JP2004014658A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002163800A JP2004014658A (ja) | 2002-06-05 | 2002-06-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002163800A JP2004014658A (ja) | 2002-06-05 | 2002-06-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004014658A true JP2004014658A (ja) | 2004-01-15 |
| JP2004014658A5 JP2004014658A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2005-07-07 |
Family
ID=30432125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002163800A Pending JP2004014658A (ja) | 2002-06-05 | 2002-06-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004014658A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007536759A (ja) * | 2004-05-06 | 2007-12-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子装置 |
| JP2008113000A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-15 | Samsung Electronics Co Ltd | マクロ及びマイクロ周波数のチューニングが可能な半導体素子及びそれを備えるアンテナと周波数チューニング回路 |
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| JP2023500610A (ja) * | 2019-10-24 | 2023-01-10 | 華為技術有限公司 | 半導体スイッチデバイス、その製造方法、およびソリッドステート移相器 |
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2002
- 2002-06-05 JP JP2002163800A patent/JP2004014658A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP7436648B2 (ja) | 2019-10-24 | 2024-02-21 | 華為技術有限公司 | 半導体スイッチデバイス、その製造方法、およびソリッドステート移相器 |
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Legal Events
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| A521 | Written amendment |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070626 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |