅｎ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｌｉｎｅ）、インダクター、コンデンサーおよび抵抗性グラウンド損失（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　ｇｒｏｕｎｄ　ｌｏｓｓ）として形成可能である。ダイポールアンテナシステムの放射効率は、単一モードであると仮定して、次の式で近似される。
【００１３】
【数２】

ここで、Ｅは放射効率、Ｒ_ｒは放射抵抗、Ｘ_Ｌは誘導リアクタンス、Ｘ_ｃは容量性リアクタンス、Ｒ_Ｌは抵抗フィードポイントグラウンド損失（ｏｈｍｉｃ　ｆｅｅｄ　ｐｏｉｎｔ　ｇｒｏｕｎｄ　ｌｏｓｓ）と表皮効果（ｓｋｉｎ　ｅｆｆｃｅｔ）である。
【００１４】
放射抵抗は、アンテナが放射するエネルギーを考慮した架空の抵抗である。誘導リアクタンスは、伝導ダイポールラインのインダクタンスを表し、コンデンサーは、導体の間の電気容量を表す。他の直列接続部品は、単に、ＲＦエネルギーを熱に変え、これによって、ダイポールの放射効率が減少させられる。
【００１５】
上述したことから、選択された比誘電率特性を持つ回路ボード基板の制限が、しばしば、回路全体の電気的性能および／または物理的特徴に悪影響を与えることになり得る設計上の妥協という結果になるということが理解される。従来のアプローチの本質的な問題は、少なくとも基板に関して、ラインインピーダンスのための制御変数が比誘電率だけであるということである。この制限は、従来の基板材料において重要な問題を強調する。即ち、従来の基板材料は、特性インピーダンスＬ_ｉ（伝送路の単位長さ当たりのインダクタンス）を決定する他の要素を利用できない。
【００１６】
ＲＦ回路設計で出くわすさらなる別の問題は、異なるＲＦ周波数帯域での動作のための回路部品の最適化である。第１ＲＦ周波数帯域に最適化されたラインインピーダンスとライン長は、他の帯域に使用された場合には、劣った性能を与える。これは、インピーダンスの変化および／または電気的長さの変化のためである。そのような制限は、所定のＲＦシステムに関して有効動作周波数範囲を制限する。
【００１７】
従来の回路ボード基板は、一般的に、誘電率を含む一様な基板の物理的特性を得るキャスティング（ｃａｓｔｉｎｇ）またはスプレイ被膜（ｓｐｒａｙ　ｃｏａｔｉｎｇ）のようなプロセスによって形成される。従って、ＲＦ回路の従来の誘電性基板配置は、電気的特性と物理的寸法特性の両方に関して、最適である回路を設計する場合に、制限的であることが分る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、改善されたインピーダンス帯域幅を持つ減少された寸法のダイポールアンテナに関する。アンテナは、好ましくは、複数の領域を有する誘電性基板に形成される。これらの領域の各々は、特性比誘電率と特性比透磁率を持つ。伝導経路を定義する第１ダイポール放射要素と第２ダイポール放射要素は、第１特性誘電率と第１特性透磁率を持つ誘電性基板の第１特性領域に選択的に形成されることが可能である。リアクタンス性接続要素を、第１ダイポール放射要素を第２ダイポール放射要素にリアクタンス的に接続するために、第１ダイポール放射要素と第２ダイポール放射要素の間に設けることができる。
【００１９】
リアクタンス性接続要素に関して望ましいリアクタンス値を与えるようにリアクタンス性接続要素は、第２誘電率と第２透磁率を持つ誘電性基板の第２特性領域に接続される。リアクタンス性接続要素は、コンデンサーとインダクターのうち少なくとも一方を含むことができる。リアクタンス性接続要素がコンデンサーを含む場合には、容量結合（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を、ダイポール放射要素の隣接端部の間に設けることが可能である。容量結合は、第２誘電率によって少なくとも部分的に決定される。
【００２０】
第１特性領域と第２特性領域は、誘電率と透磁率のうち少なくとも一方に関して、誘電性基板の第３特性領域と異なる。本発明の１つの態様によると、第３特性領域の第３誘電率と第３透磁率のうち少なくとも一方が、それぞれ、第１および第２誘電率と第１および第２透磁率のうち少なくとも一方の率よりも小さい値である。本発明の別の態様によると、第３特性領域の第３誘電率と第３透磁率のうち少なくとも一方が、それぞれ、第１および第２誘電率と第１および第２透磁率のうち少なくとも一方の率よりも大きい値である。
【００２１】
本発明の別の態様によると、金属スリーブ要素が、ダイポール放射要素の隣接端部を誘導的に接続するために、誘電性基板の第２特性領域に設けられる。本発明の好適実施形態によると、隣接端部は、ダイポール放射要素のためのＲＦフィードポイントを定義する。金属スリーブ要素は、ダイポール放射要素の少なくとも１部分に隣接するように配置された長く伸ばされた金属ストリップを含むことができる。いずれにしても、誘導結合は、第２比透磁率によって少なくとも部分的に決定される。
【００２２】
本発明の別の態様によると、第１透磁率と第２透磁率は、複合材料を誘電性基板に加えることによって、制御されることが可能である。代替的には、または、追加的には、第１誘電率と第２誘電率は、複合材料を誘電性基板に加えることによって制御されることが可能である。
【００２３】
本発明は、誘電性基板に形成される他のタイプのアンテナも含むことができる。本発明の別の実施形態によると、アンテナは、伝導経路を定義し、第１特性誘電率と第１透磁率を持つ誘電性基板の第１特性領域に形成されたループのような少なくとも１つの放射要素を含むことが可能である。１つ以上のリアクタンス性接続要素を、ギャップによって分離させられた伝導経路の部分の間に設けることが可能である。リアクタンス性接続要素に関して望ましいリアクタンス値を与えるようにリアクタンス性接続要素を、第２誘電率と第２透磁率を持つ誘電性基板の第２特性領域に接続できる。また、第１特性領域と第２特性領域は、誘電率と透磁率のうち少なくとも一方に関して、誘電性基板の第３特性領域と異なることが可能である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
低い誘電率のボード材料が、通常は、ＲＦ設計のために選択される。例えば、ＲＴ／ｄｕｒｏｉｄ（登録商標）６００２（２．９４の誘電率、０．００９の誘電正接）やＲＴ／ｄｕｒｏｉｄ（登録商標）５８８０（２．２の誘電率、０．０００７の誘電正接）のようなポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に基づく合成物が、Ｒｏｇｅｒｓ　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｄｉｖｉｓｏｎ，１００　Ｓ．Ｒｏｏｓｅｖｅｌｔ　Ａｖｅ，　Ｃｈａｎｄｌｅｒ，　ＡＺ　８５２２６から入手可能である。これらの材料の両方は、ボード材料の選択材料とすることが可能である。上述のボード材料は、低い誘電正接を伴う比較的低い誘電率を持つ誘電性層を与える。
【００２５】
しかしながら、従来のボード材料を用いることは、回路要素の小型化率を下げることになり得る。また従来のボード材料を用いることは、高い誘電率の層から利点を得る回路のいくつかの性能態様を悪くする可能性がある。通信回路における代表的なトレードオフ・相殺（ｔｒａｄｅｏｆｆ）は、アンテナ要素の寸法と効率との間のものである。従来と比較すると、本発明は、効率のために最適化され選択的に制御される誘電率特性と透磁率特性を持つ誘電性層を使用可能にすることによって回路設計者に向上した融通性を与える。この向上した融通性によって、性能とアンテナ要素密度が改善される。
【００２６】
図１を参照すると、アンテナ１０２は要素１０３を有する。要素１０３は、図示されるように誘電性層１００上に配置されるか、または、誘電性層１００の内部に埋め込まれる。図１において、アンテナ１０２はダイポールとして構成されるが、当業者は、これに制限されないことを理解するであろう。本発明の好適実施形態によると、誘電性層１００は、第１比誘電率を持つ第１領域と、第２比誘電率を持つ第２領域を含む。第１比誘電率は、第２比誘電率と異なっていてよいが、本発明は、これに限定されない。グラウンド面１１０は、好ましくは、アンテナ１０２の下に設けられ、アンテナフィード（ａｎｔｅｎｎａ　ｆｅｅｄｓ）１０８の通過のための開口を含んでよい。代替的には、アンテナのフィードラインは、図３に示されるように、基板の表面に直接設けられる。誘電性材料１００は、グラウンドの上のアンテナの高さを定義する厚みを有する。この厚みは、アンテナ１０２から下に存在するグラウンド面１１０までの物理的な距離とおよそ等しい。
【００２７】
アンテナ要素１０３と誘電性層の第２領域１０６は、アンテナ要素の少なくとも１部分が図示されるように第２領域上に位置するように構成される。本発明の好適実施形態によると、各アンテナ要素の実質的な部分は、図示されるように第２領域１０６上に位置する。
【００２８】
要素１０３の物理的寸法を減らすために、第２領域１０６における基板の第２比誘電率が、第１領域１０４における第１比誘電率より相当に（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ）大きい。共振長（ｒｅｓｏｎａｎｔ　ｌｅｎｇｔｈ）は、およそ
【００２９】
【数３】

に比例する。ここで、ε_ｒは比誘電率である。従って、比誘電率のより高い値を選択することによって、アンテナの物理的寸法を小さくすることができる。
【００３０】
第２領域において比誘電率を大きくすることの１つの問題は、アンテナ１０２の放射効率が減少してしまう可能性があることである。高い誘電率を持ち比較的厚い基板上にプリントされたマイクロストリップアンテナは、劣った放射効率を呈する傾向がある。比誘電率の比較的大きい値を持つ誘電性基板の場合には、より大きな量の電磁場が、伝導アンテナ要素とグラウンド面の間の誘電性部分に集中する。そのような環境での劣った放射効率は、しばしば部分的に、空気と基板のインターフェース・境目に沿った伝播する表面波モード（ｓｕｒｆａｃｅ　ｗａｖｅ　ｍｏｄｅｓ）に起因する。
【００３１】
アンテナの寸法は高い誘電性基板を用いることによって減少させられる場合には、正味のアンテナ容量（ｎｅｔ　ａｎｔｅｎｎａ　ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）は、一般的に、減少する。なぜならば、面積の減少が、より高い誘電率の基板部分に起因する有効誘電率の増大を少なくともオフセットする・打ち消すからである。
【００３２】
本発明は、相当の（ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ）透磁率を持つ１以上の領域を有する誘電性基板の形成を可能にする。先行技術の基板は、一般的に、およそ１の比透磁率を持つ材料を含む。相当の比透磁率を選択的に誘電性基板の部分に追加する能力・機能を、伝送路やアンテナ要素のような（誘電性層の）近くに存在する伝導トレースのインダクタンスを増加させるために用いることが可能である。この融通性は、多くの方法で、ＲＦシステム性能を改善するために適用可能である。
【００３３】
例えば、短いダイポールアンテナの場合には、相当な比透磁率を持つ誘電性基板を、高い誘電性基板の使用に起因し一般的にその結果として起こるより高い電気容量に起因する放射効率の損失を補うために、用いることができる。従って、１よりも大きい比透磁率を持つ誘電性材料を用いることにより、望ましい周波数で共振が得られ、または、共振に近づくことが可能である。このように、本発明は、性能を向上させるために適用可能であり、または、同一の機能を達成することを試みることにおいて、システムに別個のインダクター（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）を加える必要性を取り除くために適用可能である。
【００３４】
一般的に、基板の誘電率が１から増加するにつれ、アンテナが電磁エネルギーをアンテナ構造から自由空間へ効果的に伝達するために、透磁率も増加させることが望ましい。この点に関して、誘電率または透磁率の変化は、主に電場に影響を与える一方、透磁率の制御は、磁場に関してエネルギーの伝達を向上させる。
【００３５】
より大きな放射効率のためには、透磁率を、大まかに誘電率の２乗根に従って増加させることができることが分るであろう。例えば、９の誘電率を持つ基板が選択された場合には、最適な透磁率の良好な開始点は３である。もちろん、当業者は、どんな特定の場合においても最適な値は、アンテナ要素の上部と下部に位置する誘電性構造、アンテナ要素を囲む誘電性／伝導性構造、グラウンド面上のアンテナの高さ、ダイポールアームの幅などの正確な性質に依存し得る。従って、誘電率と透磁率に関する最適な値の適切な組み合わせを、実験的におよび／またはコンピュータモデリングによって決定することができる。
【００３６】
当業者は、上述した技術が、図１と２に示されたようなダイポールアンテナの場合での適用に限定されないことを理解するであろう。また、上述の技術は、他のタイプの基板において小さくさせられた寸法の効率的なアンテナ要素を製造するのに適用することができる。例えば、図１と２に示されるように基板の上に排他的に位置するよりもむしろ、アンテナ１０３は、部分的にまたは全体的に、誘電性層の第２領域１０６の内部に具現化されることができる。
【００３７】
本発明の好適実施形態によると、第２領域１０６における誘電性材料の比誘電率および／または比透磁率は、第１領域１０４の比誘電率および比透磁率と異なることが可能である。さらに、誘電性基板１００の少なくとも１部分は、追加回路が設けられる１以上の追加領域を含むことが可能である。例えば、図３において、領域１１２、１１４、１１６は、バラン（ｂａｌｕｎ）、フィードラインまたはインピーダンス変成器（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ）を含むことが可能なアンテナフィード回路１１５を支持できる。各領域１１２、１１４、１１６は、それぞれの部品の各々に関して要求される物理的および電気的特性のために最適化される比誘電率および比透磁率を持つことが可能である。
【００３８】
同様に、これらの技術は、どのようなタイプの基板アンテナにも適用可能であり、図１のダイポールは単なる１例である。別の例は、図７と８に示されたようなループアンテナ（ｌｏｏｐ　ａｎｔｅｎｎａ）である。図７と８の例では、放射要素および／またはフィード回路の下に存在する基盤の誘電率と透磁率は、高い放射効率を持つ小さくさせられた寸法のために選択的に制御可能である。図７において、フィードポイント７０６と整合バラン（ｍａｔｃｈｉｎｇ　ｂａｌｕｎ）７０５を持つループアンテナ要素７００が誘電性基板７０１の上に配置されている。グラウンド面７０３は、図示されているように基板の下に設けられている。本発明の好適実施形態によると、ループアンテナ要素７００の下に位置する誘電性基板領域７０４は、周囲基板７０１と異なる誘電率および透磁率を持つことが可能である。領域７０４における増加させられた誘電率によって、所定の動作周波数に関してアンテナ要素７００の寸法を減らすことが可能である。しかしながら、満足する放射効率を維持するためには、領域７０４の透磁率は、ダイポールアンテナに関して上述したのと同様な方法で増加させられることができる。
【００３９】
代替的に、または、アンテナ要素の下の誘電性基板に変更を加えることによって、アンテナ特性の他の特性を、基板の選択された部分の特性を有益に制御することによって、改善することが可能である。例えば、従来のダイポールアンテナシステムにおいて、チップコンデンサーを、２つのアンテナ要素の隣接端部の間に接続できる。このように、アンテナ要素の間にコンデンサーを追加することによって、アンテナのインピーダンス帯域幅（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　ｂａｎｄｗｉｄｔｈ）が改善されるという利点が得られる。一般的に、当業者は、性能改善を達成するために、コンデンサーの適切な値を選択する技術に精通している。しかしながら、動作周波数が増加する場合には、上述した隣接端部の間に設ける必要のある結合コンデンサーの必要な値は、非常に小さい。このため、チップコンデンサーのような従来の集中回路部品（ｌｕｍｐｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）を用いて、適切な電気容量の値を得ることができない。
【００４０】
図１を参照すると、ある量の電気容量が、本質的に（ｉｎｈｅｒｅｎｔｌｙ）隣接端部１０５の間に存在する。しかしながら、隣接端部１０５の間の間隔と基板１００の比較的低い誘電率は、一般的に、この本質的な電気容量が特定の適用のために必要なインピーダンス帯域幅に最適化するのに必要とされる値ではない。このように、図５は、本発明の代わりの実施形態を上から見た図である。図５において、領域５００の誘電率は、選択的に制御可能である。図６は、図５のライン６−６に沿った図５の実施形態の横断面図である。図１、２と図５、６の共通の参照符号は、図５と６における共通の要素を識別するのに用いられている。
【００４１】
図示されるように、領域５００における基板の誘電率を選択的に制御することによって、ダイポール要素１０３の端部１０５の間に存在する本質的な電気容量を増加または減少させることが可能である。これによって、従来の集中要素手段では達成できない改善されたインピーダンス帯域幅が得られる。アンテナ要素１０３の隣接端部１０５の間にのみ延在しているように図５と６に、領域５００の制限が示されている。しかしながら、当業者は、本発明が、これに限定されないことを理解できるであろう。本発明の意図されている範囲から逸脱せずに、領域５００の制限は、ダイポール要素の端部１０５を幾分超えていてもよいし、ダイポール要素の端部１０５に幾分届いていなくてもよい。例えば、領域５００は、アンテナ要素の端部１０５の下の領域の１部分を含んでもよい。代替的には、端部１０５の間の領域の１部分だけが、異なる誘電率特性を持つように変更されることができる。
【００４２】
インピーダンス帯域幅を改善する同様な技術が、ループアンテナにも適用可能である。ループアンテナの場合には、従来的には、ループに関する放射要素を形成・定義する伝導経路に沿ってコンデンサーを差し挟む。従来のループアンテナでは、基準コンデンサー（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｄ　ｃａｐａｃｉｔｏｒｓ）が、代表的には、図７と８に示されるように、アンテナ要素７００の隣接端部７０２の間に接続される。しかしながら、アンテナの設計周波数が増加するにつれて、このような技術を実施するのに必要なコンデンサーの値は、小さすぎてチップコンデンサーのような集中要素部品に適用できない。
【００４３】
図７と８に示された本発明の好適実施形態によると、領域７０８の誘電率を選択的に制御して、端部７０２の間に存在する本質的容量性接続を調整することが可能である。例えば、領域７０８における基板の誘電率が増加した場合には、端部７０２の間の本質的な電気容量が増加し得る。この方法で、端部７０２の間に存在する本質的な電気容量の利用および選択的な制御によって、インピーダンス帯域幅を改善させるために、必要な電気容量を供給することが可能である。当業者は、領域７０８が、端部７０２によって定義・区画される制限よりも幾分小さく、または、端部７０２によって定義される制限よりも幾分超えることが可能であることを理解するであろう。
【００４４】
本発明の別の実施形態が、図９と１０に示されている。図９と１０において、ダイポール要素９０２が基板９００の上に配置される。この技術分野でよく知られているように、ダイポール要素９０２は、フィードポイント９０１を持つことが可能である。グラウンド面９０４は、図示されているように、基板の下に設けられる。アンテナの入力インピーダンス帯域幅の改善は、ダイポール要素の隣接端部において容量性のおよび誘導性の（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ）接合を用いることによって達成可能であることは、当該技術分野で知られている。図９と１０において、この容量性接続は、周囲基板９００と比較して高い誘電率を持つ変更された誘電性領域９０６を用いて達成可能である。このより高い誘電率によって、図５と６に関連して上述したのと同じ方法でダイポール要素９０２の間の容量性接続を改善することが可能である。
【００４５】
また、本発明は、誘導結合（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を与えるために、従来のスリーブ要素（ｓｌｅｅｖｅ　ｅｌｅｍｅｎｔ）９０８を用いることができる。しかしながら、本発明の好適実施形態によると、変更された誘電性領域９０６の透磁率は、選択的に制御可能である。例えば、透磁率を１より大きい値を持つように増加させることができる。代替的には、領域９０６の透磁率は、誘導要素９０６の長さに沿って変化するように制御可能である。いずれの場合においても、スリーブ（ｓｌｅｅｖｅ）とダイポールアームの間の接続は、スリーブとダイポールアームの間の基板の誘電性を選択的に制御することによって改善および調整されることが可能である。スリーブの下に透磁率を有する材料（ｐｅｒｍｅａｂｌｅ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ）を組み込むことによって、このような磁性材料を用いない場合には達成できないライン幅の制御を可能にする。誘電率と透磁率の制御は、改善された広い帯域幅のインピーダンス整合を与えるための大きな融通性を設計者に供給する。
【００４６】
リアクタンス性の容量性および誘導性部品を誘電性回路ボード基板に統合させる本発明は、図示されたアンテナの使用の場合に限定されない。注意深く制御される小さい値のインダクタンスと電気容量（キャパシタンス）を要求する様々な回路ボード部品を用いることによって本発明を適用することが可能である。
【００４７】
局部的なおよび選択的な磁気特性および誘電特性を供給する複合材料部分を持つ誘電性基板ボードは、図４に示されたように用意されることが可能である。段階４１０において、誘電性ボード材料を用意することができる。段階４２０において、アンテナ要素とその関連フィード回路に関してできるだけ良い効率を達成し、物理的寸法を減少させるために、誘電性ボード材料の少なくとも１部分が、以下で説明されるように、複合材料を用いて差別的に変更可能である。最後に、アンテナ要素とその関連フィード回路に関連した伝導トレースを定義・形成するために、金属層を適用できる。
【００４８】
ここで定義するように、言葉“複合材料（ｍｅｔａ−ｍａｔｅｒｉａｌｓ）”は、オングストロームやナノメートルのレベルのような非常に微小なレベルで２つ以上の異なる材料を混合してまたはアレンジ・配置（ａｒｒａｎｇｅ）することによって形成される複合材料（ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ）を意味する。この複合材料を用いて、有効電気的誘電率および有効透磁率を含む有効電磁パラメータによって定義可能な合成物の電磁特性を調整することができる。
【００４９】
段階４１０と４２０で説明されるような誘電性ボード材料を用意し差別的に変更するプロセスを以下で程度詳しく説明する。しかしながら、ここで説明される方法は、単に例示的なものであり、本発明はこれに限定されない。
【００５０】
適切なバルク（ｂｕｌｋ）誘電性基板材料は、ＤｕＰｏｎｔやＦｅｒｒｏのような商業的な材料製造業者から得ることができる。普通はＧｒｅｅｎ　Ｔａｐｅ（登録商標）と呼ばれる未処理材料を、バルク誘電体テープから標準の大きさ（６インチごとの部分）になるように切り取ることが可能である。例えば、Ｄｕｐｏｎｔ　Ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓは、Ｌｏｗ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｆｉｒｅ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ＴａｐｅのようなＧｒｅｅｎ　Ｔａｐｅ材料システムを提供する。これらの基板材料は、一旦焼かれる（ｆｉｒｅｄ）とマイクロ波周波数での回路動作に関して比較的低い誘電正接を伴うことに加えて、比較的中程度の誘電率を持つ誘電性層を与えるために用いることができる。
【００５１】
誘電性基板材料の多数のシートを用いてマイクロ波回路を作成するプロセスにおいて、ビア（ｖｉａｓ）、ボイド・隙間（ｖｏｉｄ）、ホール・孔または空洞（ｃａｖｉｔｙ）のような特徴は、テープの１以上の層を通して穴を開ける（ｐｕｎｃｈ）ことによって得られる。隙間・ボイドは、機械的手段（例えば、穿孔機（ｐｕｎｃｈ））または方向を持ったエネルギー手段（例えば、レーザードリルやフォトリソグラフィー）用いて定義・形成されることが可能である。いくつかのビアは、標準的な大きさの基板の全体の厚み全体を通るように延在することが可能である一方、いくつかの隙間・ボイドは、基板厚みの異なる部分・位置に達するように延在することが可能である。
【００５２】
その後、通常は正確な位置のためのステンシル（ｓｔｅｎｃｉｌｓ）を用いて、ビアに、金属、他の誘電性材料、他の磁性材料またはこれらの混合物が充填される。完成した多数の層の基板を製造するために、テープの個々の層は、従来のプロセスにおいて、一緒に積み重ねられる。
【００５３】
複合材料合成物の選択によって、２未満の値から約２６５０までの比較的連続的な範囲にわたって有効誘電率を与えることができる。磁気特性を持つ材料も利用可能である。例えば、適切な材料の選択によって、有効比透磁率は、ほとんどの実用的なＲＦ回路に関して約４から１１６までの範囲にわたることが可能である。しかしながら、有効比透磁率は、約２という低い値であり得、または、数千の値にも達することが可能である。
【００５４】
本明細書で使用される言葉“差別的に変更”は、誘電性基板に対するドープ材添加を含む変更であって、この変更の結果、誘電特性と磁気特性のうち少なくとも１つが、基板の他の部分と比較して基板のある部分では異なるようになることをいう。差別的に変更されたボード基板は、好ましくは、２以上の領域を含む１以上の複合材料を有する。
【００５５】
例えば、変更は、選択的な変更であってよい。選択的な変更の場合には、第１セットの誘電特性または磁気特性を生み出すために、ある誘電性層の部分が、変更される一方、この第１セットの特性と異なる誘電性および／または磁気特性を生み出すために、他の誘電性層の部分が差別的に変更されるかまたは変更されないようにする。差別的な変更は、様々な方法で達成可能である。
【００５６】
本発明の１つの実施形態によると、補充誘電性層を誘電性層に追加できる。様々なスプレイ技術、スピン技術（ｓｐｉｎ−ｏｎ　ｔｅｃｎｏｌｏｇｉｅｓ）、様々な堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術またはスパッタリングのような当該技術分野で知られた技術を、補充誘電性層を追加するために用いることが可能である。補充誘電性層を、内部の隙間・ボイドまたは孔を含む局部的な領域にまたは全体に存在する誘電性層にわたって選択的に加えることが可能である。例えば、補充誘電性層を増加した有効誘電率を持つ基板部分を与えるために、用いることができる。
【００５７】
差別的な変更を行う段階は、誘電性層または補充誘電性層に局部的に追加材料を加える段階をさらに含むことができる。所定の設計目標を達成するために、誘電性層の有効誘電率または磁気特性をさらに制御するのに、材料を追加することができる。
【００５８】
追加材料は、複数の金属粒子および／またはセラミック粒子を含むことが可能である。金属粒子は、好ましくは、鉄、タングステン、コバルト、バナジウム、マンガン、希土類金属、ニッケルまたはニオブ粒子を含む。粒子は、好ましくは、ナノメートルサイズの粒子であり、一般的には、サブミクロンの物理的寸法を持つ（以下において、ナノ粒子と呼ぶ）。
【００５９】
ナノ粒子のような粒子は、好ましくは、有機的に機能化された（ｏｒｇａｎｏｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ）合成粒子である。例えば、有機的に機能化された粒子は、電気的な絶縁被膜を持つ金属芯または金属被膜を持つ電気的絶縁芯を有する粒子を含むことが可能である。本明細書で説明される様々な適用のための誘電性層の磁気特性を制御するために一般的に適切な磁性複合材料は、フェライト有機的セラミック（ＦｅｘＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）を含む。これらの粒子は、８から４０ＧＨｚの周波数範囲での適用においてよく機能する。代替的には、または、追加的には、ニオブ有機的セラミック（ＮｂＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）が、１２から４０ＧＨｚの周波数範囲の場合に有益である。高い周波数のために設計された材料は、低い周波数の場合にも適用可能である。これらのタイプまたは他のタイプの合成粒子は、商業的に得ることができる。
【００６０】
一般的に、被膜された粒子は、ポリマー（例えば、ＬＣＰ）マトリックス（ｐｏｌｙｍｅｒ　ｍａｔｒｉｘ）またはサイドチェーン部分（ｓｉｄｅ　ｃｈａｉｎ　ｍｏｉｅｔｙ）と結びつくのを助けることができるので、被膜された粒子は、好ましくは、本発明において用いられる。誘電性部分の磁気特性を制御することに加えて、追加される粒子は、材料の有効誘電率を制御するのに用いることもできる。およそ１から７０％の合成粒子の充填率（ｆｉｌｌ　ｒａｔｉｏ）を用いて、基板誘電性層および／または補充誘電性層部分の誘電率を増やしたり減らしたりすることができる。例えば、有機的な機能化されたナノ粒子を誘電性層に加えることによって、変更された誘電性層部分の誘電率を増やすことができる。
【００６１】
ポリブレンド（ｐｏｌｙｂｌｅｎｄｉｎｇ）、振動・撹拌（ａｇｉｔａｔｉｏｎ）を伴う混合や充填を含む様々な技術を用いて粒子を加えることが可能である。例えば、誘電性層がＬＣＰを含む場合は、約７０％までの充填率で様々な粒子を使用することによって、誘電率を、２である小さいＬＣＰの値（ｎｏｍｉｎａｌ　ＬＣＰ　ｖａｌｕｅ）から１０もの値に上げてよい。
【００６２】
この目的に有益な金属酸化物は、アルミニウム酸化物、マグネシウム酸化物、ニッケル酸化物、ジルコニウム酸化物、ニオブ酸化物（ＩＩ，ＩＶおよびＶ）を含むことができる。ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）とジルコン酸塩（例えば、ジルコン酸カルシウム（ｃａｌｃｉｕｍ　ｚｉｒｃｏｎａｔｅ）やジルコン酸マグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ　ｚｉｒｃｏｎａｔｅ））を、用いてもよい。
【００６３】
選択可能な誘電特性は、約１０ナノメートルもの小さい領域に局部的に持たせることができ、または全体的なボード基板表面を含む大きな領域に持たせることができる。堆積プロセス（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅｓｓ）に加えてリソグラフィーやエッチングのような従来の技術を、局部的な誘電および磁気特性の操作のために用いることができる。
【００６４】
２から約２６５０までの実質的に連続的な範囲の有効誘電率および他の望まれる基板特性を得るために、他の材料と混合された、または、（一般的に、空気を導入する）ボイド領域の様々な密度を持つ材料を用意することができる。例えば、（２未満から約４）の低い誘電率を呈する材料は、様々な密度のボイドを有する領域を持つシリカを含む。様々な密度のボイドを有する領域を含むアルミナは、約４から９の誘電率を与えることができる。シリカもアルミナも、あまり透磁率を持たない。しかしながら、これらのまたは他の材料に磁性を持たせるために、磁気粒子を、２０ｗｔ．％まで加えることができる。例えば、磁気特性は、有機的機能（ｏｒｇａｎｏｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｔｙ）によって、調整されてよい。磁気材料を加えることによって誘電率に影響を与えることは、誘電率の増加につながる。
【００６５】
中くらいの誘電率の材料は、一般的に、プラスマイナス１０％で７０から５００までの範囲の誘電率を持つ。上述したように、これらの材料は、望ましい誘電率の値を与えるために、他の材料またはボイドと混合されてよい。これらの材料は、フェライトをドープしたチタン酸カルシウムを含むことができる。ドーピング金属は、マグネシウム、ストロンチウムおよびニオブを含む。これらの材料は、４５から６００の範囲の比透磁率を持つ。
【００６６】
高い誘電率を適用する場合には、フェライトまたはニオブをドーピングしたチタン酸ジルコン酸カルシウムまたはチタン酸ジルコン酸バリウム（ｃａｌｃｉｕｍ　ｏｒ　ｂａｒｉｕｍ　ｔｉｔａｎａｔｅ　ｚｉｒｃｏｎａｔｅ）を用いることができる。これらの材料は、約２２００から２６５０の誘電率を持つ。これらの材料に関するドーピングの割合は、一般的に、約１から１０％である。他の材料に関して述べると、望ましい有効誘電率を与えるために、これらの材料は、他の材料と混合されてよく、または、ボイドを含んでよい。
【００６７】
一般的に、これらの材料は、様々な分子変更プロセス（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅｓｓ）によって変更されてよい。変更プロセスは、ポリテトラフルオロエチレンＰＴＦＥのような炭素とフッ素に基づく有機的機能材料などの材料で充填された後に、ボイドを作成する段階を含むことが可能である。
【００６８】
代替的には、または、有機的機能統合に加えて、プロセスは、固体自由形式作成（ｓｏｌｉｄ　ｆｒｅｅｆｏｒｍ　ｆａｂｌｉｃａｔｉｏｎ）、光子・光電・フォト線、紫外線、ｘ線、電子ビーム、イオンビームなどによる放射を含むことが可能である。リソグラフィーは、光子・光電線、紫外線、ｘ線、電子ビーム、イオンビームの放射を用いて、実行することもできる。
複合材料を含む異なる材料を、異なる領域に加えることができる。これによって、基板層の複数の領域が、異なる誘電特性および／または磁気特性を持つことが可能になる。局部的にまたはバルク基板部分にわたって望ましい誘電特性および／または磁気特性を達成するために、上述したような充填材料を、１以上の追加プロセス段階と結合させて用いられてよい。
【００６９】
一般的に、最上層の導体プリントが、その後、変更された基板層に適用される。薄膜技術、厚膜技術、電気めっきまたは他の適切な技術を用いて、導体トレースを設けることができる。導体パターンを形成・定義するために使用されるプロセスは、標準的なリソグラフィーとステンシルを含むが、これらに限定されない。
【００７０】
一般的に、その後、基盤プレートが、複数の変更されたボード基板の照合（ｃｏｌｌａｔｅ）と位置合わせを行うために、得られる。
【００７１】
基板の複数の層は、その後、すべての方向から材料に圧力を加える静水圧（ｉｓｏｓｔａｔｉｃ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ）、または、１つの方向のみから圧力を加える一軸圧力を用いて、一緒にお互いに対して積み重ねられる・積層される（ｌａｍｉｎａｔｅｄ）（例えば、機械的に圧力を加えて）。その後、積層基板は、上述したようにさらに処理されて、処理される基板に適切な温度（上で述べた材料に関しては、およそ８５０℃から９００℃）で焼かれるためにオーブンに置かれる。
【００７２】
用いられる基板材料にとって適切な割合で温度を上昇させるために、複数のセラミックテープ層が制御される。温度の増加率、最終温度、冷却特性、必要な保持・支え（ｈｏｌｄｓ）のような処理条件を、基板材料とこれの上に設けられるいかなる材料を考慮して選択してよい。焼いた後に、積み重ねられた基板ボードは、代表的には、光学顕微鏡を用いて欠陥に関して検査される。
【００７３】
積み重ねられたセラミック基板は、その後、回路の機能的要求を満足させるために必要とされる小ささになるように帯状の（ｃｉｎｇｕｌａｔｅｄ）片にカットされる（ｄｉｃｅｄ）。最終的な検査の後に、誘電特性、磁気特性および／または電気的特性が特定された制限の範囲内におさまることを保証するために、様々な特性の評価のために、帯状の基板片は、検査固定物（ｔｅｓｔ　ｆｉｘｔｕｒｅ）に設置される。
【００７４】
このように、局部的に調整可能な誘電特性および／または磁気特性を誘電性基板材料に与えて回路の密度と性能を改善させることが可能である。誘電性の融通性によって、これに依存するフィードラインインピーダンスとダイポールアンテナ要素の最適化を行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】寸法を減少させ要素の放射効率を改善するために基板に形成されたアンテナ要素の上面図である。
【図２】図１のライン２−２に沿った図１の放射要素の横断面図である。
【図３】図１のアンテナ要素とその関連フィードライン回路の別の実施形態の上面図である。
【図４】減少させられた物理的寸法と高い放射効率のアンテナを製造するプロセスを示すフローチャートである。
【図５】インピーダンス帯域幅を改善させるためにコンデンサーがアンテナ要素の間に加えられた本発明の別の実施形態の上面図である。
【図６】図５のライン６−６に沿った図５の実施形態の横断面図である。
【図７】一連のリアクタンス性要素が、ループ放射要素の長さに沿って差し込まれた本発明の別の実施形態の上面図である。
【図８】図７のライン８−８に沿った図７の実施形態の横断面図である。
【図９】スリーブ要素が加えられた本発明の別の実施形態の上面図である。
【図１０】図９のライン９−９に沿った図９の実施形態の横断面図である。
【符号の説明】
１００　誘電性層
１０２　アンテナ
１０３　アンテナ要素
１０４　第１領域
１０６　第２領域
１１０　グラウンド面
７００　ループアンテナ要素
７０１　誘電性層
７０３　グラウンド面

Claims

改善されたインピーダンス帯域幅を持つダイポールアンテナであって：
複数の領域を持つ誘電性基板であり、当該複数の領域の各々は特性比誘電率と特性比透磁率を持つところの誘電性基板；
伝導経路を定義し、第１透磁率と第１誘電率を持つ前記誘電性基板の第１領域に選択的に形成された第１ダイポール放射要素と第２ダイポール放射要素；および
前記第１ダイポール要素と前記第２ダイポール要素との間に設けられ、前記第１ダイポール要素を前記第２ダイポール要素にリアクタンス的に接続するリアクタンス性接続要素であり、当該リアクタンス性接続要素に関して望まれるリアクタンス値を与えるように第２誘電率と第２透磁率を持つ前記誘電性基板の第２特性領域に接続されるところのリアクタンス性接続要素；
から構成され、前記第１特性領域および前記第２特性領域は、誘電率と透磁率のうち少なくとも一方に関して、前記誘電性基板の第３特性領域と異なることを特徴とするダイポールアンテナ。
アンテナであって：
複数の領域を持つ誘電性基板であり、当該複数の領域の各々は誘電率と透磁率を持つところの誘電性基板；
伝導経路を定義し、第１透磁率と第１誘電率を持つ前記誘電性基板の第１特性領域に形成された少なくとも１つの放射要素；および
ギャップによって分離させられた前記伝導経路の部分の間に設けられた少なくとも１つのリアクタンス性接続要素であり、当該リアクタンス性接続要素に関して望ましいリアクタンス値を与えるように第２誘電率と第２透磁率を持つ前記誘電性基板の第２特性領域に接続されるリアクタンス性接続要素；
から構成され、前記第１特性領域および前記第２特性領域は、誘電率と透磁率のうち少なくとも一方に関して、前記誘電性基板の第３特性領域と異なることを特徴とするアンテナ。
前記第３特性領域の第３誘電率と第３透磁率のうち少なくとも一方が、それぞれ、前記第１および第２誘電率と前記第１および前記２透磁率のうち少なくとも一方の率よりも値が小さいことを特徴とする請求項２に記載のアンテナ。
前記第３特性領域の第３誘電率と第３透磁率のうち少なくとも一方が、それぞれ、前記第１および第２誘電率と前記第１および前記２透磁率のうち少なくとも一方の率よりも値が大きいことを特徴とする請求項２に記載のアンテナ。
前記リアクタンス性接続要素は、コンデンサーとインダクターのうち少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項２に記載のアンテナ。
前記リアクタンス性接続要素は、前記ギャップによって分離させられた前記伝導経路の隣接端部の間に接続される容量結合から構成されることを特徴とする請求項２に記載のアンテナ。
前記容量結合は、前記第２誘電率によって少なくとも部分的に決定されることを特徴とする請求項２に記載のアンテナ。
前記第１透磁率と前記第２透磁率のうち少なくとも一方は、複合材料を前記誘電性材料に加えることによって制御されることを特徴とする請求項２期のアンテナ。
前記第１誘電率と前記第２誘電率のうち少なくとも一方は、複合材料を前記誘電性材料に加えることによって制御されることを特徴とする請求項２期のアンテナ。