JP2004017591A - 高はっ水性積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、簡易な工程で製造可能であり、かつ高いはっ水性を有する高はっ水性物質を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、表面に微細な凹凸を有する高分子基材と、前記高分子基材上に気相法により形成されたはっ水層とを有することを特徴とする高はっ水性積層体を提供することにより上記目的を達成するものである。
【選択図】　　　無し

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車部品や建築材料等に用いることができる、樹脂性物質からなる高はっ水性積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車部品や建築材料、その他の様々な分野において、水滴の付着や汚染を防止するために、表面をはっ水性にすることが求められている。そこで、従来より高分子基材の表面にはっ水性を付与する方法として、基材の表面に疎水性物質であるフッ素系やシリコーン系等のはっ水被膜を形成する方法が知られているが、水との接触角が１２０°程度であることから、高はっ水とすることが困難であり、また、塗膜の耐磨耗性や、耐薬品性、耐熱性が悪い等の問題や、経時変化が大きい等の問題があった。
【０００３】
さらに、表面にはっ水性を付与する方法として、レーザーやウェットエッチング等により表面に微細な凹凸形状を作製することにより、空気層を導入し、はっ水性を向上させる方法が知られている。しかしながら、この方法では基材が限定されることや、装置が大きく高価であることからコストがかかる等の問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、簡易な工程で製造可能であり、かつ高いはっ水性を有する高はっ水性物質の提供が望まれている。
【０００５】
【課題が解決するための手段】
本発明は、請求項１に記載するように、表面に微細な凹凸を有する高分子基材と、前記高分子基材上に気相法により形成されたはっ水層とを有することを特徴とする高はっ水性積層体を提供する。
【０００６】
本発明においては、表面に微細な凹凸を有する高分子基材上に、気相法によりはっ水層を形成することにより、高はっ水性積層体の表面も凹凸を有する形状とすることが可能であり、その表面の凹凸およびはっ水層のはっ水性の両方の効果により、高いはっ水性を有する高はっ水性積層体とすることが可能となるのである。
【０００７】
上記請求項１に記載の発明においては、請求項２に記載するように、上記高分子基材表面の表面粗さが５〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。上記高分子基材表面の表面粗さが、上記範囲内であることにより、高はっ水性を発現することが可能となる。また、上記高分子基材上に気相法によりはっ水層を形成すると、表面の凹凸が平坦化されるのを防ぐことも可能となる。
【０００８】
上記請求項１または請求項２に記載の発明においては、請求項３に記載するように、上記高分子基材が、高分子基材表面にプラズマ照射することにより、上記高分子基材表面に微細な凹凸が形成される材料からなるものであることが好ましい。上記高分子基材が、表面をプラズマ照射することにより、微細な凹凸が形成される材料であることにより、高分子基材表面における凹凸の形成が容易となり、製造効率等の面から好ましいからである。
【０００９】
また、上記請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載の発明においては、請求項４に記載するように、上記高分子基材が延伸されたものであることが好ましい。上記高分子基材が未延伸の場合にも，ランダムな凹凸が形成されるため，はっ水性を高めることが可能であるが、延伸されることにより、規則的な配向が可能となり、表面全体に凹凸が規則的に形成されやすく、その凹凸により高はっ水性とすることが可能となるからである。
【００１０】
また、上記請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の発明においては、請求項５に記載するように、上記高分子基材が、ポリエステル系樹脂、またはポリカーボネートであることが好ましい。上記高分子基材がポリエステル系樹脂またはポリカーボネートであることにより、微細な表面凹凸の形成が容易であり、さらに加工が容易であることから、高はっ水性積層体を様々な用途に使用することが可能となるからである。
【００１１】
上記請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載の発明においては、請求項６に記載するように、上記はっ水層は、平面に形成した場合の水との接触角が７０〜１２０°の範囲内である材料で形成されていることが好ましい。上記はっ水層が、平面に形成された場合に、水との接触角が上記の範囲内である材料により形成されていることから、表面に凹凸を有する高分子基材上に形成した場合に、高分子基材にさらに高いはっ水性を付与することが可能となり、高はっ水性積層体とすることが可能となるからである。
【００１２】
上記請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載の発明においては、請求項７に記載するように、上記はっ水層が、金属骨格からなりアルキル基を有する有機膜、炭素および水素（ＣおよびＨ）のみから構成される有機膜、またはフッ素（Ｆ）を含む膜であってもよい。具体的には、請求項８に記載するように、上記金属骨格からなりアルキル基を有する有機膜が、Ｓｉ_ｘＯ_ｙＣ_ｚＨ_αＦ_βで示される有機フッ化シリコン材料またはその重合膜、Ｓｉ_ｘＯ_ｙＨ_αＦ_βで示されるフッ化シリコン系材料またはその重合膜、もしくはＣ_ｘＯ_ｙＨ_ｚＦ_αで示されるフッ素含有炭化水素系材料またはその重合膜である。上記はっ水層が、上記のような構成であることにより、積層体に高いはっ水性を付与することが可能となるからである。
【００１３】
上記請求項１から請求項９までのいずれかの請求項に記載の発明においては、請求項１０に記載するように、上記はっ水層の厚さが１〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。上記はっ水層の厚さを、上記の範囲内とすることにより、はっ水層が上記高分子基材の表面凹凸を平坦化することを防ぐことが可能となり、高いはっ水性とすることが可能となるからである。
【００１４】
また、上記請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載の発明においては、請求項１１に記載するように、上記はっ水層が、自己組織化単分子膜であってもよい。上記はっ水層がはっ水性を有する自己組織化単分子膜であることにより、高分子基材上に単分子ではっ水層を形成することが可能であり、高分子基材表面の凹凸に沿って自己組織化単分子膜を形成することから、高はっ水性積層体とすることが可能となるからである。
【００１５】
さらに、請求項１１に記載の発明においては、請求項１２に記載するように、上記自己組織化単分子膜が、下記の一般式（１）で示される化合物を原材料として形成されたものであることが好ましい。
【００１６】
Ｒ^１ _αＸＲ^２ _β　　　（１）
（ここで、Ｒ^１は、炭素数１〜３０までのアルキル基あるいはアリール基（ベンゼン環）であり、炭素基は部分的に分岐鎖や多重結合を有するものも含まれる。また、炭素に結合する元素としてはフッ素や塩素等のハロゲン、水素あるいは窒素等も含まれる。また、Ｒ^２は、ハロゲン、または−ＯＲ^３（Ｒ^３は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはアリル基である。ここで、炭素が酸素や水素だけでなく、ハロゲンや窒素と結合しているものも含まれる。）で示される置換基である。また、Ｘは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＣおよびＳからなる群から選択される一つの元素である。ここで、αおよびβは１以上であり、α＋βは２から４である。）
上記自己組織化単分子膜が上記の化合物であることにより、よりはっ水性の高い膜とすることが可能となり、高はっ水性積層体とすることが可能となるからである。
【００１７】
上記請求項１から請求項１２までのいずれかの請求項に記載の発明においては、請求項１３に記載するように、高はっ水性積層体の表面粗さが、５〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。高はっ水性積層体の表面粗さを上記範囲内とすることにより、表面に高いはっ水性を発現させることが可能であり、高はっ水性積層体とすることが可能となるからである。
【００１８】
上記請求項１から請求項１３までのいずれかの請求項に記載の発明においては、請求項１４に記載するように、高はっ水性積層体の水との接触角が、１２０°以上であることが好ましい。高はっ水性積層体の水との接触角を上記範囲内とすることにより、高いはっ水性の要求される様々な用途に使用することが可能となるからである。
【００１９】
本発明は、請求項１５に記載するように、高分子基材表面に、ドライエッチングにより表面粗さが５〜２００ｎｍの範囲内の凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記凹凸を形成した高分子基材上に気相法により厚さが１〜１５０ｎｍの範囲内であるはっ水層を形成するはっ水層形成工程とを有することを特徴とする高はっ水性積層体の製造方法を提供する。
【００２０】
本発明によれば、高分子基材表面にドライエッチングにより上記範囲内の凹凸を形成し、その凹凸を形成した高分子基材上に、気相法により上記の範囲内のはっ水層を形成することから、上記凹凸形成工程で形成した凹凸を埋めることなく、はっ水層を形成することが可能となり、はっ水層のはっ水性および表面の凹凸の両方の効果により、高いはっ水性を有する高はっ水性積層体を形成することが可能となるのである。
【００２１】
上記請求項１５に記載の発明においては、請求項１６に記載するように、上記高分子基材が延伸されたものであることが好ましい。上記高分子基材が延伸されたものであることにより、上記凹凸形成工程において、高分子基材上に、容易に規則的な凹凸を形成することが可能となるからである。
【００２２】
上記請求項１５または請求項１６に記載の発明においては、請求項１７に記載するように、上記凹凸形成工程が、酸素原子を含んだガスを用いるプラズマによるエッチング法を用いることが好ましい。上記凹凸形成工程が、酸素プラズマによるエッチングを用いることにより、高分子基材表面に親水基を導入することが可能であり、親水基の導入された高分子基材上にはっ水層を設けることにより、はっ水層と高分子基材の密着性が向上し、高いはっ水性を有する高はっ水性積層体を製造することが可能となるからである。
【００２３】
上記請求項１５から請求項１７までのいずれかの請求項に記載の発明においては、請求項１８に記載するように、上記はっ水層形成工程が、プラズマＣＶＤ法により膜を形成する工程であっても、請求項１９に記載するように、上記はっ水層形成工程が、熱ＣＶＤ法により自己組織化単分子膜を形成する工程であってもよい。
【００２４】
プラズマＣＶＤ法により上記はっ水層形成工程を行うことにより、上記凹凸形成工程において形成された高分子基材表面の凹凸を平坦化することなく、はっ水層を形成することが可能となり、高はっ水性を有する高はっ水性積層体を製造することが可能となるからである。また、上記はっ水層形成工程が、熱ＣＶＤ法により、自己組織化単分子膜を形成する工程であることにより、上記高分子基材上に自己組織化単分子膜を均一に形成することが可能であり、上記凹凸形成工程で形成された上記高分子基材表面の凹凸を平坦化することなく、はっ水層を形成することが可能となるからである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明は、簡易な工程で製造可能であり、かつ高いはっ水性を有する高はっ水性積層体およびその製造方法に関するものである。以下、これらについてわけて説明する。
【００２６】
１．高はっ水性積層体
本発明における高はっ水性積層体は、表面に微細な凹凸を有する高分子基材と、前記高分子基材上に気相法により形成されたはっ水層とを有することを特徴とするものである。本発明においては、表面に微細な凹凸を有する高分子基材上に、気相法によりはっ水層を形成することにより、高はっ水性積層体表面も凹凸を有する形状とすることが可能であり、その表面の凹凸およびはっ水層のはっ水性との両方の効果により、高いはっ水性を有する高はっ水性積層体とすることが可能となるのである。以下、上記の高はっ水性積層体の構成についてそれぞれ説明する。
【００２７】
（高分子基材）
本発明に用いられる高分子基材としては、表面に微細な凹凸を有する高分子基材であり、この微細な凹凸ではっ水性を発現することのできるものであれば、特にその樹脂の種類等は限定されるものではなく、用途に応じて透明なものであっても、不透明なものであってもよく、フィルム状であっても、板状であってもよく、さらに，ガラスやシリコンウエハーのような固体表面を高分子によりコーティングした基材でも良い。
【００２８】
本発明に使用できる高分子基材の種類として、具体的には
・エチレン、ポリプロピレン、ブテン等の単独重合体または共重合体または共重合体等のポリオレフィン（ＰＯ）樹脂、
・環状ポリオレフィン等の非晶質ポリオレフィン樹脂（ＡＰＯ）、
・ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン２、６−ナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂、
・ナイロン６、ナイロン１２、共重合ナイロン等のポリアミド系（ＰＡ）樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）等のポリビニルアルコール系樹脂、
・ポリイミド（ＰＩ）樹脂、
・ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂、
・ポリサルホン（ＰＳ）樹脂、
・ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂、
・ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、
・ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、
・ポリビニルブチラート（ＰＶＢ）樹脂、
・ポリアリレート（ＰＡＲ）樹脂、
・エチレン−四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、三フッ化塩化エチレン（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＦＥＰ）、フッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ化ビニル（ＰＶＦ）、パーフルオロエチレン−パーフロロプロピレン−パーフロロビニルエーテル−共重合体（ＥＰＡ）等のフッ素系樹脂、
等を用いることができる。
【００２９】
また、上記に挙げた樹脂以外にも、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物によりなる樹脂組成物や、上記アクリルレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物よりなる樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート等のオリゴマーを多官能アクリレートモノマーに溶解せしめた樹脂組成物等の光硬化性樹脂およびこれらの混合物等を用いることも可能である。さらに、これらの樹脂の１または２種以上をラミネート、コーティング等の手段によって積層させたものを基材として用いることも可能である。さらに，ガラスやシリコンウエハーのような固体表面にこれらの樹脂をコーティングした基材でも良い。
【００３０】
上記の高分子基材の中でも、特に高分子基材表面にプラズマ照射することにより、上記高分子基材表面に微細な凹凸が形成される材料であることが好ましい。上記高分子基材が、プラズマ照射により表面に微細な凹凸が形成される材料であることにより、上記の高分子基材表面の微細な凹凸を、プラズマ照射により得ることが可能となり、製造効率やコストの面からも好ましいからである。
【００３１】
本発明においては、未延伸でも良いが，中でも上記高分子基材が、延伸されたものであることが好ましい。上記高分子基材が延伸されることで，規則的な配向が可能となり，表面全体に凹凸が規則的に形成されやすく、その凹凸により高はっ水性とすることが可能となるからである。なお、未延伸の場合にも，ランダムな凹凸が形成されるため，はっ水性を高めることが可能となる。
【００３２】
具体的な延伸の方法としては、未延伸の基材を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸などの公知の方法により、基材の流れ（縦軸）方向、または基材の流れ方向と直角（横軸）方向に延伸することにより延伸基材を製造することができる。この場合の延伸倍率は、基材の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向および横軸方向にそれぞれ２〜１０倍が好ましい。
【００３３】
さらに、本発明の高分子基材は、上述した高分子基材の中でも特に、ポリエステル樹脂またはポリカーボネートであることが好ましい。また、ポリエステル樹脂の中でも特にポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートであることが好ましい。上記高分子基材が、これらの物質であることにより、微細な表面凹凸の形成が容易であり、さらに加工が容易である等の性質から、様々な用途に使用することが可能であり、高はっ水性積層体を様々な用途に使用することが可能となるからである。
【００３４】
ここで、高分子基材の凹凸の形成方法や凹凸の形状等は特に限定されるものではないが、上記の高分子基材表面に形成された凹凸として、表面粗さが５〜２００ｎｍ、中でも５〜１００ｎｍ，特に５〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。上記高分子基材表面の表面粗さが、上記範囲内であることにより、高いはっ水性を発現することが可能であるからである。
【００３５】
ここで、表面粗さ測定は，原子間力顕微鏡（セイコーインスツルメンツ社製；ＳＰＩ３８００Ｎ）を用いて、タッピングモードで測定された。
【００３６】
また、高分子基材表面への凹凸の形成方法として、具体的には、プラズマ照射によるエッチングや、反応性イオンエッチング，スパッタエッチング，光エッチング，溶液処理等が挙げられるが、中でもプラズマによるエッチングを用いる方法が好ましく、特には酸素原子を含んだガスを用いるプラズマによるエッチング法を用いることが好ましく、中でも酸素プラズマによるエッチングが好ましい。プラズマによるエッチングを用いた高分子基材表面への凹凸形成は、簡易な工程で行うことが可能であり、製造効率やコストの面からも好ましいからである。また、中でも酸素原子を含んだガスを用いるプラズマによるエッチングを用いることにより、高分子基材表面に親水基を導入することが可能であり、親水基の導入された高分子基材上に後述するはっ水層を設けることにより、はっ水層と高分子基材の密着性が向上し、機械的特性の良好な高はっ水性積層体を製造することが可能となるからである。
【００３７】
（はっ水層）
本発明におけるはっ水層は、上述した表面凹凸を形成した高分子基材上に気相法により形成されたはっ水性を有する層であれば、その原材料等は特に限定されるものではないが、上記はっ水層は、平面に形成した場合の水との接触角が７０〜１２０°、中でも１００〜１２０°の範囲内で形成されている材料であることが好ましい。上記はっ水層が、平面に形成された場合に、水との接触角が上記の範囲内である材料により形成されていることから、表面に凹凸を有する高分子基材上に形成した場合には、さらに高いはっ水性を付与することが可能となるからである。
【００３８】
本発明における水との接触角は、協和界面化学社の接触角測定装置（型番ＣＡ−Ｚ）を用いて測定したものである。具体的には、被測定対象物の表面上に、純水を一滴（一定量）滴下させ、一定時間（１０秒間）経過後顕微鏡またはＣＣＤカメラを用いて水滴形状を観察し、物理的に接触角を求める。
【００３９】
さらに本発明のはっ水層は、気相法により形成されたはっ水膜、または自己組織化単分子膜であることが好ましい。以下、これらについてわけて説明する。
【００４０】
（１）気相法により形成されたはっ水膜
まず、上記気相法により形成されたはっ水膜について説明する。
【００４１】
本発明における気相法により形成されたはっ水膜とは、金属骨格からなりアルキル基を有する有機膜、炭素および水素（ＣおよびＨ）のみから構成される有機膜、およびフッ素（Ｆ）を含む膜であり、上述したようなはっ水性を有する層であれば、製法等は特に限定されるものではないが、基材に対して熱的なダメージを与えずに形成できる点からＣＶＤ法により形成されたはっ水層であることが特に好ましいといえる。
【００４２】
以下、金属骨格からなりアルキル基を有する有機膜、炭素および水素（ＣおよびＨ）のみから構成される有機膜、およびフッ素（Ｆ）を含むについて、それぞれ説明する。なお、ここでいうアルキル基は、炭素数が１〜３０の範囲内のものが好ましく、中でも炭素数１〜６、特に炭素数が１のメチル基、あるいは２のエチル基が最も好ましい。
【００４３】
▲１▼金属骨格からなりアルキル基を有する有機膜
このような有機膜の金属骨格としては、Ｓｉ，ＴｉおよびＡｌ等を上げることができる。具体的な材料としては、Ｓｉ_ｘＯ_ｙＣ_ｚＨ_αで示される有機シリコン系材料、またはプラズマＣＶＤ法、プラズマ重合法を用いたこれら重合膜を挙げることができる。
【００４４】
▲２▼炭素および水素（ＣおよびＨ）のみから構成される有機膜
具体的には、炭化水素系材料またはその重合膜を挙げることができる。このような膜の製造方法としては、プラズマＣＶＤ法（プラズマ重合法）を用いてもよく、またポリエチレン等のポリオレフィン材料をＰＶＤ法により蒸着するようにしたものであってもよい。
【００４５】
▲３▼フッ素（Ｆ）を含む膜
Ｆを含む膜としては、例えばＳｉ_ｘＯ_ｙＣ_ｚＨ_αＦ_βで示される有機フッ化シリコン材料またはその重合膜、Ｓｉ_ｘＯ_ｙＨ_αＦ_βで示されるフッ化シリコン系材料またはその重合膜、もしくはＣ_ｘＯ_ｙＨ_ｚＦ_αで示されるフッ素含有炭化水素系材料またはその重合膜が挙げられる。
【００４６】
本発明において、上述したようにはっ水膜を形成するに際して、特に好ましい材料として具体的には、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ；（ＣＨ_３）_３ＳｉＯＳｉ（ＣＨ_３）_３）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ；（ＣＨ_３）_２ＨＳｉＯＳｉＨ（ＣＨ_３）_２）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ；Ｓｉ（ＣＨ_３）_４）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＶＤＦ（ポリビニリデンフルオロエチレン）、ＰＶＦ（ポリビニルフルオリド）、ＥＴＦＥ（エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体）、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_２Ｈ_４、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_６、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_２、Ｃ_２Ｆ_４、Ｃ_２Ｆ_６、ポリエチレン樹脂、環状ポリオレフィン樹脂等を挙げることができる。
【００４７】
ここで、上記はっ水膜が酸素原子を含有する酸化珪素膜である場合には、はっ水膜中の酸素原子の濃度が、Ｓｉ原子数１００に対して０〜１００、特に０〜５０の範囲内であることが好ましい。酸素原子は、水分子と水素結合を容易に形成することから、はっ水膜中に酸素原子を有することにより、水分子を引き寄せ、はっ水性が低下する原因となる。上記はっ水膜において、酸素原子の濃度が上述した範囲内であることから、酸素原子によるはっ水性の低下を抑えることが可能となり、積層体を高はっ水性なものとすることが可能となるからである。
【００４８】
ここで、本発明のはっ水膜の各部分における成分割合は、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で測定された値である。ＸＰＳによる分析法を以下説明する。真空中で固体表面にＸ線を照射すると、Ｘ線によりエネルギ−を与えられた表面原子から電子が飛散する。この電子は、Ｘ線などの光照射によって発生するため光電子と呼ばれ、この光電子は、元素固有のエネルギ−を有することから、エネルギ−分布を測定することにより元素の定性分析や定量分析が可能となる。また、表面から深いところで発生した光電子は、表面に出てくる前にそのエネルギーを失うため測定が困難であり、１０００ｅＶの運動エネルギーを有する電子の脱出深さは、数ｎｍ（数十原子層）であることから、最表面の情報を得ることが可能となる。さらに、深部を測定するためには、表面をアルゴン等のイオンによりスパッタリングする必要があり、元素の種類により選択的なスパッタリングが生じるので、定量の際には補正が必要となる。
【００４９】
また、上述した気相法により形成されたはっ水膜における好適な膜厚は、１ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内、中でも１ｎｍ〜１００ｎｍ，特に１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００５０】
はっ水膜の膜厚が、上記範囲より薄い場合は、例えばはっ水膜が形成されない部分が生じる等のはっ水層としての機能を発揮できない可能性が生じることから好ましくなく、上記範囲より膜厚を厚くしても、はっ水性を向上させないことからコスト面で問題となる可能性があるため好ましくない。
【００５１】
（２）自己組織化単分子膜
次に、本発明における上記はっ水層は、自己組織化単分子膜であってもよく、以下、この自己組織化単分子膜について説明する。
【００５２】
自己組織化単分子膜とは、固体／液体もしくは固体／気体界面で、有機分子同士が自発的に集合し、会合体を形成しながら自発的に単分子膜を形作っていく有機薄膜である。例として、ある特定の材料でできた基板を、その基板材料と化学的親和性の高い有機分子の溶液または蒸気にさらすと、有機分子は基板表面で化学反応し吸着する。その有機分子が、化学的親和性の高い官能基と、基板との化学反応を全く起こさないアルキル基との２つのパートからなり、親和性の高い官能基がその末端にある場合、分子は反応性末端が基板側を向き、アルキル基が外側を向いて吸着する。アルキル基同士が集合すると、全体として安定になるため、化学吸着の過程で有機分子同士は自発的に集合する。分子の吸着には、基板と末端官能基との間で化学反応が起こることが必要であることから、いったん基板表面が有機分子でおおわれ単分子膜ができあがると、それ以降は分子の吸着は起こらない。その結果、分子が密に集合し、配向性のそろった有機単分子膜ができる。このような膜を本発明においては、自己組織化単分子膜とする。ここで、上記の基板と結合する反応性末端基を吸着基、外側を向いて配向する基を配向基とする。
【００５３】
上記はっ水層が上述したような自己組織化単分子膜であることにより、上述した高分子基材の凹凸に沿って、単分子で膜を形成することが可能であり、上記高分子基材の凹凸、および自己組織化単分子膜の配向基のはっ水性により高はっ水性積層体とすることが可能となるのである。
【００５４】
ここで、上記自己組織化単分子膜は、下記の一般式（１）で示される化合物を原材料として形成されたものであることが好ましい。
【００５５】
Ｒ^１ _αＸＲ^２ _β　　　（１）
（ここで、Ｒ^１は、炭素数１〜３０までのアルキル基あるいはアリール基（ベンゼン環）であり、炭素基は部分的に分岐鎖や多重結合を有するものも含まれる。また、炭素に結合する元素としてはフッ素や塩素等のハロゲン、水素あるいは窒素等も含まれる。また、Ｒ^２は、ハロゲン、または−ＯＲ^３（Ｒ^３は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはアリル基である。ここで、炭素が酸素や水素だけでなく、ハロゲンや窒素と結合しているものも含まれる。）で示される置換基である。また、Ｘは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＣおよびＳからなる群から選択される一つの元素である。ここで、αおよびβは１以上であり、α＋βは２から４である。）
ここで、Ｒ^１は上述の配向基、Ｒ^２は上述の吸着基、Ｘは自己組織化単分子膜の核となる物質である。上記自己組織化単分子膜が上記の化合物であり、Ｒ_１が上記のような基であることにより、自己組織化単分子膜は高いはっ水性を有する膜であり、高はっ水性積層体に高いはっ水性を付与することが可能となるのである。
【００５６】
上記に示した自己組織化単分子膜形成物質の具体的な例として、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルメチルジエトキシシラン、オクタデシルジメチルメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン、オクタデシルメトキシジクロロシラン、オクタデシルメチルジクロロシラン、オクタデシルジメチル（ジメチルアミノ）シラン、オクタデシルジメチルクロロシラン、ノニルクロロシラン、オクテニルトリクロロシラン、オクテニルトリメトキシシラン、オクチルメチルジクロロシラン、オクチルメチルジエトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリクロロシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ペンチルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルトリメトキシシラン、フェニルジクロロシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルエチルジクロロシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリクロロシラン、テトラデシルトリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）ジメチルクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリエトキシシラン、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルメチルジクロロシラン、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン、イソオクチルトリメトキシシラン、イソブチルメチルジクロロシラン、イソブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリクロロシラン、ヘキシルトリクロロシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキセニルトリクロロシラン、ヘキシルジクロロシラン、ヘキサデシルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）メチルジクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）ジメチルクロロシラン、エイコシルトリクロロシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリクロロシラン、ドデシルメチルジクロロシラン、ドデシルジメチルクロロシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジメトキシメチル−３，３，３−トリフルオロプロピルシラン、デシルメチルジクロロシラン、デシルトリクロロシラン、デシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルメチルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリクロロシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリクロロシランであることが好ましい。
【００５７】
本発明においては、中でもオクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ノニルクロロシラン、オクテニルトリクロロシラン、オクテニルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリクロロシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ペンチルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリクロロシラン、テトラデシルトリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリエトキシシラン、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン、イソオクチルトリメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリクロロシラン、ヘキシルトリクロロシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキセニルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン、エイコシルトリクロロシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリクロロシラン、ジメトキシメチル−３，３，３−トリフルオロプロピルシラン、デシルトリクロロシラン、デシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルメチルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリクロロシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリクロロシランが好ましく、特にオクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシランが好ましい。
【００５８】
（高はっ水性積層体）
本発明における高はっ水性積層体は、上述した高分子基材上に、上述したはっ水層を形成したものであれば、用途に合わせて透明であっても、不透明であってもよい。
【００５９】
また本発明においては、高はっ水性積層体の表面粗さが５〜２００ｎｍ、中でも５〜１００ｎｍ，特に５〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。高はっ水性積層体の表面粗さが上記の範囲内であることにより、表面の凹凸とはっ水層のはっ水性との両方の効果により、高はっ水性とすることが可能となるからである。なお、ここでいう表面粗さは、上述した方法により測定されたものである。
【００６０】
また、本発明においては、上記高はっ水性積層体の水との接触角が、１２０°以上、中でも１３０°以上であることが好ましい。高はっ水性積層体の水との接触角を上記範囲内とすることにより、高いはっ水性の要求される様々な用途に使用することが可能となるからである。なお、ここでいう水との接触角の測定方法は、上述した方法により測定されたものである。
【００６１】
２．高はっ水性積層体の製造方法
本発明の高はっ水性積層体の製造方法は、高分子基材表面に、ドライエッチングにより凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記凹凸を形成した高分子基材上に気相法によりはっ水層を形成するはっ水層形成工程とを有することを特徴とする方法である。本発明によれば、高分子基材表面のドライエッチングにより、凹凸を形成する凹凸形成工程を有することによって、高はっ水性積層体の表面に凹凸を形成することが可能となり、高はっ水性を付与することが可能となるのである。また、上記凹凸形成工程により凹凸を形成した高分子基材上に、気相法によりはっ水層を形成することにより、上記凹凸形成工程で形成した凹凸を平坦化することなく、はっ水層を形成することが可能となることから、上記の表面凹凸、およびはっ水層の効果により、高いはっ水性を有する高はっ水性積層体を形成することが可能となるのである。
【００６２】
以下、上記の高はっ水性積層体の製造方法について、詳しく説明する。
【００６３】
（凹凸形成工程）
本発明における凹凸形成工程は、高分子基材表面にドライエッチングにより、表面粗さが５〜２００ｎｍ、中でも５〜１００ｎｍ，特に５〜５０ｎｍの範囲内の凹凸を形成する工程である。なお、ここでいう表面粗さは、上述した方法により測定されたものである。
【００６４】
本発明における高分子基材表面粗さが、上記範囲内であることにより、高いはっ水性を発現することが可能であり、さらに後述するはっ水層形成工程により、高分子基材上にはっ水層を形成した際にも、はっ水層により平坦化される可能性が少ないからである。
【００６５】
また、本発明に用いられる高分子基材は、凹凸の形成が可能な樹脂基材であれば、特に限定されるものではなく、中でも、均一な凹凸が形成可能であるという面から、上記高分子基材が延伸されたものであることが好ましい。本発明における高分子基材の種類や、延伸の具体的な方法は、高はっ水性積層体の高分子基材の項で述べたものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６６】
本発明の凹凸形成工程において用いられるドライエッチングは、プラズマエッチングやスパッタエッチング等を挙げることができ、上記の範囲内の表面粗さを形成可能な方法であれば特に限定されるものではないが、中でも酸素原子を含んだガスを用いるプラズマによるエッチング法を用いた工程であることが好ましい。本発明において、酸素原子を含んだガスとは、例としてＮＯ_２、ＣＯ_２、またはＯ_２等のガスである。上記凹凸形成工程に、酸素原子を含んだガスを用いるプラズマによるエッチング法を用いることによって、高分子基材表面に凹凸を形成するのと同時に、プラズマ中の酸素と高分子基材表面において反応が行われ、高分子基材表面に−ＯＨ基が導入される。これにより、高分子基材表面と後述するはっ水層形成工程により形成されるはっ水層との密着性を向上させることができ、高いはっ水性を有する積層体を製造することが可能となるからである。
【００６７】
上記の酸素原子を含んだガスを用いるプラズマによるエッチング法の中でも、本発明では特に酸素プラズマによるエッチングを用いることが好ましい。本発明において好適に用いられる酸素プラズマによるエッチング法とは、具体的には酸素プラズマによる分解生成された活性な分子、ここでは活性酸素種（原子および分子を含む広義のラジカル）による化学的効果と基材表面に形成されるイオン・シースで加速されたイオンによる物理的効果とその相乗効果によるエッチング技術である。
【００６８】
（はっ水層形成工程）
本発明におけるはっ水層形成工程は、上述した凹凸形成工程により凹凸が形成された高分子基材上に、気相法により、厚さが１〜１５０ｎｍ、好ましくは１〜１００ｎｍ，特に１〜５０ｎｍの範囲内であるはっ水層を形成する工程である。
【００６９】
本発明のはっ水層は、気相法により形成されたはっ水膜、または自己組織化単分子膜であることが好ましく、以下にこれらのはっ水層の形成方法について説明する。
【００７０】
（１）気相法により形成されたはっ水膜
まず、はっ水層が、気相法により形成されるはっ水膜である場合のはっ水層形成工程について説明する。
【００７１】
本発明における気相法とは、ＰＶＤ法であっても、ＣＶＤ法であってもよく、気相を介して行う成膜法であれば、特に限定されるものではないが、特にはプラズマＣＶＤ法により行うことが好ましい。
【００７２】
プラズマＣＶＤ法は、高分子基材に熱的ダメージが加わらない程度の低温（およそ−１０〜２００℃程度の範囲）で所望の材料を成膜でき、さらに原料ガスの種類・流量、成膜圧力、投入電力によって、得られる膜の種類や物性を制御できるという利点があることから、上述した基材等に熱的ダメージを与える可能性が少なく、本発明においては、上述した凹凸形成工程により形成された高分子基材の表面の凹凸を平坦化する可能性が少ないことから、基材として例えば熱的耐性の弱い高分子基材等を使用することが可能となり、種々の用途に使用できる高はっ水性積層体とすることが可能となるからである。
【００７３】
本発明における具体的な成膜方法としては、まず成膜時の基材の温度が−２０〜１００℃の範囲内、好ましくは−１０〜５０℃の範囲内とする。次に原料ガスとして下記のいずれかの材料を用い、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ発生手段における単位面積当たりの投入電力を有機薄膜が形成可能な大きさで設定し、成膜圧力をパーティクルの発生がない程度の高い圧力（５０〜３００ｍＴｏｒｒ）の範囲で設定する。また、マグネット等プラズマの閉じ込め空間を形成しその反応性を高めることにより、その効果がより高く得られる。
【００７４】
ここで、本発明のはっ水膜としては、
▲１▼アルキル基のリッチな薄膜
▲２▼Ｃ，Ｈのみで構成される炭化水素膜
▲３▼フッ素を含む薄膜
のいずれかであることが好ましく、上記の方法によりはっ水性の高い膜を形成できる。以下、これらに用いられる原料ガスについて説明する。
【００７５】
▲１▼アルキルリッチ有機膜形成の場合
有機珪素化合物ガスとしては、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンを好ましく用いることができる他、テトラメチルジシロキサン、ノルマルメチルトリメトキシシラン等の従来公知のものを、一種または二種以上用いることができる。
【００７６】
しかしながら、この場合は、アルキルリッチな膜を形成する目的から、特に分子内に炭素−珪素結合を多くもつ有機珪素化合物が好適に用いられる。具体的には、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等を挙げることができ、中でも分子内に炭素−珪素結合を多く有するヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ；（ＣＨ_３）_３ＳｉＯＳｉ（ＣＨ_３）_３）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ；（ＣＨ_３）_２ＨＳｉＯＳｉＨ（ＣＨ_３）_２）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ；Ｓｉ（ＣＨ_３）_４）が好ましいといえる。
【００７７】
▲２▼炭化水素系材料の場合
炭化水素系材料として、好ましい材料は、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_２Ｈ_４、およびＣ_３Ｈ_８を挙げることができ、特に好ましくは、Ｃ_２Ｈ_２、およびＣ_２Ｈ_４を挙げることができる。
【００７８】
▲３▼フッ素含有有機材料の場合
フッ素含有有機材料としては、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_６，Ｃ_３Ｆ_８，Ｃ_５Ｆ_８等を挙げることができ、特に、Ｃ_２Ｆ_４およびＣ_３Ｆ_８が特に好ましい。
【００７９】
このように、原料ガスのうち有機珪素化合物ガスとして炭素−珪素結合を多く有する有機化合物を用い、さらに上述したような開始時の基材の温度、原料ガスの流量比、さらにはプラズマ発生手段における投入電力、成膜圧力を上述した範囲内とすることにより、より優れたはっ水性膜が得られるのは、有機珪素化合物ガスの分解性が低く、膜中にアルキル基またはフッ素が取り込まれやすくなるから（▲１▼、▲３▼の場合）、もしくは膜がＣＨ結合のみで構成される結果としてはっ水効果の高い膜が得られるから（▲２▼の場合）と考えられる。なお、ここでいうアルキルとは、炭素数が１〜３０の範囲内のものが好ましく、中でも炭素数が１〜６、特に１のメチル基あるいは２のエチル基が最も好ましい。
【００８０】
（２）自己組織化単分子膜
次に、本発明におけるはっ水層が、自己組織化単分子膜である場合について説明する。本発明における自己組織化単分子膜の形成方法は特に限定されるものではないが、特に熱ＣＶＤ法により形成することが好ましい。自己組織化単分子膜を形成する工程が、熱ＣＶＤ法であることにより、熱ＣＶＤ法では、原料となる物質を気化し、基材上に均一になるように材料を送り込み、酸化、還元、置換等の反応を行わせることから、上記高分子基材の凹凸上にも均一に自己組織化単分子膜を形成することが可能であり、上記高分子基材表面に形成された凹凸を平坦化することなく、はっ水層を形成することが可能である。
【００８１】
本発明における熱ＣＶＤ法の好ましい成膜条件としては、上述した高分子基材の耐熱温度以下であれば、高ければ高いほどよいが、５０℃〜２００℃の範囲内であることが好ましい。また、反応系中に水分、あるいは酸素が含まれることが、上記自己組織化単分子膜形成物質のアルコキシ基の加水分解反応がより促進され、基材との反応性が高くなることから好ましい。
【００８２】
本発明における熱ＣＶＤ法による自己組織化単分子膜の材料としては、上述した高はっ水性積層体のはっ水層の自己組織化単分子膜の記載と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００８３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００８４】
【実施例】
以下に実施例および比較例を示して、本発明をさらに具体的に説明する。
【００８５】
［実施例１］
（表面凹凸形成）
ＰＥＴ基材を容量結合型高周波プラズマ装置により下記の方法により、酸素プラズマエッチングした。まず、ＰＥＴ基材をチャンバー中に設置した後，減圧手段により反応チャンバー内を１．０×１０^−４Ｐａ以下まで真空にした。基材には１２μｍ−ＰＥＴ（ユニチカ（株）社製）を使用した。次いで、酸素原子を含むガスとして酸素ガスを用い，チャンバー中に５Ｐａ導入した。プラズマ生成には１３．５６ＭＨｚの高周波を用いた。１００Ｗの電力で，１０分間酸素プラズマエッチングを実施した。エッチング後のＰＥＴ表面の平均二乗粗さは約１０ｎｍであった。表面粗さの測定は、原子間力顕微鏡（セイコーインスツルメンツ社製；ＳＰＩ３８００Ｎ）を用いて、タッピングモードで測定された。
【００８６】
（熱ＣＶＤ工程によるはっ水層形成；自己組織化単分子膜成膜）
上述した酸素プラズマエッチングされたＰＥＴ基材と、ガラス容器に入れたオクタデシルトリメトキシシラン（東京化成工業（株）社製　００２５６）約０．２ｍｌを、テフロン（登録商標）容器内に設置し、１００℃のオーブン中に５時間放置し、熱ＣＶＤによる自己組織化単分子膜（以下、ＯＤＳ−ＳＡＭと略称する。）形成を行った。
【００８７】
ＯＤＳ−ＳＡＭ成膜後、水滴接触角および膜厚を測定したところ、水との接触角が約１４０°であり、膜厚は１．８ｎｍであった。ＳＡＭ成膜前の水滴接触角が１０°以下であったので、熱ＣＶＤにより、ＳＡＭが形成されていることがわかった。
【００８８】
なお、この水との接触角の測定方法は、協和界面化学社の接触角測定装置（型番ＣＡ−Ｚ）を用い、被測定対象物の表面上に、純水を一滴（一定量）滴下させ、一定時間経過後、ＣＣＤカメラを用いて水滴形状を観察し、物理的に接触角を求める方法を用いた。
【００８９】
ＯＤＳ−ＳＡＭ成膜後，ＸＰＳにより膜特性を評価したところ、膜中からＳｉおよびＣの存在が確認された。なお、ＸＰＳによる評価は、ＭｇＫα使用、１５ｋＶ、２０ｍＡ（３００Ｗ）という条件下で、ＸＰＳ２２０ｉＸＬ（ＥＳＣＡＬＡＢ社製）を用いて実施された。
【００９０】
［実施例２］
（表面凹凸形状形成）
実施例１と同様にしてＰＥＴ上に凹凸を形成した。
【００９１】
（プラズマＣＶＤ工程によるはっ水層形成；シリカ系薄膜成膜）
酸素プラズマエッチング工程に引き続き，エッチングされたＰＥＴ基材上に，シリカ系薄膜（ＳｉＣｘＨｙ系薄膜）を容量結合型高周波プラズマＣＶＤにより成膜した。プラズマエッチング後，再度チャンバー内の真空度を１．０×１０^−４Ｐａ以下にした後，原料ガスを反応チャンバー内に導入した。原料ガスとしては、有機珪素化合物としてテトラメチルシラン（チッソ（株）社製　Ｔ２０５０）を用いた。チャンバー全圧が１０Ｐａとなるように圧力を調整した。プラズマ生成、原料分解には１３．５６ＭＨｚの高周波を用いた。成膜時間１５秒間、２００Ｗの電力でシリカ系薄膜を成膜した。成膜中，基材表面温度は５０℃以下であった。シリカ系薄膜成膜後、水滴接触角および膜厚を測定したところ、水との接触角が約１４０°であり、膜厚は約３ｎｍであった。
【００９２】
シリカ成膜後，ＸＰＳおよびＦＴＩＲにより膜特性を評価したところ、膜中からＳｉ，Ｃ，Ｈの存在が確認された。
【００９３】
［比較例１］
酸素プラズマエッチングを実施せずに，ＯＤＳ−ＳＡＭをＰＥＴ基材上に形成（ＯＤＳ−ＳＡＭ成膜は実施例１と同様）したところ，水滴接触角は約１０５°であった。
【００９４】
［比較例２］
酸素プラズマエッチングを実施せずに，シリカ系薄膜をＰＥＴ基材上に形成（シリカ系薄膜作製は実施例２と同様）したところ，水滴接触角は約１００°であった。
【００９５】
【発明の効果】
本発明においては、表面に微細な凹凸を有する高分子基材上に、気相法によりはっ水層を形成することにより、高はっ水性積層体の表面も凹凸を有する形状とすることが可能であり、その表面の凹凸およびはっ水層のはっ水性の両方の効果により、高いはっ水性を有する高はっ水性積層体とすることが可能となるのである。

Claims (19)

1. 表面に微細な凹凸を有する高分子基材と、前記高分子基材上に気相法により形成されたはっ水層とを有することを特徴とする高はっ水性積層体。
2. 前記高分子基材表面の表面粗さが５〜２００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の高はっ水性積層体。
3. 前記高分子基材が、高分子基材表面にプラズマ照射することにより、前記高分子基材表面に微細な凹凸が形成される材料からなるものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高はっ水性積層体。
4. 前記高分子基材が、延伸されたものであることを特徴とする請求項１から請求項３までまでのいずれかの請求項に記載の高はっ水性積層体。
5. 前記高分子基材が、ポリエステル系樹脂、またはポリカーボネートであることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の高はっ水性積層体。
6. 前記はっ水層は、平面に形成した場合の水との接触角が７０〜１２０°の範囲内である材料で形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載された高はっ水性積層体。
7. 前記はっ水層が、金属骨格からなりアルキル基を有する有機膜、炭素および水素（ＣおよびＨ）のみから構成される有機膜、またはフッ素（Ｆ）を含む膜であることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載の高はっ水性積層体。
8. 前記金属骨格からなりアルキル基を有する有機膜が、Ｓｉ_ｘＯ_ｙＣ_ｚＨ_αで示される有機シリコン系材料またはその重合膜であることを特徴とする請求項７に記載の高はっ水性積層体。
9. 前記フッ素（Ｆ）を含む膜が、Ｓｉ_ｘＯ_ｙＣ_ｚＨ_αＦ_βで示される有機フッ化シリコン材料またはその重合膜、Ｓｉ_ｘＯ_ｙＨ_αＦ_βで示されるフッ化シリコン系材料またはその重合膜、もしくはＣ_ｘＯ_ｙＨ_ｚＦ_αで示されるフッ素含有炭化水素系材料またはその重合膜であることを特徴とする請求項７に記載の高はっ水性積層体。
10. 前記はっ水膜の膜厚が１〜１５０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれかの請求項に記載の高はっ水性積層体。
11. 前記はっ水層が、自己組織化単分子膜であることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載の高はっ水性積層体。
12. 前記自己組織化単分子膜が、下記の一般式（１）で示される化合物を原材料として形成されたものであることを特徴とする請求項１１に記載の積層体。
    Ｒ^１ _αＸＲ^２ _β　　　（１）
    （ここで、Ｒ^１は、炭素数１〜３０までのアルキル基あるいはアリール基（ベンゼン環）であり、炭素基は部分的に分岐鎖や多重結合を有するものも含まれる。また、炭素に結合する元素としてはフッ素や塩素等のハロゲン、水素あるいは窒素等も含まれる。また、Ｒ^２は、ハロゲン、または−ＯＲ^３（Ｒ^３は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはアリル基である。ここで、炭素が酸素や水素だけでなく、ハロゲンや窒素と結合しているものも含まれる。）で示される置換基である。また、Ｘは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＣおよびＳからなる群から選択される一つの元素である。ここで、αおよびβは１以上であり、α＋βは２から４である。）
13. 高はっ水性積層体の表面粗さが、表面粗さが５〜２００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項１２までのいずれかの請求項に記載の高はっ水性積層体。
14. 高はっ水性積層体の水との接触角が、１２０°以上の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項１３までのいずれかの請求項に記載の高はっ水性積層体。
15. 高分子基材表面に、ドライエッチングにより表面粗さが５〜２００ｎｍの範囲内の凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記凹凸を形成した高分子基材上に気相法により膜厚が１〜１５０ｎｍの範囲内であるはっ水層を形成するはっ水層形成工程とを有することを特徴とする高はっ水性積層体の製造方法。
16. 前記高分子基材が延伸されたものであることを特徴とする請求項１５に記載の高はっ水性積層体の製造方法。
17. 前記凹凸形成工程が、酸素原子を含んだガスを用いるプラズマによるエッチングを用いることを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の高はっ水性積層体の製造方法。
18. 前記はっ水層形成工程が、プラズマＣＶＤ法によるはっ水層形成工程であることを特徴とする請求項１５から請求項１７までのいずれかの請求項に記載の高はっ水性積層体の製造方法。
19. 前記はっ水層形成工程が、熱ＣＶＤ法により自己組織化単分子膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１５から請求項１７までのいずれかの請求項に記載の高はっ水性積層体の製造方法。