JP2004022073A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】リファレンスとして使用するリファレンスセルの数を削減した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリセルアレイ11は、複数のメモリセル21が接続されたビット線BL(BLT又はBLN)を有する。リファレンスセルアレイ12は、所定数のリファレンスセル22が接続されたリファレンスビット線RB(RBT又はRBN)を有する。センスアンプ24は、データの読み出しに際して、ビット線BLとリファレンスビット線RBとの間に生じた電位差を増幅する。同じセンスアンプ24に接続された、ビット線BLの容量及び抵抗と、リファレンスビット線RBの容量及び抵抗とは、ほぼ同じ値に調整される。
【選択図】 図1
【解決手段】メモリセルアレイ11は、複数のメモリセル21が接続されたビット線BL(BLT又はBLN)を有する。リファレンスセルアレイ12は、所定数のリファレンスセル22が接続されたリファレンスビット線RB(RBT又はRBN)を有する。センスアンプ24は、データの読み出しに際して、ビット線BLとリファレンスビット線RBとの間に生じた電位差を増幅する。同じセンスアンプ24に接続された、ビット線BLの容量及び抵抗と、リファレンスビット線RBの容量及び抵抗とは、ほぼ同じ値に調整される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体記憶装置に関し、更に詳しくは、オープンビット線構成の半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
オープンビット構成の半導体装置では、センスアンプは、異なるメモリセルアレイに配置された互いに相補なビット線間に生じた電位差を増幅することで、データが1(Hレベル)であるか、或いは、0(Lレベル)であるかを判別する。図9は、従来のオープンビット構成の半導体記憶装置の構成を示している。半導体記憶装置は、列方向に順次に並ぶ、0番目からk番目までのメモリセルアレイから成る、計(k+1)個のメモリセルアレイ11、及び、対応する数のセンスアンプ24を備えるセンスアンプ列13を備える。
【0003】
各メモリセルアレイ11は、2×(m+1)本のビット線BLT、又は、ビット線BLNと、(n+1)本のワード線WLとを備える。ビット線BLNは、ビット線BLTに対して相補なビット線である。また、各ビット線BLT又はBLN(以下、特に区別しないときには単にビット線BLと呼ぶ)と、各ワード線WLとの交点には、計2×(m+1)×(n+1)個のメモリセル21が配置される。各メモリセル21は、1個のトランジスタと1個の容量とから成る。
【0004】
各センスアンプ列13は、隣接する2つのメモリセルアレイ11間に配置され、計(m+1)個のセンスアンプ24を有する。各センスアンプ24は、一方のメモリセルアレイ11のビット線BL、及び、そのビット線BLに相補な他方のメモリセルアレイ11のビット線BLと接続する。各センスアンプ24は、接続する双方のビット線BL間に生じた電位差を増幅し、電位が高い方のビット線BLの電位をHレベルに、電位が低い方のビット線BLの電位をLレベルにする。
【0005】
図10は、センスアンプ24がメモリセル21からデータを読み取る際の動作を、タイミングチャートとして示している。以下、図9及び図10を参照し、例として、1番目のセンスアンプ列13のセンスアンプ24が、1列目のメモリセルアレイ11のメモリセル21のデータを読み取る場合の動作について説明する。
【0006】
半導体記憶装置では、図示しない伝達制御トランジスタ(トランスファトランジスタ)のゲートに、Hレベル(ワード線昇圧電源VPPレベル)の伝達制御信号TGが入力され、センスアンプ24と、0列目メモリセルアレイ11のビット線BLT、及び、1列目のメモリセルアレイ11のビット線BLNとが接続される。また、双方のビット線BLは、ビット線バランス電源電圧VHVDにバランスされる。
【0007】
データの読み取りに際して、1列目のメモリセルアレイ11では、読み取り対象のメモリセル21のワード線WLが、Hレベル(VPPレベル)に活性化され、ビット線BTNに接続されるメモリセル21が選択される。このとき、0列目のメモリセルアレイ11では、1列目のメモリセルアレイ11で選択されたメモリセル21に対して相補なデータが記憶されたメモリセル21のワード線WLが、Hレベル(VPPレベル)に活性化され、ビット線BLTに接続されるメモリセル21が選択される。
【0008】
ワード線WLが活性化されると、選択されたメモリセル21に記憶されたデータは、1列目のメモリセルアレイ11ではビット線BLTに、0列目のメモリセルアレイ11ではビット線BLNに、それぞれ出力される。上記したように、双方のメモリセル21に記憶されたデータは互いに相補であるため、1列目のメモリセルアレイ11内のビット線BLTと、0列目のメモリセルアレイ11内のビット線BLNとの間には、小さな電位差が生じる。
【0009】
センスアンプ24に入力されるセンスアンプ活性化信号SEが、周辺回路用降圧電源電圧VPERIに活性化されると、センスアンプ24が動作を開始する。センスアンプ24は、1列目のメモリセルアレイ11内のビット線BLNと、0列目のメモリセルアレイ11内のビット線BLTとの間に生じた電位差を増幅し、一方のビット線BLをHレベル(VDLレベル:メモリセルアレイ用降圧電源電圧)にし、他方のビット線BLをLレベル(GNDレベル)にする。
【0010】
双方のビット線BL間に生じた電位差が増幅されると、Hレベル、又は、Lレベルのデータが、選択されているメモリセル21にそれぞれ書き込まれる。選択されている双方のメモリセル21のワード線WLがLレベル(GND)に非活性化されると、メモリセル21とビット線BLとの接続が解除される。センスアンプ活性化信号SEがLレベルに非活性化されると、センスアンプ24は動作を終了し、双方のビット線BLは、再び、ビット線バランス電源電圧VHVDにバランスされる。
【0011】
半導体記憶装置では、上記したように、各センスアンプ24は、一方のメモリセルアレイ11のビット線BLTに接続されたメモリセル21のデータを読み取る際には、他方のメモリセルアレイ11のビット線BLNに接続され、相補なデータを記憶するメモリセル21をリファレンスとして使用する。また、一方のメモリセルアレイ11のビット線BLNに接続されたメモリセル21のデータを読み取る際には、他方のメモリセルアレイ11のビット線BLTに接続され、相補なデータを記憶するメモリセル21をリファレンスとして使用する。
【0012】
DRAM等の半導体装置では、センスアンプ24は、ビット線BLに接続されたメモリセル21からデータを読み取る際に、そのビット線BLと同じ電位にプリチャージされ、かつ、そのビット線と同じ配線抵抗及び配線容量を有するビット線BLをダミー(リファレンス)ビット線として使用することで、ノイズ等の影響を低減して、安定的にデータを読み取ることができる。また、リファレンスとして使用するビット線BLに、読み出し対象のビット線BLに接続されたメモリセル21に対して相補なデータを書き込んだメモリセル21を接続することで、差増幅におけるノイズマージンが大きくなり、読み出し精度を向上することができる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、各センスアンプ24は隣接する2つのメモリセルアレイ11間に配置されるため、図9における0列目(左端)のメモリセルアレイ11、及び、k列目(右端)のメモリセルアレイ11には、同図中に●で示した、センスアンプ24に接続されないメモリセル21が存在する。このため、これらのメモリセルアレイ11に配置されたメモリセル21のうち、半分のメモリセル21が使用されていないことになる。
【0014】
また、センスアンプ24が双方のビット線BLの間に生じた電圧差を安定的に増幅することができるようにするため、双方のビット線BLは、配線長や接続するメモリセル21の数が同じ値に設定されている。例えば、双方のビット線BLに接続されたメモリセルの数が同数でない場合には、センスアンプ24側から見た双方のビット線BLの配線抵抗及び配線容量がアンバランスとなって、双方のビット線BLの間に生じた電位差を正しく増幅することができず、データを誤って読み取る恐れがある。
【0015】
図9に示す半導体記憶装置では、右端、及び、左端のメモリセルアレイ11を、センスアンプ24の差増幅におけるリファレンスとしてのみ使用する場合には、これらのメモリセルアレイ11のメモリセル21は、半導体記憶装置の記憶容量には直接関係がない。このため、リファレンスとして使用されるメモリセルアレイ11のメモリセルの数を、データを記憶するメモリセルアレイ11のメモリセルの数よりも少なくし、半導体記憶装置全体の面積を縮小したいという要求がある。しかし、リファレンスとして使用されるメモリセルアレイ11に配置された、同図中に●で示す使用されないメモリセル21を省くことはできるが、上記した理由により、右端、及び、左端のメモリセルアレイ11のビット線BLに接続されるメモリセル21の数を減らすことはできないという問題があった。
【0016】
本発明は、上記問題を解消し、リファレンスとして使用されるメモリセル数を削減しながら、センスアンプの差増幅を良好に行うことができる半導体呼記憶装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体記憶装置は、複数のメモリセルが接続されたビット線と、所定数のリファレンスセルが接続されて、前記ビット線の容量及び抵抗に対応する容量及び抵抗を有するリファレンスビット線と、前記ビット線及びリファレンスビット線にバランス電位を供給するプリチャージ回路と、選択されたメモリセルが導通した前記ビット線の電位とリファレンスビット線の電位との差を増幅するセンスアンプとを備えることを特徴とする。
【0018】
本発明の半導体記憶装置では、同じセンスアンプに接続する、ビット線、及び、ビット線に接続されたメモリセル数より少ない所定数のリファレンスセルが接続されたリファレンスビット線の抵抗及び容量が、ほぼ同じ値になるように調整される。このため、使用する素子数を減少しながらも、メモリセルからデータを読み出す際に、ビット線とリファレンスビット線との間に生じた電位差をセンスアンプが増幅する動作を、良好に行なうことができる。
【0019】
本発明の半導体記憶装置は、複数の第1のメモリセルから成る第1のメモリセルアレイと、該第1のメモリセルのデータと相補なデータを記憶する複数の第2のメモリセルから成る第2のメモリセルアレイとを交互に配設し、前記第1のメモリセルアレイ及び前記第2のメモリセルアレイのビット線の一端にセンスアンプを千鳥状に接続したオープンビット構成の半導体記憶装置において、前記第1のメモリセルアレイと前記第2のメモリセルアレイとの間に配設されない端部のセンスアンプに対応して配設され、所定数のリファレンスセルが接続される、メモリセルアレイのビット線に対応する容量及び抵抗を有するリファレンスビット線と、前記ビット線及びリファレンスビット線にバランス電位を供給するプリチャージ回路とを備え、前記端部のセンスアンプは、該端部のセンスアンプに接続されたビット線の電位と前記リファレンスビット線の電位との差を増幅することを特徴とする。
【0020】
本発明の半導体装置では、センスアンプは、第1及び第2のメモリセルアレイのビット線の一端に千鳥上に、つまり、ビット線の一端と、ビット線の他端とに交互に配設される。第1及び第2のメモリセルアレイは、列方向に交互に配設され、センスアンプは、隣接する第1のメモリセルアレイと、第2のメモリセルアレイとの間を接続する。第1及び第2のメモリセルアレイ内の対応するメモリセルには互いに相補なデータが記憶され、センスアンプが一方のメモリセルアレイ内のメモリセルを読み出す際には、他方のメモリセルアレイ内のメモリセルがリファレンスとして使用される。このとき、隣接する第1及び第2のメモリセルアレイ間に配設されない両方の端部のセンスアンプは、第1又は第2のメモリセルアレイと、リファレンスとして使用されるリファレンスセルアレイとの間を接続する。リファレンスセルアレイは、メモリセルアレイ内のメモリセル数よりも少ない数のリファレンスセルを有し、リファレンスビット線が、対応するメモリセルアレイのビット線と同じ抵抗及び容量を持つように設定される。このため、リファレンスセルアレイの面積をメモリセルアレイよりも小さくしながらも、メモリセルアレイ内のメモリセルからデータを読み出す際に、メモリセルアレイ内のビット線と、リファレンスセルアレイ内のリファレンスビット線との間に生じた電位差をセンスアンプが増幅する動作を、良好に行なうことができる。
【0021】
本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスセルの夫々は、各メモリセルのトランジスタ及びキャパシタと同じトランジスタ及びキャパシタを備え、各リファレンスセルのトランジスタのゲートには、調整された電位が供給されることが好ましい。この場合、リファレンスセルは、メモリセルと同様な工程で製造でき、調整された電圧をトランジスタのゲートに入力されることで、リファレンスビット線の抵抗及び容量を、ビット線の抵抗及び容量とほぼ同じ値に調整することができる。
【0022】
また、本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスセルは、リファレンスセルアレイを構成し、各リファレンスビット線に直交するリファレンスワード線には、前記調整された電位が供給されることが好ましい。この場合、リファレンスワード線からリファレンスセルのトランジスタのゲートに調整された電圧を入力することで、リファレンスセルアレイ内のリファレンスビット線の抵抗及び容量を適切な値に設定することができる。
【0023】
本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスビット線が、半導体基板内の拡散層によって構成されることが好ましい。この場合、拡散層の抵抗値等を適切に設定することで、リファレンスビット線の抵抗及び容量を適切な値に設定することができる。
【0024】
本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスセルは、メモリセルのキャパシタの容量と同じ容量のキャパシタを有することが好ましい。この場合、リファレンスセルを、メモリセルと同様な工程で製造することができる。
【0025】
本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスビット線には、微調整用リファレンスセルが更に接続され、該微調整用リファレンスセルは、メモリセルのキャパシタの容量よりも小さな容量のキャパシタを有することが好ましい。この場合、メモリセルのキャパシタの容量よりも小さな容量のキャパシタを有する微調整用リファレンスセルを使用することで、リファレンスビット線の抵抗及び容量の微調整が可能となる。
【0026】
本発明の半導体記憶装置では、前記微調整用リファレンスセルのキャパシタは、メモリセルのキャパシタの容量の1/2の容量を有することが好ましい。この場合、微調整用リファレンスセルのキャパシタは、メモリセルと同じ容量のキャパシタを2つ直列に接続することより得られる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態例に基づいて、本発明を更に詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施形態例のオープンビット構成の半導体記憶装置の構成を示している。半導体記憶装置は、(k−1)個のメモリセルアレイ11、2つのリファレンスセルアレイ12、及び、k個のセンスアンプ列13を備える。図1に示す半導体記憶装置は、図9に示す0列目及びk列目のメモリセルアレイ11が、リファレンスセルアレイ12に置き換わる点で、従来の半導体記憶装置と相違する。
【0028】
各メモリセルアレイ11は、1列目から(k−1)列目までに配置され、2×(m+1)本のビット線BLT、又は、2×(m+1)本のビット線BLNと、(n+1)本のワード線WLとを備える。また、ビット線BLと、ワード線WLとの交点には、計2×(n+1)×(m+1)個のメモリセル21が配置される。同じセンスアンプ24に接続される、ビット線BLTのメモリセル21に記憶されるデータと、そのメモリセルに対応する、ビット線BLNのメモリセル21に記憶されるデータとは、互いに相補な関係にある。
【0029】
リファレンスセルアレイ12は、0列目、及び、k列目に配置され、(m+1)本のリファレンスビット線RBT又はRBN(以下、特に区別しないときには単にリファレンスビット線RBと呼ぶ)と、(p+1)本の調整用信号線φi(i=0〜p:図1の例ではp=3)とを備える。また、リファレンスビット線RBと、調整用信号線φi(i=1〜p)との交点には、計p×(m+1)個のリファレンスセル22が配置され、調整用信号線φ0と、リファレンスビット線RBとの交点には、計(m+1)個の微調整用リファレンスセル23が配置される。
【0030】
メモリセルアレイ11内に配設される2×(n+1)×(m+1)個のメモリセル21のそれぞれは、トランジスタ及びキャパシタからなり、「1」又は「0」のデータを記憶する。リファレンスセルアレイ12に配置されるp×(m+1)個のリファレンスセル22は、メモリセル21と同様なトランジスタ及びキャパシタからなり、メモリセル21のデータの読み取りに際してリファレンスとして使用される。
【0031】
調整用信号線φi(i=1〜p)は、可変抵抗Rφを介してワード線昇圧電源VPPに接続し、可変抵抗Rφで調整された電圧を、対応するリファレンスセル22のトランジスタのゲートに供給する。各リファレンスセル22のトランジスタは、調整用信号線φiの電圧値に応じたオン抵抗に制御される。可変抵抗Rφは、抵抗素子とヒューズとを並列に接続したペアを複数個直列に接続し、ヒューズをトリミング(レーザによるヒューズカット)することにより、抵抗値が設定される。
【0032】
微調整用リファレンスセル23は、メモリセル21のトランジスタと同様なトランジスタと、メモリセル21で使用されるキャパシタの容量の半分の容量を有するキャパシタとから構成され、メモリセル11の製造バラツキに対する補正用として使用される。微調整用リファレンスセル23のトランジスタのゲートは、調整用信号線φ0、及び、ヒューズを介してワード線昇圧電源VPPに接続される。ヒューズの断続を選択することで、微調整用リファレンスセル23を使用するか否かを選択する。
【0033】
センスアンプ列13は、(m+1)個のセンスアンプ24を有し、隣接する各列のメモリセルアレイ11間、又は、メモリセルアレイ11とリファレンスセルアレイ12との間に配置される。隣接する2つのメモリセルアレイ12間に配置される2列目から(k−1)列目までの各センスアンプ列13では、各センスアンプ24は、一方のメモリセルアレイ11のビット線BL、及び、そのビット線BLに相補な他方のメモリセルアレイ11のビット線BLと接続する。各センスアンプ24は、一方のメモリセルアレイ11のビット線BLに接続されたメモリセル21のデータを読み取る際に、他方のメモリセルアレイ11に配置されたビット線BLに接続されたメモリセル21をリファレンスとして使用する。
【0034】
1列目のメモリセルアレイ11と、0列目のリファレンスセルアレイ12との間に配置された1列目のセンスアンプ列13、及び、(k−1)列目のメモリセルアレイ11と、k列目のリファレンスセルアレイ12との間に配置されたk列目のセンスアンプ列13では、各センスアンプ24は、メモリセルアレイ11に配置されたビット線BL、及び、そのビット線BLに対して相補なダミービット線として使用されるリファレンスビット線RBと接続する。各センスアンプ13は、ビット線BLに接続されたメモリセル21からデータを読み取る際に、リファレンスビット線RBに接続されたリファレンスセル22をリファレンスとして使用する。
【0035】
図2は、図1のリファレンスセルアレイ12の構造を、リファレンスビット線RB方向の断面図として示している。リファレンスセルアレイ12内に配置された各リファレンスセル22では、トランジスタのソース、及び、ドレインはN+拡散層31で形成され、トランジスタは、素子分離層32によって分離される。トランジスタのドレインは、コンタクトCt2を介してリファレンスビットRB線と接続され、ソースは、コンタクトCt1を介して容量形成シリンダCL(容量Cr)と接続される。トランジスタのゲート34には、調整用信号φi(i=1〜p)が入力される。容量形成シリンダCLは、セル対極プレート33と接続されており、セル対極プレート33にはセル対極プレート電源VHVPが供給される。
【0036】
微調整用リファレンスセル23では、トランジスタのソース、及び、ドレインはN+拡散層31で形成され、トランジスタのドレインは、コンタクトCt2を介してリファレンスビットRB線と接続される。2つの容量形成シリンダCL(容量Cr)は、セル対極プレート電源VHVP及びトランジスタのソースに対して直列に接続される。一方の容量形成シリンダCLは、コンタクトCt1、N+拡散層31、及び、コンタクタCt1を介してセル対極プレート電源VHVPに接続し、他方の容量形成シリンダCLは、コンタクトCt1を介してトランジスタのソースに接続される。微調整用リファレンスセル23では、容量形成シリンダCLが2つ直列に接続されるため、合成の容量値は、Cr/2となる。
【0037】
図3は、センスアンプ24と、メモリセルアレイ11及びリファレンスセルアレイ12との接続を、等価回路として示している。センスアンプ24は、伝達制御トランジスタ25を介して、ビット線BL及びリファレンスビット線RBと接続する。なお、同図において、抵抗Rct1は、コンタクトCt1の抵抗成分を示し、抵抗Rct2は、コンタクトCt2の抵抗成分を示している。また、メモリセルアレイ12内の各メモリセル21は、図2に示すリファレンスセル22と同様な構成を有する。
【0038】
センスアンプ24は、センスアンプ活性化信号SEと、ビット線バランス電源VHVDとを入力する。伝達制御トランジスタ25は、伝達制御信号TGによってビット線BL及びリファレンスビット線RBの接続を制御する。ビット線BLは、メモリセル21を(n+1)個並列に接続し、各メモリセル21の等価回路は、トランジスタ、抵抗Rct2、抵抗Rct1、及び、容量Csから成る。各メモリセル21のトランジスタにおいて、ゲートは、対応するワード線WLと接続し、ドレインは、抵抗Rct2を介してビットBL線と接続する。また、ソースは、抵抗Rct1を介して容量Csと接続し、容量の対極にはセル対極電源VHVPと接続する。
【0039】
リファレンスビット線RBは、3つ(p個)のリファレンスセル22と、1つの微調整用リファレンスセル23とを並列に接続する。各リファレンスセル22の等価回路は、トランジスタのゲートが調整用信号線φiに接続される点、及び、ビット線BLがリファレンスビット線RBに代わる点を除いて、上記したメモリセル21の等価回路と同様である。微調整用リファレンスセル23の等価回路は、トランジスタのゲートに調整用信号φ0が入力される点、及び、容量Crが2個直列に接続され抵抗Rct2を介してセル対極電源VHVPに接続される点を除いて、メモリセル21の等価回路と同様である。
【0040】
図4は、センスアンプ24が、メモリセルアレイ11のメモリセル21のデータを、リファレンスセルアレイ12を参照して読み込み際の動作をタイミングチャートとして示している。以下、図1〜図4を参照して、本実施形態例の半導体記憶装置の読み出し動作について説明する。なお、隣接する2つのメモリセルアレイ11間に配置されたセンスアンプ24が、一方のメモリセルアレイ11のメモリセル21のデータを読み込む際の動作は、従来技術で説明した図10に示すタイミングチャートと同様である。
【0041】
メモリセル21の読み込みに際して、半導体記憶装置では、伝達制御トランジスタ25に入力される伝達制御信号TGは、ワード線活性化電源VPPに活性化される。また、調整用信号線φi(i=1〜p)には、対応する可変抵抗Rφで調整された電圧が供給され、各リファレンスセル22のトランジスタは、それぞれのゲートに供給される調整用信号φiの電圧値に応じたオン抵抗で、リファレンスビット線RB側と、容量Cr側とを接続する。
【0042】
前述のように、微調整用リファレンスセル23を使用するか否かはヒューズの断続によって選択可能であり、ヒューズを接続した場合には、調整用信号線φ0はワード線昇圧電源VPPへ活性化される。このとき、微調整用リファレンスセル23のトランジスタは、リファレンスビット線RB側と、容量Cr/2側とを接続する。ヒューズを切断した場合には、微調整用リファレンスセル23のトランジスタはOFFとなり、リファレンスビット線RB側と、容量Cr/2側とを切り離す。
【0043】
読み込み動作前におけるセンスアンプ活性化信号SE、及び、ワード線WLに供給される信号は、それぞれGNDレベル、又は、VKKレベルであり、センスアンプ24に接続されているリファレンスビット線RB、及び、ビット線BLは、センスアンプ24に入力されるビット線バランス電源VHVDでバランスされる。このとき、ビット線BLの配線抵抗及び配線容量と、リファレンスビット線RBの配線抵抗及び配線容量とが、ほぼ同じ値となるように、可変抵抗Rφの抵抗値、及び、調整用信号線φ0のヒューズの断続が設定される。
【0044】
メモリセルアレイ内の何れかのワード線WLが活性化されると、そのワード線WLに接続されたメモリセル21のトランジスタがオンとなり、容量Csがビット線BLに接続される。容量Csに記憶された「1」又は「0」データは、ビット線BLに出力され、ビット線BLの電位は上昇又は下降する。センスアンプ活性化信号SEが活性化されると、センスアンプが動作を開始し、ビット線BLと、リファレンスビット線RBとの間に生じた電位差を増幅する。
【0045】
センスアンプ24による差増幅の結果、ビット線BLは、メモリセル21が「1」を記憶していた場合にはメモリセルアレイ用降圧電源VDLとなり、メモリセル21が「0」を記憶していた場合にはGNDレベルになる。また、リファレンスビット線RBは、ビット線BLがメモリセルアレイ用降圧電源VDLとなった場合にはGNDレベルとなり、ビット線BLがGNDレベルとなった場合には、メモリセルアレイ用降圧電源VDLとなる。このとき、活性化されたワード線WLに接続されたメモリセル21の容量Csには、差増幅されたビット線BLの電圧値(メモリセルアレイ用降圧電源VDL又はGNDレベル)が入力される。
【0046】
ワード線WLが再び非活性化されると、そのワード線WLに接続されたメモリセル21のトランジスタはOFFとなり、容量Csはビット線BLから切り離される。次いで、センスアンプ活性化信号SEが非活性化されると、センスアンプ24は動作を終了し、センスアンプ24に接続されているリファレンスビット線RB及びビット線BLは、再びビット線バランス電源VHVDでバランスされる。
【0047】
本実施形態例では、リファレンスセル22に配置されたトランジスタのゲートに入力する電圧値を調整することで、リファレンスビット線RBの配線抵抗及び配線容量を、適切な値に調整する。また、Cr/2の容量を持つ微調整用リファレンスセル23のリファレンスビット線RBへの接続を制御することで、リファレンスビット線RBの配線抵抗及び配線容量値を微調整する。このため、リファレンスセル22を配置する数を、メモリセル21を配置する数より少なくして、リファレンスセルアレイ12の面積を減少しながらも、データの読み出し時におけるセンスアンプ24の差増幅が適切に行なわれる。
【0048】
通常、メモリセル21やリファレンスセル22、微調整用リファレンスセル23では、容量Cs、Crや、抵抗Rct1、抵抗Rct2などは製造バラツキによってその値が変動する。本実施形態例では、レーザによるヒューズカットなどでリファレンスセル22に入力する可変抵抗Rφの値を調整できるため、半導体記憶装置の製作後においても、リファレンスビット線RBの配線抵抗及び配線容量を調整することができる。
【0049】
図5は、本発明の第2実施形態例の半導体記憶装置の動作をタイミングチャートとして示している。本実施形態例の半導体記憶装置は、伝達制御信号TGが、メモリセル21の読み込み開始時に一定期間Lレベルにされる点で、第1実施形態例と相違する。
【0050】
データの読み込みに際して、センスアンプ活性化信号SEが活性化される時刻に、伝達制御信号TGを一時的に非活性化し、所定時間経過後に再活性化する。伝達制御信号TGが非活性化されている間は、センスアンプ24と、リファレンスビット線RB及びビット線BLとの接続が切断される。このため、センスアンプ24側から見た配線の抵抗及び容量が減少し、センスアンプ24での差増幅の動作が高速化できる。伝達制御信号TGが再活性化されると、センスアンプ24によって差増幅された信号が、リファレンスビット線RB及びビット線BLに入力される。
【0051】
本実施形態例では、センスアンプ活性化信号SEが活性化される時刻から一定時間だけ、伝達制御信号TGを非活性化するため、センスアンプ24の差増幅を高速に行うことができる。なお、図10に示すタイミングチャートにおいて、図6と同様に、センスアンプ活性化信号SEが活性化される時刻から一定時間だけ、伝達制御信号TGを非活性化することで、隣接する2つのメモリセルアレイ11間に配置されたセンスアンプ24が、一方のメモリセルアレイ11のメモリセル21のデータを読み込む動作も、同様に高速化できる。
【0052】
図6は、本発明の第3実施形態例の半導体記憶装置の構成をブロック図として示している。また、図7は、図6のリファレンスセルアレイ12の構造を、リファレンスビット線RB方向の断面図として示している。本実施形態例は、可変抵抗Rφが配置されない点、リファレンスセル22にトランジスタが配置されない点、及び、リファレンスビット線RBがインピーダンス線路で構成される点で、第1実施形態例又は第2実施形態例と相違する。
【0053】
図6に示す半導体装置では、リファレンスセル22は、1本のリファレンスビット線RBに対して3個(p個)接続されている。リファレンスセルアレイ12は、図7に示す構造を有し、リファレンスビット線RBは、N+拡散層31により構成されている。リファレンスセル21の容量Crは、コンタクトCt1を介してリファレンスビット線RBに接続する。
【0054】
図8は、センスアンプ24と、メモリセルアレイ11及びリファレンスセルアレイ12との接続を、等価回路として示している。リファレンスビット線RBは、拡散層抵抗Rdiff、及び、拡散層容量Cdiffから構成され、リファレンスセル22は、抵抗Ct1、及び、容量Crによって、リファレンスビット線RBと、セル対極電源VHVPとを接続する。なお、拡散層容量Cdiffの対極電位は、基盤電源VBBである。
【0055】
本実施形態例では、リファレンスビット線RBをN+拡散層31で形成するため、拡散層抵抗Rdiffを適切に設定することで、リファレンスビット線の配線抵抗及び配線容量を適切に設定することができる。このため上記実施形態例と同様にセンスアンプの差増幅を良好に行なうことができる。
【0056】
なお、上記実施形態例では、微調整用リファレンスセル23はヒューズを介して電源VPPと接続する例を示したが、これに代えて、調整用信号線φi(i=1〜p)と同様に、可変抵抗Rφを介して電源VPPへ接続しても良い。また、第1又は第2の実施形態例においても、リファレンスビット線RBを抵抗要素、及び/又は容量要素を有する配線とすることもできる。微調整用リファレンスセル23のキャパシタは、容量がCr/2に限定されるものではなく、容量Crよりも小さい値であれば良い。例えば、図2において、容量形成シリンダCLをn個だけ直列に接続することで、容量がCr/nの微調整用リファレンスセル23が得られる。
【0057】
以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明の半導体記憶装置は、上記実施形態例にのみ限定されるものでなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施した半導体記憶装置も、本発明の範囲に含まれる。例えば、可変抵抗Rφは、設定に際してリファレンスメモリセルのトランジスタのゲートに入力される電圧値を調整できるものであればよく、これを可変電源に置き換えてもよい。
【0058】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体記憶装置では、リファレンスとして使用されるビット線の配線抵抗及び配線容量を、読み出し対象のメモリセルを接続するビット線の配線抵抗及び配線容量と同じ値に調整できる。このため、読み出し対象のビット線に接続するメモリセル数と、リファレンスとして使用するビット線に接続するダミーのメモリセル数とを同じ数にしない場合であっても、双方のビット線間に生じた電位差を増幅するセンスアンプの動作を、良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態例のオープンビット構成の半導体記憶装置の構成を示すブロック図。
【図2】図1のリファレンスセルアレイ12の構造を示す断面図。
【図3】図1の半導体装置における、センスアンプ24と、ビット線BL及びリファレンスビット線との接続を示す等価回路。
【図4】本発明の第1実施形態例の半導体記憶装置の読み出し時の動作を示すタイミングチャート。
【図5】本発明の第2実施形態例の半導体記憶装置の読み出し時の動作を示すタイミングチャート。
【図6】本発明の第3実施形態例の半導体記憶装置の構成を示すブロック図。
【図7】図6のリファレンスセルアレイ12の構造を示す断面図。
【図8】図6の半導体装置における、センスアンプ24と、ビット線BL及びリファレンスビット線RBとの接続を示す等価回路。
【図9】従来のオープンビット構成の半導体記憶装置の構成を示すブロック図。
【図10】図9の半導体記憶装置の読み出し時の動作を示すタイミングチャート。
【符号の説明】
11:メモリセルアレイ
12:リファレンスセルアレイ
13:センスアンプ列
21:メモリセル
22:リファレンスセル
23:微調整用リファレンスセル
24:センスアンプ
25:伝達制御トランジスタ
31:N+拡散層
32:素子分離
33:セル対極プレート
BLT、BLN:ビット線
RNT、RBN:リファレンスビット線
Rφ:可変抵抗
φi(i=0〜p):調整用信号
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体記憶装置に関し、更に詳しくは、オープンビット線構成の半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
オープンビット構成の半導体装置では、センスアンプは、異なるメモリセルアレイに配置された互いに相補なビット線間に生じた電位差を増幅することで、データが1(Hレベル)であるか、或いは、0(Lレベル)であるかを判別する。図9は、従来のオープンビット構成の半導体記憶装置の構成を示している。半導体記憶装置は、列方向に順次に並ぶ、0番目からk番目までのメモリセルアレイから成る、計(k+1)個のメモリセルアレイ11、及び、対応する数のセンスアンプ24を備えるセンスアンプ列13を備える。
【0003】
各メモリセルアレイ11は、2×(m+1)本のビット線BLT、又は、ビット線BLNと、(n+1)本のワード線WLとを備える。ビット線BLNは、ビット線BLTに対して相補なビット線である。また、各ビット線BLT又はBLN(以下、特に区別しないときには単にビット線BLと呼ぶ)と、各ワード線WLとの交点には、計2×(m+1)×(n+1)個のメモリセル21が配置される。各メモリセル21は、1個のトランジスタと1個の容量とから成る。
【0004】
各センスアンプ列13は、隣接する2つのメモリセルアレイ11間に配置され、計(m+1)個のセンスアンプ24を有する。各センスアンプ24は、一方のメモリセルアレイ11のビット線BL、及び、そのビット線BLに相補な他方のメモリセルアレイ11のビット線BLと接続する。各センスアンプ24は、接続する双方のビット線BL間に生じた電位差を増幅し、電位が高い方のビット線BLの電位をHレベルに、電位が低い方のビット線BLの電位をLレベルにする。
【0005】
図10は、センスアンプ24がメモリセル21からデータを読み取る際の動作を、タイミングチャートとして示している。以下、図9及び図10を参照し、例として、1番目のセンスアンプ列13のセンスアンプ24が、1列目のメモリセルアレイ11のメモリセル21のデータを読み取る場合の動作について説明する。
【0006】
半導体記憶装置では、図示しない伝達制御トランジスタ(トランスファトランジスタ)のゲートに、Hレベル(ワード線昇圧電源VPPレベル)の伝達制御信号TGが入力され、センスアンプ24と、0列目メモリセルアレイ11のビット線BLT、及び、1列目のメモリセルアレイ11のビット線BLNとが接続される。また、双方のビット線BLは、ビット線バランス電源電圧VHVDにバランスされる。
【0007】
データの読み取りに際して、1列目のメモリセルアレイ11では、読み取り対象のメモリセル21のワード線WLが、Hレベル(VPPレベル)に活性化され、ビット線BTNに接続されるメモリセル21が選択される。このとき、0列目のメモリセルアレイ11では、1列目のメモリセルアレイ11で選択されたメモリセル21に対して相補なデータが記憶されたメモリセル21のワード線WLが、Hレベル(VPPレベル)に活性化され、ビット線BLTに接続されるメモリセル21が選択される。
【0008】
ワード線WLが活性化されると、選択されたメモリセル21に記憶されたデータは、1列目のメモリセルアレイ11ではビット線BLTに、0列目のメモリセルアレイ11ではビット線BLNに、それぞれ出力される。上記したように、双方のメモリセル21に記憶されたデータは互いに相補であるため、1列目のメモリセルアレイ11内のビット線BLTと、0列目のメモリセルアレイ11内のビット線BLNとの間には、小さな電位差が生じる。
【0009】
センスアンプ24に入力されるセンスアンプ活性化信号SEが、周辺回路用降圧電源電圧VPERIに活性化されると、センスアンプ24が動作を開始する。センスアンプ24は、1列目のメモリセルアレイ11内のビット線BLNと、0列目のメモリセルアレイ11内のビット線BLTとの間に生じた電位差を増幅し、一方のビット線BLをHレベル(VDLレベル:メモリセルアレイ用降圧電源電圧)にし、他方のビット線BLをLレベル(GNDレベル)にする。
【0010】
双方のビット線BL間に生じた電位差が増幅されると、Hレベル、又は、Lレベルのデータが、選択されているメモリセル21にそれぞれ書き込まれる。選択されている双方のメモリセル21のワード線WLがLレベル(GND)に非活性化されると、メモリセル21とビット線BLとの接続が解除される。センスアンプ活性化信号SEがLレベルに非活性化されると、センスアンプ24は動作を終了し、双方のビット線BLは、再び、ビット線バランス電源電圧VHVDにバランスされる。
【0011】
半導体記憶装置では、上記したように、各センスアンプ24は、一方のメモリセルアレイ11のビット線BLTに接続されたメモリセル21のデータを読み取る際には、他方のメモリセルアレイ11のビット線BLNに接続され、相補なデータを記憶するメモリセル21をリファレンスとして使用する。また、一方のメモリセルアレイ11のビット線BLNに接続されたメモリセル21のデータを読み取る際には、他方のメモリセルアレイ11のビット線BLTに接続され、相補なデータを記憶するメモリセル21をリファレンスとして使用する。
【0012】
DRAM等の半導体装置では、センスアンプ24は、ビット線BLに接続されたメモリセル21からデータを読み取る際に、そのビット線BLと同じ電位にプリチャージされ、かつ、そのビット線と同じ配線抵抗及び配線容量を有するビット線BLをダミー(リファレンス)ビット線として使用することで、ノイズ等の影響を低減して、安定的にデータを読み取ることができる。また、リファレンスとして使用するビット線BLに、読み出し対象のビット線BLに接続されたメモリセル21に対して相補なデータを書き込んだメモリセル21を接続することで、差増幅におけるノイズマージンが大きくなり、読み出し精度を向上することができる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、各センスアンプ24は隣接する2つのメモリセルアレイ11間に配置されるため、図9における0列目(左端)のメモリセルアレイ11、及び、k列目(右端)のメモリセルアレイ11には、同図中に●で示した、センスアンプ24に接続されないメモリセル21が存在する。このため、これらのメモリセルアレイ11に配置されたメモリセル21のうち、半分のメモリセル21が使用されていないことになる。
【0014】
また、センスアンプ24が双方のビット線BLの間に生じた電圧差を安定的に増幅することができるようにするため、双方のビット線BLは、配線長や接続するメモリセル21の数が同じ値に設定されている。例えば、双方のビット線BLに接続されたメモリセルの数が同数でない場合には、センスアンプ24側から見た双方のビット線BLの配線抵抗及び配線容量がアンバランスとなって、双方のビット線BLの間に生じた電位差を正しく増幅することができず、データを誤って読み取る恐れがある。
【0015】
図9に示す半導体記憶装置では、右端、及び、左端のメモリセルアレイ11を、センスアンプ24の差増幅におけるリファレンスとしてのみ使用する場合には、これらのメモリセルアレイ11のメモリセル21は、半導体記憶装置の記憶容量には直接関係がない。このため、リファレンスとして使用されるメモリセルアレイ11のメモリセルの数を、データを記憶するメモリセルアレイ11のメモリセルの数よりも少なくし、半導体記憶装置全体の面積を縮小したいという要求がある。しかし、リファレンスとして使用されるメモリセルアレイ11に配置された、同図中に●で示す使用されないメモリセル21を省くことはできるが、上記した理由により、右端、及び、左端のメモリセルアレイ11のビット線BLに接続されるメモリセル21の数を減らすことはできないという問題があった。
【0016】
本発明は、上記問題を解消し、リファレンスとして使用されるメモリセル数を削減しながら、センスアンプの差増幅を良好に行うことができる半導体呼記憶装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体記憶装置は、複数のメモリセルが接続されたビット線と、所定数のリファレンスセルが接続されて、前記ビット線の容量及び抵抗に対応する容量及び抵抗を有するリファレンスビット線と、前記ビット線及びリファレンスビット線にバランス電位を供給するプリチャージ回路と、選択されたメモリセルが導通した前記ビット線の電位とリファレンスビット線の電位との差を増幅するセンスアンプとを備えることを特徴とする。
【0018】
本発明の半導体記憶装置では、同じセンスアンプに接続する、ビット線、及び、ビット線に接続されたメモリセル数より少ない所定数のリファレンスセルが接続されたリファレンスビット線の抵抗及び容量が、ほぼ同じ値になるように調整される。このため、使用する素子数を減少しながらも、メモリセルからデータを読み出す際に、ビット線とリファレンスビット線との間に生じた電位差をセンスアンプが増幅する動作を、良好に行なうことができる。
【0019】
本発明の半導体記憶装置は、複数の第1のメモリセルから成る第1のメモリセルアレイと、該第1のメモリセルのデータと相補なデータを記憶する複数の第2のメモリセルから成る第2のメモリセルアレイとを交互に配設し、前記第1のメモリセルアレイ及び前記第2のメモリセルアレイのビット線の一端にセンスアンプを千鳥状に接続したオープンビット構成の半導体記憶装置において、前記第1のメモリセルアレイと前記第2のメモリセルアレイとの間に配設されない端部のセンスアンプに対応して配設され、所定数のリファレンスセルが接続される、メモリセルアレイのビット線に対応する容量及び抵抗を有するリファレンスビット線と、前記ビット線及びリファレンスビット線にバランス電位を供給するプリチャージ回路とを備え、前記端部のセンスアンプは、該端部のセンスアンプに接続されたビット線の電位と前記リファレンスビット線の電位との差を増幅することを特徴とする。
【0020】
本発明の半導体装置では、センスアンプは、第1及び第2のメモリセルアレイのビット線の一端に千鳥上に、つまり、ビット線の一端と、ビット線の他端とに交互に配設される。第1及び第2のメモリセルアレイは、列方向に交互に配設され、センスアンプは、隣接する第1のメモリセルアレイと、第2のメモリセルアレイとの間を接続する。第1及び第2のメモリセルアレイ内の対応するメモリセルには互いに相補なデータが記憶され、センスアンプが一方のメモリセルアレイ内のメモリセルを読み出す際には、他方のメモリセルアレイ内のメモリセルがリファレンスとして使用される。このとき、隣接する第1及び第2のメモリセルアレイ間に配設されない両方の端部のセンスアンプは、第1又は第2のメモリセルアレイと、リファレンスとして使用されるリファレンスセルアレイとの間を接続する。リファレンスセルアレイは、メモリセルアレイ内のメモリセル数よりも少ない数のリファレンスセルを有し、リファレンスビット線が、対応するメモリセルアレイのビット線と同じ抵抗及び容量を持つように設定される。このため、リファレンスセルアレイの面積をメモリセルアレイよりも小さくしながらも、メモリセルアレイ内のメモリセルからデータを読み出す際に、メモリセルアレイ内のビット線と、リファレンスセルアレイ内のリファレンスビット線との間に生じた電位差をセンスアンプが増幅する動作を、良好に行なうことができる。
【0021】
本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスセルの夫々は、各メモリセルのトランジスタ及びキャパシタと同じトランジスタ及びキャパシタを備え、各リファレンスセルのトランジスタのゲートには、調整された電位が供給されることが好ましい。この場合、リファレンスセルは、メモリセルと同様な工程で製造でき、調整された電圧をトランジスタのゲートに入力されることで、リファレンスビット線の抵抗及び容量を、ビット線の抵抗及び容量とほぼ同じ値に調整することができる。
【0022】
また、本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスセルは、リファレンスセルアレイを構成し、各リファレンスビット線に直交するリファレンスワード線には、前記調整された電位が供給されることが好ましい。この場合、リファレンスワード線からリファレンスセルのトランジスタのゲートに調整された電圧を入力することで、リファレンスセルアレイ内のリファレンスビット線の抵抗及び容量を適切な値に設定することができる。
【0023】
本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスビット線が、半導体基板内の拡散層によって構成されることが好ましい。この場合、拡散層の抵抗値等を適切に設定することで、リファレンスビット線の抵抗及び容量を適切な値に設定することができる。
【0024】
本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスセルは、メモリセルのキャパシタの容量と同じ容量のキャパシタを有することが好ましい。この場合、リファレンスセルを、メモリセルと同様な工程で製造することができる。
【0025】
本発明の半導体記憶装置では、前記リファレンスビット線には、微調整用リファレンスセルが更に接続され、該微調整用リファレンスセルは、メモリセルのキャパシタの容量よりも小さな容量のキャパシタを有することが好ましい。この場合、メモリセルのキャパシタの容量よりも小さな容量のキャパシタを有する微調整用リファレンスセルを使用することで、リファレンスビット線の抵抗及び容量の微調整が可能となる。
【0026】
本発明の半導体記憶装置では、前記微調整用リファレンスセルのキャパシタは、メモリセルのキャパシタの容量の1/2の容量を有することが好ましい。この場合、微調整用リファレンスセルのキャパシタは、メモリセルと同じ容量のキャパシタを2つ直列に接続することより得られる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態例に基づいて、本発明を更に詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施形態例のオープンビット構成の半導体記憶装置の構成を示している。半導体記憶装置は、(k−1)個のメモリセルアレイ11、2つのリファレンスセルアレイ12、及び、k個のセンスアンプ列13を備える。図1に示す半導体記憶装置は、図9に示す0列目及びk列目のメモリセルアレイ11が、リファレンスセルアレイ12に置き換わる点で、従来の半導体記憶装置と相違する。
【0028】
各メモリセルアレイ11は、1列目から(k−1)列目までに配置され、2×(m+1)本のビット線BLT、又は、2×(m+1)本のビット線BLNと、(n+1)本のワード線WLとを備える。また、ビット線BLと、ワード線WLとの交点には、計2×(n+1)×(m+1)個のメモリセル21が配置される。同じセンスアンプ24に接続される、ビット線BLTのメモリセル21に記憶されるデータと、そのメモリセルに対応する、ビット線BLNのメモリセル21に記憶されるデータとは、互いに相補な関係にある。
【0029】
リファレンスセルアレイ12は、0列目、及び、k列目に配置され、(m+1)本のリファレンスビット線RBT又はRBN(以下、特に区別しないときには単にリファレンスビット線RBと呼ぶ)と、(p+1)本の調整用信号線φi(i=0〜p:図1の例ではp=3)とを備える。また、リファレンスビット線RBと、調整用信号線φi(i=1〜p)との交点には、計p×(m+1)個のリファレンスセル22が配置され、調整用信号線φ0と、リファレンスビット線RBとの交点には、計(m+1)個の微調整用リファレンスセル23が配置される。
【0030】
メモリセルアレイ11内に配設される2×(n+1)×(m+1)個のメモリセル21のそれぞれは、トランジスタ及びキャパシタからなり、「1」又は「0」のデータを記憶する。リファレンスセルアレイ12に配置されるp×(m+1)個のリファレンスセル22は、メモリセル21と同様なトランジスタ及びキャパシタからなり、メモリセル21のデータの読み取りに際してリファレンスとして使用される。
【0031】
調整用信号線φi(i=1〜p)は、可変抵抗Rφを介してワード線昇圧電源VPPに接続し、可変抵抗Rφで調整された電圧を、対応するリファレンスセル22のトランジスタのゲートに供給する。各リファレンスセル22のトランジスタは、調整用信号線φiの電圧値に応じたオン抵抗に制御される。可変抵抗Rφは、抵抗素子とヒューズとを並列に接続したペアを複数個直列に接続し、ヒューズをトリミング(レーザによるヒューズカット)することにより、抵抗値が設定される。
【0032】
微調整用リファレンスセル23は、メモリセル21のトランジスタと同様なトランジスタと、メモリセル21で使用されるキャパシタの容量の半分の容量を有するキャパシタとから構成され、メモリセル11の製造バラツキに対する補正用として使用される。微調整用リファレンスセル23のトランジスタのゲートは、調整用信号線φ0、及び、ヒューズを介してワード線昇圧電源VPPに接続される。ヒューズの断続を選択することで、微調整用リファレンスセル23を使用するか否かを選択する。
【0033】
センスアンプ列13は、(m+1)個のセンスアンプ24を有し、隣接する各列のメモリセルアレイ11間、又は、メモリセルアレイ11とリファレンスセルアレイ12との間に配置される。隣接する2つのメモリセルアレイ12間に配置される2列目から(k−1)列目までの各センスアンプ列13では、各センスアンプ24は、一方のメモリセルアレイ11のビット線BL、及び、そのビット線BLに相補な他方のメモリセルアレイ11のビット線BLと接続する。各センスアンプ24は、一方のメモリセルアレイ11のビット線BLに接続されたメモリセル21のデータを読み取る際に、他方のメモリセルアレイ11に配置されたビット線BLに接続されたメモリセル21をリファレンスとして使用する。
【0034】
1列目のメモリセルアレイ11と、0列目のリファレンスセルアレイ12との間に配置された1列目のセンスアンプ列13、及び、(k−1)列目のメモリセルアレイ11と、k列目のリファレンスセルアレイ12との間に配置されたk列目のセンスアンプ列13では、各センスアンプ24は、メモリセルアレイ11に配置されたビット線BL、及び、そのビット線BLに対して相補なダミービット線として使用されるリファレンスビット線RBと接続する。各センスアンプ13は、ビット線BLに接続されたメモリセル21からデータを読み取る際に、リファレンスビット線RBに接続されたリファレンスセル22をリファレンスとして使用する。
【0035】
図2は、図1のリファレンスセルアレイ12の構造を、リファレンスビット線RB方向の断面図として示している。リファレンスセルアレイ12内に配置された各リファレンスセル22では、トランジスタのソース、及び、ドレインはN+拡散層31で形成され、トランジスタは、素子分離層32によって分離される。トランジスタのドレインは、コンタクトCt2を介してリファレンスビットRB線と接続され、ソースは、コンタクトCt1を介して容量形成シリンダCL(容量Cr)と接続される。トランジスタのゲート34には、調整用信号φi(i=1〜p)が入力される。容量形成シリンダCLは、セル対極プレート33と接続されており、セル対極プレート33にはセル対極プレート電源VHVPが供給される。
【0036】
微調整用リファレンスセル23では、トランジスタのソース、及び、ドレインはN+拡散層31で形成され、トランジスタのドレインは、コンタクトCt2を介してリファレンスビットRB線と接続される。2つの容量形成シリンダCL(容量Cr)は、セル対極プレート電源VHVP及びトランジスタのソースに対して直列に接続される。一方の容量形成シリンダCLは、コンタクトCt1、N+拡散層31、及び、コンタクタCt1を介してセル対極プレート電源VHVPに接続し、他方の容量形成シリンダCLは、コンタクトCt1を介してトランジスタのソースに接続される。微調整用リファレンスセル23では、容量形成シリンダCLが2つ直列に接続されるため、合成の容量値は、Cr/2となる。
【0037】
図3は、センスアンプ24と、メモリセルアレイ11及びリファレンスセルアレイ12との接続を、等価回路として示している。センスアンプ24は、伝達制御トランジスタ25を介して、ビット線BL及びリファレンスビット線RBと接続する。なお、同図において、抵抗Rct1は、コンタクトCt1の抵抗成分を示し、抵抗Rct2は、コンタクトCt2の抵抗成分を示している。また、メモリセルアレイ12内の各メモリセル21は、図2に示すリファレンスセル22と同様な構成を有する。
【0038】
センスアンプ24は、センスアンプ活性化信号SEと、ビット線バランス電源VHVDとを入力する。伝達制御トランジスタ25は、伝達制御信号TGによってビット線BL及びリファレンスビット線RBの接続を制御する。ビット線BLは、メモリセル21を(n+1)個並列に接続し、各メモリセル21の等価回路は、トランジスタ、抵抗Rct2、抵抗Rct1、及び、容量Csから成る。各メモリセル21のトランジスタにおいて、ゲートは、対応するワード線WLと接続し、ドレインは、抵抗Rct2を介してビットBL線と接続する。また、ソースは、抵抗Rct1を介して容量Csと接続し、容量の対極にはセル対極電源VHVPと接続する。
【0039】
リファレンスビット線RBは、3つ(p個)のリファレンスセル22と、1つの微調整用リファレンスセル23とを並列に接続する。各リファレンスセル22の等価回路は、トランジスタのゲートが調整用信号線φiに接続される点、及び、ビット線BLがリファレンスビット線RBに代わる点を除いて、上記したメモリセル21の等価回路と同様である。微調整用リファレンスセル23の等価回路は、トランジスタのゲートに調整用信号φ0が入力される点、及び、容量Crが2個直列に接続され抵抗Rct2を介してセル対極電源VHVPに接続される点を除いて、メモリセル21の等価回路と同様である。
【0040】
図4は、センスアンプ24が、メモリセルアレイ11のメモリセル21のデータを、リファレンスセルアレイ12を参照して読み込み際の動作をタイミングチャートとして示している。以下、図1〜図4を参照して、本実施形態例の半導体記憶装置の読み出し動作について説明する。なお、隣接する2つのメモリセルアレイ11間に配置されたセンスアンプ24が、一方のメモリセルアレイ11のメモリセル21のデータを読み込む際の動作は、従来技術で説明した図10に示すタイミングチャートと同様である。
【0041】
メモリセル21の読み込みに際して、半導体記憶装置では、伝達制御トランジスタ25に入力される伝達制御信号TGは、ワード線活性化電源VPPに活性化される。また、調整用信号線φi(i=1〜p)には、対応する可変抵抗Rφで調整された電圧が供給され、各リファレンスセル22のトランジスタは、それぞれのゲートに供給される調整用信号φiの電圧値に応じたオン抵抗で、リファレンスビット線RB側と、容量Cr側とを接続する。
【0042】
前述のように、微調整用リファレンスセル23を使用するか否かはヒューズの断続によって選択可能であり、ヒューズを接続した場合には、調整用信号線φ0はワード線昇圧電源VPPへ活性化される。このとき、微調整用リファレンスセル23のトランジスタは、リファレンスビット線RB側と、容量Cr/2側とを接続する。ヒューズを切断した場合には、微調整用リファレンスセル23のトランジスタはOFFとなり、リファレンスビット線RB側と、容量Cr/2側とを切り離す。
【0043】
読み込み動作前におけるセンスアンプ活性化信号SE、及び、ワード線WLに供給される信号は、それぞれGNDレベル、又は、VKKレベルであり、センスアンプ24に接続されているリファレンスビット線RB、及び、ビット線BLは、センスアンプ24に入力されるビット線バランス電源VHVDでバランスされる。このとき、ビット線BLの配線抵抗及び配線容量と、リファレンスビット線RBの配線抵抗及び配線容量とが、ほぼ同じ値となるように、可変抵抗Rφの抵抗値、及び、調整用信号線φ0のヒューズの断続が設定される。
【0044】
メモリセルアレイ内の何れかのワード線WLが活性化されると、そのワード線WLに接続されたメモリセル21のトランジスタがオンとなり、容量Csがビット線BLに接続される。容量Csに記憶された「1」又は「0」データは、ビット線BLに出力され、ビット線BLの電位は上昇又は下降する。センスアンプ活性化信号SEが活性化されると、センスアンプが動作を開始し、ビット線BLと、リファレンスビット線RBとの間に生じた電位差を増幅する。
【0045】
センスアンプ24による差増幅の結果、ビット線BLは、メモリセル21が「1」を記憶していた場合にはメモリセルアレイ用降圧電源VDLとなり、メモリセル21が「0」を記憶していた場合にはGNDレベルになる。また、リファレンスビット線RBは、ビット線BLがメモリセルアレイ用降圧電源VDLとなった場合にはGNDレベルとなり、ビット線BLがGNDレベルとなった場合には、メモリセルアレイ用降圧電源VDLとなる。このとき、活性化されたワード線WLに接続されたメモリセル21の容量Csには、差増幅されたビット線BLの電圧値(メモリセルアレイ用降圧電源VDL又はGNDレベル)が入力される。
【0046】
ワード線WLが再び非活性化されると、そのワード線WLに接続されたメモリセル21のトランジスタはOFFとなり、容量Csはビット線BLから切り離される。次いで、センスアンプ活性化信号SEが非活性化されると、センスアンプ24は動作を終了し、センスアンプ24に接続されているリファレンスビット線RB及びビット線BLは、再びビット線バランス電源VHVDでバランスされる。
【0047】
本実施形態例では、リファレンスセル22に配置されたトランジスタのゲートに入力する電圧値を調整することで、リファレンスビット線RBの配線抵抗及び配線容量を、適切な値に調整する。また、Cr/2の容量を持つ微調整用リファレンスセル23のリファレンスビット線RBへの接続を制御することで、リファレンスビット線RBの配線抵抗及び配線容量値を微調整する。このため、リファレンスセル22を配置する数を、メモリセル21を配置する数より少なくして、リファレンスセルアレイ12の面積を減少しながらも、データの読み出し時におけるセンスアンプ24の差増幅が適切に行なわれる。
【0048】
通常、メモリセル21やリファレンスセル22、微調整用リファレンスセル23では、容量Cs、Crや、抵抗Rct1、抵抗Rct2などは製造バラツキによってその値が変動する。本実施形態例では、レーザによるヒューズカットなどでリファレンスセル22に入力する可変抵抗Rφの値を調整できるため、半導体記憶装置の製作後においても、リファレンスビット線RBの配線抵抗及び配線容量を調整することができる。
【0049】
図5は、本発明の第2実施形態例の半導体記憶装置の動作をタイミングチャートとして示している。本実施形態例の半導体記憶装置は、伝達制御信号TGが、メモリセル21の読み込み開始時に一定期間Lレベルにされる点で、第1実施形態例と相違する。
【0050】
データの読み込みに際して、センスアンプ活性化信号SEが活性化される時刻に、伝達制御信号TGを一時的に非活性化し、所定時間経過後に再活性化する。伝達制御信号TGが非活性化されている間は、センスアンプ24と、リファレンスビット線RB及びビット線BLとの接続が切断される。このため、センスアンプ24側から見た配線の抵抗及び容量が減少し、センスアンプ24での差増幅の動作が高速化できる。伝達制御信号TGが再活性化されると、センスアンプ24によって差増幅された信号が、リファレンスビット線RB及びビット線BLに入力される。
【0051】
本実施形態例では、センスアンプ活性化信号SEが活性化される時刻から一定時間だけ、伝達制御信号TGを非活性化するため、センスアンプ24の差増幅を高速に行うことができる。なお、図10に示すタイミングチャートにおいて、図6と同様に、センスアンプ活性化信号SEが活性化される時刻から一定時間だけ、伝達制御信号TGを非活性化することで、隣接する2つのメモリセルアレイ11間に配置されたセンスアンプ24が、一方のメモリセルアレイ11のメモリセル21のデータを読み込む動作も、同様に高速化できる。
【0052】
図6は、本発明の第3実施形態例の半導体記憶装置の構成をブロック図として示している。また、図7は、図6のリファレンスセルアレイ12の構造を、リファレンスビット線RB方向の断面図として示している。本実施形態例は、可変抵抗Rφが配置されない点、リファレンスセル22にトランジスタが配置されない点、及び、リファレンスビット線RBがインピーダンス線路で構成される点で、第1実施形態例又は第2実施形態例と相違する。
【0053】
図6に示す半導体装置では、リファレンスセル22は、1本のリファレンスビット線RBに対して3個(p個)接続されている。リファレンスセルアレイ12は、図7に示す構造を有し、リファレンスビット線RBは、N+拡散層31により構成されている。リファレンスセル21の容量Crは、コンタクトCt1を介してリファレンスビット線RBに接続する。
【0054】
図8は、センスアンプ24と、メモリセルアレイ11及びリファレンスセルアレイ12との接続を、等価回路として示している。リファレンスビット線RBは、拡散層抵抗Rdiff、及び、拡散層容量Cdiffから構成され、リファレンスセル22は、抵抗Ct1、及び、容量Crによって、リファレンスビット線RBと、セル対極電源VHVPとを接続する。なお、拡散層容量Cdiffの対極電位は、基盤電源VBBである。
【0055】
本実施形態例では、リファレンスビット線RBをN+拡散層31で形成するため、拡散層抵抗Rdiffを適切に設定することで、リファレンスビット線の配線抵抗及び配線容量を適切に設定することができる。このため上記実施形態例と同様にセンスアンプの差増幅を良好に行なうことができる。
【0056】
なお、上記実施形態例では、微調整用リファレンスセル23はヒューズを介して電源VPPと接続する例を示したが、これに代えて、調整用信号線φi(i=1〜p)と同様に、可変抵抗Rφを介して電源VPPへ接続しても良い。また、第1又は第2の実施形態例においても、リファレンスビット線RBを抵抗要素、及び/又は容量要素を有する配線とすることもできる。微調整用リファレンスセル23のキャパシタは、容量がCr/2に限定されるものではなく、容量Crよりも小さい値であれば良い。例えば、図2において、容量形成シリンダCLをn個だけ直列に接続することで、容量がCr/nの微調整用リファレンスセル23が得られる。
【0057】
以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明の半導体記憶装置は、上記実施形態例にのみ限定されるものでなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施した半導体記憶装置も、本発明の範囲に含まれる。例えば、可変抵抗Rφは、設定に際してリファレンスメモリセルのトランジスタのゲートに入力される電圧値を調整できるものであればよく、これを可変電源に置き換えてもよい。
【0058】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体記憶装置では、リファレンスとして使用されるビット線の配線抵抗及び配線容量を、読み出し対象のメモリセルを接続するビット線の配線抵抗及び配線容量と同じ値に調整できる。このため、読み出し対象のビット線に接続するメモリセル数と、リファレンスとして使用するビット線に接続するダミーのメモリセル数とを同じ数にしない場合であっても、双方のビット線間に生じた電位差を増幅するセンスアンプの動作を、良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態例のオープンビット構成の半導体記憶装置の構成を示すブロック図。
【図2】図1のリファレンスセルアレイ12の構造を示す断面図。
【図3】図1の半導体装置における、センスアンプ24と、ビット線BL及びリファレンスビット線との接続を示す等価回路。
【図4】本発明の第1実施形態例の半導体記憶装置の読み出し時の動作を示すタイミングチャート。
【図5】本発明の第2実施形態例の半導体記憶装置の読み出し時の動作を示すタイミングチャート。
【図6】本発明の第3実施形態例の半導体記憶装置の構成を示すブロック図。
【図7】図6のリファレンスセルアレイ12の構造を示す断面図。
【図8】図6の半導体装置における、センスアンプ24と、ビット線BL及びリファレンスビット線RBとの接続を示す等価回路。
【図9】従来のオープンビット構成の半導体記憶装置の構成を示すブロック図。
【図10】図9の半導体記憶装置の読み出し時の動作を示すタイミングチャート。
【符号の説明】
11:メモリセルアレイ
12:リファレンスセルアレイ
13:センスアンプ列
21:メモリセル
22:リファレンスセル
23:微調整用リファレンスセル
24:センスアンプ
25:伝達制御トランジスタ
31:N+拡散層
32:素子分離
33:セル対極プレート
BLT、BLN:ビット線
RNT、RBN:リファレンスビット線
Rφ:可変抵抗
φi(i=0〜p):調整用信号
Claims (8)
- 複数のメモリセルが接続されたビット線と、
所定数のリファレンスセルが接続されて、前記ビット線の容量及び抵抗に対応する容量及び抵抗を有するリファレンスビット線と、
前記ビット線及びリファレンスビット線にバランス電位を供給するプリチャージ回路と、
選択されたメモリセルが導通した前記ビット線の電位とリファレンスビット線の電位との差を増幅するセンスアンプと
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記リファレンスセルの夫々は、各メモリセルのトランジスタ及びキャパシタと同じトランジスタ及びキャパシタを備え、各リファレンスセルのトランジスタのゲートには、調整された電位が供給される、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記リファレンスセルは、リファレンスセルアレイを構成し、各リファレンスビット線に直交するリファレンスワード線には、前記調整された電位が供給される、請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記リファレンスビット線が、半導体基板内の拡散層によって構成される、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記リファレンスセルは、メモリセルのキャパシタの容量と同じ容量のキャパシタを有する、請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 前記リファレンスビット線には、微調整用リファレンスセルが更に接続され、該微調整用リファレンスセルは、メモリセルのキャパシタの容量よりも小さな容量のキャパシタを有する、請求項1〜5の何れかに記載の半導体記憶装置。
- 前記微調整用リファレンスセルのキャパシタは、メモリセルのキャパシタの容量の1/2の容量を有する、請求項6に記載の半導体記憶装置。
- 複数の第1のメモリセルから成る第1のメモリセルアレイと、該第1のメモリセルのデータと相補なデータを記憶する複数の第2のメモリセルから成る第2のメモリセルアレイとを交互に配設し、前記第1のメモリセルアレイ及び前記第2のメモリセルアレイのビット線の一端にセンスアンプを千鳥状に接続したオープンビット構成の半導体記憶装置において、
前記第1のメモリセルアレイと前記第2のメモリセルアレイとの間に配設されない端部のセンスアンプに対応して配設され、所定数のリファレンスセルが接続される、メモリセルアレイのビット線に対応する容量及び抵抗を有するリファレンスビット線と、
前記ビット線及びリファレンスビット線にバランス電位を供給するプリチャージ回路とを備え、
前記端部のセンスアンプは、該端部のセンスアンプに接続されたビット線の電位と前記リファレンスビット線の電位との差を増幅することを特徴とする半導体記憶装置。
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