JP2004020780A - 光変調器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、前記基板の表面に形成された光導波路と、前記光導波路の近傍に形成された信号電極20および接地電極21,22を備え、前記信号電極および接地電極は、相互作用部と引き出し部を有し、前記引き出し部の領域にある前記信号電極と接地電極の間に溝100が形成されている。
【選択図】 図5
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光変調器に関する。
【0002】
【従来の技術】
大容量で広帯域な通信システムとして光通信システムが適用されている。かかる光通信システムにおいて、通信容量拡大の需要に伴い、ますますビットレートの高速化が求められている。
【0003】
一方、光通信システムには、強誘電体結晶等に電場を加えたときに屈折率の変化を生じる電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光変調器が用いられている。
【0004】
かかる光変調器に搭載される、電気光学効果により光位相を変化させる素子(電気光学効果素子)は、LiNbO3やLiTaO2の電気光学結晶から切り出された基板にIC技術を用いて、Ti等の金属膜をパターニングにより形成後、熱拡散し、あるいは安息香酸中でプロトン交換する等して形成される光導波路を有する。さらに光導波路近傍に所要の電極が形成される。
【0005】
光変調器は、かかる電気光学効果素子の外部から光導波路に光信号を供給し、光導波路近傍に形成された信号電極と接地電極間にマイクロ波帯の高周波変調信号を供給する構成を有するものである。
【0006】
図1は、かかる光変調器の一構成例を示し、上部カバーを外した状態の上面図である。シールド筐体1内に電気光学効果素子2が収容されている。図2は、模式的に電気光学効果素子2の構成を示す図である。
【0007】
光変調器として機能するために、図2に模式的に示される電気光学効果素子2に形成された光導波路10は、一例として2つの平行な導波路I,IIに分岐され、マッハツェンダ導波路を構成している。図2において、図2Bは図2Aの平面図において、a線に沿う断面図であり、図2Cはb線に沿う断面図である。
【0008】
一例として、電気光学効果素子2の基板をLiNbO3結晶のZ軸方向に切り出したZカット基板を用い、電極をシングル電極、変調方式を強度変調とする場合、この分岐された2つの平行な光導波路I、IIの一方(図2Aでは光導波路I)の真上に信号電極20が、そして他方の光導波路IIの真上に接地電極22が配置されている。
【0009】
なお、光導波路10の分岐された2つの平行導波路I、II中を伝搬する光信号が信号電極20及び、接地電極22により吸収されるのを防ぐために、基板と信号電極20及び接地電極22との間に、厚さ0.2〜1μmのSiO2等によるバッファ層が設けられる。
【0010】
図2において、光信号は光導波路10の入射側(Opt In)に入力される。光変調器として機能させるために、この光信号の伝搬方向と同じ方向に変調信号として、信号源25から出力される矩形波のマイクロ波信号が信号電極20に供給される。
【0011】
したがって、分岐された平行光導波路の屈折率が、マイクロ波信号の極性に対応して、それぞれ+Δna、−Δnbのように変化する。これにより平行光導波路I、II間の光位相差が変化し、図2において光導波路10の出射側(Opt Out)から強度変調された光信号が出力される。
【0012】
さらに、電極の断面形状を変化させることでマイクロ波による実効屈折率を制御し、光信号とマイクロ波の速度を整合させることによって広帯域の光応答特性を得ることができる。
【0013】
ここで、信号源25から供給される変調信号としてのマイクロ波である高周波信号は、図1に示す光変調器の構成において、中心導体30と外部導体31を有するRFコネクタ3を通して信号電極20と接地電極21,22間に供給される。
【0014】
RFコネクタ3の中心導体30は、スライディングコンタクト部材32に挿入され、電気光学効果素子2の信号電極20とスライディングコンタクト部材32とのボンディングにより接続される。さらに、RFコネクタ3の外部導体31は、電気光学効果素子2の接地電極21,22とワイヤボンディング23により接続される構成である。
【0015】
このように、マイクロ波である高周波信号の入力部では、ワイヤボンディング23などによって外部と接続するために、信号電極20と、接地電極電21,22とが平行する相互作用部と、引き出し部を有し、引き出し部の一端側に電極幅を広げてパッドを形成している。
【0016】
パッドから入力された高周波信号は、引き出し部を通って相互作用部を通過し、更に出力側の引き出し部を通ってパッドから出力された後に終端される。
【0017】
かかる構成において、更にマイクロ波の反射(電気光学効果素子2の基板内部への進行)を防いで効率よく高周波信号を入力するためには、パッドを含む引き出し部の特性インピーダンスを約50Ωにする必要があり、そのために引き出し部における信号電極20と接地電極21,22間のギャップを広くしていた。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のギャップを広くすると信号電極20と接地電極21,22間電界が広がって放射する成分が多くなり、透過特性が劣化するという問題があった。
【0019】
すなわち、従来構成の光変調器において、高周波信号の波長が電気光学効果素子2の電極の大きさに比べて大きい場合には、透過特性にそれほどの影響はなかったが、波長が小さくなると電気光学効果素子2の高周波特性に影響を及ぼし、広帯域な伝送特性を得ることができなくなるという問題が認識されていた。
【0020】
図3は、かかる従来の光変調器における高周波特性を示す図である。図3において、横軸に高周波信号周波数を、縦軸に入力側から出力側に向かう光信号の減衰量S21を示し、高周波信号周波数が高くなり36GHzの近傍で減衰特性は線形的に減衰せずに大きなディップが生じていることが理解できる。したがって、かかる減衰量のディップの存在により伝送特性の広帯域性が阻害されていることが理解できる。
【0021】
かかる伝送特性において減衰量のディップの生じる原因がこれまで解明されておらず、本発明者は種々検討を行ってきた。
【0022】
そして、本発明者は、検討の結果として、上記の変調信号であるマイクロ波の周波数が高くなると電気光学効果素子2内への放射成分が多くなり、これにより信号電極20及び接地電極21間で形成される電界との結合が生じることが原因であることを見出だした。
【0023】
したがって、本発明の目的は、かかる減衰量のディップの生じる原因の解明に基づき、特性インピーダンスを維持し、広帯域特性の得られる光変調器の構成を提供することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】
上記の本発明の課題を解決する光変調器は、第1の態様として、電気光学効果を有する基板と、前記基板の表面に形成された光導波路と、前記光導波路の近傍に形成された信号電極および接地電極を備え、前記信号電極および接地電極は、相互作用部と引き出し部を有し、前記引き出し部の領域にある前記信号電極と接地電極の間に溝が形成されていることを特徴とする。
【0025】
上記の本発明の課題を解決する光変調器は、第2の態様として、第1の態様において、前記引き出し部は、高周波信号が供給されるRFコネクタの電極と接続されるパッドを有し、前記引き出し部の領域にある前記信号電極と接地電極の間に形成される溝は、前記パッドを除く引き出し部の領域に形成されることを特徴とする。
【0026】
さらに、上記の本発明の課題を解決する光変調器は、第3の態様として第1または第2の態様において、前記光導波路の入力側にある引き出し部のみの領域にある前記信号電極と接地電極の間に前記溝我形成されていることを特徴とする。
【0027】
また、上記の本発明の課題を解決する光変調器は、第4の態様と 第2の態様において、前記パッドを除く引き出し部の前記信号電極と接地電極の間隔が60μm以下であることを特徴とする。
【0028】
本発明の特徴は、さらに以下に図面に従い説明される発明の実施の形態例から明らかになる。
【0029】
【発明の実施の形態】
図4は、図1における電極パターンのみを取り出して示す図である。
【0030】
信号電極20と、その両側に配置される接地電極21,22を有し、信号電極20と接地電極21,22が平行に配置される相互作用部Aと、外部電極と接続されるために引き出される引き出し部Bを有する。さらに、この引き出し部Bに、外部電極とボンディング接続するための入力側パッド(PAD−in)と出力側パッド(PAD−out)を有する。
【0031】
図5は、本発明の特徴を示す図であり、上記の引き出し部Bを拡大して示す図である。
【0032】
図5Aに示す引き出し部Bにおいて、信号電極20と、接地電極21,22との間に溝100が形成されている。図5Bは図5Aに示す破線aにおける断面図である。
【0033】
かかる溝100は、パターニングした後、エッチングすることにより容易に形成することが可能である。
【0034】
基板1上にバッファ層24が形成され、その上部に信号電極20と、接地電極21、22が形成されている。信号電極20と、接地電極21、22との間にギャップ間隔Sを有し、溝100の深さはHrの大きさである。
【0035】
かかる本発明に従う構成の特徴により、従来構成と本発明構成を比較する図6に示すようにマイクロ波の高周波信号の放射と、信号電極20と、接地電極21、22との間の電界との結合を従来構成よりも少なくできる。
【0036】
図6Aは、信号電極20と、接地電極21、22との間に溝を有しない従来構成におけるマイクロ波の高周波信号の放射200と信号電極20と、接地電極21、22との間の電界201との結合を示している。
【0037】
一方、図6Bは、本発明の特徴により、引き出し部において溝100が形成されているので、信号電極20と接地電極21,22間の電界の広がりが減少される。これにより高周波信号の放射200と信号電極20と、接地電極21、22との間の電界201の結合が小さくなる。
【0038】
図7は、特性インピーダンス50Ωの整合条件を維持したときの図5に示す信号電極間のギャップ量S(μm)と溝の深さHr(μm) の関係を示すグラフである。
【0039】
このグラフより、信号電極間のギャップ量S(μm)を60μmにする場合であっても、溝の深さHr(μm)を大きくすることにより特性インピーダンス50Ωの整合条件を維持することができる。
【0040】
この結果、図8に示すように、図3との比較において高周波域での減衰量のディップがなくなり、光変調器において、広帯域特性が実現される。
【0041】
図9は、上記した溝100の形態の変形例を示す図である。
【0042】
図9Aは、溝100を信号電極20、接地電極21,22の引き出し部に形成される外部電極との接続のためのパッドPAD−inまで含めて溝100を形成している例である。
【0043】
図9Cは、図5Aに示したと同様であり、引き出し部において信号電極20と接地電極21,22とが平行する領域において溝100を形成する例である。図9Bは、図5Aと図5Cの中間であり、パッドPAD−inの領域のみ除いた引き出し部において溝100を形成する例である。
【0044】
図9A〜9Cのいずれの形態にあっても、同様に減衰量にディップを生じることなく広帯域特性が得られる。
【0045】
【発明の効果】
以上、図面に従い実施の形態例を説明したように、本発明では、信号電極と接地電極間の相互作用部以外の引き出し部において、信号電極と接地電極の間隔を大きくする代わりに信号電極と接地電極の間に溝を設けることで、所望の特性インピーダンスを得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】光変調器の一構成例を示し、上部カバーを外した状態の上面図である。
【図2】模式的に電気光学効果素子2の構成を示す図である。
【図3】従来の光変調器における高周波特性を示す図である。
【図4】図1における電極パターンのみを取り出して示す図である。
【図5】本発明の特徴を示す図であり、上記の引き出し部Bを拡大して示す図である。
【図6】従来構成と本発明構成を比較する図である。
【図7】特性インピーダンス50Ωの整合条件を維持したときの図5に示す信号電極間のギャップ量S(μm)と溝の深さHr(μm) の関係を示すグラフである。
【図8】本発明の構成を適用する光変調器の広帯域特性を示す図である。
【図9】溝100の形態の変形例を示す図である。
【符号の説明】
2 電気光学効果素子
10 光導波路
20 信号電極
21,22 接地電極
Claims (4)
- 電気光学効果を有する基板と、
前記基板の表面に形成された光導波路と、
前記光導波路の近傍に形成された信号電極および接地電極を備え、
前記信号電極および接地電極は、相互作用部と引き出し部を有し、
前記引き出し部の領域にある前記信号電極と接地電極の間に溝が形成されていることを特徴とする光変調器。 - 請求項1において、
前記引き出し部は、高周波信号が供給されるRFコネクタの電極と接続されるパッドを有し、
前記引き出し部の領域にある前記信号電極と接地電極の間に形成される溝は、前記パッドを除く引き出し部の領域に形成されることを特徴とする光変調器。 - 請求項1または2において、
前記光導波路の入力側にある引き出し部のみの領域にある前記信号電極と接地電極の間に前記溝が形成されていることを特徴とする光変調器。 - 請求項2において、
前記パッドを除く引き出し部の前記信号電極と接地電極の間隔が60μm以下であることを特徴とする光変調器。
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