JP2003057616A - 光導波路素子、光変調器及び光通信システム - Google Patents
光導波路素子、光変調器及び光通信システムInfo
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- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本願発明では、金属膜を、導電性透明膜の上
であって、光導波路上ではない領域に形成することによ
り、光損失を防止し、さらなる高速変調を可能とするも
のである.もちろん、金属膜の一部を、光導波路上に重
畳するように配置してもよいが、従来のように１００％
重畳するようなことはせず、重畳の度合いも必要最小限
度にとどめる。 【解決手段】 本願発明は、電気光学効果を有する光学
基板１と、前記光学基板の表面付近に形成された少なく
とも1つの光導波路３と、前記光導波路の一部を覆うよ
うに導電性透明膜でもって形成され、前記光導波路に電
界を印加するための第１の電極６ａと、前記第１の電極
と対を成し、前記光導波路に電界を印加するための第２
の電極８ｂと、前記光導波路３の真上を概ね避けた位置
に金属膜により形成され、前記第１の電極と電気的に接
続された第３の電極８ａを備える。
であって、光導波路上ではない領域に形成することによ
り、光損失を防止し、さらなる高速変調を可能とするも
のである.もちろん、金属膜の一部を、光導波路上に重
畳するように配置してもよいが、従来のように１００％
重畳するようなことはせず、重畳の度合いも必要最小限
度にとどめる。 【解決手段】 本願発明は、電気光学効果を有する光学
基板１と、前記光学基板の表面付近に形成された少なく
とも1つの光導波路３と、前記光導波路の一部を覆うよ
うに導電性透明膜でもって形成され、前記光導波路に電
界を印加するための第１の電極６ａと、前記第１の電極
と対を成し、前記光導波路に電界を印加するための第２
の電極８ｂと、前記光導波路３の真上を概ね避けた位置
に金属膜により形成され、前記第１の電極と電気的に接
続された第３の電極８ａを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、光通信，光情報
処理，光信号処理等の分野で用いる光導波路素子に係
り、とりわけ、基板中に設けた光導波路を用いて変調を
行う光導波路型の光変調器に関する。
処理，光信号処理等の分野で用いる光導波路素子に係
り、とりわけ、基板中に設けた光導波路を用いて変調を
行う光導波路型の光変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】インターネットの爆発的な普及に伴い、
光通信システムの高速化のニーズはますます高まってい
る。一般的なシステムの光信号は、直接的に半導体レー
ザや発光ダイオードの注入電流を変調することによって
得られている。これを直接変調と呼ぶ。しかしながら、
この直接変調では緩和振動等の効果のため数ＧＨｚ以上
の高速変調が難しく、また、波長変動が発生するため長
距離の伝送には適用が難しい等の欠点がある。
光通信システムの高速化のニーズはますます高まってい
る。一般的なシステムの光信号は、直接的に半導体レー
ザや発光ダイオードの注入電流を変調することによって
得られている。これを直接変調と呼ぶ。しかしながら、
この直接変調では緩和振動等の効果のため数ＧＨｚ以上
の高速変調が難しく、また、波長変動が発生するため長
距離の伝送には適用が難しい等の欠点がある。
【０００３】これを解決する手段としては、外部光変調
器を使用する方法がある。外部光変調器は、半導体レー
ザから出力される一定の光に対して変調を行うものであ
る。これを外部変調と呼ぶ。この方法に用いる光変調器
としては、基板中に形成した光導波路により構成された
導波形の光変調器がある。導波型の光変調器は、一般
に、小形で，高効率であり，また、高速動作が可能であ
る。
器を使用する方法がある。外部光変調器は、半導体レー
ザから出力される一定の光に対して変調を行うものであ
る。これを外部変調と呼ぶ。この方法に用いる光変調器
としては、基板中に形成した光導波路により構成された
導波形の光変調器がある。導波型の光変調器は、一般
に、小形で，高効率であり，また、高速動作が可能であ
る。
【０００４】とりわけ、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ
３ ）結晶等の強誘電体材料を用いて光変調器を構成す
れば、低損失で、かつ、高効率の光変調器が得られる。
図１に従来のマッハツェンダ形の光変調器を示す。図１
において、１はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３ ）結
晶基板である。２は入力光導波路であり、ＬｉＮｂＯ３
結晶基板１上にチタンを拡散して屈折率を基板より大
きくして帯状に形成したものである。ちなみに、ＬｉＮ
ｂＯ３の屈折率は約２．１４であるが、チタンを拡散す
ると０．２％程度屈折率が上昇し、約２．１４４程度に
なる。このように、ＬｉＮｂＯ３の部分と、チタンを拡
散された部分での屈折率の差を利用して、良好な光導波
路が形成されるのである。さて、３及び４は、入力光導
波路２から分岐した長さ数ｍｍ〜３０ｍｍ程度の移送シ
フト光導波路である。５は、位相シフト光導波路３，４
の出射側に接続された出力光導波路である。これらによ
り分岐干渉部が構成されている。
３ ）結晶等の強誘電体材料を用いて光変調器を構成す
れば、低損失で、かつ、高効率の光変調器が得られる。
図１に従来のマッハツェンダ形の光変調器を示す。図１
において、１はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３ ）結
晶基板である。２は入力光導波路であり、ＬｉＮｂＯ３
結晶基板１上にチタンを拡散して屈折率を基板より大
きくして帯状に形成したものである。ちなみに、ＬｉＮ
ｂＯ３の屈折率は約２．１４であるが、チタンを拡散す
ると０．２％程度屈折率が上昇し、約２．１４４程度に
なる。このように、ＬｉＮｂＯ３の部分と、チタンを拡
散された部分での屈折率の差を利用して、良好な光導波
路が形成されるのである。さて、３及び４は、入力光導
波路２から分岐した長さ数ｍｍ〜３０ｍｍ程度の移送シ
フト光導波路である。５は、位相シフト光導波路３，４
の出射側に接続された出力光導波路である。これらによ
り分岐干渉部が構成されている。
【０００５】次に、電極部について説明する。図１には
電極部の一例として進行波型電極部について示してい
る。まず、８は、変調用電極であり、光導波路３及び光
導波路４上に対になって形成されている。ここで、変調
用電極８の出射端は線路インピーダンスに近い抵抗Ｒで
終端されている。変調用電極８の入射端には、変調用の
電気信号ｓ（ｔ）が入力される。
電極部の一例として進行波型電極部について示してい
る。まず、８は、変調用電極であり、光導波路３及び光
導波路４上に対になって形成されている。ここで、変調
用電極８の出射端は線路インピーダンスに近い抵抗Ｒで
終端されている。変調用電極８の入射端には、変調用の
電気信号ｓ（ｔ）が入力される。
【０００６】図１において、入力光導波路２への入射光
９は、分岐によりエネルギーが分割され、位相シフト光
導波路３，４を通過後、出力光導波路５で合流される。
このとき、位相シフト光導波路３，４を通過した光が同
位相で合流すれば損失は小さく出射光１０は大きな光量
となるが、位相シフト光導波路３，４を通過した光が互
いに逆相となる場合は、合流部分で大きな損失となり出
射光１０の光量は小さい。そこで、変調用電極８への印
加電圧の大きさにて電極下の光導波路６の屈折率が電気
光学効果によって変化し、そこを通過する光の位相が変
化するので、印加電圧に対応した光出力が得られ、出射
光１０は変調される。また、図１では、変調用電極８の
インピーダンスを入力電気信号線のインピーダンス（通
常５０Ω）に近づけ、電極をそのインピーダンスに近い
抵抗Ｒで終端して分布定数化、即ち、進行波形電極とす
ることにより広帯域化をはかっている。
９は、分岐によりエネルギーが分割され、位相シフト光
導波路３，４を通過後、出力光導波路５で合流される。
このとき、位相シフト光導波路３，４を通過した光が同
位相で合流すれば損失は小さく出射光１０は大きな光量
となるが、位相シフト光導波路３，４を通過した光が互
いに逆相となる場合は、合流部分で大きな損失となり出
射光１０の光量は小さい。そこで、変調用電極８への印
加電圧の大きさにて電極下の光導波路６の屈折率が電気
光学効果によって変化し、そこを通過する光の位相が変
化するので、印加電圧に対応した光出力が得られ、出射
光１０は変調される。また、図１では、変調用電極８の
インピーダンスを入力電気信号線のインピーダンス（通
常５０Ω）に近づけ、電極をそのインピーダンスに近い
抵抗Ｒで終端して分布定数化、即ち、進行波形電極とす
ることにより広帯域化をはかっている。
【０００７】図１のような光変調器において、金属の変
調用電極８を位相シフト光導波路３，４上に直接敷設し
たのでは、光損失が大きくなってしまう。そこで、光損
失を低減するためには、変調用電極８と位相シフト光導
波路３，４の間にバッファ層を設けることが有効であ
る。バッファ層は、素材として、ＳｉＯ２が用いられる
ことが多かった。このバッファ層をインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）にて構成することも考えられる。ＩＴＯは透
明電極として用いられることが多く、光導波路上に蒸着
して形成される。従来は、このように光導波路上に透明
電極が蒸着され、さらに金属電極が形成されるといった
３層構造からなっていた。
調用電極８を位相シフト光導波路３，４上に直接敷設し
たのでは、光損失が大きくなってしまう。そこで、光損
失を低減するためには、変調用電極８と位相シフト光導
波路３，４の間にバッファ層を設けることが有効であ
る。バッファ層は、素材として、ＳｉＯ２が用いられる
ことが多かった。このバッファ層をインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）にて構成することも考えられる。ＩＴＯは透
明電極として用いられることが多く、光導波路上に蒸着
して形成される。従来は、このように光導波路上に透明
電極が蒸着され、さらに金属電極が形成されるといった
３層構造からなっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな３層構造とした場合には、透明電極から金属電極へ
と光が染み出してしまい、とりわけ、高速変調下におい
ては、その染み出しによる光損失が無視できなかった。
うな３層構造とした場合には、透明電極から金属電極へ
と光が染み出してしまい、とりわけ、高速変調下におい
ては、その染み出しによる光損失が無視できなかった。
【０００９】従って、透明電極のみにより電極を構成す
ることが望ましいが、金属電極がなければ、ワイヤーボ
ンディング等を行うことが不可能となり、実質的に光変
調器を構成できない。
ることが望ましいが、金属電極がなければ、ワイヤーボ
ンディング等を行うことが不可能となり、実質的に光変
調器を構成できない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願発明は、上記課題を
解決すべく、電気光学効果を有する光学基板と、前記光
学基板の表面付近に形成された少なくとも1つの光導波
路と、前記光導波路の一部を覆うように導電性透明膜で
もって形成され、前記光導波路に電界を印加するための
第１の電極と、前記第１の電極と対を成し、前記光導波
路に電界を印加するための第２の電極と、前記光導波路
の真上を概ね避けた位置に金属膜により形成され、前記
第１の電極と電気的に接続された第３の電極と、を含む
ことを特徴とする光導波路素子を提供する。
解決すべく、電気光学効果を有する光学基板と、前記光
学基板の表面付近に形成された少なくとも1つの光導波
路と、前記光導波路の一部を覆うように導電性透明膜で
もって形成され、前記光導波路に電界を印加するための
第１の電極と、前記第１の電極と対を成し、前記光導波
路に電界を印加するための第２の電極と、前記光導波路
の真上を概ね避けた位置に金属膜により形成され、前記
第１の電極と電気的に接続された第３の電極と、を含む
ことを特徴とする光導波路素子を提供する。
【００１１】また、本願発明は、上記課題を解決すべ
く、電気光学効果を有する光学基板と、前記光学基板の
表面付近に形成された第１の光導波路と、前記光導波路
の一部を覆うように導電性透明膜でもって形成され、前
記光導波路に電界を印加するための第１の電極と、前記
光学基板の表面付近に形成された第２の光導波路と、前
記光導波路の一部を覆うように導電性透明膜でもって形
成され、前記光導波路に電界を印加するための第２の電
極と、前記第１の電極及び前記第２の電極と対を成し、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路に対して相
関を有する電界をそれぞれ印加するための第３の電極
と、前記第１の光導波路の真上を概ね避けた位置に金属
膜により形成され、前記第１の電極と電気的に接続され
た第４の電極と、前記第２の光導波路の真上を概ね避け
た位置に金属膜により形成され、前記第２の電極と電気
的に接続された第５の電極と、を含むことを特徴とする
光導波路素子を提供する。
く、電気光学効果を有する光学基板と、前記光学基板の
表面付近に形成された第１の光導波路と、前記光導波路
の一部を覆うように導電性透明膜でもって形成され、前
記光導波路に電界を印加するための第１の電極と、前記
光学基板の表面付近に形成された第２の光導波路と、前
記光導波路の一部を覆うように導電性透明膜でもって形
成され、前記光導波路に電界を印加するための第２の電
極と、前記第１の電極及び前記第２の電極と対を成し、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路に対して相
関を有する電界をそれぞれ印加するための第３の電極
と、前記第１の光導波路の真上を概ね避けた位置に金属
膜により形成され、前記第１の電極と電気的に接続され
た第４の電極と、前記第２の光導波路の真上を概ね避け
た位置に金属膜により形成され、前記第２の電極と電気
的に接続された第５の電極と、を含むことを特徴とする
光導波路素子を提供する。
【００１２】以上のように、 金属電極を、透明電極の
うち光導波路上に形成された部分を除いた他の部分に形
成することにより、光損失を防止し、さらなる高速変調
を可能とする。もちろん、金属電極の一部を、透明電極
のうち光導波路上に形成された部分に重畳して配置して
もよいが、従来のように１００％重畳するようなことは
せず、重畳の度合いも必要最小限度にとどめることが望
ましいだろう。
うち光導波路上に形成された部分を除いた他の部分に形
成することにより、光損失を防止し、さらなる高速変調
を可能とする。もちろん、金属電極の一部を、透明電極
のうち光導波路上に形成された部分に重畳して配置して
もよいが、従来のように１００％重畳するようなことは
せず、重畳の度合いも必要最小限度にとどめることが望
ましいだろう。
【００１３】また、金属電極を、透明電極のうち光導波
路上に形成された部分には、できる限り重畳しないよう
に形成することにより、光損失を防止し、さらなる高速
変調が達成される。
路上に形成された部分には、できる限り重畳しないよう
に形成することにより、光損失を防止し、さらなる高速
変調が達成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照しつつ、本願
発明についてのいくつかの実施形態を説明する。
発明についてのいくつかの実施形態を説明する。
【００１５】図２に、本実施形態に関連する技術を示
す。図２は、関連技術における光導波路素子の縦断面図
である。１は、ＬｉＮｂＯ３からなる光学基板であり、
電気光学効果を有している。３は、光学基板１の表面近
くに形成された光導波路である。６は、導電性透明膜か
らなるバッファ層であり、光導波路の一部を覆うように
形成されおり、光導波路に電界を印加することができ
る。なお、光導波路に電界を印加する際には、導電性透
明膜６含む第１の電極と、該導電性透明膜と対になる第
２の電極（不図示）との間に外部から電位差を生じさせ
ることにより、前記光導波路に電界を印加することがで
きる。８は、金属膜であり、その下に形成されている前
記導電性透明膜６と電気的に接続されている。すなわち
金属膜は、導電性透明膜６の電極端子としての役割を果
たす。ここで、特に注目すべき点は、光導波路３、導電
性透明膜６及び金属電極８が全て重畳するように積層さ
れている点である。ここで、重畳とは、光学基板１の表
面の法線方向において重なることをいう。
す。図２は、関連技術における光導波路素子の縦断面図
である。１は、ＬｉＮｂＯ３からなる光学基板であり、
電気光学効果を有している。３は、光学基板１の表面近
くに形成された光導波路である。６は、導電性透明膜か
らなるバッファ層であり、光導波路の一部を覆うように
形成されおり、光導波路に電界を印加することができ
る。なお、光導波路に電界を印加する際には、導電性透
明膜６含む第１の電極と、該導電性透明膜と対になる第
２の電極（不図示）との間に外部から電位差を生じさせ
ることにより、前記光導波路に電界を印加することがで
きる。８は、金属膜であり、その下に形成されている前
記導電性透明膜６と電気的に接続されている。すなわち
金属膜は、導電性透明膜６の電極端子としての役割を果
たす。ここで、特に注目すべき点は、光導波路３、導電
性透明膜６及び金属電極８が全て重畳するように積層さ
れている点である。ここで、重畳とは、光学基板１の表
面の法線方向において重なることをいう。
【００１６】しかしながら、このように完全に重畳した
構造とすれば、光導波路３を通過する光が金属膜に吸収
されてしまい、結果として、光変調器の高速変調を妨げ
ることになる。
構造とすれば、光導波路３を通過する光が金属膜に吸収
されてしまい、結果として、光変調器の高速変調を妨げ
ることになる。
【００１７】そこで、本実施形態では、図３Ａに示すよ
うに、金属膜８を光導波路３の真上を概ね避けた位置に
形成することで、光損失を低減しようとするものであ
る。なお、図３Ａの例では、金属膜８は、光導波路３と
は全く重なってはいないが、図３Ｂに示すように、光導
波路３の上に、金属膜８の一部が重なるように配置され
てもよい。すなわち、光導波路３上における金属膜８の
表面積は、光導波路３上における導電性透明膜６の表面
積よりも小さくなることを意味する。さらに換言すれ
ば、金属膜８は、導電性透明膜６上の光導波路３から離
れた側に偏って形成されているとも表現できよう。この
ように、光導波路３の上に金属膜８の一部が重畳しても
よいが、重なりの具合が小さければ小さいほど光の吸収
損失も小さくなるため、できる限り重ならないようにす
ることが望ましい。図３Ｂには、光導波路３、導電性透
明膜６及び金属電極８についての関係を座標を用いて示
している。図中において、光導波路の左側の端を原点と
し、光学基板１の表面に平行で、光学基板１の縦方向に
伸びる直線座標を考える。光導波路３の幅をｄとし、金
属膜８の幅をｅとし、金属膜の開始位置をｘとすれば、
ｘ＞ｄであれば、全く重ならないことを意味し、０＜ｘ
＜ｄであれば、金属膜８の一部が光導波路３と重なって
いることを意味する。
うに、金属膜８を光導波路３の真上を概ね避けた位置に
形成することで、光損失を低減しようとするものであ
る。なお、図３Ａの例では、金属膜８は、光導波路３と
は全く重なってはいないが、図３Ｂに示すように、光導
波路３の上に、金属膜８の一部が重なるように配置され
てもよい。すなわち、光導波路３上における金属膜８の
表面積は、光導波路３上における導電性透明膜６の表面
積よりも小さくなることを意味する。さらに換言すれ
ば、金属膜８は、導電性透明膜６上の光導波路３から離
れた側に偏って形成されているとも表現できよう。この
ように、光導波路３の上に金属膜８の一部が重畳しても
よいが、重なりの具合が小さければ小さいほど光の吸収
損失も小さくなるため、できる限り重ならないようにす
ることが望ましい。図３Ｂには、光導波路３、導電性透
明膜６及び金属電極８についての関係を座標を用いて示
している。図中において、光導波路の左側の端を原点と
し、光学基板１の表面に平行で、光学基板１の縦方向に
伸びる直線座標を考える。光導波路３の幅をｄとし、金
属膜８の幅をｅとし、金属膜の開始位置をｘとすれば、
ｘ＞ｄであれば、全く重ならないことを意味し、０＜ｘ
＜ｄであれば、金属膜８の一部が光導波路３と重なって
いることを意味する。
【００１８】図は、図３Ａ示した光学導波路素子を真上
から見た図である。真上から見てもわかるように、光導
波路３の直上には金属膜８が存在しておらず、直上から
少し離れた位置に金属膜８が存在している。なお、図４
に示す実施形態では、金属膜８と導電性透明膜６の幅が
同一となっているが、これは例示に過ぎず、金属膜８の
幅がより狭くてもよい。
から見た図である。真上から見てもわかるように、光導
波路３の直上には金属膜８が存在しておらず、直上から
少し離れた位置に金属膜８が存在している。なお、図４
に示す実施形態では、金属膜８と導電性透明膜６の幅が
同一となっているが、これは例示に過ぎず、金属膜８の
幅がより狭くてもよい。
【００１９】図５に、他の実施形態を示す。図５におい
て、６ａは、光導波路３上に形成された導電性透明膜で
ある。導電性透明膜６ａの上には、光導波路３から離れ
た位置に金属膜８ａが形成されている。導電性透明膜６
ｂは、前記光導波路３の近傍付近から外側に向かって形
成されている。また、金属膜８ｂは、導電性透明膜６ｂ
上であって、光導波路３から離れた位置に形成されてい
る。すなわち、導電性透明膜６ａと金属膜８ａからなる
第１の電極と、導電性透明膜６ｂと金属膜８ｂからなる
第２の電極とは対になっており、この両端に電気信号を
加えると、この電気信号に相関して光導波路の屈折率が
変化することになる。
て、６ａは、光導波路３上に形成された導電性透明膜で
ある。導電性透明膜６ａの上には、光導波路３から離れ
た位置に金属膜８ａが形成されている。導電性透明膜６
ｂは、前記光導波路３の近傍付近から外側に向かって形
成されている。また、金属膜８ｂは、導電性透明膜６ｂ
上であって、光導波路３から離れた位置に形成されてい
る。すなわち、導電性透明膜６ａと金属膜８ａからなる
第１の電極と、導電性透明膜６ｂと金属膜８ｂからなる
第２の電極とは対になっており、この両端に電気信号を
加えると、この電気信号に相関して光導波路の屈折率が
変化することになる。
【００２０】図６には、さらに他の実施形態を示す。６
ａは、光導波路３上に形成された導電性透明膜である。
導電性透明膜６ａから離れた位置に、導電性透明膜６ａ
に沿って、金属膜８ａが形成されている。この導電性透
明膜６ａと金属膜８ａとは、金属膜又は導電性透明膜か
らなる細線８ｃによって、電気的に接続されている。導
電性透明膜６ｂは、前記光導波路３の近傍付近に、該光
導波路３に沿って形成されている。また、金属膜８ｂ
は、導電性透明膜６ｂから離れた位置に導電性透明膜６
ｂに沿って形成されており、金属膜又は導電性膜からな
る細線８ｄによって電気的に接続されている。なお、各
金属膜の下には、導電性透明膜が形成されていていもよ
い。また、細線８ｃ及び８ｄは、導電性物質であれば、
金属膜又は導電性透明膜ではない他の物質で構成されて
いてもよい。
ａは、光導波路３上に形成された導電性透明膜である。
導電性透明膜６ａから離れた位置に、導電性透明膜６ａ
に沿って、金属膜８ａが形成されている。この導電性透
明膜６ａと金属膜８ａとは、金属膜又は導電性透明膜か
らなる細線８ｃによって、電気的に接続されている。導
電性透明膜６ｂは、前記光導波路３の近傍付近に、該光
導波路３に沿って形成されている。また、金属膜８ｂ
は、導電性透明膜６ｂから離れた位置に導電性透明膜６
ｂに沿って形成されており、金属膜又は導電性膜からな
る細線８ｄによって電気的に接続されている。なお、各
金属膜の下には、導電性透明膜が形成されていていもよ
い。また、細線８ｃ及び８ｄは、導電性物質であれば、
金属膜又は導電性透明膜ではない他の物質で構成されて
いてもよい。
【００２１】図７Ａは、図６の光導波路素子の変形例で
ある。光導波路３上には、導電性透明膜６ａが形成され
ており、その外側に、金属膜８ａが電気的に接続して形
成されている。なお、金属膜８ａの下には、導電性透明
膜６ａが延在していてもよい。このような場合は、導電
性透明膜６ａの幅は、光導波路の３の幅に対して広くな
る。金属膜８ｂは、光導波路３から少し離れた位置に、
光導波路３に沿って形成されており、導電性透明膜６ａ
及び金属膜８ａからなる第１の電極と対を成す第２の電
極を構成する。なお、金属膜８ｂの下には、導電性透明
膜が形成されていてもよい。
ある。光導波路３上には、導電性透明膜６ａが形成され
ており、その外側に、金属膜８ａが電気的に接続して形
成されている。なお、金属膜８ａの下には、導電性透明
膜６ａが延在していてもよい。このような場合は、導電
性透明膜６ａの幅は、光導波路の３の幅に対して広くな
る。金属膜８ｂは、光導波路３から少し離れた位置に、
光導波路３に沿って形成されており、導電性透明膜６ａ
及び金属膜８ａからなる第１の電極と対を成す第２の電
極を構成する。なお、金属膜８ｂの下には、導電性透明
膜が形成されていてもよい。
【００２２】図７Ｂは、図６に示した光導波路素子の他
の変形例である。この実施形態では、光導波路３側の第
１の電極を図６に記載した電極と同様の構成とし、第１
の電極と対を成す第２の電極を図７Ａに記載した電極と
同様の構成としたものである。
の変形例である。この実施形態では、光導波路３側の第
１の電極を図６に記載した電極と同様の構成とし、第１
の電極と対を成す第２の電極を図７Ａに記載した電極と
同様の構成としたものである。
【００２３】図８は、図５の光導波路素子の変形例であ
る。とりわけ、図８の実施形態では、金属膜８ｂを、導
電性透明膜６ｂを全て覆うようにして形成したものであ
る。なお、金属膜８ｂは、導電性透明膜６ｂの上ではな
く、光学基板１上に直接形成されていてもよい。
る。とりわけ、図８の実施形態では、金属膜８ｂを、導
電性透明膜６ｂを全て覆うようにして形成したものであ
る。なお、金属膜８ｂは、導電性透明膜６ｂの上ではな
く、光学基板１上に直接形成されていてもよい。
【００２４】図９は、本実施形態に係る光導波路素子に
ついての断面図を示している。光導波路３の上には、第
１の電極の一部を構成する導電性透明膜６ａが形成され
ている。この導電性透明膜６ａから離れた位置に、第２
の電極を構成する導電性透明膜６ｂと金属膜８ｂが形成
されている。
ついての断面図を示している。光導波路３の上には、第
１の電極の一部を構成する導電性透明膜６ａが形成され
ている。この導電性透明膜６ａから離れた位置に、第２
の電極を構成する導電性透明膜６ｂと金属膜８ｂが形成
されている。
【００２５】図１０Ａ及び図１０Ｂは、図９に示した実
施形態の変形例である。図１０Ａでは、金属膜８ｂの表
面積が、導電性透明膜６ｂの表面積よりも小さくなって
いる。しかも、導電性透明膜６ｂ上であって、光導波路
３から離れた側に偏在している。図１０Ｂでは、導電性
透明膜６ｂの外側に金属膜８ｂが形成されている。他の
視点でみれば、金属膜８ｂの上に導電性透明膜６ｂの一
部が覆い被さっているともいえる。一部しか覆い被さっ
ていないのは、完全に覆ってしまうと、金属膜８ｂに対
してワイヤーボンディングを施せないからである。
施形態の変形例である。図１０Ａでは、金属膜８ｂの表
面積が、導電性透明膜６ｂの表面積よりも小さくなって
いる。しかも、導電性透明膜６ｂ上であって、光導波路
３から離れた側に偏在している。図１０Ｂでは、導電性
透明膜６ｂの外側に金属膜８ｂが形成されている。他の
視点でみれば、金属膜８ｂの上に導電性透明膜６ｂの一
部が覆い被さっているともいえる。一部しか覆い被さっ
ていないのは、完全に覆ってしまうと、金属膜８ｂに対
してワイヤーボンディングを施せないからである。
【００２６】図１１は、光導波路３上に形成された導電
性透明膜６ａと金属膜８ｂとの間にある光学基板１の一
部に溝を設けた実施形態を示している。この溝は、エッ
チング処理などにより形成することができる。
性透明膜６ａと金属膜８ｂとの間にある光学基板１の一
部に溝を設けた実施形態を示している。この溝は、エッ
チング処理などにより形成することができる。
【００２７】図１２は、図１１の実施形態において、金
属膜８ｂの下についてもエッチング処理を施したもので
ある。換言すれば、金属膜８ｂは、光導波路３が形成さ
れている光学基板１の表面領域よりも低い領域の上に形
成されている。
属膜８ｂの下についてもエッチング処理を施したもので
ある。換言すれば、金属膜８ｂは、光導波路３が形成さ
れている光学基板１の表面領域よりも低い領域の上に形
成されている。
【００２８】図１３Ａは、複数の光導波路を備えた光導
波路素子の実施形態である。図１３Ａにおいて、第１の
光導波路３側には、第１の光導波路３上に形成された導
電性透明膜６ａと、導電性透明膜６ａの上であって、第
１の光導波路３から離れた位置に形成された金属膜８ａ
が存在する。一方、第２の光導波路４側には、第２の光
導波路４上に形成された導電性透明膜６ｓと、導電性透
明膜６ｓの上であって、第２の光導波路４から離れた位
置に形成された金属膜８ｓが存在する。また、電界付加
用の電極として金属膜８ｂが形成されている。すなわ
ち、本実施形態に係る光学導波路素子は、電気光学効果
を有する光学基板１と、前記光学基板１の表面付近に形
成された第１の光導波路３と、前記第１の光導波路３に
電界を印加するため、前記第１の光導波路３の一部を覆
うように形成された導電性透明膜６ａと、前記光学基板
１の表面付近に形成された第２の光導波路４と、前記第
２の光導波路に電界を印加するため、前記第２の光導波
路４の一部を覆うように形成された導電性透明膜６ｓ
と、導電性透明膜６ａ、６ｓと対を成し、前記第１の光
導波路３及び前記第２の光導波路４に対して相関を有す
る電界をそれぞれ印加するための電極である金属膜８ｂ
と、前記第１の光導波路３の真上を概ね避けた位置に前
記導電性透明膜６ａと電気的に接続されて形成された金
属膜８ａと、前記第２の光導波路４の真上を概ね避けた
位置に前記導電性透明膜６ｓと電気的に接続されて形成
された金属膜８ｓとを備えている。このような光学導波
路素子を応用すれば、マッハツェンダ型の光変調器を構
成することができる。
波路素子の実施形態である。図１３Ａにおいて、第１の
光導波路３側には、第１の光導波路３上に形成された導
電性透明膜６ａと、導電性透明膜６ａの上であって、第
１の光導波路３から離れた位置に形成された金属膜８ａ
が存在する。一方、第２の光導波路４側には、第２の光
導波路４上に形成された導電性透明膜６ｓと、導電性透
明膜６ｓの上であって、第２の光導波路４から離れた位
置に形成された金属膜８ｓが存在する。また、電界付加
用の電極として金属膜８ｂが形成されている。すなわ
ち、本実施形態に係る光学導波路素子は、電気光学効果
を有する光学基板１と、前記光学基板１の表面付近に形
成された第１の光導波路３と、前記第１の光導波路３に
電界を印加するため、前記第１の光導波路３の一部を覆
うように形成された導電性透明膜６ａと、前記光学基板
１の表面付近に形成された第２の光導波路４と、前記第
２の光導波路に電界を印加するため、前記第２の光導波
路４の一部を覆うように形成された導電性透明膜６ｓ
と、導電性透明膜６ａ、６ｓと対を成し、前記第１の光
導波路３及び前記第２の光導波路４に対して相関を有す
る電界をそれぞれ印加するための電極である金属膜８ｂ
と、前記第１の光導波路３の真上を概ね避けた位置に前
記導電性透明膜６ａと電気的に接続されて形成された金
属膜８ａと、前記第２の光導波路４の真上を概ね避けた
位置に前記導電性透明膜６ｓと電気的に接続されて形成
された金属膜８ｓとを備えている。このような光学導波
路素子を応用すれば、マッハツェンダ型の光変調器を構
成することができる。
【００２９】図１３Ｂは、図１３Ａの変形例である。具
体的には、第１の光導波路３側の導電性透明膜６ａを第
２の光導波路４の反対側に張り出すように形成し、その
上に金属膜８ａを形成してものである。換言すれば、金
属膜８ａと８ｓのうち少なくとも一方は、第１の光導波
路３と第２の光導波路４とに囲まれた領域の外側に配置
される。このように形成することにより、導電性透明膜
６ａと６ｂ間のカップリング現象を低減する効果があ
る。
体的には、第１の光導波路３側の導電性透明膜６ａを第
２の光導波路４の反対側に張り出すように形成し、その
上に金属膜８ａを形成してものである。換言すれば、金
属膜８ａと８ｓのうち少なくとも一方は、第１の光導波
路３と第２の光導波路４とに囲まれた領域の外側に配置
される。このように形成することにより、導電性透明膜
６ａと６ｂ間のカップリング現象を低減する効果があ
る。
【００３０】図１４は、さらに他の変形事例である。よ
り具体的には、光学基板上１に導電性透明膜６ｂが形成
され、さらにその上に金属膜８ｂが形成されている。ま
た、この場合も、金属膜８ｂは、導電性透明膜６ｂ上で
あって、前記第１又は前記第２の光導波路のうちより近
いほうの光導波路３に対して近接した側の前記導電性透
明膜６ｂ上に偏在している。
り具体的には、光学基板上１に導電性透明膜６ｂが形成
され、さらにその上に金属膜８ｂが形成されている。ま
た、この場合も、金属膜８ｂは、導電性透明膜６ｂ上で
あって、前記第１又は前記第２の光導波路のうちより近
いほうの光導波路３に対して近接した側の前記導電性透
明膜６ｂ上に偏在している。
【００３１】図１５は、各電極間にエッチング処理によ
り溝１１を形成した光導波路素子の実施形態を示してい
る。さらに、この実施形態では、金属膜８ｓ及び導電性
透明膜６ｓと対になる電極として、金属膜８ｔを設けて
いる。さて、図１５において、溝１１を、金属膜８ｂと
導電性透明膜６ａとの間、導電性透明膜６ａ導電性透明
膜６ｓとの間、及び、導電性透明膜６ｓと金属膜６ｔと
の間に設けている。図１５の実施形態では、合計で３つ
の溝が形成されているが、いずれか１つのみ溝を設ける
構成であってもよい。また、３つの溝のうち、任意の組
み合わせからなる２つの溝を設けてもよい。
り溝１１を形成した光導波路素子の実施形態を示してい
る。さらに、この実施形態では、金属膜８ｓ及び導電性
透明膜６ｓと対になる電極として、金属膜８ｔを設けて
いる。さて、図１５において、溝１１を、金属膜８ｂと
導電性透明膜６ａとの間、導電性透明膜６ａ導電性透明
膜６ｓとの間、及び、導電性透明膜６ｓと金属膜６ｔと
の間に設けている。図１５の実施形態では、合計で３つ
の溝が形成されているが、いずれか１つのみ溝を設ける
構成であってもよい。また、３つの溝のうち、任意の組
み合わせからなる２つの溝を設けてもよい。
【００３２】図１６は、図１５の実施形態においてさら
に、金属膜８ｂと金属膜８ｔの下にまでエッチング領域
を拡大したものである。換言すると、金属膜８ｂと金属
膜８ｔのうち少なくとも一方が、光導波路が形成されて
いる光学基板の表面領域よりも低い領域１２の上に形成
されている。
に、金属膜８ｂと金属膜８ｔの下にまでエッチング領域
を拡大したものである。換言すると、金属膜８ｂと金属
膜８ｔのうち少なくとも一方が、光導波路が形成されて
いる光学基板の表面領域よりも低い領域１２の上に形成
されている。
【００３３】図１７は、図１５の実施形態において、溝
１１の深さを変更した事例である。より具体的には、溝
１１を光学基板１まで掘らずに、薄く導電性透明膜１３
を残している。換言すれば、金属膜８ａの下に存在する
導電性透明膜と、金属膜８ｓの下に存在する導電性透明
膜との間に、これらの導電性透明膜よりも薄い導電性透
明膜（薄膜１３）が存在するのである。なお、金属膜８
ａの下に存在する導電性透明膜と、金属膜８ｂの下に存
在する導電性透明膜との間や、金属膜８ｓの下に存在す
る導電性透明膜と、金属膜８ｔの下に存在する導電性透
明膜との間に、薄膜１３を設けてもよい。
１１の深さを変更した事例である。より具体的には、溝
１１を光学基板１まで掘らずに、薄く導電性透明膜１３
を残している。換言すれば、金属膜８ａの下に存在する
導電性透明膜と、金属膜８ｓの下に存在する導電性透明
膜との間に、これらの導電性透明膜よりも薄い導電性透
明膜（薄膜１３）が存在するのである。なお、金属膜８
ａの下に存在する導電性透明膜と、金属膜８ｂの下に存
在する導電性透明膜との間や、金属膜８ｓの下に存在す
る導電性透明膜と、金属膜８ｔの下に存在する導電性透
明膜との間に、薄膜１３を設けてもよい。
【００３４】図１８は、金属膜の一部が光導波路上を横
切る実施形態である。より具体的には、導電性透明膜６
ａが光導波路３及び４の上を横切るよう形成されている
とともに、さらに、金属膜８ａも導電性透明膜６ａ上
に、光導波路３及び４の上を横切るように形成されてい
る。金属膜８ａが光導波路３及び４の上を横切るため、
金属膜８ａにより光が吸収されることになるが、光導波
路を横切る金属膜の幅ｗが、光導波路の長さに対して十
分に短い幅であれば実質的に実用に耐えうると思われ
る。ここで、十分に短い幅とは、光導波路３，４中を通
過する光が金属膜８ａの一部により吸収される度合いが
システムリクアイアメント満たす程度となるような幅で
あれば問題がないと思われる。
切る実施形態である。より具体的には、導電性透明膜６
ａが光導波路３及び４の上を横切るよう形成されている
とともに、さらに、金属膜８ａも導電性透明膜６ａ上
に、光導波路３及び４の上を横切るように形成されてい
る。金属膜８ａが光導波路３及び４の上を横切るため、
金属膜８ａにより光が吸収されることになるが、光導波
路を横切る金属膜の幅ｗが、光導波路の長さに対して十
分に短い幅であれば実質的に実用に耐えうると思われ
る。ここで、十分に短い幅とは、光導波路３，４中を通
過する光が金属膜８ａの一部により吸収される度合いが
システムリクアイアメント満たす程度となるような幅で
あれば問題がないと思われる。
【００３５】図１９には、複数の光導波路を備えた光導
波路素子の他の実施形態である。図には、第１の電界発
生部３０と、第２の電界発生部４０が示されている。こ
の第１の電界発生部３０と、第２の電界発生部４０の少
なくとも一方には、上述の実施形態を適用することがで
きる。とりわけ、一方にのみ上述の実施形態を適用する
場合は、他方には、従来の電極配置構成を適用してもよ
い。もちろん、第１の電界発生部３０と、第２の電界発
生部４０の双方に上述の実施形態を適用してもよい。
波路素子の他の実施形態である。図には、第１の電界発
生部３０と、第２の電界発生部４０が示されている。こ
の第１の電界発生部３０と、第２の電界発生部４０の少
なくとも一方には、上述の実施形態を適用することがで
きる。とりわけ、一方にのみ上述の実施形態を適用する
場合は、他方には、従来の電極配置構成を適用してもよ
い。もちろん、第１の電界発生部３０と、第２の電界発
生部４０の双方に上述の実施形態を適用してもよい。
【００３６】以上、光導波路素子について様々な実施形
態を解説してきたが、上述の実施形態を採用して、光変
調器や光通信装置を構成してもよいことは、当業者であ
れば理解できよう。
態を解説してきたが、上述の実施形態を採用して、光変
調器や光通信装置を構成してもよいことは、当業者であ
れば理解できよう。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、 金属電極を、透明電極
のうち光導波路上に形成された部分を除いた他の部分に
形成することにより、光損失を防止し、さらなる高速変
調を可能とする.もちろん、金属電極の一部を、透明電
極のうち光導波路上に形成された部分に重畳して配置し
てもよいが、従来のように１００％重畳するようなこと
はせず、重畳の度合いも必要最小限度にとどめることが
望ましいだろう。
のうち光導波路上に形成された部分を除いた他の部分に
形成することにより、光損失を防止し、さらなる高速変
調を可能とする.もちろん、金属電極の一部を、透明電
極のうち光導波路上に形成された部分に重畳して配置し
てもよいが、従来のように１００％重畳するようなこと
はせず、重畳の度合いも必要最小限度にとどめることが
望ましいだろう。
【００３８】また、金属電極を、透明電極のうち光導波
路上に形成された部分には、できる限り重畳しないよう
に形成することにより、光損失を防止し、さらなる高速
変調が達成される。
路上に形成された部分には、できる限り重畳しないよう
に形成することにより、光損失を防止し、さらなる高速
変調が達成される。
【図１】 本願発明に関連する光導波路素子の斜視図で
ある。
ある。
【図２】 本願発明に関連する光導波路素子の光導波路
部分における縦方向の断面図である。
部分における縦方向の断面図である。
【図３Ａ】 実施形態における光導波路素子の縦方向の
断面図である。
断面図である。
【図３Ｂ】 金属膜の一部が光導波路に重畳する構成に
ついての実施形態を示す図である。
ついての実施形態を示す図である。
【図４】 実施形態における光導波路素子の上面図であ
る。
る。
【図５】 Ｌ字型の導電性透明膜の単に金属膜を設けた
実施形態を示す図である。
実施形態を示す図である。
【図６】 導電性透明膜と金属膜とを細線で結合した実
施形態を示す図である。
施形態を示す図である。
【図７Ａ】 導電性透明膜と金属膜とを光導波路に沿っ
て形成した実施形態を示す図である。
て形成した実施形態を示す図である。
【図７Ｂ】 導電性透明膜と金属膜とを細線で結合して
一方の電極を形成した実施形態を示す図である。
一方の電極を形成した実施形態を示す図である。
【図８】 他方の電極を、金属膜のみで形成した実施形
態を示す図である。
態を示す図である。
【図９】 光導波路上にない方の電極を導電性透明膜と
金属膜にて形成した場合の実施形態を示す断面図であ
る。
金属膜にて形成した場合の実施形態を示す断面図であ
る。
【図１０Ａ】 図９の構成において、金属膜を導電性透
明膜よりも小さく形成した実施形態を示す断面図であ
る。
明膜よりも小さく形成した実施形態を示す断面図であ
る。
【図１０Ｂ】 光導波路上にない方の電極において導電
性透明膜の下に金属膜を形成した実施形態を示す断面図
である。
性透明膜の下に金属膜を形成した実施形態を示す断面図
である。
【図１１】 二つの電極間に溝を形成した実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１２】 二つの電極間に段差を設けた実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１３Ａ】 複数の光導波路を備える光導波路素子に
ついての実施形態を示す断面図である。
ついての実施形態を示す断面図である。
【図１３Ｂ】 各光導波路に対応する電極を複数の光導
波路の外側に設けた実施形態を示す断面図.である。
波路の外側に設けた実施形態を示す断面図.である。
【図１４】 光導波路上にない方の電極を導電性透明膜
と金属膜とを積層して形成した実施形態を示す断面図で
ある。
と金属膜とを積層して形成した実施形態を示す断面図で
ある。
【図１５】 複数の電極間に溝を形成した実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１６】 複数の電極間に段差を設けた実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１７】 複数の導電性透明膜の間をより薄い導電性
透明膜でもって結合した実施形態を示す断面図である。
透明膜でもって結合した実施形態を示す断面図である。
【図１８】 金属膜の一部が光導波路を横断するように
形成された実施形態を示す断面図である。
形成された実施形態を示す断面図である。
【図１９】 マッハツェンダ型の光変調器において、少
なくとも一方の電界印加部の構成に本願発明の何れかの
実施形態を採用する場合を示す上面図である。
なくとも一方の電界印加部の構成に本願発明の何れかの
実施形態を採用する場合を示す上面図である。
１ … LiNbO3
２〜５ … 光導波路
６ … 透明性導電膜（電極）
８ … 金属膜（ワイヤボンディング用の電極）
９ … 入力光
１０ … 出力光
１１ … エッチィング溝
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 清野 實
神奈川県厚木市岡田１−４−１
Ｆターム(参考） 2H047 KA03 NA02 QA03 RA08 TA11
TA31
2H079 AA02 AA12 BA01 CA04 DA03
EA05 EB04 EB17 HA15 HA16
JA07
Claims (38)
- 【請求項１】電気光学効果を有する光学基板と、 前記光学基板の表面付近に形成された少なくとも1つの
光導波路と、 前記光導波路の一部を覆うように導電性透明膜でもって
形成され、前記光導波路に電界を印加するための第１の
電極と、 前記第１の電極と対を成し、前記光導波路に電界を印加
するための第２の電極と、 前記光導波路の真上を概ね避けた位置に金属膜により形
成され、前記第１の電極と電気的に接続された第３の電
極と、 を含むことを特徴とする光導波路素子。 - 【請求項２】前記第３の電極は、前記第１の電極上であ
って、前記第１の電極と前記光導波路が重畳している部
分の一部に重畳して積層されていることを特徴とする請
求項１に記載の光導波路素子。 - 【請求項３】前記第３の電極は、前記第１の電極上であ
って、前記第１の電極と前記光導波路が重畳している部
分を除いた位置に積層されていることを特徴とする請求
項１に記載の光導波路素子。 - 【請求項４】前記第２の電極上に金属膜でもって形成さ
れた第４の電極をさらに備え、 前記第２の電極は、前記光導波路の近傍付近から外側に
向かって、導電性透明膜でもって形成され、 前記第４の電極は、前記第２の電極上であって、前記光
導波路の近傍付近から離れた位置に形成されていること
を特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載
の光導波路素子。 - 【請求項５】金属膜でもって形成された第４の電極をさ
らに備え、 前記第２の電極と前記第４の電極は、導電性物質を介し
て電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃
至請求項３の何れか１項に記載の光導波路素子。 - 【請求項６】前記導電性物質は、導電性透明膜又は金属
膜であることを特徴とする請求項５に記載の光導波路素
子。 - 【請求項７】前記第１の電極と前記第３の電極は、導電
性物質を介して電気的に接続されていることを特徴とす
る請求項１に記載の光導波路素子。 - 【請求項８】前記導電性物質は、導電性透明膜又は金属
膜であることを特徴とする請求項７に記載の光導波路素
子。 - 【請求項９】前記第１の電極の幅は、前記光導波路の幅
よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の光導波路
素子。 - 【請求項１０】前記第２の電極は、前記光導波路に沿っ
て前記光学基板上に金属膜でもって積層されていること
を特徴とする請求項１に記載の光導波路素子。 - 【請求項１１】前記第２の電極と前記光学基板の間に
は、導電性透明膜が形成されていることを特徴とする請
求項１０に記載の光導波路素子。 - 【請求項１２】前記第２の電極に係る金属膜の面積は、
前記第２の電極に係る導電性透明膜の面積よりも小さい
ことを特徴とする請求項１１に記載の光導波路素子。 - 【請求項１３】前記第２の電極に係る金属膜は、前記第
２の電極に係る導電性透明膜上の前記光導波路から離れ
た側に偏って形成されていることを特徴とする請求項１
１に記載の光導波路素子。 - 【請求項１４】前記第２の電極に係る金属膜の前記光導
波路側に電気的に接続されて形成された導電性透明膜を
さらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の光導
波路素子。 - 【請求項１５】前記第１の電極と前記第２の電極との間
にある前記光学基板の一部に対してエッチング処理を施
して形成された溝さらに備えることを特徴とする請求項
１に記載の光導波路素子。 - 【請求項１６】前記第２の電極は、前記光導波路が形成
されている前記光学基板の表面領域よりも低い領域の上
に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光
導波路素子。 - 【請求項１７】前記第２の電極が形成されている部分の
光学基板は、エッチング処理を施した結果、前記光導波
路が形成されている部分の光学基板より低く整形されて
いることを特徴とする請求項１６に記載の光導波路素
子。 - 【請求項１８】電気光学効果を有する光学基板と、 前記光学基板の表面付近に形成された第１の光導波路
と、 前記光導波路の一部を覆うように導電性透明膜でもって
形成され、前記光導波路に電界を印加するための第１の
電極と、 前記光学基板の表面付近に形成された第２の光導波路
と、 前記光導波路の一部を覆うように導電性透明膜でもって
形成され、前記光導波路に電界を印加するための第２の
電極と、 前記第１の電極及び前記第２の電極と対を成し、前記第
１の光導波路及び前記第２の光導波路に対して相関を有
する電界をそれぞれ印加するための第３の電極と、 前記第１の光導波路の真上を概ね避けた位置に金属膜に
より形成され、前記第１の電極と電気的に接続された第
４の電極と、 前記第２の光導波路の真上を概ね避けた位置に金属膜に
より形成され、前記第２の電極と電気的に接続された第
５の電極と、 を含むことを特徴とする光導波路素子。 - 【請求項１９】前記光導波路素子は、マッハツェンダ型
の光変調器であることを特徴とする請求項１８に記載の
光導波路素子。 - 【請求項２０】前記第４の電極は、前記第１の光導波路
と前記光導波路とに囲まれた領域の外側に配置されてい
ることを特徴とする請求項１８に記載の光導波路素子。 - 【請求項２１】前記第５の電極は、前記第１の光導波路
と前記光導波路とに囲まれた領域の外側に配置されてい
ることを特徴とする請求項１８に記載の光導波路素子。 - 【請求項２２】前記第３の電極は、さらに、 前記光学基板上に形成された導電性透明膜と、 前記導電性透明膜上に形成された金属膜とを備えること
を特徴とする請求項１８に記載の光導波路素子。 - 【請求項２３】前記第３の電極に係る金属膜は、前記導
電性透明膜上であって、前記第１又は前記第２の光導波
路のうちより近いほうの光導波路に対して近接した側の
前記導電性透明膜上に偏在していることを特徴とする請
求項２２に記載の光導波路素子。 - 【請求項２４】第１の電極と第２の電極間に形成された
溝をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の
光導波路素子。 - 【請求項２５】第２の電極と第３の電極間に形成された
溝ををさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載
の光導波路素子。 - 【請求項２６】前記第３の電極は、 前記第１の電極と対を成し、前記第１の光導波路に対し
て電界を印加するための第６の電極と、 前記第２の電極と対を成し、前記第２の光導波路に対し
て電界を印加するための第７の電極とを備えることを特
徴とする請求項１８に記載の光導波路素子。 - 【請求項２７】前記第１の電極と前記第６の電極間にエ
ッチング形成された溝を備えることを特徴とする請求項
２６に記載の光導波路素子。 - 【請求項２８】前記第２の電極と前記第７の電極間にエ
ッチング形成された溝を備えることを特徴とする請求項
２６に記載の光導波路素子。 - 【請求項２９】前記第１の電極と前記第２の電極間にエ
ッチング形成された溝を備えることを特徴とする請求項
２６に記載の光導波路素子。 - 【請求項３０】前記第３の電極は、前記光導波路が形成
されている前記光学基板の表面領域よりも低い領域の上
に形成されているを備えることを特徴とする請求項１８
に記載の光導波路素子。 - 【請求項３１】前記第３の電極が形成されている部分の
光学基板は、エッチング処理を施した結果、前記光導波
路が形成されている部分の光学基板より低く整形された
ものであることを特徴とする請求項３０に記載の光導波
路素子。 - 【請求項３２】前記第１の電極と前記第２の電極間に、
前記第１の電極を構成する導電性透明膜の厚さよりも薄
い厚さの導電性透明膜を備えるをことを特徴とする請求
項１８に記載の光導波路素子。 - 【請求項３３】前記第１の電極と前記第３の電極間に、
前記第１の電極を構成する導電性透明膜の厚さよりも薄
い厚さの導電性透明膜を備えることを特徴とする請求項
１８に記載の光導波路素子。 - 【請求項３４】前記第３の電極を構成する金属膜の一部
が、前記光導波路上を横切るように形成されていること
を特徴とする請求項１８に記載の光導波路素子。 - 【請求項３５】前記第３の電極を構成する金属膜の一部
は、前記光導波路の長さに対して十分に短い幅の金属膜
であることを特徴とする請求項３４に記載の光導波路素
子。 - 【請求項３６】前記十分に短い幅とは、前記光導波路中
を通過する光が前記金属膜の一部により吸収される度合
いがシステムリクアイアメント満たす程度となるような
幅であることを特徴とする請求項３５に記載の光導波路
素子。 - 【請求項３７】請求項１乃至請求項１６の何れか１項に
記載された光導波路素子を用いたことを特徴とする光変
調器。 - 【請求項３８】請求項１乃至請求項１６の何れか１項に
記載した光導波路素子デバイスを用いたことを特徴とす
る光通信装置。
Priority Applications (2)
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| JP2001224839A JP2003057616A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 光導波路素子、光変調器及び光通信システム |
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|---|---|---|---|
| JP2001224839A JP2003057616A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 光導波路素子、光変調器及び光通信システム |
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