JP2003536363A - ハーフブリッジ装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
電力をスイッチングするためのハーフブリッジ組立体において、少なくとも２つの半導体スイッチが直列に接続されてハーフブリッジを形成し；各半導体スイッチは制御入力を有し、前記第１半導体スイッチは高電圧側に接続される第１電力端子を有し；前記第２半導体スイッチは低電圧側に接続される第２電力端子を有し；各第１半導体スイッチの第２電力端子は各々の第２半導体スイッチの第１電力端子に接続され；前記半導体スイッチの各々は、各々の半導体スイッチの両電力端子に並列に配置される還流ダイオードを有し；ショットキーダイオードは各還流ダイオードに並列に接続され、還流ダイオードを有する各半導体スイッチと各ショットキーダイオードとがヒートシンクに熱伝導式に接続され、各ショットキーダイオードと前記ヒートシンクとの間の熱抵抗は、各還流ダイオードと前記ヒートシンクとの間の熱抵抗よりも大きいハーフブリッジ組立体。
Description
【０００１】発明の背景
本発明は、少なくとも２つの半導体スイッチが直列に接続されハーフブリッジ
を形成する、電力をスイッチングするためのハーフブリッジ組立体に関する。各
半導体スイッチは制御入力を有する。さらに各第１半導体スイッチは高電圧側に
接続される第１電力端子を有し、各第２半導体スイッチは低電圧側に接続される
第２電力端子を有する。各第１半導体スイッチの第２電力端子は第２半導体スイ
ッチ各々の第１電力端子に接続される。そして、各半導体スイッチはその両電力
端子に並列に配置された還流ダイオードを有する。
を形成する、電力をスイッチングするためのハーフブリッジ組立体に関する。各
半導体スイッチは制御入力を有する。さらに各第１半導体スイッチは高電圧側に
接続される第１電力端子を有し、各第２半導体スイッチは低電圧側に接続される
第２電力端子を有する。各第１半導体スイッチの第２電力端子は第２半導体スイ
ッチ各々の第１電力端子に接続される。そして、各半導体スイッチはその両電力
端子に並列に配置された還流ダイオードを有する。
【０００２】従来技術
このようなハーフブリッジ組立体としてはドイツ公開特許第42 30 510号公報
が知られている。このようなハーフブリッジは、例えば、多相機械、永久磁石モ
ータ等の、大きく異なる分野に適用されるインバータを形成するために使用され
る（ドイツ公開特許第40 27 969号公報参照）。
が知られている。このようなハーフブリッジは、例えば、多相機械、永久磁石モ
ータ等の、大きく異なる分野に適用されるインバータを形成するために使用され
る（ドイツ公開特許第40 27 969号公報参照）。
【０００３】
特にＦＥＴ電力半導体スイッチでは、還流ダイオードは大抵、半導体スイッチ
と一体となっている。集積還流ダイオードはシリコン接合ダイオードをなす。し
かしながら、このような集積還流ダイオードは、相対的に長いスイッチング時間
（１０ナノ秒から数マイクロ秒）を有する。従って、集積還流ダイオードには、
熱に変換されて消散されなければならない重大な電力損失が起きる。少なくとも
、高電気スイッチング容量に関しては、ハーフブリッジ装置は液冷である。集積
還流ダイオードはかなりの電流容量を有しなければならないことから、さらに、
かなりの半導体領域、従って設備スペースを必要とする。
と一体となっている。集積還流ダイオードはシリコン接合ダイオードをなす。し
かしながら、このような集積還流ダイオードは、相対的に長いスイッチング時間
（１０ナノ秒から数マイクロ秒）を有する。従って、集積還流ダイオードには、
熱に変換されて消散されなければならない重大な電力損失が起きる。少なくとも
、高電気スイッチング容量に関しては、ハーフブリッジ装置は液冷である。集積
還流ダイオードはかなりの電流容量を有しなければならないことから、さらに、
かなりの半導体領域、従って設備スペースを必要とする。
【０００４】
ダイオードのスイッチング時間すなわち電力損失を減少させるために、ショッ
トキーダイオードを還流ダイオードに並列に同極性に接続すること、および各半
導体スイッチを集積還流ダイオードと各ショットキーダイオードと共に冷却する
こと、すなわち、それらをヒートシンクに熱伝導可能に接続することが既に提案
されている。寄生インダクタンスを防ぐために、ダイオードは半導体スイッチの
できるだけ近くに配置されなければならない。
トキーダイオードを還流ダイオードに並列に同極性に接続すること、および各半
導体スイッチを集積還流ダイオードと各ショットキーダイオードと共に冷却する
こと、すなわち、それらをヒートシンクに熱伝導可能に接続することが既に提案
されている。寄生インダクタンスを防ぐために、ダイオードは半導体スイッチの
できるだけ近くに配置されなければならない。
【０００５】
ショットキーダイオードは、ｐｎ遷移ではなく整流効果を有する金属半導体遷
移を伴うため、大変短いスイッチング時間を有する。しかしながら、金属半導体
遷移では蓄積電荷は大変小さく、スイッチング時間が大変短い。ショットキーダ
イオードの他の特性は、導通状態電圧がシリコン接合ダイオードと比べて約０．
３Ｖと低いことである。
移を伴うため、大変短いスイッチング時間を有する。しかしながら、金属半導体
遷移では蓄積電荷は大変小さく、スイッチング時間が大変短い。ショットキーダ
イオードの他の特性は、導通状態電圧がシリコン接合ダイオードと比べて約０．
３Ｖと低いことである。
【０００６】
集積還流ダイオードは導通状態電圧が約０．７Ｖのシリコン接合ダイオードで
ある。従って、ハーフブリッジ装置の還流動作において、ショットキーダイオー
ドの導通状態電圧のほうが低いので、実質上全電流がショットキーダイオードを
介して流れる。ショットキーダイオードは１０から１００ピコ秒のスイッチング
時間を有する。従って、熱に変換されるべき電力損失もまた非常に減少する。そ
れでもやはり、ショットキーダイオードも、過加熱（１７０度超）や熱破壊が予
想されるので、パワー半導体スイッチと同様の方法で集積還流ダイオードと共に
冷却される。
ある。従って、ハーフブリッジ装置の還流動作において、ショットキーダイオー
ドの導通状態電圧のほうが低いので、実質上全電流がショットキーダイオードを
介して流れる。ショットキーダイオードは１０から１００ピコ秒のスイッチング
時間を有する。従って、熱に変換されるべき電力損失もまた非常に減少する。そ
れでもやはり、ショットキーダイオードも、過加熱（１７０度超）や熱破壊が予
想されるので、パワー半導体スイッチと同様の方法で集積還流ダイオードと共に
冷却される。
【０００７】
このスイッチング動作の改善のためには、ショットキーダイオードを対応する
大きさにしなければならない。何となれば、当該ダイオードはハーフブリッジ装
置の還流動作において全電流を運ぶことができなければならないからである。
大きさにしなければならない。何となれば、当該ダイオードはハーフブリッジ装
置の還流動作において全電流を運ぶことができなければならないからである。
【０００８】
米国特許第5,661,644号から、直列に接続された２つの半導体スイッチを有す
るハーフブリッジ装置が知られている。還流ダイオードは各半導体スイッチに並
列に接続され、ショットキーダイオードは各還流ダイオードに並列に接続されて
いる。さらに、半導体スイッチおよび還流ダイオードのヒートシンク上に配置す
ることがこの公報から既知である。
るハーフブリッジ装置が知られている。還流ダイオードは各半導体スイッチに並
列に接続され、ショットキーダイオードは各還流ダイオードに並列に接続されて
いる。さらに、半導体スイッチおよび還流ダイオードのヒートシンク上に配置す
ることがこの公報から既知である。
【０００９】
ドイツ公開特許第195 32 992号公報から、その側部に電気もしくは電子素子が
設けられ、その裏面には挿入中間層を介して冷却板が当てられた回路板が公知で
ある。高熱負荷の影響を受ける部材が熱伝導ブリッジを介して冷却板に接続され
る。
設けられ、その裏面には挿入中間層を介して冷却板が当てられた回路板が公知で
ある。高熱負荷の影響を受ける部材が熱伝導ブリッジを介して冷却板に接続され
る。
【００１０】
米国特許第6,055,148号から、第１半導体要素が基盤上に配置されたハーフブ
リッジ装置が公知である。ショットキーダイオードは接着層により第１半導体部
材に取り付けられている。
リッジ装置が公知である。ショットキーダイオードは接着層により第１半導体部
材に取り付けられている。
【００１１】
ドイツ公開特許第196 24 475号公報から、ハウジング内に取り付けられたキャ
リア上に配置された電子素子を調整するための装置が知られている。本体は、キ
ャリアとハウジング壁の間に配置され、本質的に気密にキャリアとハウジング壁
に接する熱伝導材料を内包した閉鎖弾性封入体を有する。
リア上に配置された電子素子を調整するための装置が知られている。本体は、キ
ャリアとハウジング壁の間に配置され、本質的に気密にキャリアとハウジング壁
に接する熱伝導材料を内包した閉鎖弾性封入体を有する。
【００１２】発明の基礎となる問題
本発明は、このようなハーフブリッジ装置の電力密度（設備容量に基づくスイ
ッチ可能な電力）をさらに増加させること、および、特に、より経済的に設計す
るという問題に基づいている。
ッチ可能な電力）をさらに増加させること、および、特に、より経済的に設計す
るという問題に基づいている。
【００１３】発明の解決手段
この問題は、各ショットキーダイオードとヒートシンクとの間の熱抵抗が各還
流ダイオードとヒートシンクとの間の熱抵抗より大きくされ、集積還流ダイオー
ドの導通状態電圧が負荷の下でも常にショットキーダイオードの導通状態電圧よ
りも高くなるように、ショットキーダイオードの熱結合が集積還流ダイオードの
熱結合に比べて減じられるような前述のハーフブリッジ装置により解決される。 これは、冷却媒体に対するショットキーダイオードの熱結合が、冷却冷媒に対
する集積還流ダイオードの熱結合よりも「弱い」ことを意味する。
流ダイオードとヒートシンクとの間の熱抵抗より大きくされ、集積還流ダイオー
ドの導通状態電圧が負荷の下でも常にショットキーダイオードの導通状態電圧よ
りも高くなるように、ショットキーダイオードの熱結合が集積還流ダイオードの
熱結合に比べて減じられるような前述のハーフブリッジ装置により解決される。 これは、冷却媒体に対するショットキーダイオードの熱結合が、冷却冷媒に対
する集積還流ダイオードの熱結合よりも「弱い」ことを意味する。
【００１４】
本文での「冷却冷媒に対する熱結合」は、（金属）本体に対する結合と半導体
素子を取り囲む冷却液体に対する結合の両方である。 この解決策は、できるだけ効率的に半導体を冷却する通常のアプローチとは相
反するものである。
素子を取り囲む冷却液体に対する結合の両方である。 この解決策は、できるだけ効率的に半導体を冷却する通常のアプローチとは相
反するものである。
【００１５】
にもかかわらず、従来技術と比較して、以下の事情により、ショットキーダイ
オードをその電流容量と必要とされる半導体領域に照らして非常に小さな寸法と
することができる： ショットキーダイオードのダイオード特性は、シリコン接
合ダイオード特性を有する集積還流ダイオードの特性よりも温度依存性が高い。
さらに、ショットキーダイオードの特性は比較的高いオーム的比例関係を呈する
。ショットキーダイオードに電流を供給すると弱い冷却効果のためにかなり加熱
され、それにより、ショットキーダイオードの導通状態電圧が温度上昇に伴い減
少する。
オードをその電流容量と必要とされる半導体領域に照らして非常に小さな寸法と
することができる： ショットキーダイオードのダイオード特性は、シリコン接
合ダイオード特性を有する集積還流ダイオードの特性よりも温度依存性が高い。
さらに、ショットキーダイオードの特性は比較的高いオーム的比例関係を呈する
。ショットキーダイオードに電流を供給すると弱い冷却効果のためにかなり加熱
され、それにより、ショットキーダイオードの導通状態電圧が温度上昇に伴い減
少する。
【００１６】
この結果として、冷却効果の減少のためにショットキーダイオードの特性が大
幅に変化し、それによりショットキーダイオードが還流ダイオードから電流を受
け取ることが出来る。装置全体は（ショットキーダイオードの冷却に関しても）
、半導体の破壊が生じない大きさに形成されなければならないということは理解
されよう。
幅に変化し、それによりショットキーダイオードが還流ダイオードから電流を受
け取ることが出来る。装置全体は（ショットキーダイオードの冷却に関しても）
、半導体の破壊が生じない大きさに形成されなければならないということは理解
されよう。
【００１７】
もし、ショットキーダイオードと冷却媒体との間の低い熱結合（およびその結
果としての高い熱抵抗）のためにショットキーダイオードが集積還流ダイオード
よりも高温に熱せられるとしたら、結果として集積還流ダイオードの導通状態電
圧が、負荷の下でも、常にショットキーダイオードの導通状態電圧よりも高くな
る。この結果、ハーフブリッジ装置の還流動作において、電流は常により速いス
イッチングのショットキーダイオードを流れる。
果としての高い熱抵抗）のためにショットキーダイオードが集積還流ダイオード
よりも高温に熱せられるとしたら、結果として集積還流ダイオードの導通状態電
圧が、負荷の下でも、常にショットキーダイオードの導通状態電圧よりも高くな
る。この結果、ハーフブリッジ装置の還流動作において、電流は常により速いス
イッチングのショットキーダイオードを流れる。
【００１８】発明の利点
本発明のハーフブリッジ装置の構成において、従前の解決手段とは比較するこ
とのできない高実装密度を可能ならしめる、特にコンパクトな装置が実現される
。従前の設計と比較して、ショットキーダイオードの半導体領域を約６６％減じ
ることが可能である。これは、冷却媒体もしくは冷却液体の必要容量を全容量に
対して少なく維持できること、および、全体的な小型化を達成することにより、
本発明を特にモバイルに対して非常に経済的に応用することができる。
とのできない高実装密度を可能ならしめる、特にコンパクトな装置が実現される
。従前の設計と比較して、ショットキーダイオードの半導体領域を約６６％減じ
ることが可能である。これは、冷却媒体もしくは冷却液体の必要容量を全容量に
対して少なく維持できること、および、全体的な小型化を達成することにより、
本発明を特にモバイルに対して非常に経済的に応用することができる。
【００１９】発明の他の実施例
本発明の好ましい実施例では、必要ならば、銅めっきを両側に施したセラミッ
ク小板もしくは合成材料層が、ショットキーダイオードとショットキーダイオー
ド用冷却体との間に配置され、一方集積還流ダイオードを有した半導体スイッチ
は、冷却体と熱的に直接結合している。しかしながら、ショットキーダイオード
と（集積還流ダイオードを有する半導体スイッチと同じ方法で）熱的に直接接続
されるショットキーダイオード用冷却体を選択することも可能である。しかし、
それ自身は周囲環境（液体もしくは空気流）に対して集積還流ダイオードを有す
る半導体スイッチ用冷却体よりも高い熱抵抗を有する。
ク小板もしくは合成材料層が、ショットキーダイオードとショットキーダイオー
ド用冷却体との間に配置され、一方集積還流ダイオードを有した半導体スイッチ
は、冷却体と熱的に直接結合している。しかしながら、ショットキーダイオード
と（集積還流ダイオードを有する半導体スイッチと同じ方法で）熱的に直接接続
されるショットキーダイオード用冷却体を選択することも可能である。しかし、
それ自身は周囲環境（液体もしくは空気流）に対して集積還流ダイオードを有す
る半導体スイッチ用冷却体よりも高い熱抵抗を有する。
【００２０】
回路の「起動」段階、すなわち低温の半導体と低温の冷却媒体の場合であって
も、半導体スイッチの集積還流ダイオードが高い電流サージによって破壊されな
いようにするために、ハーフブリッジ装置を実際に動作する前に「ウォームアッ
プ」段階を設けることが有利である。このウォームアップ段階中に、ショットキ
ーダイオード、そして恐らくは集積還流ダイオードの加熱を生じさせるが破壊を
引き起こすには至らない電流がショットキーダイオードを流れる。ショットキー
ダイオードが十分に加熱されるとすぐに、電流は、導通状態電圧が十分に低いた
めに、全負荷動作の下でも、ショットキーダイオードに過剰に流れることはでき
なくなる。ハーフブリッジ装置の作動もしくはハーフブリッジ装置に接続された
部品（例：非同期モータ）の駆動に際して、個々の局面に対応した電流を供給す
るための制御コンピュータを有する制御回路が必要であることから、このウォー
ムアップ段階のためのプログラムを制御コンピュータに納めることができる。ウ
ォームアップ段階のためのこの制御コンピュータプログラムにより、ハーフブリ
ッジ装置は、次の様な方法で動作される。即ち、半導体スイッチおよびその集積
還流ダイオードに比べて、集積還流ダイオードの導通状態電圧が負荷の下でも常
にショットキーダイオードの導通状態電圧よりも高くなる程度に、ショットキー
ダイオードが加熱されるまで、還流動作中にショットキーダイオードに流れる電
流は減じられたままとされる。
も、半導体スイッチの集積還流ダイオードが高い電流サージによって破壊されな
いようにするために、ハーフブリッジ装置を実際に動作する前に「ウォームアッ
プ」段階を設けることが有利である。このウォームアップ段階中に、ショットキ
ーダイオード、そして恐らくは集積還流ダイオードの加熱を生じさせるが破壊を
引き起こすには至らない電流がショットキーダイオードを流れる。ショットキー
ダイオードが十分に加熱されるとすぐに、電流は、導通状態電圧が十分に低いた
めに、全負荷動作の下でも、ショットキーダイオードに過剰に流れることはでき
なくなる。ハーフブリッジ装置の作動もしくはハーフブリッジ装置に接続された
部品（例：非同期モータ）の駆動に際して、個々の局面に対応した電流を供給す
るための制御コンピュータを有する制御回路が必要であることから、このウォー
ムアップ段階のためのプログラムを制御コンピュータに納めることができる。ウ
ォームアップ段階のためのこの制御コンピュータプログラムにより、ハーフブリ
ッジ装置は、次の様な方法で動作される。即ち、半導体スイッチおよびその集積
還流ダイオードに比べて、集積還流ダイオードの導通状態電圧が負荷の下でも常
にショットキーダイオードの導通状態電圧よりも高くなる程度に、ショットキー
ダイオードが加熱されるまで、還流動作中にショットキーダイオードに流れる電
流は減じられたままとされる。
【００２１】
好ましい実施例において、半導体スイッチは迅速なスイッチングの低損失電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ）により形成される。直列に接続されたいくつかの組
の半導体スイッチが並列に接続される。さらに、半導体スイッチは、それぞれが
小さいスイッチング容量を持った非常に多くの半導体スイッチ要素により形成す
ることもできる。単純な方法で並列に接続されうる比較的小さいスイッチング容
量を持った多数の半導体スイッチ要素を使用することにより、冷却媒体が多くの
要素に容易に到達することができるので、良好な冷却効果が得られる。
効果トランジスタ（ＦＥＴ）により形成される。直列に接続されたいくつかの組
の半導体スイッチが並列に接続される。さらに、半導体スイッチは、それぞれが
小さいスイッチング容量を持った非常に多くの半導体スイッチ要素により形成す
ることもできる。単純な方法で並列に接続されうる比較的小さいスイッチング容
量を持った多数の半導体スイッチ要素を使用することにより、冷却媒体が多くの
要素に容易に到達することができるので、良好な冷却効果が得られる。
【００２２】
本発明はさらに、ハーフブリッジ装置が電気モータの各相に設けられた多相電
気モータ用の制御装置の最終段に関するものである。
気モータ用の制御装置の最終段に関するものである。
【００２３】発明の実施例
図１は、直列に接続された一対のｎチャンネルＭＯＳＦＥＴ １２、１４を有
するハーフブリッジ１０を示している。第１ＭＯＳＦＥＴ １２のソース端子Ｓ
１（＝第１電力端子）は、高電圧側 ＶＳＳに接続されている。第２ＭＯＳＦＥ
Ｔ １４のドレイン端子Ｄ２（＝第２電力端子）は、低電圧側 ＶＤＤに接続さ
れている。ハーフブリッジの出力Ａを形成すために、第１ＭＯＳＦＥＴ １２の
ドレイン端子 Ｄ１（＝第２電力端子）と第２ＭＯＳＦＥＴ １４のソース端子
Ｓ２（＝第１電力端子）は互いに接続されている。ひとつの各制御入力 Ｇ１
、Ｇ２が、駆動回路 ＥＣＵによりゲート抵抗（詳細に図示せず）を介して駆動
される２つのＭＯＳＦＥＴ １２、１４に設けられている。
するハーフブリッジ１０を示している。第１ＭＯＳＦＥＴ １２のソース端子Ｓ
１（＝第１電力端子）は、高電圧側 ＶＳＳに接続されている。第２ＭＯＳＦＥ
Ｔ １４のドレイン端子Ｄ２（＝第２電力端子）は、低電圧側 ＶＤＤに接続さ
れている。ハーフブリッジの出力Ａを形成すために、第１ＭＯＳＦＥＴ １２の
ドレイン端子 Ｄ１（＝第２電力端子）と第２ＭＯＳＦＥＴ １４のソース端子
Ｓ２（＝第１電力端子）は互いに接続されている。ひとつの各制御入力 Ｇ１
、Ｇ２が、駆動回路 ＥＣＵによりゲート抵抗（詳細に図示せず）を介して駆動
される２つのＭＯＳＦＥＴ １２、１４に設けられている。
【００２４】
高電圧 ＶＳＳと低電圧 ＶＤＤの間に、バックアップコンデンサ（詳細に図
示せず）が設けられる。ＭＯＳＦＥＴ １２、１４の各々は、２０ＫＨｚより高
いスイッチング周波数の（パルス幅変調）制御信号により駆動される。好ましく
は、スイッチング周波数は１００ＫＨｚ以上である。
示せず）が設けられる。ＭＯＳＦＥＴ １２、１４の各々は、２０ＫＨｚより高
いスイッチング周波数の（パルス幅変調）制御信号により駆動される。好ましく
は、スイッチング周波数は１００ＫＨｚ以上である。
【００２５】
２つのＭＯＳＦＥＴ１２、１４はシリコン接合ダイオード特性を有する集積還
流ダイオードを有する。本発明によれば、ショットキーダイオード１６、１８は
、集積還流ダイオードと同方向であるように、２つのＭＯＳＦＥＴ １２、１４
の集積還流ダイオードに並列に接続されている。
流ダイオードを有する。本発明によれば、ショットキーダイオード１６、１８は
、集積還流ダイオードと同方向であるように、２つのＭＯＳＦＥＴ １２、１４
の集積還流ダイオードに並列に接続されている。
【００２６】
図２に示されているように、集積還流ダイオードを有する各ＭＯＳＦＥＴ １
２は、熱伝導式に、冷却体 ２２に直接結合している。並列接続されたショット
キーダイオード １６もまた冷却体２２に接続しているが、セラミック小板２０
がショットキーダイオード１６と冷却体２２との間に配置されており、その結果
、集積還流ダイオードを有するＭＯＳＦＥＴ １２と冷却体２２の間の熱伝導は
ショットキーダイオード１６と冷却体２２との間の熱伝導よりも良好である。
２は、熱伝導式に、冷却体 ２２に直接結合している。並列接続されたショット
キーダイオード １６もまた冷却体２２に接続しているが、セラミック小板２０
がショットキーダイオード１６と冷却体２２との間に配置されており、その結果
、集積還流ダイオードを有するＭＯＳＦＥＴ １２と冷却体２２の間の熱伝導は
ショットキーダイオード１６と冷却体２２との間の熱伝導よりも良好である。
【００２７】
図２において、集積還流ダイオードを有する第１ＭＯＳＦＥＴ １２と並列に
接続されたショットキーダイオード１６とに関する配置のみ示している。しかし
ながら、本発明は、集積還流ダイオードを有する第２ＭＯＳＦＥＴ１４と並列に
接続されたショットキーダイオード１８に関する配置についても適用できること
は理解されよう。
接続されたショットキーダイオード１６とに関する配置のみ示している。しかし
ながら、本発明は、集積還流ダイオードを有する第２ＭＯＳＦＥＴ１４と並列に
接続されたショットキーダイオード１８に関する配置についても適用できること
は理解されよう。
【図１】
本発明のハーフブリッジ装置の電気回路図である。
【図２】
冷却体に配置された、図１の本発明のハーフブリッジ装置に集積還流ダイオー
ドを有する半導体スイッチおよび並列に接続されたショットキーダイオードの側
部概略図である。
ドを有する半導体スイッチおよび並列に接続されたショットキーダイオードの側
部概略図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ
，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，
ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ
Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ
，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，
ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，
ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ
Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ
，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，
ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ
Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ
，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，
ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ
Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ
，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，
ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
Ｆターム(参考） 5H007 AA03 BB06 CA01 CB12 HA04
Claims (8)
- 【請求項１】 電力をスイッチングするためのハーフブリッジ装置において
、 少なくとも２つの半導体スイッチ（１２，１４）が直列に接続されてハーフブ
リッジを形成し； 各半導体スイッチ（１２，１４）は制御入力（Ｇ１，Ｇ２）を有し、 前記第１半導体スイッチ（１２）は高電圧側（ＶＳＳ）に接続される第１電力
端子（Ｓ１）を有し； 前記第２半導体スイッチ（１４）は低電圧側（ＶＤＤ）に接続される第２電力
端子（Ｄ２）を有し； 各第１半導体スイッチ（１２）の第２電力端子（Ｄ１）は各々の第２半導体ス
イッチ（１４）の第１電力端子（Ｓ２）に接続され； 前記半導体スイッチ（１２，１４）の各々は、各々の半導体スイッチ（１２，
１４）の両電力端子（Ｄ１，Ｓ１；Ｄ２，Ｓ２）に並列に配置される還流ダイオ
ードを有し； ショットキーダイオード（１６，１８）は各還流ダイオードに並列に接続され
、 還流ダイオードを有する各半導体スイッチ（１２，１４）と各ショットキーダ
イオード（１６，１８）とがヒートシンク（２２）に熱伝導式に接続され、 各ショットキーダイオード（１６，１８）と前記ヒートシンク（２２）との間
の熱抵抗は、各還流ダイオードと前記ヒートシンク（２２）との間の熱抵抗より
も大きく、集積還流ダイオードの導通状態電圧が負荷の下でも前記ショットキー
ダイオード（１６，１８）の導通状態電圧よりも常に高くなるように、前記ショ
ットキーダイオード（１６，１８）の熱結合が集積還流ダイオードの熱結合に比
べて小さいハーフブリッジ装置。 - 【請求項２】 前記半導体スイッチ（１４，２２；２４，１８，２６；２０
，２８）は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）又はゲート絶縁バイポーラトラン
ジスタ（ＩＧＢＴ）により形成されることを特徴とする、請求項１記載のハーフ
ブリッジ装置。 - 【請求項３】 前記ショットキーダイオード（１６，１８）は前記還流ダイ
オードに比べてより高い温度で動作することを特徴とする、請求項１記載のハー
フブリッジ装置。 - 【請求項４】 必要ならば銅めっきを両面に施した、小板もしくは合成材料
層が前記ショットキーダイオード（１６，１８）と、前記ショットキーダイオー
ド用のヒートシンク（２２）として作用する冷却体との間に配置され、集積還流
ダイオードを有する半導体スイッチは冷却体に熱的に直接結合していることを特
徴とする、請求項１記載のハーフブリッジ装置。 - 【請求項５】 前記ショットキーダイオードは、前記ショットキーダイオー
ドと熱的に直接結合するが、前記集積還流ダイオードを有する前記半導体スイッ
チ用の前記冷却体よりも、その環境に対してより高い熱抵抗を有する冷却体に熱
的に結合したことを特徴とする、請求項１記載のハーフブリッジ装置。 - 【請求項６】 前記ハーフブリッジ装置のウォームアップ段階において、還
流動作において前記ショットキーダイオードを流れる電流が、前記半導体スイッ
チとその集積還流ダイオードに比べて、集積還流ダイオードの導通状態電圧が負
荷の下でも常に前記ショットキーダイオードの導通状態電圧よりも高くなる程度
に、前記ショットキーダイオードが加熱されるまで、減じられたままにされるこ
とを特徴とする、請求項１記載のハーフブリッジ装置。 - 【請求項７】 直列接続されたいくつかの組の半導体スイッチが直列に接続
されることを特徴とする、請求項１記載のハーフブリッジ装置。 - 【請求項８】 前記半導体スイッチは、各々が小さいスイッチング容量を有
する多数の半導体スイッチ要素で形成されることを特徴とする、請求項１記載の
ハーフブリッジ装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10030875.9 | 2000-06-23 | ||
| DE10030875A DE10030875C1 (de) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | Halbbrückenbaugruppe |
| PCT/EP2001/006817 WO2001099266A1 (de) | 2000-06-23 | 2001-06-15 | Halbbrückenbaugruppe |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003536363A true JP2003536363A (ja) | 2003-12-02 |
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ID=7646701
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|---|---|---|---|
| JP2002504009A Pending JP2003536363A (ja) | 2000-06-23 | 2001-06-15 | ハーフブリッジ装置 |
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|---|---|
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- 2000-06-23 DE DE10030875A patent/DE10030875C1/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-15 US US10/311,817 patent/US6753674B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2001-06-15 AU AU2001266073A patent/AU2001266073A1/en not_active Abandoned
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- 2001-06-15 JP JP2002504009A patent/JP2003536363A/ja active Pending
- 2001-06-15 WO PCT/EP2001/006817 patent/WO2001099266A1/de active Application Filing
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