JP2014231635A - 蒸着容器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】合成樹脂製の基材11と、基材11の一面11aにプラズマエッチング処理により形成された処理面12と、処理面12に蒸着により担持されたフッ素と、を備え、処理面12の算術平均粗さ(Ra)が10nm以上である蒸着容器10。
【選択図】図1
Description
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
本実施形態に係る蒸着容器10は、例えば、合成樹脂製の基材11と、基材11の一面(ここでは、内面)11aにプラズマエッチング処理により形成された処理面12と、処理面12における基材11と接する面とは反対側の面(以下、「一方の面」と言う。)12aに蒸着により担持されたフッ素を含む膜(以下、「フッ素含有膜」と言う。)13とから概略構成されている。
すなわち、蒸着容器10では、容器本体11の内面11a上に形成された処理面12とフッ素含有膜13がこの順に積層されている。
本実施形態では、基材11が、内容物が充填されて用いられるカップである場合を例示する。
ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリトリメチレンテレフタレート(PTT)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等が挙げられる。
アクリル系樹脂としては、例えば、ポリアクリロニトリル(PAN)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)等が挙げられる。
オレフィン系樹脂としては、例えば、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)等が挙げられる。
なお、処理面12を形成する基材11の壁面は、残液量低減の観点から、基材11の内面11aが好ましい。
処理面12の一方の面12aの算術平均粗さ(Ra)が10nm以上であると、処理面12の一方の面12aに形成されるフッ素含有膜13の表面13aにおける非水系液体の接触角が70°以上となり、蒸着容器10(フッ素含有膜13の表面13a)に付着した非水系液体を排除しやすくすることができる。
また、本実施形態では、接触角測定装置(接触角計「CA−D」、協和界面科学株式会社製)を用いて、フッ素含有膜13の表面13aにおける非水系液体の接触角を測定した。
したがって、フッ素含有膜13の表面13aの算術平均粗さ(Ra)は、10nm以上であり、10nm〜100nmであることが好ましい。
フッ素含有膜13の表面13aの算術平均粗さ(Ra)が10nm以上であると、フッ素含有膜13の表面13aにおける非水系液体の接触角が70°以上となり、蒸着容器10(フッ素含有膜13の表面13a)に付着した非水系液体を排除しやすくすることができる。
この蒸着容器10の製造方法は、基材11に処理面12を形成する第1工程と、処理面12上にフッ素含有膜13を形成する第2工程と、を有している。
第1工程では、まず、図2(a)に示すように、プラズマCVD装置の外部電極21内に、基材11を配置し、基材11内に内部電極22を配置する。
ここで用いられるガスとしては、酸素(O2)、窒素(N2)、アルゴン(Ar)等が挙げられるが、これらの中でも、基材11の内面11aを粗面化する(基材11の内面11aに微細な凹凸構造を形成する)効果に優れる点から、酸素が好ましい。
基材11内に発生したプラズマにより、基材11の内面11aの表面が削られる(エッチングされる)。
基材11内にプラズマを発生させるとき、基材11内に導入するガス31の流量は50〜200sccmであることが好ましく、100sccmであることがより好ましい。
また、外部電極21と内部電極22に高周波電力を印加するために、通常、13.56MHzの高周波電源が用いられるが、2.45GHzのマイクロ波電源等を用いることもできる。
また、外部電極21と内部電極22に印加する高周波電力は70〜500Wであることが好ましく、100〜200Wであることがより好ましい。
プラズマエッチング処理を行う時の基材11の温度(処理温度)は、基材11の材質に応じてガラス転移点や融点等から適宜調整されるが、例えば、基材11がポリプロピレンからなる場合、ポリプロピレンの融点が135〜165℃であるため、基材11の変形が生じない、100℃程度まで上げることができる。
処理時間は、処理面12の一方の面12aの算術平均粗さ(Ra)が10nm〜100nmとなるまでの時間とする。したがって、プラズマエッチング処理に用いるガス、基材11内の真空度、処理温度に応じて、処理時間は適宜変化する。
第2工程では、まず、図3(a)に示すように、プラズマCVD装置の外部電極41内に、処理面12が形成された基材11を配置し、基材11内に内部電極42を配置する。
基材11内にプラズマを発生させるとき、基材11内に導入するフッ素化合物のガス51の流量は10〜200sccmであることが好ましく、50〜100sccmであることがより好ましい。
また、外部電極41と内部電極42に高周波電力を印加するために、通常、13.56MHzの高周波電源を用いたが、2.45GHzのマイクロ波電源等を用いることもできる。
また、外部電極41と内部電極42に印加する高周波電力は20〜500Wであることが好ましく、50〜100Wであることがより好ましい。
また、上記の実施形態では、処理面12の一方の面12aの全域にわたってフッ素含有膜13を形成する場合を例示したが、処理面12の一方の面12aに部分的にフッ素含有膜13を形成してもよく、あるいは、処理面12の一方の面12aにおいて、フッ素化合物が膜を形成することなく、処理面12の一方の面12aにフッ素化合物が点在しているだけであってもよい。すなわち、本発明において、「処理面にフッ素が担持されている」とは、処理面の全域にわたってフッ素含有膜が形成されていること、処理面に部分的にフッ素含有膜が形成されていること、および、処理面上にフッ素化合物が点在していることを含んでいる。
さらに、基材11は単層体に限らず積層体であってもよい。
基材として、内容量約120mlのポリプロピレンで射出成形した薄肉カップを採用し、プラズマCVD装置の電極内に薄肉カップを配置し、薄肉カップの内面をプラズマエッチング処理し、薄肉カップの内面に処理面を形成した。
プラズマエッチング処理の条件を以下の通りとした。
高周波電源:13.56MHz
高周波電力:100W
電極内の真空度:約30Pa
ガス:酸素
ガスの流量:100sccm
処理時間:30秒×12回(6分)
薄肉カップの表面温度:約50℃
薄肉カップの内面に形成された処理面におけるフッ素含有膜と接する面(フッ素含有膜が形成される面)の算術平均粗さ(Ra)および処理面の表面形状観察を、AFM(原子間力顕微鏡「Nanoscope IIIa」日本ビーコ社、Digital Instruments社)を用いて行い、算術平均粗さ(Ra)はJIS−B−0601(2001)に準拠して測定した。その結果、算術平均粗さ(Ra)は10nmであった。
次いで、プラズマCVD装置の電極内に、処理面が形成された薄肉カップを配置し、この薄肉カップの内部に、六フッ化エタン(C2F6)を供給するとともに、電極内を減圧し、電極に高周波電力を印加して、薄肉カップの内部にプラズマを発生させ、プラズマCVD法により、処理面上にフッ素含有膜を形成した。
化学気相成長法の条件を以下の通りとした。
高周波電源:13.56MHz
高周波電力:100W
成膜時間:20秒
電極内の真空度:約20Pa
六フッ化エタンの流量:100sccm
薄肉カップの表面温度:約40℃
実施例で形成したフッ素含有膜を、走査型電子顕微鏡(SEM:XL−30CP、PHILIPS社製)を用いて観察した。その走査型電子顕微鏡(SEM)像を図4に示す。
また、SEM付属のエネルギー分散型X線分光(EDX)装置(EDAX社製)を用いて、実施例で形成したフッ素含有膜の元素分析を行った。EDX装置による元素分析では、試料に電子ビームを照射することにより、元素固有のX線が放出されるため、このX線を検出して、元素を特定する。
元素分析の結果を図5および6に示す。なお、図5は、図4に示すSEM像の白い部分についての元素分析結果であり、図6は、図4に示すSEM像の黒い部分についての元素分析結果である。元素分析の結果から、図4に示すSEM像の白い部分においてはフッ素が検出され、図4に示すSEM像の黒い部分においてはフッ素が検出されなかった。したがって、図4に示すSEM像の白い部分において処理面上にフッ素含有膜が形成されており、図4に示すSEM像の黒い部分において処理面上にフッ素含有膜が形成されていないことが確認された。
さらに、処理面上に形成されたフッ素含有膜の表面における水または非水系液体の接触角を、接触角計(「CA−D」、協和界面科学株式会社製)を用いて測定した。非水系液体としては、柔軟剤(商品名:ハミング、花王社製)、油(商品名:ヘルシーリセッタ、日清オイリオ社製)、液体洗剤(商品名:アタックNEO、花王社製)を用いた。
接触角の測定結果を図7に示す。
その結果、水の接触角は150°、柔軟剤の接触角は102°、油の接触角は82°、液体洗剤の接触角は75°であった。
基材として、内容量約120mlのポリプロピレンで形成された薄肉カップを採用し、処理面を形成することなく、その薄肉カップをプラズマCVD装置の電極内に配置した。
以下、実施例と同様にして、薄肉カップの内面にフッ素含有膜を形成した。
薄肉カップの内面に形成されたフッ素含有膜の表面における水または非水系液体の接触角を、実施例と同様にして測定した。
接触角の測定結果を図8に示す。
その結果、水の接触角は128°、柔軟剤の接触角は86°、油の接触角は68°、液体洗剤の接触角は55°であった。
基材として、内容量約120mlのポリプロピレンで形成された薄肉カップを採用し、実施例と同様にして、その薄肉カップの内面に処理面を形成した。
次いで、プラズマCVD装置の電極内に、処理面が形成された薄肉カップを配置し、電極内(薄肉カップ内)を減圧にするとともに、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO:(CH3)3Si−O−Si(CH3)3)を供給し、電極に高周波電力を印加して、薄肉カップの内部にプラズマを発生させ、プラズマCVD法により、処理面上に疎水珪素膜を形成した。
化学気相成長法の条件を以下の通りとした。
高周波電源:13.56MHz
高周波電力:150W、0.1秒周期のパルス状
成膜時間:20秒(パルス使用のため実際の電力ON時間は10秒)
電極内の真空度:約14Pa
HMDSOの流量:16sccm
容器本体の表面温度:約40℃
処理面上に形成された疎水珪素膜の表面における水または非水系液体の接触角を、実施例と同様にして測定した。
接触角の測定結果を図9に示す。
その結果、水の接触角は150°、柔軟剤の接触角は90°、油の接触角は12°、液体洗剤の接触角は5°であった。
なお、実施例および比較例1、2では、電極に高周波電力を印加するために、13.56MHzの高周波電源を用いたが、2.45GHzのマイクロ波電源等を用いることもできる。言うまでもないが、2.45GHzのマイクロ波電源を用いる場合、出力電力等の条件を適宜調整して行う。
11 基材
12 処理面
13 フッ素含有膜
Claims (2)
- 合成樹脂製の基材と、該基材の一面にプラズマエッチング処理により形成された処理面と、該処理面に蒸着により担持されたフッ素と、を備え、
前記処理面の算術平均粗さ(Ra)が10nm以上であることを特徴とする蒸着容器。 - 前記処理面上に担持された前記フッ素の表面における非水系液体の接触角が70°以上であることを特徴とする請求項1に記載の蒸着容器。
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