JP2004014108A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】　緻密なギャップ膜によるガラスとフェライトとの接触防止と、ギャップ膜のフェライトへの応力低減、ギャップ膜と融着ガラスの密着性の向上を図り、大量生産に適し、高密度磁気記録に対応可能なものとなす。
【解決手段】　酸化物磁性材料からなる一対の磁気コア基板１，２のうち少なくとも一方の突合わせ面にギャップ膜３，４が形成され、そのギャップ膜３，４を突合わせ面としてこれら一対の磁気コア基板１，２が突合わされ、その突合わせ面間に磁気ギャップｇが形成されてなる磁気ヘッドにおいて、上記ギャップ膜３，４として白金又は白金族を主とする金属若しくは合金よりなる膜を用いた。また、本発明においては、上記ギャップ膜３，４としてＣｒ又はＣｒを主とする合金よりなる膜，Ｔｉ又はＴｉを主とする合金よりなる膜或いはＴａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物よりなる膜を用いても良い。
【選択図】　図２

Description

　本発明は、例えばビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）やデータストレージ等の如き記録及び／又は再生装置に搭載して有用な磁気ヘッドの製造方法に関する。

　　例えば、８ミリＶＴＲに用いられる磁気ヘッドとしては、図１５に示すように、ギャップ膜１０１，１０２がスパッタリング等によってそれぞれ成膜された一対の磁気コア基板１０３，１０４を、互いのギャップ膜１０１，１０２同士を突合わせ面として突合わせ、融着ガラス１０５により接合一体化し、その突合わせ面間に記録再生ギャップとして作動する磁気ギャップを構成したものが提案されている。

　通常、かかる構成の磁気ヘッドにおいては、磁気コア基板１０３，１０４としてＭｎ−Ｚｎフェライト若しくはＮｉ−Ｚｎフェライト等の軟磁性酸化物材料が用いられ、一方ギャップ膜１０１，１０２としてＳｉＯ_２等の酸化物非磁性材料が用いられる。

　ところで、ＳｉＯ_２はいわゆる石英であり熱膨張係数が零に近いため、ガラスの溶融に必要な加熱・冷却工程でフェライトに残留応力が発生する。また、ＳｉＯ_２はスパッタ形成時にも応力を磁気コア基板１０３，１０４に対して与え易いので、その応力により該ＳｉＯ_２が成膜されるフェライト部分の透磁率、軟磁気特性が低下せしめられ、結果として磁気コアの効率が低下してしまう。

　さらに、ＳｉＯ_２は融着ガラス１０５の成分として含まれていることから、図１６に示すように、融着工程中にギャップ膜１０１，１０２の侵食が発生し、ガラスとフェライトとの接触が起こる。ガラスとフェライトの接触は、この他ＳｉＯ_２が酸化物であることから分子構造が大きく、しかも膜としての構造が粗であるために、この構造的欠陥を通しても生ずる。

　かかるガラスとフェライトが接触すると、界面では原子の移動が起こり、フェライト成分がガラス中に溶出することでガラスが僅かに磁性を帯び、この磁性を帯びたギャップ中のガラス及びトラック幅規制溝近傍のガラス部分１０６をコア間の磁束が通る傾向が強まる結果、磁気ギャップから本来必要な媒体への磁束が弱められる結果となる。

　また、磁気ギャップ端部では、ＳｉＯ_２が粗になり易く、表面の化学ポテンシャルが高くなる結果、ＳｉＯ_２の侵食が起こる。その結果、フェライトの溶出が発生し、冷却過程で再析出が起こり、光学的観察でフェライトがつながって見える場合もある。このような場合は、著しく磁気ギャップの効率が低下する。また、溶出が起こることで、フェライト自体も組成ずれが発生し、磁気ギャップ近傍で軟磁性が劣化し、磁気ヘッドの性能が劣化する原因となる。

　また、このような現象は、磁気コア基板１０３，１０４同士を押さえ付ける負荷が増加するに従い助長される傾向にあり、またギャップ膜が薄くなるに従って起き易くなる。このため、最近の高密度磁気記録のための狭トラック幅、狭ギャップ長時には狭くなったトラック幅部に相対的にかかる応力が大きくなり、ギャップ膜も薄くなる結果、このような現象が起き易くなる。したがって、ヘッド出力減を招き、狭トラック化を妨げる要因となる。

　そこで、ＳｉＯ_２がガラスにより侵食されにくく、ガラスとフェライトの接触が発生しにくい低温融着法が提案されている。上記低温融着法は、磁気コア基板上にギャップ膜をスパッタリングにより形成する前に、ギャップ膜形成面に逆スパッタと称されるスパッタリング現象によるエッチング処理を施すことを特徴とするものである。なお、ここで言う逆スパッタとは、通常のスパッタリングにおけるターゲットを磁気コア基板に置き換えてＡｒ，Ｎなどのイオンをたたきつけることにより磁気コア基板表面にエッチング処理を行うものである。

　すなわち、低温融着法においては、先ず、所定の加工を行った磁気コア基板のギャップ形成面をＪＩＳ Ｂ０６０１にて規定されている中心線平均粗さＲａが２０〜１００オングストローム程度となるように研磨する。そして、少なくとも一方の磁気コア基板のギャップ形成面に逆スパッタを施して平滑面とした後、上記ギャップ形成面上にＳｉＯ_２よりなるギャップ膜をスパッタリングにより形成する。

　次に、一対の磁気コア基板をギャップスペーサーを介してそれぞれのギャップ形成面を突き合わせ面として突き合わせ、適当な組成を有する融着ガラスにより接合一体化する。このとき、上記低温融着法においては、融着ガラスの融着時の粘度を規定している。本発明者等が検討した結果、融着ガラスを磁気コア基板間に十分充填し、融着ガラスによるＳｉＯ_２の侵食を防止するためには、融着ガラスの溶融時の粘度を１６００００（Ｐａ・ｓ）とすれば良く、ある融着ガラスにおける温度と粘度が図１７に示すような関係を有している場合、図１７から融着時の粘度を上記粘度とするためには融着温度を５２０℃とすれば良いことも確認されている。ただし、図１７中においては、粘度をｌｏｇηで示す。そこで、上記低温融着法においては、図１７に示す温度−粘度特性を持つガラスを用いて融着温度を５２０℃として融着を行う。

　その結果、磁気コア基板の突き合わせ面間に記録再生ギャップとして作動する磁気ギャップを有する磁気ヘッドが形成される。

　上記磁気ヘッドにおいては、前述の磁気ヘッドよりも磁気ギャップ端部のＳｉＯ_２の侵食が起こり難く、上述のようなガラスとフェライトの接触が発生しにくく、磁気ギャップからの磁束の漏れが弱まりにくく、特性が向上される。

　しかしながら、上記低温融着法により磁気ヘッドを製造すると、以下のような不都合が生じる。すなわち、融着ガラスの融着時の温度ずれが最終的に得られる磁気ヘッドの品質に及ぼす影響があまりにも大きく、融着温度の許容範囲があまりにも狭いために生産性が良好ではない。

　例えば融着温度が適正温度よりも低温であると、融着ガラスが磁気コア基板間に十分に充填されず、融着温度が高温であると、図１８に示すように、磁気コア基板１１３，１１４上に形成されているＳｉＯ_２よりなるギャップ膜１１１，１１２に融着ガラス１１５による侵食が発生する。

　従って、融着温度誤差を最小限にとどめる必要があり、融着を行う融着炉として温度精度が非常に高精度なものが必要とされ、かつ温度管理を十分に行う必要があり、量産が難しく、生産性が良好ではない。さらに、上記低温融着法で量産を行った場合には、磁気ヘッド毎のＳｉＯ_２の侵食の度合いのばらつきが生じ易く、磁気ヘッドの特性も大きくばらつき、量産が難しく、生産性が良好ではない。

　そして、上記低温融着法によって磁気ヘッドを製造する際、適正な融着温度にて融着を行っても、融着ガラスとＳｉＯ_２の反応が生じ、図１９に示すように、融着ガラス１１５とギャップ膜１１１，１１２の界面に反応層１１６が形成されており、ＳｉＯ_２の侵食を完全に抑えることは不可能である。

　これは、以下のようなことからも確認されている。すなわち、磁性フェライトよりなる基板上にＳｉＯ_２を膜厚８５０オングストロームで形成し、その上に上記低温融着法により磁気ヘッドを製造するために必要とされると思われる膜厚２０００オングストロームの融着ガラスをスパッタリングにより形成し、５３０℃の温度条件で１時間の熱処理を行った場合のＳｉＯ_２と磁性フェライトの界面の解析をオージェ電子分光法により行った結果を図２０に示すが、この結果からＳｉＯ_２と融着ガラスが反応していることがわかり、これらの界面に反応層が形成され、ＳｉＯ_２の侵食が完全に抑えられているわけではないことが確認されている。なお、図２０中横軸は融着ガラスの表面を０とした膜厚方向の深さを示し、縦軸は相対含有量を示す。

　また、上記低温融着方法により磁気ヘッドの製造を行っても、ギャップ膜としてＳｉＯ_２膜を使用する限り、前述のようにＳｉＯ_２の熱膨張係数が零に近いことから上記ＳｉＯ_２膜形成部分の磁気コア基板に応力が発生することとなり、これによりＳｉＯ_２の侵食が生じている可能性もある。

特開昭５３−５０４９９号公報

　そこで本発明は、かかる従来の技術的な課題に鑑みて提案されたものであって、緻密なギャップ膜によるガラスとフェライトとの接触防止と、ギャップ膜のフェライトへの応力低減が図れ、ギャップ膜と融着ガラスの密着性が向上され、大量生産に適し、高密度磁気記録に対応可能な磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

　上述の目的を達成するために、本発明は、酸化物磁性材料からなる一対の磁気コア基板のうち少なくとも一方の突き合わせ面にギャップ膜が形成され、そのギャップ膜を突き合わせ面としてこれら一対の磁気コア基板が突き合わされ、その磁気コア基板間に磁気ギャップが形成されてなり、磁気ギャップのトラック幅が５０μｍ以下かつ膜厚が１５０ｎｍ以下の磁気ヘッドの製造方法において、上記ギャップ膜として白金または白金族を主とする金属もしくは合金よりなる膜が形成され、上記一対の磁気コア基板を突き合わせて非磁性ガラスにより接合一体化する際の上記非磁性ガラスの融着工程における融着時の粘度を１００００〜６４０００Ｐａ・ｓとすることを特徴とする。

　ところで、本発明者等は、白金等に加え、ギャップ膜として特定の材料を使用することにより、ギャップ膜の侵食が防止されるとともに、ギャップ膜と融着ガラス間の密着性が向上されることを見い出した。

　すなわち、本発明は、酸化物磁性材料からなる一対の磁気コア基板のうち少なくとも一方の突き合わせ面にギャップ膜が形成され、そのギャップ膜を突き合わせ面としてこれら一対の磁気コア基板が突き合わされ、その磁気コア基板間に磁気ギャップが形成されてなり、磁気ギャップのトラック幅が５０μｍ以下かつ膜厚が１５０ｎｍ以下の磁気ヘッドの製造方法において、ギャップ膜としてＣｒ又はＣｒを主とする合金よりなる膜，Ｔｉ又はＴｉを主とする合金よりなる膜或いはＴａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物よりなる膜が形成され、上記一対の磁気コア基板を突き合わせて非磁性ガラスにより接合一体化する際の上記非磁性ガラスの融着工程における融着時の粘度を１００００〜６４０００Ｐａ・ｓとすることを特徴とする。

　なお、上記のような磁気ヘッドにおいて、ギャップ膜を形成する前に、一対の磁気コア基板のうち少なくとも一方の突き合わせ面に逆スパッタを施しギャップ膜形成面の平滑性を向上させることにより、磁気ヘッドの特性を更に向上させることができる。

　白金又は白金族を主とする金属若しくは合金は、スパッタ粒子が細かく被覆性が高いことから緻密な膜となり、またフェライトやガラスに対してほとんど固溶せず、しかもフェライトの熱膨張係数と略一致するという性質を有する。したがって、白金等をギャップ膜として用いた場合には、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避されることになり、その結果ガラスとフェライト間の拡散が無くなる。また、フェライトに対して残留応力の発生が少なくなるので、フェライト本来の持つ透磁率、軟磁気特性が損なわれにくい。

　また、Ｃｒ又はＣｒを主とする合金は高融点金属であり、さらに酸化物Ｃｒ_２Ｏ_３が形成された場合、さらに高融点となるので、ガラスの侵食により粒子が拡散することがなく、Ｃｒ又はＣｒを主とする合金をギャップ膜として用いた場合には、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避されることになり、その結果ガラスとフェライト間の拡散が無くなる。また、Ｃｒ又はＣｒを主とする合金膜をギャップ膜として用いた場合においては、融着時、融着ガラスとの界面に酸化層が形成され、これにより融着ガラスとの密着性が向上される。

　さらに、Ｔｉ又はＴｉを主とする合金は、高融点金属でありガラスの侵食により粒子が拡散しない、緻密な膜を構成し不純物原子の侵入や置換を発生させにくい、熱膨張係数が８５×１０^−７（℃^−１）でありフェライトの熱膨張係数よりも若干小さいという性質を有する。したがって、Ｔｉ又はＴｉを主とする合金をギャップ膜として用いた場合には、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避されることになり、その結果ガラスとフェライト間の拡散が無くなる。また、フェライトに対して残留応力を発生させることが無くなるので、フェライト本来の持つ透磁率、軟磁気特性が損なわれない。さらに、上記Ｔｉ又はＴｉを主とする合金膜をギャップ膜として用いた場合においては、融着時、融着ガラスとの界面に酸化層が形成され、これにより融着ガラスとの密着性が向上される。

　そして、Ｔａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物は、高融点でガラス成分となりにくく、ガラスの侵食により粒子が拡散しない、熱膨張係数がＳｉＯ_２の熱膨張係数よりも大きいという性質を有する。したがって、Ｔａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物をギャップ膜として用いた場合には、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避されることになり、その結果ガラスとフェライト間の拡散が少なくなる。また、ＳｉＯ_２成膜時に比べフェライトに対して残留応力を発生させにくくなるので、フェライト本来の持つ透磁率、軟磁気特性が損なわれない。さらに、上記Ｔａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物をギャップ膜として用いた場合においては、融着時、融着ガラスとの界面に結合層が形成され、これにより融着ガラスとの密着性が向上される。さらにまた、上記Ｔａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物と磁性フェライト及び融着ガラスは、摩耗特性に大きな差がなく、上記Ｔａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物をギャップ膜として用いた磁気ヘッドにおいては偏摩耗が発生しにくい。

　以上の説明からも明らかなように、本発明の磁気ヘッドにおいては、被覆性が高く緻密でありフェライトやガラスに対して固溶せず、且つフェライトと熱膨張係数が略一致する特性を持つ白金又は白金族を主とする金属若しくは合金をギャップ膜としているので、ガラスとフェライトとの接触による拡散反応を回避することができると共に、フェライトに対する残留応力を与えることを防止でき、本来フェライトの持つ透磁率、軟磁気特性を充分に発揮させることができる。したがって、本発明によれば、狭トラック化・狭ギャップ化した場合でも、磁気記録媒体に対して情報信号を密に書き込むことができ、更に密な情報信号を読み出すことが可能となり、高密度磁気記録化を達成することができる磁気ヘッドを製造することができる。

　また、本発明においては、ガラスの侵食により粒子が拡散しないＣｒ又はＣｒを主とする金属若しくは合金をギャップ膜としているので、ガラスとフェライトとの接触による拡散反応を回避することができ、本来フェライトの持つ透磁率、軟磁気特性を充分に発揮させることができる。したがって、本発明によれば、狭トラック化・狭ギャップ化した場合でも、磁気記録媒体に対して情報信号を密に書き込むことができ、高密度磁気記録化を達成することができる磁気ヘッドを製造することができる。また、本発明においては、Ｃｒ又はＣｒを主とする合金膜と融着ガラスとの界面に酸化層が形成されるため、これにより融着ガラスとの密着性が向上され、高いチップ強度が得られる。

　さらに、本発明においては、ガラスの侵食により粒子が拡散せず、緻密な膜を構成し、且つ熱膨張係数がフェライトの熱膨張係数よりも若干小さい特性を持つＴｉ又はＴｉを主とする金属若しくは合金をギャップ膜としているので、ガラスとフェライトとの接触による拡散反応を回避することができると共に、フェライトに対する残留応力を与えることを防止でき、本来フェライトの持つ透磁率、軟磁気特性を充分に発揮させることができる。したがって、本発明によれば、狭トラック化・狭ギャップ化した場合でも、磁気記録媒体に対して情報信号を密に書き込むことができ、高密度磁気記録化を達成することができる磁気ヘッドを製造することができる。また、本発明においては、Ｔｉ又はＴｉを主とする合金膜と融着ガラスとの界面に酸化層が形成されるため、これにより融着ガラスとの密着性が向上され、高いチップ強度が得られる。

　更に、本発明においては、ガラスの侵食により粒子が拡散せず、緻密な膜を構成し、且つ熱膨張係数がフェライトの熱膨張係数よりも若干小さい特性を持つＴａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物をギャップ膜としているので、ガラスとフェライトとの接触による拡散反応を回避することができると共に、フェライトに対する残留応力を与えることを防止でき、本来フェライトの持つ透磁率、軟磁気特性を充分に発揮させることができる。したがって、本発明によれば、狭トラック化・狭ギャップ化した場合でも、磁気記録媒体に対して情報信号を密に書き込むことができ、高密度磁気記録化を達成することができる磁気ヘッドを製造することができる。また、本発明においては、Ｔａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物と融着ガラスとの界面に酸化層が形成されるため、これにより融着ガラスとの密着性が向上され、高いチップ強度が得られる。さらに、本発明においては、磁性フェライト及び融着ガラスと摩耗特性に大きな差がないＴａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物をギャップ膜として用いているため、偏摩耗が発生しにくく、スペーシングロス等による特性の劣化が生じない。

　以下、本発明を適用した具体的な実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。

　実施例１
　本実施例においては、ギャップ膜として白金又は白金族を主とする金属若しくは合金よりなる膜を用いた磁気ヘッドについて説明し、上記磁気ヘッドは、８ミリＶＴＲに搭載される磁気ヘッドとする。

　本実施例の磁気ヘッドは、図１及び図２に示すように、酸化物磁性材料よりなる磁気コア基板１，２とこの磁気コア基板１，２の突合わせ面側にそれぞれ被着形成されるギャップ膜３，４とからなる一対の磁気コア半体５，６とが、互いのギャップ膜３，４を突合わせ融着ガラス７により接合一体化され、その突合わせ面間に記録再生ギャップとして動作するアジマスを有した磁気ギャップｇを形成してなっている。

　上記一対の磁気コア基板１，２は、例えばＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェライト等の軟磁性酸化物材料からなる。これら磁気コア基板１，２の突合わせ面側には、アジマスを持った磁気ギャップｇと平行な磁気ギャップ形成面８，９と、この磁気ギャップ形成面８，９と非平行でトラック幅規制溝によって形成される傾斜面１０，１１とが設けられている。

　なお、上記磁気ギャップ形成面８，９は、トラック幅規制溝によって切り欠かれることにより形成されるもので、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗとなるように形成されている。

　また、上記一対の磁気コア基板１，２の突合わせ面側には、コイルを巻装させるための巻線溝１２，１３が断面略コ字状をなす溝としてコア厚方向に貫通して設けられている。そして、その巻線溝１２，１３のうち、磁気記録媒体摺動面１４側に設けられる傾斜面１２ａ，１３ａは、磁気ギャップｇのデプスを規制する役目をするようになっている。

　この一方、上記磁気コア基板１，２の突合わせ面側とは反対側の側面には、上記巻線溝１２，１３に巻回されるコイルの巻装状態を確保するための巻線ガイド溝１５，１６が設けられている。この巻線ガイド溝１５，１６は、断面略コ字状をなす溝として、上記巻線溝１２，１３が設けられる位置と相対向する位置に形成されている。

　一方、ギャップ膜３，４は、各磁気コア基板１，２の突合わせ面側の磁気ギャップ形成面８，９と、その両側に設けられる傾斜面１０，１１にそれぞれフロント側からバック側に亘って連続した膜として成膜されている。巻線溝１２，１３部分にもギャップ膜３，４が成膜されているが、磁気ギャップ形成面８，９から離れた部分は成膜されないように形成してもよい。

　このように構成された一対の磁気コア半体５，６は、磁気ギャップ形成面８，９上に成膜されたギャップ膜３，４間にギャップスペーサを介在させトラック位置で合わせされて突合わされ、該磁気ギャップｇの両端縁の空隙部分に非磁性である融着ガラス７を充填することにより接合一体化され、そのギャップ膜３，４間に記録再生ギャップとして動作する磁気ギャップｇを形成する。

　なお、図示は省略するが、相対向するギャップ膜３，４間には融着ガラス７が充填され、この融着ガラス７とこれらギャップ膜３，４との総膜厚が磁気ギャップｇのギャップ長となっている。また、本実施例では、高密度磁気記録を目的として、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗを５０μｍ以下とし、ギャップ膜３，４の膜厚を１５０ｎｍ以下としている。

　そして特に本実施例では、上記ギャップ膜３，４として、例えば白金又は白金族を主とする金属若しくは合金よりなる膜を用いている。白金族としては、白金の他にルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムが挙げられる。これら白金等は、スパッタ粒子が細かく表面の被覆性が高いという特性を有する。これは、例えば走査型顕微鏡で絶縁物を観察する際に通常の導電性金属では倍率の高い像を得る場合には粒子が大きく不向きであり、白金若しくは白金−パラジウム合金等が用いられることからも明かである。

　また、白金族は、結晶構造が面心立方格子若しくは稠密六方格子であり密な構造をとる。このため、被覆性がＳｉＯ_２等の酸化物に比べて向上し、ガラスとフェライトの接触が起こり難くなる。また、白金はフェライトの単結晶作製用の坩堝に用いられることから判るように、高融点であり、さらにフェライトやガラスに対しほとんど固溶しない特性を持っている。このため、ガラス溶融による高温の融着時にも侵食や拡散を起こさず緻密な膜構造を維持する。

　このことは、以下のようなことから確認されている。すなわち、磁性フェライトよりなる基板上に白金を膜厚８５０オングストロームで形成し、その上に磁気ヘッドを製造するために必要とされると思われる膜厚２０００オングストロームの融着ガラスをスパッタリングにより形成し、５３０℃の温度条件で１時間の熱処理を行った場合の白金と磁性フェライトの界面の解析をオージェ電子分光法により行った結果を図３に示すが、この結果から白金と融着ガラスが反応していないことがわかり、白金の侵食が抑えられていることが確認されている。なお、図３中横軸は融着ガラスの表面を０とした膜厚方向の深さを示し、縦軸は相対含有量を示す。

　また、熱膨張係数も９１×１０^−７（℃^−１）、Ｐｔ−Ｐｄ合金でも約１００×１０^−７（℃^−１）と略フェライトの熱膨張係数に一致するため、スパッタ及び熱処理によりフェライトに対し残留応力を発生することもない。

　このような特徴を持つため、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした場合と異なり、例えば狭トラック幅、狭ギャップ長で磁気ヘッドを作製した場合にも磁気ギャップが維持され、ギャップ中のガラス（図示は省略する。）とギャップ膜３，４が完全に非磁性のまま維持される。したがって、磁気ギャップ部で磁気記録媒体側への磁束の漏洩が充分に起こり、高い記録再生性能が達成できる。

　また、白金等を用いた場合には、ＳｉＯ_２をギャップ膜としたときの出力を零ｄＢとしてなる相対出力レベルのトラック幅依存性を示す図４から明らかなように、トラック幅Ｔｗが５０μｍ以下の狭トラックであっても相対出力がＳｉＯ_２に比べて遥かに高いことが判る。同様に、ＳｉＯ_２をギャップ膜としたときの出力を零ｄＢとしてなる相対出力レベルの白金膜厚依存性を示す図５から明らかなように、その膜厚が１５０ｎｍ以下の狭ギャップ長であっても相対出力がやはりＳｉＯ_２に比べて遥かに高い。

　次に、上述の磁気ヘッドを製造する方法について説明する。先ず、Ｍｎ−Ｚｎフェライト若しくはＮｉ−Ｚｎフェライト等の如き軟磁性酸化物材料からなるコア半体ブロックを１４本得られる大きな基板を、図６に示すように縦横厚みそれぞれ４５×４５×１（単位ｍｍ）となるように切り出し、コア半体ブロック１７を形成する。

　次に、図７に示すように、上記コア半体ブロック１７の主面１７ａに対して断面略Ｕ字状をなすトラック幅規制溝１８を、ブロック長手方向に沿って規定のトラック幅Ｔｗが残るように複数形成する。本実施例では、主面１７ａに対する接触部の角度を６０゜として溝開口部の幅１９０μｍ、深さ９５μｍ、残存するトラック幅１６μｍとなるように略Ｕ字状にトラック幅規制溝１８を形成した。

　なお、トラック幅規制溝１８は、上記の例では断面略Ｕ字状としたが、例えば断面略Ｖ字状としても構わない。

　次いで、図８に示すように、上記コア半体ブロック１７の主面１７ａに、上記トラック幅規制溝１８と略直交する方向にコイルを巻装するための巻線溝１９を形成する。本実施例では、開口幅６５０μｍ、深さ２００μｍ、摺動面となる側に近い端部における傾斜面１９ａと主面１７ａとのなす角度を４０゜、反対側の端部における傾斜面１９ｂと主面１７ａとのなす角度を９０゜とする断面形状を有する巻線溝１９を形成した。

　しかる後、コア半体ブロック１７の主面１７ａを研磨し、表面粗度が５０ｎｍ程度になるように形成する。次いで、図９に示すように、トラック幅規制溝１８、巻線溝１９を含めて上記コア半体ブロック１７の主面１７ａに白金よりなるギャップ膜（図示は省略する。）を成膜する。

　ギャップ膜を成膜するに際しては、直径６インチの純白金からなるターゲットをＲＦマグネトロンスパッタ法で３００Ｗの投入電力の下にスパッタし、９０ｎｍの膜厚となるようにした。白金はフェライトと熱膨張係数が略一致することから、スパッタによってはフェライトに対して残留応力を発生させることがない。

　次に、同様に作製したコア半体ブロック１７，１７同士をトラック位置合わせしながら図１０に示すように重ね合わせる。そして、巻線溝１９，１９内にガラス棒（図示は省略する。）を挿入し、これを加熱溶融せしめ、相対向するトラック幅規制溝１８，１８間の空間部に融着ガラス２０を充填する。

　かかる融着工程では高い温度が加えられるが、白金よりなるギャップ膜は緻密且つフェライトやガラスに対して固溶しない膜であることから、ギャップ膜がガラスによって侵食されることもなく、またフェライトとガラスとの拡散が発生することもない。

　次に、図１１に示すように、融着ガラス２０によって接合一体化されたコアブロックに対して、上記巻線溝１９と相対向する位置に巻線ガイド溝２１，２１を形成する。次いで、磁気記録媒体と摺接する摺動面となる部分を円筒研磨して曲面形状となした後、磁気ギャップｇのアジマス角が２０゜となるように図１１中点線で示す位置でそれぞれチップ切断する。

　そして、得られたヘッドチップを、外形寸法幅１５００μｍ、高さ１９００μｍ、厚み２２０μｍとなるように仕上げた。

　以上のようにして作製された磁気ヘッドに、インダクタンスが約１．８μＨとなるように巻線を行い出力を測定した。また、比較例としてＳｉＯ_２をギャップ膜とした同一構成の磁気ヘッドの出力も測定した。その結果、白金をギャップ膜とした磁気ヘッドでは４．５ＭＨｚで１８０μＶｐ−ｐであり、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした磁気ヘッドでは１０５μＶｐ−ｐであった。このように、白金をギャップ膜とした場合には、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした場合に比べて約５ｄＢもの大幅な出力の改善効果が確認された。

　実施例２
　本実施例においては、ギャップ膜としてＣｒ又はＣｒを主とする合金よりなる膜を用いた実施例１の磁気ヘッドと同様の構成を有する磁気ヘッドについて説明する。

　本実施例の磁気ヘッドも図１及び２に示すような磁気ヘッドであり、酸化物磁性材料よりなる磁気コア基板１，２とこの磁気コア基板１，２の突合わせ面側にそれぞれ被着形成されるギャップ膜３，４とからなる一対の磁気コア半体５，６とが、互いのギャップ膜３，４を突合わせ融着ガラス７により接合一体化され、その突合わせ面間に記録再生ギャップとして動作するアジマスを有した磁気ギャップｇを形成してなる磁気ヘッドである。以下、実施例１と重複する部分については説明を省略する。

　そして、本実施例の磁気ヘッドにおいては、特に、上記ギャップ膜３，４としてＣｒ又はＣｒを主とする合金よりなる膜を用いている。上記Ｃｒ又はＣｒを主とする合金は金属であるため、ＳｉＯ_２等の酸化物のようにガラスの侵食により粒子が拡散することがなく、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避されることになり、その結果ガラスとフェライト間の拡散が無くなる。すなわち、本実施例の磁気ヘッドにおいては、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした場合と異なり、例えば狭トラック幅、狭ギャップ長で磁気ヘッドを作製した場合にも磁気ギャップが維持され、ギャップ中のガラス（図示は省略する。）とギャップ膜３，４が完全に非磁性のまま維持される。従って、磁気ギャップ部で磁気記録媒体側への磁束の漏洩が充分に起こり、高い記録再生性能が達成できる。

　また、本実施例の磁気ヘッドにおいては、図１２に示すように、ギャップ膜３，４と融着ガラス７との界面にＣｒ又はＣｒを主とする合金の酸化層２２が形成されており、これによりギャップ膜３，４と融着ガラス７との密着性が向上され、磁気ヘッドのチップ強度は高いものとなる。

　なお、このことは以下のようなことから確認されている。すなわち、磁性フェライトよりなる基板上にＣｒを膜厚８５０オングストロームで形成し、その上に磁気ヘッドを製造するために必要とされると思われる膜厚２０００オングストロームの融着ガラスをスパッタリングにより形成し、５３０℃の温度条件で１時間の熱処理を行った場合のＣｒと磁性フェライトの界面の解析をオージェ電子分光法により行った結果を図１３に示すが、この結果からＣｒ膜表面に酸化層が形成されていることがわかり、このようなＣｒ等よりなる膜をギャップ膜として使用している本実施例の磁気ヘッドにおいては、ギャップ膜と融着ガラスとの密着性が向上され、磁気ヘッドのチップ強度は高いものとなることが確認されている。なお、図１３中横軸は融着ガラスの表面を０とした膜厚方向の深さを示し、縦軸は相対含有量を示す。

　次に本実施例の磁気ヘッドを製造する製造方法について説明するが、該製造方法は、実施例１で述べた製造方法と略同等の方法であるので、重複する部分については説明を省略する。

　先ず、図６に示すようなＭｎ−Ｚｎフェライト若しくはＮｉ−Ｚｎフェライト等の如き軟磁性酸化物材料からなるコア半体ブロック１７をその縦厚みがそれぞれ３０×２．９（単位ｍｍ）となるように用意する。

　そして、図７に示すように、上記コア半体ブロック１７の主面１７ａに実施例１と同様に複数のトラック幅規制溝１８を形成するが、本実施例においては、上記トラック幅規制溝１８をその各対応する一側面が垂直面の例えばトラック幅規制溝１８の他側面に対し所要の角度βをクロストーク対策としてβ＝８〜４５゜とし、深さを６０μｍ程度とした溝として形成し、トラック幅を１５μｍとした。

　次に、上記コア半体ブロック１７の主面１７ａを研磨して、その中心線平均粗さＲａを２０〜１００オングストロームとなるようにした。その後、図８に示すように、実施例１と同様に巻線溝１９をトラック幅規制溝１８に略直交する方向に形成する。

　そして、上記コア半体ブロック１７の主面１７ａにその平滑性を向上させるために逆スパッタを施した後に、図９に示すように、トラック幅規制溝１８、巻線溝１９を含めて上記コア半体ブロック１７の主面１７ａにＣｒよりなるギャップ膜（図示は省略する。）をスパッタリングにより形成する。なお、本実施例においては上記Ｃｒよりなるギャップ膜の膜厚を８５０オングストロームとした。

　次に、同様に作製したコア半体ブロック１７，１７同士をトラック位置合わせしながら図１０に示すように重ね合わせる。そして、巻線溝１９，１９内にガラス棒（図示は省略する。）を挿入し、これを加熱溶融せしめ、相対向するトラック幅規制溝１８，１８間の空間部に融着ガラス２０を充填する。

　このとき、本実施例においては、融着温度を５３０℃〜５６０℃の範囲とした。これは、融着時の融着ガラス２０の粘度を規定するためで、図１７の結果からコア半体ブロック１７，１７間に融着ガラス２０を十分に充填させることを可能とする粘度６４０００（Ｐａ・ｓ）を得るための温度が５３０℃であり、融着工程によりＣｒ膜よりなるギャップ膜にガラスによる侵食が発生し始める粘度１００００（Ｐａ・ｓ）を得るための温度が５６０℃であるためである。

　かかる融着工程では高い温度が加えられるが、Ｃｒよりなるギャップ膜は金属であり、ＳｉＯ_２等の酸化物のようにガラスの侵食により粒子が拡散することがないため、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避され、ガラスとフェライト間の拡散が発生することもない。

　次に、実施例１と同様に各種加工を施した後、チップ切断し、得られたヘッドチップを、外形寸法幅１５００μｍ、高さ１９００μｍとなるように仕上げた。なお、本実施例においてはアジマス角を１０゜とした。

　このとき、本実施例においては、Ｃｒ膜よりなるギャップ膜と融着ガラスの界面にＣｒ膜の酸化層が形成されており、これらの密着性が向上され、高いチップ強度を有しているため、上記各種加工等において磁気ヘッドが破損することもない。

　そして、以上のようにして作製された磁気ヘッドと比較のためにＳｉＯ_２をギャップ膜とした同一構成の磁気ヘッドの出力を測定した。その結果、Ｃｒをギャップ膜とした磁気ヘッドでは３．１３ｍ／ｓ，４．７ＭＨｚで１７０μＶｐ−ｐであり、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした磁気ヘッドでは１１２μＶｐ−ｐであった。このように、Ｃｒをギャップ膜とした場合には、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした場合に比べて３．６５ｄＢもの大幅な出力の改善効果が確認された。

　実施例３
　本実施例においては、ギャップ膜としてＴｉ又はＴｉを主とする合金よりなる膜を用いた実施例２の磁気ヘッドと同様の構成を有する磁気ヘッドについて説明する。

　本実施例の磁気ヘッドは、実施例２に示した磁気ヘッドと同様の構成を有し、図１，２に示すようなギャップ膜３，４としてＴｉ又はＴｉを主とする合金よりなる膜を用いていることのみ異なる磁気ヘッドである。上記Ｔｉ又はＴｉを主とする合金は金属であるため、ＳｉＯ_２等の酸化物のようにガラスの侵食により粒子が拡散することがない。また、Ｔｉ又はＴｉを主とする合金は密な結晶構造を有するため、緻密な膜を構成し不純物原子の侵入や置換を発生させにくい。すなわち、本実施例の磁気ヘッドにおいては、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避されることになり、その結果ガラスとフェライト間の拡散が無くなる。

　また、熱膨張係数もＴｉにおいては８５×１０^−７（℃^−１）であり、フェライトの熱膨張係数よりも若干小さいため、スパッタ及び熱処理によりフェライトに対し残留応力を発生することが少ない。

　このような特徴を有するため、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした場合と異なり、例えば狭トラック幅、狭ギャップ長で磁気ヘッドを作製した場合にも磁気ギャップが維持され、ギャップ中のガラス（図示は省略する。）とギャップ膜３，４が完全に非磁性のまま維持される。従って、磁気ギャップ部で磁気記録媒体側への磁束の漏洩が充分に起こり、高い記録再生性能が達成できる。

　また、本実施例の磁気ヘッドにおいても、実施例２の磁気ヘッドと同様に、図１２に示すようなギャップ膜３，４と融着ガラス７との界面にＴｉ又はＴｉを主とする合金の酸化層２２が形成されており、これによりギャップ膜３，４と融着ガラス７との密着性が向上され、磁気ヘッドのチップ強度は高いものとなる。

　次に本実施例の磁気ヘッドを製造する製造方法について説明するが、該製造方法は、実施例２で述べた製造方法と略同等の方法であり、ギャップ膜としてＴｉよりなるギャップ膜を形成する点のみ異なるものである。

　本実施例においては、図９に示すように、トラック幅規制溝１８、巻線溝１９を含めて上記コア半体ブロック１７の主面１７ａにＴｉよりなるギャップ膜（図示は省略する。）をスパッタリングにより形成するが、Ｔｉの熱膨張係数がフェライトの熱膨張係数よりも若干小さいことから、スパッタによってはフェライトに対して残留応力を発生させることが少ない。

　また、本実施例においては、図１０に示すようにコア半体ブロック１７，１７同士をトラック位置合わせしながら重ね合わせ、巻線溝１９，１９内にガラス棒（図示は省略する。）を挿入し、これを加熱溶融せしめ、相対向するトラック幅規制溝１８，１８間の空間部に融着ガラス２０を充填する。

　かかる融着工程では高い温度が加えられるが、Ｔｉよりなるギャップ膜は金属であり、ＳｉＯ_２等の酸化物のようにガラスの侵食により粒子が拡散することがなく、また緻密な膜であるため、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避され、ガラスとフェライト間の拡散が発生することもない。

　そして、本実施例においても、図１１に示すように、融着ガラス２０によって接合一体化されたコアブロックに対して、巻線ガイド溝２１，２１を形成する、磁気記録媒体と摺接する摺動面となる部分を円筒研磨して曲面形状となす、磁気ギャップｇのアジマス角が１０゜となるように図１１中点線で示す位置でそれぞれチップ切断する等の各種加工を施す。このとき、本実施例においては、Ｔｉ膜よりなるギャップ膜と融着ガラスの界面にＴｉ膜の酸化層が形成されており、これらの密着性が向上され、高いチップ強度を有しているため、上記各種加工等において磁気ヘッドが破損することもない。

　さらに、以上のようにして作製された磁気ヘッドと比較のためにＳｉＯ_２をギャップ膜とした同一構成の磁気ヘッドの出力を測定した。ただし、これらの磁気ヘッドのアジマス角は１０゜とした。その結果、Ｔｉをギャップ膜とした磁気ヘッドでは３．１３ｍ／ｓ，４．７ＭＨｚで１４３μＶｐ−ｐであり、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした磁気ヘッドでは１１２μＶｐ−ｐであった。このように、Ｔｉをギャップ膜とした場合には、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした場合に比べて２．１ｄＢもの大幅な出力の改善効果が確認された。

　実施例４
　本実施例においては、ギャップ膜としてＴａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物よりなる膜を用いた実施例２の磁気ヘッドと同様の構成を有する磁気ヘッドについて説明する。

　本実施例の磁気ヘッドは、実施例２に示した磁気ヘッドと同様の構成を有し、図１，２に示すようなギャップ膜３，４としてＴａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物よりなる膜を用いていることのみ異なる磁気ヘッドである。上記Ｔａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物は、ＳｉＯ_２等の酸化物のようにガラスの侵食により粒子が拡散することが少なく、本実施例の磁気ヘッドにおいては、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避されることになり、その結果ガラスとフェライト間の拡散が無くなる。

　ＳｉＯ_２の熱膨張係数が零に近いのに比べ、Ｔａ_２Ｏ_５の熱膨張係数は大きく、スパッタ成膜やガラス融着等の熱処理時にフェライトに及ぼす応力はＳｉＯ_２をギャップ膜とした場合よりも減少することからフェライトの残留応力による透磁率の劣化を防ぐ。

　このような特徴を有するため、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした場合と異なり、例えば狭トラック幅、狭ギャップ長で磁気ヘッドを作製した場合にも磁気ギャップが維持され、ギャップ中のガラス（図示は省略する。）とギャップ膜３，４が完全に非磁性のまま維持される。従って、磁気ギャップ部で磁気記録媒体側への磁束の漏洩が充分に起こり、高い記録再生性能が達成できる。

　また、本実施例の磁気ヘッドにおいても、融着ガラスとＴａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物が共に酸化物であることから、実施例２の磁気ヘッドと同様に、図１２に示すようなギャップ膜３，４と融着ガラス７との界面にＴａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物の結合層２２が形成されており、これによりギャップ膜３，４と融着ガラス７との密着性が向上され、磁気ヘッドのチップ強度は高いものとなる。

　なお、このことは以下のようなことから確認されている。すなわち、磁性フェライトよりなる基板上にＴａ_２Ｏ_５を膜厚８５０オングストロームで形成し、その上に磁気ヘッドを製造するために必要とされると思われる膜厚２０００オングストロームの融着ガラスをスパッタリングにより形成し、５３０℃の温度条件で１時間の熱処理を行った場合のＴａ_２Ｏ_５と磁性フェライトの界面の解析をオージェ電子分光法により行った結果を図１４に示すが、この結果から融着ガラスとＴａ_２Ｏ_５膜の酸素成分が結合し、これらの密着性が向上され、磁気ヘッドのチップ強度は高いものとなることが確認されている。なお、図１４中横軸は融着ガラスの表面を０とした膜厚方向の深さを示し、縦軸は相対含有量を示す。

　さらに、本実施例の磁気ヘッドにおいては、ギャップ膜としてＴａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物を用いており、上記Ｔａ_２Ｏ_５又はＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物と磁気コア基板を構成する磁性フェライトや融着ガラスの摩耗特性に大きな差がないことから、偏摩耗が発生しにくい。

　次に本実施例の磁気ヘッドを製造する製造方法について説明するが、該製造方法は、実施例２で述べた製造方法と略同等の方法であり、ギャップ膜としてＴａ_２Ｏ_５よりなるギャップ膜を形成する点のみ異なるものである。

　本実施例においては、図９に示すように、トラック幅規制溝１８、巻線溝１９を含めて上記コア半体ブロック１７の主面１７ａにＴａ_２Ｏ_５よりなるギャップ膜（図示は省略する。）をスパッタリングにより形成するが、Ｔａ_２Ｏ_５の熱膨張係数がＳｉＯ_２の熱膨張係数よりも大きいことから、スパッタによってはフェライトに対して残留応力を発生させることが少ない。

　また、本実施例においては、図１０に示すようにコア半体ブロック１７，１７同士をトラック位置合わせしながら重ね合わせ、巻線溝１９，１９内にガラス棒（図示は省略する。）を挿入し、これを加熱溶融せしめ、相対向するトラック幅規制溝１８，１８間の空間部に融着ガラス２０を充填する。

　かかる融着工程では高い温度が加えられるが、Ｔａ_２Ｏ_５よりなるギャップ膜は金属であるため、ＳｉＯ_２等の酸化物のようにガラスの侵食により粒子が拡散することがなく、ギャップ膜の侵食やガラスとフェライトとの接触が回避され、ガラスとフェライト間の拡散が発生することもない。

　そして、本実施例においても、図１１に示すように、融着ガラス２０によって接合一体化されたコアブロックに対して、巻線ガイド溝２１，２１を形成する、磁気記録媒体と摺接する摺動面となる部分を円筒研磨して曲面形状となす、磁気ギャップｇのアジマス角が所定の角度となるように図１１中点線で示す位置でそれぞれチップ切断する等の各種加工を施す。このとき、本実施例においては、融着ガラスとＴａ_２Ｏ_５膜の酸素成分の結合により、該Ｔａ_２Ｏ_５膜よりなるギャップ膜と融着ガラスの界面に結合層が形成されており、これらの密着性が向上され、高いチップ強度を有しているため、上記各種加工等において磁気ヘッドが破損することもない。

　さらに、以上のようにして作製された磁気ヘッドと比較のためにＳｉＯ_２をギャップ膜とした同一構成の磁気ヘッドの出力を測定した。ただし、これらの磁気ヘッドのアジマス角は１０゜とした。その結果、Ｔａ_２Ｏ_５をギャップ膜とした磁気ヘッドでは３．１３ｍ／ｓ，４．７ＭＨｚで１４３μＶｐ−ｐであり、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした磁気ヘッドでは１１２μＶｐ−ｐであった。このように、Ｔａ_２Ｏ_５をギャップ膜とした場合には、ＳｉＯ_２をギャップ膜とした場合に比べて２．１ｄＢもの大幅な出力の改善効果が確認された。

本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。 図１の磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面部分を拡大して示す要部拡大平面図である。 白金と磁性フェライトの界面の解析結果を示すチャート図である。 白金をギャップ膜としたときのＳｉＯ_２ギャップ膜に対する相対出力レベルのトラック幅依存性を示す特性図である。 白金をギャップ膜としたときのＳｉＯ_２ギャップ膜に対する相対出力レベルのギャップ膜厚依存性を示す特性図である。 本発明を適用した磁気ヘッドの製造工程を順次示すもので、コア半体ブロック作製工程を示す斜視図である。 本発明を適用した磁気ヘッドの製造工程を順次示すもので、トラック幅規制溝形成工程を示す斜視図である。 本発明を適用した磁気ヘッドの製造工程を順次示すもので、巻線溝形成工程を示す斜視図である。 本発明を適用した磁気ヘッドの製造工程を順次示すもので、ギャップ膜成膜工程を示す斜視図である。 本発明を適用した磁気ヘッドの製造工程を順次示すもので、ガラス融着工程を示す斜視図である。 本発明を適用した磁気ヘッドの製造工程を順次示すもので、巻線ガイド溝形成工程を示す斜視図である。 本発明を適用した磁気ヘッドのギャップ膜と融着ガラスの界面近傍を示す要部拡大平面図である。 Ｃｒと磁性フェライトの界面の解析結果を示すチャート図である。 Ｔａ_２Ｏ_５と磁性フェライトの界面の解析結果を示すチャート図である。 ＳｉＯ_２をギャップ膜とした従来の磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面部分を拡大して示す要部拡大平面図である。 ＳｉＯ_２をギャップ膜とした従来の磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面部分を拡大して示すもので、ギャップ膜がガラスにより侵食された様子を示す要部拡大平面図である。 融着ガラスの温度と粘度の関係を示す図である。 ＳｉＯ_２をギャップ膜とした従来の磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面部分を拡大して示すもので、融着ガラスの融着温度が低温であった場合のギャップ膜と融着ガラスの様子を示す要部拡大平面図である。 ＳｉＯ_２をギャップ膜とした従来の磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面部分を拡大して示すもので、融着ガラスの融着温度が適温であった場合のギャップ膜と融着ガラスの様子を示す要部拡大平面図である。 ＳｉＯ_２と磁性フェライトの界面の解析結果を示すチャート図である。

符号の説明

１，２・・・磁気コア基板、３，４・・・ギャップ膜、５，６・・・磁気コア半体、７・・・融着ガラス、８，９・・・磁気ギャップ形成面、１２，１３・・・巻線溝、１５，１６・・・巻線ガイド溝、２２・・・酸化層

Claims (5)

1. 　酸化物磁性材料からなる一対の磁気コア基板のうち少なくとも一方の突き合わせ面にギャップ膜が形成され、そのギャップ膜を突き合わせ面としてこれら一対の磁気コア基板が突き合わされ、その磁気コア基板間に磁気ギャップが形成されてなり、磁気ギャップのトラック幅が５０μｍ以下かつ膜厚が１５０ｎｍ以下の磁気ヘッドの製造方法において、
   　上記ギャップ膜として白金または白金族を主とする金属もしくは合金よりなる膜が形成され、
   　上記一対の磁気コア基板を突き合わせて非磁性ガラスにより接合一体化する際の上記非磁性ガラスの融着工程における融着時の粘度を１００００〜６４０００Ｐａ・ｓとすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
2. 　酸化物磁性材料からなる一対の磁気コア基板のうち少なくとも一方の突き合わせ面にギャップ膜が形成され、そのギャップ膜を突き合わせ面としてこれら一対の磁気コア基板が突き合わされ、その磁気コア基板間に磁気ギャップが形成されてなり、磁気ギャップのトラック幅が５０μｍ以下かつ膜厚が１５０ｎｍ以下の磁気ヘッドの製造方法において、
   　上記ギャップ膜としてＣｒまたはＣｒを主とする合金よりなる膜が形成され、
   　上記一対の磁気コア基板を突き合わせて非磁性ガラスにより接合一体化する際の上記非磁性ガラスの融着工程における融着時の粘度を１００００〜６４０００Ｐａ・ｓとすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
3. 　酸化物磁性材料からなる一対の磁気コア基板のうち少なくとも一方の突き合わせ面にギャップ膜が形成され、そのギャップ膜を突き合わせ面としてこれら一対の磁気コア基板が突き合わされ、その磁気コア基板間に磁気ギャップが形成されてなり、磁気ギャップのトラック幅が５０μｍ以下かつ膜厚が１５０ｎｍ以下の磁気ヘッドの製造方法において、
   上記ギャップ膜としてＴｉまたはＴｉを主とする合金よりなる膜が形成され、
   上記一対の磁気コア基板を突き合わせて非磁性ガラスにより接合一体化する際の上記非磁性ガラスの融着工程における融着時の粘度を１００００〜６４０００Ｐａ・ｓとすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
4. 　酸化物磁性材料からなる一対の磁気コア基板のうち少なくとも一方の突き合わせ面にギャップ膜が形成され、そのギャップ膜を突き合わせ面としてこれら一対の磁気コア基板が突き合わされ、その磁気コア基板間に磁気ギャップが形成されてなり、磁気ギャップのトラック幅が５０μｍ以下かつ膜厚が１５０ｎｍ以下の磁気ヘッドの製造方法において、
   上記ギャップ膜としてＴａ_２Ｏ_５またはＴａ_２Ｏ_５を主とする酸化物よりなる膜が形成され、
   上記一対の磁気コア基板を突き合わせて非磁性ガラスにより接合一体化する際の上記非磁性ガラスの融着工程における融着時の粘度を１００００〜６４０００Ｐａ・ｓとすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
5. 　一対の磁気コア基板のうち少なくとも一方の突き合わせ面の表面粗度（中心線平均粗さＲａ）を２０〜１００オングストロームとし、その面に逆スパッタを施した後にギャップ膜が形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
   

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