JP2003524279A - フラッシュメモリ読み出しモード用のワード線ドライバ - Google Patents
フラッシュメモリ読み出しモード用のワード線ドライバInfo
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Abstract
Description
去及びプログラム可能なフラッシュ型読み出し専用メモリ(EEPROM)装置
におけるワード線電圧を調整する方法及びシステムに関する。
めてコンパクトな形態で構成することができるため、人気のあるメモリ記憶装置
である。フラッシュメモリは、典型的には、シリコン基板に複数のフローティン
グゲート・トランジスタを形成することによって構成される。フローティングゲ
ート・トランジスタは、コントロールゲート電極から薄い誘電体層で分離された
フローティングゲートとして知られる個別のゲート電極に電荷を蓄えることがで
きる。一般的に言うと、フローティングゲートに電荷を蓄えることによってデー
タが不揮発性メモリ装置に記憶される。
下に位置する基板との間に配置されたトンネル酸化物層として知られる薄い誘電
体層を通してフローティングゲート電極に転送される。典型的には、電子の移動
は、チャネル・ホットエレクトロン(「CHE」)注入又はファウラー−ノルト
ハイム・トンネリングによって行われる。いずれの電子移動メカニズムにおいて
も、電圧はコントロールゲート電極によってフローティングゲート電極に結合さ
れる。コントロールゲート電極は、フローティングゲート電極に容量的に結合さ
れ、その結果、コントロールゲート電極に印加された電圧が、フローティングゲ
ート電極に結合される。1つのタイプの装置においては、コントロールゲート電
極は、フローティングゲート電極の上方に位置し、且つ薄い誘電体層を介して該
フローティングゲート電極から分離された多結晶シリコン・ゲート電極である。
別のタイプの装置においては、フローティングゲート電極は、半導体基板内のド
ープ領域である。
され、各トランジスタは、コントロールゲート、ドレイン及びソースを含むセル
と呼ばれている。ワード線デコーダは、メモリ装置の各セクタ内のトランジスタ
のロウに動作電圧を提供し、典型的にはセクタ内の各トランジスタのコントロー
ルゲートに接続されている。ビット線デコーダは、トランジスタの各コラムに動
作電圧を提供し、典型的には各コラムのトランジスタのドレインに接続されてい
る。一般に、トランジスタのソースは、共通のソース線に結合され、ソース線コ
ントローラによって制御される。
第2の所定の電圧を印加し、且つソースを接地することによってプログラミング
される。これによって、チャネル・ホットエレクトロンがドレイン空乏領域から
フローティングゲートに注入される。フラッシュメモリ装置において、いくつか
の方法でセルを消去することができる。1つの構成において、セルは、ソースに
所定の電圧を印加し、コントロールゲートを接地し、ドレインをフローティング
状態とすることによって消去される。これによって、プログラミング中にフロー
ティングゲートに注入された電子は、ファウラー−ノルトハイム・トンネリング
によってフローティングゲートから薄いトンネル酸化物層を介してソースに放出
される。
ゲートに所定の電圧を印加し、ドレインに接続されたビット線に第2の所定の電
圧を印加し、ソースを接地し、且つビット線電流を検出することによって読み出
される。セルがプログラミングされ、スレッショルド電圧が相対的にハイの場合
に、ビット線電流はゼロ又は相対的にローになる。セルがプログラミングも消去
もされていない場合には、スレッショルド電圧は相対的にローになり、コントロ
ールゲート上の所定の電圧がチャネルを強化し、ビット線電流が相対的にハイに
なる。
いときに問題が生じることが知られている。ワード線デコーダに印加される電圧
が高すぎると、そのワード線上のセルが物理的に損傷を受けたり、セルのスレッ
ショルド電圧に外乱が生じたりすることがある。さらに、印加する電圧が高すぎ
ると、セル内にデータ保持障害を引き起こすこともある。また、ワード線上の電
圧が高いと、所定のワード線上のセルの耐久性が影響を受けることもある。ワー
ド線電圧が低すぎると、ワード線上のセルを適切に読み取るためのビット線電流
が不十分になることがある。
ラッシュメモリ用の電源の供給電圧(Vcc)を使用する方法である。フラッシ
ュメモリ技術が進歩し、より微細な技術が開発されたため(例えば、0.25μ
mプロセス)、読み出し動作においてワード線に供給することができる許容電圧
が小さくなっている。従って、フラッシュメモリを動作させるために必要な電源
電圧(Vcc)を、前述のような高いワード線電圧に関連した問題に経験するこ
となくワード線に直接印加することができなくなっている。
なワード線電圧の印加には別の問題が生じることが知られている。フラッシュメ
モリの動作温度が変化すると、それに応じて読み出し動作のときにワード線電圧
が変動することがある。技術の進歩により、読み出し動作を行うために必要なワ
ード線上の電圧の範囲が狭くなっている。読み出しモードでワード線電圧を提供
する現在知られている方法では、読み出し動作の時にフラッシュメモリにアクセ
スする際の高速性能を提供しておらず、そのためメモリ装置のアクセス時間が遅
くなっている。
源電圧(Vcc)よりも低い温度補償された所定の出力電圧を提供するワード線
電圧調整方法が必要となっている。
ラッシュメモリ内のワード線電圧調整の方法及びシステムを開示する。好適なフ
ラッシュメモリは、読み出し動作において複数のワード線に印加することができ
る所定の温度補償されたワード線電圧を提供するために電源電圧(Vcc)を調
整するワード線ドライバ回路を含む。ワード線ドライバ回路は、電源電圧(Vc
c)で使用可能な電圧の大きさを、フラッシュメモリの読み出し動作を行うため
に使用できるレベルに低減することができる。
圧を供給する方法を開示する。本発明の好適な実施形態において、ステートマシ
ンが受け取った制御信号に応答して、活性化回路によって複数の制御信号が生成
される。この制御信号は、制御信号に応答して電源電圧接続線を使用して所定の
読み出し電圧を生成するワード線ドライバ回路に導かれる。好適な実施形態にお
いて、ワード線ドライバ回路は、ワード線ドライバ回路との電源電圧接続線上に
現れている電圧の大きさから電圧レベルを低減する。低減した後、所定の読み出
し電圧が、読み出し動作においてフラッシュメモリ装置内の少なくとも1つのワ
ード線に供給される。
及び電流ミラーを使用して所定の読み出し電圧を生成する。ワード線ドライバ回
路は、所定の読み出し電圧を許容可能なレベルに維持するために、電源電圧接続
線の電圧レベルの変動を調整する。現在の好適な実施形態において、所定の読み
出し電圧は、電源電圧接続線の電圧レベルが約4.5〜5.5Vで動作している
とき約3.7〜4.5Vに維持される。ワード線ドライバ回路は、活性化回路が
ステートマシンによって活性化されてから10ナノ秒以内に、電源電圧接続線の
電圧を所定の読み出し電圧に調整する。
電源電圧を調整する方法を開示する。この実施形態では、電源電圧は、フラッシ
ュメモリ装置のワード線ドライバ回路に供給される。ワード線ドライバ回路は、
メモリ装置が読み出しモードのときに活性化回路により活性化される。活性化さ
れた後、電源電圧は、ワード線ドライバ回路によって所定の読み出し電圧に調整
される。所定の読み出し電圧が所定のレベルに調整された後、所定の読み出し電
圧は、フラッシュメモリ装置内の少なくとも1つのワード線に供給される。
しモードで使用されるワード線電圧調整システムを開示する。この電圧調整シス
テムは、ステートマシンに電気的に接続された活性化回路を含む。このステート
マシンは、複数の制御線を使用して活性化回路に接続された複数の制御信号で活
性化回路を制御する。ワード線ドライバ回路は、活性化回路に電気的に接続され
ている。ワード線ドライバ回路は、活性化回路からの信号に応答して、電源電圧
接続線の電圧を所定の読み出し電圧に調整する。少なくとも1つのワード線は、
読み出しモードにおいて所定の読み出し電圧を少なくとも1つのワード線に提供
するワード線ドライバ回路に電気的に接続される。
のワード線に所定の読み出し電圧を高速且つ正確に提供する方法及びシステムを
開示する。本発明は、0.25μmトランジスタ・サイズなどの縮小されたトラ
ンジスタ・サイズ、及びワード線内のメモリセルを構成するトランジスタがその
ようなメモリセルに記憶されたデータに障害を発生させる可能性のある電圧レベ
ルにさらされることにより生じる問題を克服する。本発明は、フラッシュメモリ
装置内のワード線に活性化の10ナノ秒以内に、ワード線上のメモリセルに記憶
されたデータに障害を発生させることのない低い所定の読み出し電圧を提供する
ことができるワード線ドライバ回路を開示する。従って、本発明は、フラッシュ
メモリ装置において読み出しモードでワード線にハイの電圧レベルを印加するこ
とによって生じた問題を解決する。
て参照される以下の本発明の好適な実施形態の詳細な記述を考慮することによっ
て明らかになるであろう。
者は、特許請求の範囲から逸脱せずにこの特定の構成に様々な変更及び修正を行
うことができることを理解されよう。本発明は、任意のタイプのメモリ装置に使
用することができるが、本発明の好適な実施形態は、フラッシュメモリ用に設計
されている。すべての電気的パラメータは単なる例として示されており、他の電
気的パラメータを使用して様々なメモリ装置に使用されるように修正することが
できる。例えば、好適な実施形態において、電源電圧(Vcc)は、5.0Vと
考えられているが、代替として、3.3V、1.8V、または他の電源電圧でも
よい。異なる電源電圧が選択される場合、当該技術分野で知られている様々な電
源電圧に対応するように様々な動作レベルが修正される。さらに、当業者に理解
されるように、電源電圧(Vcc)は、負荷や他の様々な動作パラメータによっ
て動作中に電圧範囲の間で変動することがある。
示す。フラッシュメモリ10は、ワード線活性化回路12、電源電圧接続線(V
cc)14、ワード線ドライバ回路16及び複数のワード線18を含む。本発明
の好適な実施形態において、ワード線活性化回路12は、ワード線ドライバ回路
16に電気的に接続されている。また、電源電圧接続線(Vcc)14は、ワー
ド線ドライバ回路16に電気的に接続され、読み出し動作においてワード線18
に印加される電気エネルギーをワード線ドライバ回路16を供給する。ワード線
ドライバ回路16は、フラッシュメモリ10内のワード線18に電気的に接続さ
れている。前述したように、ワード線ドライバ回路16は、フラッシュメモリ1
0の読み出し動作中に各ワード線18に印加される所定の読み出し電圧を生成す
るために使用される。
っているとき、ワード線活性化回路12は、ステートマシン(図示せず)から制
御信号を受け取る。当該技術分野において知られているように、ステートマシン
は、ステートマシンが受け取った命令セットに応答してフラッシュメモリの全体
の動作を制御するために使用される。好適な実施形態では、フラッシュメモリ1
0において読み出し動作が行われるときに、ステートマシンが、ワード線活性化
回路12に導かれる所定の制御信号を生成することだけを理解されたい。
ド線ドライバ回路16に送られる所定の電気信号を生成する。本発明の好適な実
施形態において、ワード線ドライバ回路16は、電圧値が4.5V〜5.5Vに
変化することがある電源電圧接続線(Vcc)14に電気的に接続される。前述
したように、当業者は、動作中、負荷の状態ならびに他の様々な動作パラメータ
によって電源電圧接続線(Vcc)14の電圧レベルが変動することがあること
を理解されよう。
施形態では3.7V〜4.5Vの所定の読み出しスレッショルド電圧レベルに低
減する。前述したように、ワード線ドライバ回路16は、フラッシュメモリ10
内の各ワード線18に電気的に接続されている。特に、ワード線ドライバ回路1
6の出力をワード線18に電気的に接続するために読み出し電圧出力線(VPX
G)20が使用される。ワード線ドライバ回路16の読み出し電圧出力線(VP
XG)20上に生成される所定の読み出しスレッショルド電圧レベルは、電源電
圧接続線(Vcc)14上に現れている電圧よりも低い電圧を呈示する。読み出
し電圧出力線(VPXG)20上で使用可能な読み出しスレッショルド電圧の大
きさは、フラッシュメモリ10が読み出し動作を行っているときに、コアセルを
破損させることなくワード線18に導入するのに適切な電圧レベルである。本発
明の好適な実施形態では、ワード線18の電圧レベルは、電源電圧接続線(Vc
c)14上で使用可能な電源電圧(Vcc)が変動する際に、ワード線ドライバ
回路16によって最適な電圧動作レベルに維持される。ワード線ドライバ回路1
6によって調整された後、ワード線ドライバ回路16によって生成された所定の
読み出しスレッショルド電圧は、読み出し電圧出力線20(VPXG)上でフラ
ッシュメモリ10の各ワード線18に送られる。当業者は、読み出し電圧出力線
(VPXG)20からワード線18に送られる所定の読み出しスレッショルド電
圧を導くためにデコーダが使用されることを理解されよう。本発明のために、読
み出し動作において、ワード線ドライバ回路16の読み出し電圧出力線(VPX
G)20上に生成された所定の読み出しスレッショルド電圧がワード線18に導
かれることは十分に理解できる。
ード線活性化回路12の回路図である。好適な活性化回路12は、図2に示すよ
うに電気接続されたNANDゲート24、複数の反転器26〜36、複数のpチ
ャネルトランジスタ38〜40、nチャネルトランジスタ42、グランド接続4
6及び複数のNORゲート48〜50を含む。好適なフラッシュメモリ10が読
み出し動作を行っているとき、ワード線活性化回路12は、ステートマシンから
所定の出力信号を受け取る。当業者に知られているように、ステートマシンは、
本発明の範囲以外の様々な論理回路を使用することによってフラッシュメモリ装
置の全体的な動作を制御する。
2によって、ポンプ・イネーブル線(ENVPP)52、ソース・オフ線(VP
XG2OFFB)54、CAMイネーブル線(PDRI)56、アドレス遷移検
出線(ATD)58及びREAD線60上に受け取られる。図2を参照すると、
アドレス遷移検出線(ATD)58とREAD線60はNANDゲート24に電
気的に接続され、CAMイネーブル線(PDRI)56は反転器26に電気的に
接続され、ポンプ・イネーブル線(ENVPP)52は反転器30に電気的に接
続され、ソース・オフ線(VPXG2OFFB)54はNORゲート48に電気
的に接続されている。また、トランジスタ38とトランジスタ40は、電源電圧
接続線(Vcc)14に接続されている。ワード線活性化回路12に導かれる所
定の出力信号は、ワード線ドライバ回路16に電気的に接続されたワード線活性
化回路12の出力線を表す第1の生成オン線(GENON)62と第2の生成オ
ン線(GENONB)64上に生成される論理状態を決定することは当業者に理
解されよう。
線(GENON)62と第2の生成オン線(GENONB)64上に電気信号を
提供することによってワード線ドライバ回路16を活性化する。第1の生成オン
線(GENON)62と第2の生成オン線(GENONB)64は、ワード線ド
ライバ回路16に電気的に接続されている。第1の生成オン線(GENON)6
2と第2の生成オン線(GENONB)64上に提供される電気信号は、NOR
ゲート50の出力端から提供される。NORゲート50の出力が導通しなくなる
とき(論理「0」)、第1の生成オン線(GENON)62は導通し始め(「論
理「1」)、第2の生成オン線(GENONB)64が導通しなくなり、それに
よってワード線ドライバ回路16が活性化される。同様に、NORゲート50の
出力が導通し始めるとき(論理「1」)、第1の生成オン線(GENON)62
が導通しなくなり(論理「0」)、第2の生成オン線(GENONB)64が導
通し始め(論理「1」)、それによってワード線ドライバ回路16が非活性化さ
れる。
6の回路図を示す。好適なワード線ドライバ回路16は、図3に示すように電気
的に接続された複数のpチャネルトランジスタ70〜80、複数のnチャネル・
レジスタ82〜86、低スレッショルドnチャネルトランジスタ88、複数の低
スレッショルドnチャネルトランジスタ90〜92、複数の抵抗器94及びNO
Rゲート96を含む。図示したように、pチャネルトランジスタ70、72、7
4、76及び低スレッショルドnチャネルトランジスタ92は、電源電圧接続線
(Vcc)14に電気的に接続されている。さらに、選択された抵抗器94なら
びにチャネルトランジスタ82、84及び86は、グランド線46に電気的に接
続されている。さらに図示のように、抵抗器94が電気的に直列に接続され、ト
ランジスタ78、88及び90が所定の対の抵抗器94間に電気的に接続されて
いる。当業者は、抵抗器94が、各段において電源電圧接続線(Vcc)14上
に現れている電圧レベルを低減する分圧器を構成することを理解されよう。
なる。pチャネル抵抗器は、動作中の互いのプロセス変動をなくす。従って、フ
ラッシュメモリ10の動作温度は、抵抗器94の両端間の電圧降下に影響を及ぼ
さない。小型化されたフラッシュメモリ10の場合、特に0.25μmトランジ
スタ・サイズ技術を用いて設計されたフラッシュメモリの場合、読み出しモード
でワード線18に印加される電圧は、電源電圧接続線(Vcc)14から供給さ
れる電圧よりも低くなければならない。さらに、ワード線18に印加される電圧
レベルは、電源電圧接続線(Vcc)14の電圧レベルの変化に対して調整が必
要である。従って、一連の抵抗器群94は、電源電圧接続線(Vcc)14の電
圧を許容可能なレベルまで低減する迅速な方法を提供する。
作パラメータが変化したときにワード線18に供給される電圧レベルを変化させ
る。好適な実施形態において、ワード線ドライバ回路16は、電源電圧接続線の
電圧レベルを元の電圧レベルの82パーセントまで低減する。従って、電源電圧
接続線(Vcc)14の電圧の大きさが約4.5〜5.5Vに変化するとき、ワ
ード線ドライバ回路の電圧レベル出力は約3.7〜4.5Vに変化する。当業者
は、抵抗器94の抵抗値とその個数が変化することがあり、また抵抗値及び抵抗
器94の個数の変化と共に電圧低下率が変化することを理解されよう。
と、第2の生成オン線(GENONB)64は導通しなくなり(論理「0」)、
それによってトランジスタ70が通電され、電源電圧接続線(Vcc)14から
供給される電圧に対して抵抗器94に流れる電流経路が形成される。抵抗器94
は、第1の回路接続点(VV1)100に所定の読み出しスレッショルド電圧を
生成し維持するように構成される。前述のように、第1の回路接続点(VV1)
100における電圧の大きさは、一連の抵抗器群94からなる抵抗と電源電圧接
続線(Vcc)14の電圧変動とに基づくある一定の比率の電源電圧(Vcc)
14を呈示する。動作中、第1の回路接続点(VV1)100における電圧によ
って、第1の回路接続点(VV1)100で抵抗器94に電気的に接続されてい
る低スレッショルドのnチャネルトランジスタ88の活性化が制御される。その
結果、低スレッショルドのnチャネルトランジスタ88は、pチャネルトランジ
スタ74、76及びnチャネルトランジスタ82、84の動作を制御する。Pチ
ャネルトランジスタ74、76及びnチャネルトランジスタ82、84は、所定
の入力信号に応答して、低スレッショルド・トランジスタ90及びpチャネルト
ランジスタ78の電流経路を形成することができる2つのスイッチング回路10
1を構成する。
されると、第1の生成オン線(GENON)62が導通し始め(論理「1」)、
それによりトランジスタ72が非活性化される。これによって、pチャネルトラ
ンジスタ74及びpチャネルトランジスタ76が通電され、低スレッショルドの
nチャネルトランジスタ90及びnチャネルトランジスタ82、84までの電流
経路が形成される。図3に示したように、低スレッショルドのnチャネルトラン
ジスタ90、92及びpチャネルトランジスタ78、80の電気接続によって、
電流ミラー102が形成される。また、Pチャネルトランジスタ70、72、7
4、76及び低スレッショルドnチャネルトランジスタ92は、電源電圧接続線
(Vcc)14に電気的に接続されている。動作中、電流ミラー102は、読み
出し電圧出力線(VFXG)20上のワード線18に供給される所定の読み出し
スレッショルド電圧を生成するために使用される。電流ミラー102が、第1の
電圧ノード(VV1)100上に生成された電圧を読み出し電圧出力線(VPX
G)20上に反映させ、そこでワード線18に接続されることは当業者に理解さ
れよう。電流ミラー102の動作特性により、読み出し電圧出力線(VPXG)
20上に反映される電圧の大きさは、第1の電圧接続点(VV1)100におい
て使用可能なものよりもわずかに低い。
XG2OFFB)54及びnチャネルトランジスタ86を介して、第2の電圧ノ
ード(VV2)に電気的に接続されている。NORゲート96は、ソース・オフ
線(VPXG2OFFB)54及び第2の電圧ノード(VV2)104によって
制御される。動作中、NORゲート96の出力はnチャネルトランジスタ86を
活性化し、これによって、低スレッショルドのnチャネルトランジスタ92及び
pチャネルトランジスタ80の電流経路が形成される。図3に示したように、低
スレッショルドのnチャネルトランジスタ90、92のゲート間には、第2の電
圧ノード(VV2)104が配置される。前述したように、ソース・オフ線(V
PXG2OFFB)54はステートマシンによって制御され、NORゲート96
への制御入力として使用される。
ナノ秒以内にワード線18を電源電圧(Vcc)の値の約82パーセントの電圧
レベルに充電する高速バッファとして機能する。これは、ワード線18上のコア
セルに記憶されたデータに障害を発生させたり、あるいは充電によるデータ保持
障害を引き起こしたりするような高い電圧を当該コアセルが受けるのを防ぐ。前
述したように、0.25μm実装プロセス技術によって実現されたセルサイズの
縮小により、読み出しモードにおいてワード線18に印加される電圧レベルを低
くする必要がある。本発明は、ワード線18のコアセルを読み取るのに必要な電
圧をワード線18に印加する前に、高速ワード線ドライバ回路16によって電源
電圧(Vcc)レベルを下げる方法及びシステムを開示する。
本発明の他の形態及び実施形態は当業者には明らかであり、特許請求の範囲に記
載された事項は、本発明の要旨及び範囲を定義するように意図されたすべての等
価物を含むものである。
ク図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 メモリ装置が読み出しモードのときに所定の読み出し電圧を
供給する方法であって、 活性化回路(12)により複数の制御信号を生成する段階と、 前記制御信号をワード線ドライバ回路(16)に導く段階と、 前記制御信号に応答して前記ワード線ドライバ回路(16)により所定の読み
出し電圧を生成する段階と、 前記ワード線ドライバ回路(16)により前記所定の読み出し電圧を、電源電
圧接続線(14)から供給される電圧の大きさから所定の電圧レベルに低減する
段階と、 前記所定の読み出し電圧を少なくとも1つのワード線(18)に供給する段階
とを含む、方法。 - 【請求項2】 前記ワード線ドライバ回路(16)が、一連の抵抗器群(9
4)及び電流ミラー(102)を用いて前記所定の読み出し電圧を生成する、請
求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 前記ワード線ドライバ回路(16)が、前記メモリ装置の動
作温度の変動に基づいて前記所定の電圧を調整する、請求項1に記載の方法。 - 【請求項4】 前記ワード線ドライバ回路(16)が、前記所定の読み出し
電圧を維持するために前記電源電圧接続線(14)上の電圧レベルの変動を調整
する、請求項1に記載の方法。 - 【請求項5】 読み出しモードで動作するメモリ装置の電源電圧を調整する
方法であって、 前記メモリ装置内のワード線ドライバ回路(16)に前記電源電圧を供給する
段階と、 前記メモリ装置が読み出しモードの時に活性化回路(12)により前記ワード
線ドライバ回路を活性化する段階と、 前記ワード線ドライバ回路(16)により前記電源電圧を所定の読み出し電圧
に調整する段階と、 前記所定の読み出し電圧を前記メモリ装置内の少なくとも1つのワード線(1
8)に供給する段階とを含む、方法。 - 【請求項6】 前記ワード線ドライバ回路(16)が、前記電源電圧を所定
の電圧レベルに低減して前記所定の読み出し電圧を生成する、請求項5に記載の
方法。 - 【請求項7】 前記ワード線ドライバ回路(16)が、一連の抵抗器群(9
4)及び電流ミラー(102)を用いて前記電源電圧を低減する、請求項5に記
載の方法。 - 【請求項8】 フラッシュメモリ装置において読み出しモードの時に用いら
れるワード線電圧調整システムであって、 ステートマシンに電気的に接続され、該ステートマシンによって制御される活
性化回路(12)と、 該活性化回路(12)に電気的に接続され、該活性化回路からの信号に応答し
て電源電圧接続線(14)上の電圧を所定の読み出し電圧に調整するワード線ド
ライバ回路(16)と、 該ワード線ドライバ回路(16)に電気的に接続された少なくとも1つのワー
ド線(18)とを含み、前記所定の読み出し電圧が、読み出しモードのときに前
記少なくとも1つのワード線に印加される、ワード線電圧調整システム。 - 【請求項9】 前記ワード線ドライバ回路(16)が、前記電源電圧接続線
(14)上の電圧を低減することによって当該電圧を調整する、請求項8に記載
のワード線電圧調整システム。 - 【請求項10】 前記ワード線ドライバ回路(16)が、一連の抵抗器群(
94)及び電流ミラー(102)を有する、請求項8に記載のワード線電圧調整
システム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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