KR20070045060A - 증착 링 및 이를 세정하는 방법 - Google Patents

증착 링 및 이를 세정하는 방법 Download PDF

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KR20070045060A KR1020050101508A KR20050101508A KR20070045060A KR 20070045060 A KR20070045060 A KR 20070045060A KR 1020050101508 A KR1020050101508 A KR 1020050101508A KR 20050101508 A KR20050101508 A KR 20050101508A KR 20070045060 A KR20070045060 A KR 20070045060A
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Abstract

정전 척의 측벽에 설치되는 증착 링을 제공한다. 상기 증착 링은 환형의 몸체부를 구비한다. 상기 몸체부의 상부면에 동심원 상으로 위치하는 그루브를 구비하되, 상기 몸체부는 적어도 서스(SUS)를 함유하는 재질로 이루어진다. 상기 증착 링을 세정하는 방법 또한 제공한다.
정전척, 증착 링, 그루브, 서스, 세정액

Description

증착 링 및 이를 세정하는 방법{Deposition ring and method of cleaning the same}
도 1은 종래의 증착 링을 갖는 반도체 소자 제조장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 링을 갖는 반도체 소자 제조장치의 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 증착 링의 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 증착 링을 설명하기 위하여 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따라 취해진 단면도이다.
본 발명은 반도체 소자의 제조장치 및 이를 세정하는 방법에 관한 것으로, 특히 정전 척의 측벽에 설치되는 증착 링(deposition ring) 및 이를 세정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 기판 상에 박막을 형성하기 위해 크게 물리 기상 증착법(PVD; physical vapor deposition)과 화학 기상 증착법(CVD; chemical vapor deposition) 을 사용하고 있다. 상기 물리 기상 증착법은 증착하고자 하는 물질에 에너지를 가하여 운동 에너지를 지니게 하여 기판 상에 적층되게 함으로써 박막층을 형성할 수 있도록 하는 것이다. 이에 반하여, 상기 화학 기상 증착법은 화학적 반응을 통하여 원하는 물성을 지닌 박막층을 기판 상에 형성할 수 있도록 하는 것이다.
상기 물리 기상 증착법은 크게 증발 기술(evaporation technique) 및 마그네트론 스퍼터링 기술(magnetron sputtering technique)을 사용한다. 상기 증발 기술은 고체 물질 또는 액체 물질을 가열하여 분자 또는 원자로 분해한 다음에, 기판 상에 응축시키는 기술이다. 이에 반하여, 상기 마그네트론 스퍼터링 기술은 고에너지를 가진 입자를 증착하고자 하는 물질로 이루어진 타겟에 충돌시켜 기판 상에 증착시키는 기술이다. 최근에는 기판 상에 다층의 적층막들을 형성하는 데 상기 스퍼터링 기술을 주로 이용한다.
상기 스퍼터링 기술을 이용하여 증착하는 공정에는 기판이 안착되는 정전척(electrostatic chuck)이 챔버 내에 설치된다. 즉, 상기 정전척은 기판을 지지하는 역할을 한다. 또한, 증착 공정 도중에 챔버 내의 반응물질들이 상기 정전척의 측벽에 증착되는 것을 방지하기 상기 정전척의 측벽에 증착 링이 장착된다. 즉, 상기 증착 링은 상기 정전척의 측벽의 가장 자리 영역의 실드(shield) 역할을 수행한다.
도 1은 종래의 증착 링을 갖는 반도체 소자 제조장치의 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 진공 챔버(1) 내에 정전척(3)이 배치된다. 상기 정전척(3) 상에 기판(5)이 안착된다. 상기 정전척(3)의 측벽을 감싸는 증착링(7)이 설치된다. 상기 증착링(7)과 상기 정전척(3)은 소정 거리(S1) 만큼 이격되어 있다. 상기 정전척(3)과 대면하는 상기 진공 챔버(1) 내의 상부 영역, 즉 상기 진공 챔버(1)의 천장에 음극 어셈블리(9)가 배치된다. 상기 음극 어셈블리(9)는 타겟(11), 상기 타겟(11)의 상부에 배치된 타겟 홀더(13) 및 상기 타겟 홀더(13)의 상부에 배치된 마그네트(15)로 이루어진다. 상기 타겟(11)은 상기 기판(5) 상에 증착되는 물질로 이루어진다. 상기 타겟(11)은 상기 기판(5)과 소정 거리 만큼 이격되게 위치한다.
상기 타겟(11)에 음의 전위를 인가하기 위한 DC 전원(17)이 RF 필터(19)를 통해 상기 음극 어셈블리(9)에 전기적으로 연결된다. 이에 더하여, 상기 음극 어셈블리(9)에는 선택적인 RF 전원(21)이 전기적으로 접속된다. 상기 정전척(3)에는 상기 기판(5)에 바이어스 전위를 인가하기 위한 바이어스 전원(23)이 전기적으로 접속된다.
상기 진공 챔버(1)의 둘레에는 RF 코일(25)이 감겨져 있다. 상기 RF 코일(25)에는 RF 에너지를 공급하기 위한 RF 전원(27)이 전기적으로 연결된다. 상기 RF 코일(25)은 상기 진공 챔버(1) 내부의 상부 영역에 RF 에너지를 공급하여 유도 결합 플라즈마를 생성시킨다. 생성된 플라즈마는 상기 타겟(11)으로부터 상기 기판(5)의 표면으로 스퍼터(sputter)되는 물질의 입자들을 이온화시킨다. 이온화된 입자들은 바이어스 전위가 인가된 기판을 향해 가속되어 상기 기판(5) 상에 박막을 형성하게 된다.
박막이 형성되는 기판은 상기 정전척(3) 상에 위치한다. 그 결과, 상기 기판(5)을 향해 가속된 이온화된 입자들은 상기 정전척(3)의 측벽에 쌓일 수 있다. 이 를 방지하기 위하여 상기 정전척(3)의 측벽에 상기 증착 링(7)이 배치된다. 따라서, 상기 정전척을 지향하여 가속된 이온화된 입자들을 상기 정전척(3)의 측벽에 위치하는 증착 링에 쌓이게 함으로써, 상기 정전척(3)의 측벽에 증착물질이 쌓이는 것을 방지할 수 있다. 상기 증착 링(7)은 통상적으로 타이타늄(Ti)으로 형성된다.
수회에 걸쳐 증착 공정을 진행된 후, 이온화된 입자들, 즉 증착 물질들이 쌓인 증착 링을 세정한다. 즉, 상기 증착 링(7)에 쌓인 증착 물질들을 제거하기 위하여 세정공정을 진행한다. 상기 세정공정은 세정 단계, 린스 단계 및 건조 단계로 이루어진다. 상기 세정 단계에서 세정액을 이용하여 증착 링을 세정한다. 상기 세정액은 통상적으로 수산화칼륨(KOH), 탈이온수(deionized water) 및 과산화수소(H2O2)가 혼합된 액으로 이루어진다. 상기 세정액을 이용한 세정 단계를 통해 증착 물질들 뿐만 아니라, 타이타늄으로 이루어진 증착 링 자체가 식각된다. 특히, 상기 증착 링을 이루고 있는 타이타늄은 상기 세정액에 대해 높은 부식성을 갖는다. 따라서, 증착 공정 및 세정 공정이 진행되지 아니한 증착 링이 상기 정전척(3)의 측벽에 장착되는 경우에 상기 정전척(3)과 증착 링 사이의 간격은 S1일 수 있다. 그러나, 수회의 증착 공정 및 세정 공정이 진행되어 식각된 증착 링이 상기 정전척(3)의 측벽에 장착되는 경우에 상기 정전척(3)과 식각된 증착 링 사이의 간격은 확대되어 S2가 된다. 그 결과, 증착 공정 시에 상기 확대된 간격(S2)을 통해 증착 물질들이 유입되어 상기 정전척(3)의 측벽에 증착 물질들이 쌓이는 문제점이 있다.
또한, 상기 증착 링(7)의 상부면을 향해 가속된 이온화된 입자들은 상기 증 착 링(7)의 상부면에서 반사되어 상기 정전척(3) 상에 안착된 기판의 저면에 쌓이는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 수산화칼륨 및 과산화수소를 포함하는 세정액에 대해 낮은 부식성을 갖는 증착 링을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 증착 공정 동안에 기판의 후면에 증착 물질이 쌓이는 것을 억제하는 데 적합한 증착 링을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 낮은 부식성을 갖도록 세정하는 데 적합한 증착 링의 세정방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 본 발명은 수산화칼륨 및 과산화수소를 포함하는 세정액에 대해 낮은 부식성을 갖는 증착 링을 제공한다. 진공 챔버 내에 정전척이 위치하고, 상기 증착 링은 상기 정전척의 측벽을 감싸도록 배치된다. 상기 증착 링은 환형(ring-shaped) 몸체부를 포함한다. 상기 몸체부의 상부면에 동심원 상의 그루브가 위치한다. 상기 몸체부는 적어도 서스(SUS)를 포함하는 재질로 이루어진다.
본 발명에 따른 몇몇 실시예들에 있어, 상기 그루브의 바닥면으로부터 돌출되고 서로 이격되게 위치하는 다수개의 기판 정렬 핀들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어, 상기 몸체부는 중앙 영역이 개방된 개구부를 포함하되, 상기 개구부의 일측을 에워싸는 플랫부(flat portion)가 위치할 수 있 다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 그루브를 사이에 두고 배치되고 상기 몸체부로부터 돌출되는 외측 돌출부 및 내측 돌출부를 더 포함하되, 상기 외측 돌출부는 상기 내측 돌출부에 비해 높은 높이를 갖도록 위치할 수 있다.
바람직하게는, 상기 외측 돌출부는 상기 정전척의 상부면 보다 높은 높이를 갖도록 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 몸체부는 코팅막을 포함하되, 상기 코팅막은 상기 서스를 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 본 발명은 낮은 부식성을 갖도록 세정하는 데 적합한 증착 링의 세정방법을 제공한다. 상기 방법은 적어도 서스 재질을 함유하는 증착 링을 준비하는 것을 포함한다. 수산화칼륨, 탈이온수 및 과산화수소를 포함하는 세정액을 이용하여 상기 증착 링을 세정한다. HF를 담은 세정조에 상기 세정된 증착 링을 디핑(dipping) 처리한다. 상기 디핑 처리된 증착 링을 탈이온수를 이용하여 제1 차 린스한다. 상기 제1 차 린스된 증착 링을 모래를 이용하여 비드(bead) 처리한다. 상기 비드 처리된 증착 링을 탈이온수를 이용하여 제2 차 린스한다. 상기 제2 차 린스된 증착 링을 초음파 및 탈이온수를 이용하여 세정한다. 상기 초음파 및 탈리온수를 이용하여 세정된 증착 링을 탈이온수를 이용하여 제3 차 린스한다. 상기 제3 차 린스된 증착 링을 질소가스(N2)를 이용하여 블로우(blow)한다. 베이킹 공정을 수행함으로써 상기 블로우된 증착 링을 건조한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설 명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하에서 설명되어지는 실시예들에 한정하지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 설명의 편의를 위해 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 링을 갖는 반도체 소자 제조장치의 개략적인 구성도이다. 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 증착 링의 평면도이다. 도 4는 본 발명에 따른 증착 링을 설명하기 위하여 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따라 취해진 단면도이다.
본 발명에 따른 증착 링은 증착 장비에 장착될 수 있다. 상기 증착 장비는 물리 기상 증착 기술을 이용하는 증착장비를 포함할 수 있다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 증착 링은 스퍼터링 기술을 이용하는 증착 장비에 설치될 수 있다. 상기 증착 링(40)은 진공 챔버(42) 내에 장착되는 정전 척(44)의 측벽을 감싸도록 배치될 수 있다. 상기 정전 척(44) 상에 기판(45)이 안착될 수 있다.
상기 증착 링(40)은 몸체부(46)를 구비한다. 상기 몸체부(46)는 실질적으로 링형(ring-shaped)으로 형성된다. 즉, 상기 몸체부(46)의 외주면부는 원형으로 형성되며, 상기 몸체부(46)의 내주면부는 원호형의 내주면부(46a)와 현형의 내주면부(46b)를 포함한다. 상기 원호형의 내주면부(46a)와 상기 현형의 내주면부(46b)에 의해 에워 싸이는 개구부(48)가 상기 몸체부(46)의 중앙 영역에 형성된다. 본 발명 에 따른 증착 링(40)이 상기 정전척(44) 상에 설치되는 경우에 상기 개구부(48)를 통해 상기 정전척(44)의 상부 영역이 삽입될 수 있다. 상기 현형의 내주면부(46b)는 상기 증착 링(40)의 플랫부 역할을 할 수 있다. 상기 플랫부는 기판에 형성된 플랫 존(flat zone)에 대응하는 것으로서 기판을 정렬시키기 위해 제공된다. 상기 플랫부에 대응하여 상기 정전척(44)의 상부면에 플랫부가 위치할 수 있다. 따라서, 상기 증착 링(40)의 플랫부는 기판을 정렬시키는 역할을 할 수 있다.
상기 몸체부(46)의 상부면으로부터 돌출되는 내측 돌출부(52)와 외측 돌출부(54)가 배치된다. 즉, 상기 내측 돌출부(52)는 상기 개구부(48)를 에워 싸도록 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 내측 돌출부(52)의 일 측벽이 상기 개구부(48)의 측벽이 된다. 이와 마찬가지로, 상기 외측 돌출부(54)는 상기 몸체부(46) 상면의 외측 가장 자리 영역을 따라 위치한다. 상기 내측 돌출부(52)와 상기 외측 돌출부(54)는 실질적으로 동심원 상으로 배치된다. 상기 외측 돌출부(54)는 상기 내측 돌출부(52)에 비해 높은 높이를 갖도록 위치할 수 있다.
상기 내측 돌출부(52)와 상기 외측 돌출부(54) 사이에 개재되는 그루브(56)가 위치한다. 즉, 상기 그루브(56)의 일 측벽이 상기 내측 돌출부(52)의 일 측벽이 되고, 상기 그루브(56)의 타 측벽이 상기 외측 돌출부(54)의 일 측벽이 된다. 상기 그루브(56)은 상기 내측 및 외측 돌출부들(52,54)에 대해 동심원 상으로 배치될 수 있다.
상기 그루브(56)의 바닥면으로부터 돌출된 정렬 핀들(58)이 서로 이격되도록 배치된다. 상기 정렬 핀들(58)은 기판을 정렬하는 데 이용될 수 있다.
상기와 같이 구성되는 증착 링의 몸체부(46)는 서스(stainless steel) 재질로 이루어질 수 있다. 상기 서스는 산성 또는 염기성 용액에 대해 낮은 부식성을 갖는다. 따라서, 산성 또는 염기성 용액을 포함하는 세정액을 이용하여 본 발명의 증착 링을 세정하는 경우에 낮은 부식성을 갖도록 할 수 있다. 이 경우에, 상기 몸체부(46) 뿐만 아니라, 상기 내측 및 외측 돌출부들(52,54) 역시 서스 재질로 이루어질 수 있다.
또 다른 실시예로서, 증착 링의 몸체부는 금속으로 이루어지고, 상기 금속으로 이루어진 몸체부 상에 서스 재질의 코팅막이 형성될 수도 있다. 이 경우에, 상기 몸체부(46) 뿐만 아니라, 상기 내측 및 외측 돌출부들(52,54) 역시 서스 재질의 코팅막이 형성될 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 증착 링의 작용 효과는 하기와 같다.
도2 내지 도 4를 참조하면, 진공 챔버(42) 내에 정전척(44)이 배치된다. 상기 정전척(44) 상에 기판(45)이 안착된다. 상기 정전척(44)의 측벽을 감싸는 증착링(40)이 설치된다. 즉, 상기 증착 링(40)의 중앙 영역에 형성된 개구부(48)를 통해 상기 정전척(44)의 상부 영역이 삽입된다. 그 결과, 상기 증착 링(40)의 내측 돌출부(52)의 측벽을 포함하는 증착 링의 측벽이 상기 정전척(44)의 측벽에 인접하여 위치한다. 상기 증착 링(40)의 측벽과 상기 정전척(44)의 측벽은 소정의 간격(t)을 유지한다. 이 경우에, 상기 기판(45)의 하부에 상기 내측 돌출부(52)가 위치한다. 또한, 상기 내측 돌출부(52) 보다 높은 높이를 갖는 외측 돌출부(54)가 상기 기판(45)의 모서리 영역에 인접하여 위치한다. 상기 증착 링(40)이 상기 정전척 (44)에 배치되는 경우에, 상기 외측 돌출부(54)는 상기 정전척(44)의 상부면보다 높은 높이를 갖도록 배치될 수 있다.
상기 내측 및 외측 돌출부들(52,54) 사이에 위치하는 정렬 핀들(58)이 상기 기판(45)을 정렬시키는 데 이용될 수 있다.
상기 정전척(44)과 대면하는 상기 진공 챔버(42) 내의 상부 영역, 즉 상기 진공 챔버(42)의 천장에 음극 어셈블리(62)가 배치된다. 상기 음극 어셈블리(62)는 타겟(64), 상기 타겟(64)의 상부에 배치된 타겟 홀더(66) 및 상기 타겟 홀더(66)의 상부에 배치된 마그네트(68)로 이루어진다. 상기 타겟(64)은 상기 기판(45) 상에 증착되는 물질, 예를 들면 알루미늄으로 이루어진다. 상기 타겟(64)은 상기 기판(45)과 소정 거리 만큼 이격되게 위치한다.
상기 타겟(64)에 음의 전위를 인가하기 위한 DC 전원(70)이 RF 필터(72)를 통해 상기 음극 어셈블리(62)에 전기적으로 연결된다. 이에 더하여, 상기 음극 어셈블리(62)에는 선택적인 RF 전원(74)이 전기적으로 접속된다. 상기 정전척(44)에는 상기 기판(45)에 바이어스 전위를 인가하기 위한 바이어스 전원(76)이 전기적으로 접속된다.
상기 진공 챔버(42)의 둘레에는 RF 코일(78)이 감겨져 있다. 상기 RF 코일(78)에는 RF 에너지를 공급하기 위한 RF 전원(80)이 전기적으로 연결된다. 상기 RF 코일(78)은 상기 진공 챔부(42) 내부의 상부 영역에 RF 에너지를 공급하여 유도 결합 플라즈마를 생성시킨다. 생성된 플라즈마는 상기 타겟(64)으로부터 상기 기판(45)의 표면으로 스퍼터되는 물질의 입자들을 이온화시킨다. 이온화된 입자들은 바 이어스 전위가 인가된 기판을 향해 가속되어 상기 기판(45) 상에 박막을 형성하게 된다.
상기 이온화된 입자들은 상기 외측 돌출부(54)의 상부면에 반사될 수 있다. 이 경우에, 상기 외측 돌출부(54)가 상기 기판(45)의 모서리 영역에 인접하여 위치하기 때문에 상기 반사된 입자들은 상기 기판(45)의 하부면을 지향하지 않게 된다. 그 결과, 상기 기판(45)의 저면에 상기 이온화된 입자들, 즉 증착막이 쌓이지 않게 된다. 즉, 상기 외측 돌출부(54)는 상기 기판(45)의 하부면에 증착 막이 형성되지 않도록 하는 장벽 역할을 할 수 있다.
상기와 같은 증착 공정을 진행한 후, 증착 링의 세정 작업을 실시한다. 수산화칼륨, 탈이온수 및 과산화수소를 포함하는 세정액을 이용하여 서스 재질의 증착 링을 세정한다. 이 경우에, 상기 증착 링이 서스 재질로 이루어져 있거나 서스 재질의 막으로 코팅되어 있기 때문에 종래의 타이타늄 재질의 증착 링에 비해 보다 덜 식각된다. 따라서, 수회에 걸쳐 본 발명에 따른 증착 링을 세정 작업하는 경우에도 상기 세정액에 대해 부식성이 낮기 때문에 상기 증착 링의 측벽과 상기 정전척의 측벽 사이의 간격이 확대되는 것을 억제할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 증착 링은 종래의 증착 링에 비해 보다 많은 횟수의 증착 공정에 사용할 수 있다.
계속하여, HF를 담은 세정조에 상기 세정된 증착 링을 디핑(dipping) 처리한다. 상기 디핑 처리된 증착 링을 탈이온수를 이용하여 제1 차 린스한다. 상기 제1 차 린스된 증착 링을 모래를 이용하여 비드(bead) 처리한다. 상기 비드 처리된 증착 링을 탈이온수를 이용하여 제2 차 린스한다. 상기 제2 차 린스된 증착 링을 초 음파 및 탈이온수를 이용하여 세정한다. 상기 초음파 및 탈리온수를 이용하여 세정된 증착 링을 탈이온수를 이용하여 제3 차 린스한다. 상기 제3 차 린스된 증착 링을 질소가스(N2)를 이용하여 블로우(blow)한다. 상기 블로우된 증착 링을 베이킹 공정을 이용하여 건조함으로써 증착 링의 세정 작업을 완료한다.
상술한 바와 같이 구성되는 본 발명은, 정전척의 측벽을 감싸는 증착 링을 서스 재질로 형성함으로써 세정 공정 시에 증착 링의 부식성을 낮게 할 수 있다. 이에 더하여, 기판의 모서리 영역에 인접하도록 돌출부가 위치하는 증착 링을 배치함으로써 증착 링의 상부면으로부터 반사되는 증착 물질이 기판의 하부면에 쌓이는 것을 억제할 수 있다.

Claims (7)

  1. 정전척의 측벽을 감싸며 배치되는 증착 링에 있어서,
    환형의 몸체부; 및
    상기 몸체부의 상부면에 동심원 상으로 위치하는 그루브를 포함하되, 상기 몸체부는 적어도 서스(SUS)를 함유하는 재질로 이루어지는 증착 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 그루브의 바닥면으로부터 돌출되고 서로 이격되게 위치하는 다수개의 기판 정렬 핀들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 링.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체부는 중앙 영역이 개방된 개구부를 포함하되, 상기 개구부의 일측을 에워싸는 플랫부가 위치하는 것을 특징으로 하는 증착 링.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 그루브를 사이에 두고 배치되고 상기 몸체부로부터 돌출되는 외측 돌출부 및 내측 돌출부를 더 포함하되, 상기 외측 돌출부는 상기 정전척의 상부면 보다 높은 높이를 갖도록 위치하는 것을 특징으로 하는 증착 링.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체부는 코팅막을 포함하되, 상기 코팅막은 상기 서스를 함유하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 증착 링.
  6. 적어도 서스 재질을 함유한 증착 링을 준비하고,
    수산화칼륨, 탈이온수 및 과산화수소를 포함하는 세정액을 이용하여 상기 증착 링을 세정하고,
    HF를 담은 세정조에 상기 세정된 증착 링을 디핑 처리하고,
    상기 디핑 처리된 증착 링을 탈이온수를 이용하여 제1 차 린스하고,
    상기 제1 차 린스된 증착 링을 모래를 이용하여 비드 처리하고,
    상기 비드 처리된 증착 링을 탈이온수를 이용하여 제2 차 린스하고,
    상기 제2 차 린스된 증착 링을 초음파 및 탈이온수를 이용하여 세정하고,
    상기 초음파 및 탈리온수를 이용하여 세정된 증착 링을 탈이온수를 이용하여 제3 차 린스하고,
    상기 제3 차 린스된 증착 링을 질소가스(N2)를 이용하여 블로우(blow)하고, 및
    베이킹 공정을 수행함으로써 상기 블로우된 증착 링을 건조하는 것을 포함하는 증착 링의 세정방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 증착 링은 코팅막이 형성되는 것을 포함하되, 상기 코팅막은 서스 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 링의 세정방법.
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