JP6993837B2 - ドライエッチング法による成形型の製造方法 - Google Patents
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 144
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 41
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 36
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 24
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical group FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 24
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- YDCWBDWPPAHSOR-UHFFFAOYSA-N C1CCC1.F.F.F.F.F.F.F.F Chemical compound C1CCC1.F.F.F.F.F.F.F.F YDCWBDWPPAHSOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 67
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000760 Hardened steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001240 Maraging steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
前記エッチング工程の前に、前記基板の表面にパターニングするパターニング工程を含まず、
前記混合ガスが、二種類のフッ素系ガスを含み、
前記二種類のフッ素系ガスのうち
一方が、六フッ化硫黄ガス(SF6)であり、
他方が、六フッ化硫黄ガス以外のフッ素系ガスであることを特徴とする。
混合ガスの存在下、プラズマを発生させ、基板の表面に反応性イオンエッチングを行うエッチング工程を含み、
前記エッチング工程の前に、前記基板の表面にパターニングするパターニング工程を含まず、
前記混合ガスが、二種類のフッ素系ガスを含み、
前記二種類のフッ素系ガスのうち
一方が、六フッ化硫黄ガス(SF6)であり、
他方が、六フッ化硫黄ガス以外のフッ素系ガスであることを特徴とする。
図1(A)~(C)は、本実施形態の成形型の製造方法の一実施形態を示す模式図である。図1において、(A)は、前記エッチング工程に使用する前記基板を構成する本体の断面図であり、(B)は、前記エッチング工程に使用する前記基板の断面図であり、(C)は、前記基板への前記エッチング工程により得られる成形型の断面図である。なお、本発明において、「成形型」とは、成形のために用いる型を意味する。前記成形型は、特に制限されず、例えば、Siウエハ、ガラス基板等の表面に凹凸構造を形成し、インプリント成形等のモールドとして使用される型、凹凸構造を形成後、電鋳や熱硬化樹脂等で凹凸構造のコピー型を製造し、モールドとして使用される型等があげられる。
本発明の成形型は、前述のように、前記本発明の成形型の製造方法により製造されることを特徴とする。本発明の成形型は、前述のように、表面に微細な凹凸構造を有する。本発明の成形型は、前記本発明の成形型の製造方法における記載を援用できる。
本発明の成形体の製造方法は、前述のように、前記本発明の成形型を用いて、成形原料の成形を行う成形工程を含むことを特徴とする。本発明の製造方法は、前記本発明の成形型を使用することが特徴であって、その他の工程および条件は、特に制限されない。
実施例1として、SF6ガスとCHF3ガスとの混合ガスを使用し、ウエハに反応性イオンエッチング処理を行った。そして、処理後のウエハについて、表面の凹凸構造の確認と、反射率の測定を行った。
ガス流量比を変更して、前記実施例1および前記比較例1と同様に、エッチングを行い、エッチング処理後のウエハの表面の確認と、反射率の測定を行った。実施例2および比較例2のエッチング条件を、下記表2に示す。
ガス流量比を変更して、前記実施例1および前記比較例1と同様に、エッチングを行い、エッチング処理後のウエハの表面の確認と、反射率の測定を行った。実施例3および比較例3のエッチング条件を、下記表3に示す。
Claims (13)
- 混合ガスの存在下、プラズマを発生させ、基板の表面に反応性イオンエッチングを行うエッチング工程を含み、
前記エッチング工程の前に、前記基板の表面にパターニングするパターニング工程を含まず、
前記混合ガスが、二種類のフッ素系ガスを含み、
前記二種類のフッ素系ガスのうち、
一方が、六フッ化硫黄ガス(SF6)であり、
他方が、六フッ化硫黄ガス以外のフッ素系ガスであることを特徴とする表面に凹凸構造を有する成形型の製造方法。 - 六フッ化硫黄ガス以外の前記フッ素系ガスが、四フッ化メタン(CF4)、トリフルオロメタン(CHF3)、八フッ化シクロブタン(C4F8)からなる群から選択された少なくとも一つである、請求項1記載の製造方法。
- 前記混合ガスが、酸素を含まない混合ガスである、請求項1または2記載の製造方法。
- 前記混合ガスにおいて、前記六フッ化硫黄ガス(SF6)と前記六フッ化硫黄ガス以外のフッ素系ガスとの合計量に対する、前記六フッ化硫黄ガス以外のフッ素系ガスの割合は、20%以上である、請求項1から3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記混合ガスにおいて、前記六フッ化硫黄ガス(SF6)と、前記六フッ化硫黄ガス以外のフッ素系ガスとの合計割合が、80%以上である、請求項1から4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記混合ガスが、六フッ化硫黄ガス(SF6)と、六フッ化硫黄ガス以外の前記フッ素系ガスとからなる、請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記基板は、本体と表面層とを含み、
前記表面層は、金属層である、
請求項1から6のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記表面層は、前記混合ガスと反応する金属層である、請求項7記載の製造方法。
- 前記表面層は、タンタル(Ta)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、およびタングステン(W)からなる群から選択された少なくとも一つの金属層である、請求項8記載の製造方法。
- 前記基板は、前記本体と前記表面層との間に、介在層を含み、
前記介在層は、クロム(Cr)層である、請求項7から9のいずれか一項に記載の製造方法。 - 光学素子用の成形型である、請求項1から10のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項1から11のいずれか一項に記載の製造方法により製造される成形型を用いて、成形原料の成形を行う工程を含むことを特徴とする成形体の製造方法。
- 前記成形体が、光学素子である、請求項12記載の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017199568A JP6993837B2 (ja) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | ドライエッチング法による成形型の製造方法 |
PCT/JP2018/033362 WO2019073729A1 (ja) | 2017-10-13 | 2018-09-10 | ドライエッチング法による成形型の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017199568A JP6993837B2 (ja) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | ドライエッチング法による成形型の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019072885A JP2019072885A (ja) | 2019-05-16 |
JP6993837B2 true JP6993837B2 (ja) | 2022-02-04 |
Family
ID=66100511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017199568A Active JP6993837B2 (ja) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | ドライエッチング法による成形型の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6993837B2 (ja) |
WO (1) | WO2019073729A1 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2017
- 2017-10-13 JP JP2017199568A patent/JP6993837B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-10 WO PCT/JP2018/033362 patent/WO2019073729A1/ja active Application Filing
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JP5948691B1 (ja) | 2015-09-03 | 2016-07-06 | ナルックス株式会社 | 成形型、成形型の製造方法及び複製品の製造方法 |
WO2017037918A1 (ja) | 2015-09-03 | 2017-03-09 | ナルックス株式会社 | 成形型、成形型の製造方法及び複製品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019072885A (ja) | 2019-05-16 |
WO2019073729A1 (ja) | 2019-04-18 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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