JP2003522480A - 能動画素センサ - Google Patents
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Abstract
Description
MOS画像センサに関する。
置会議の原稿集の第17〜25頁におけるEric R. Fossumによる文献“CMOS
画像センサ:オンチップ電子カメラ”を参照されたい。
て配置された複数のセンサ素子を有している。各センサは光に対して感知的であ
り、当該センサ素子により受光された光に対応する電気信号を供給する。画像セ
ンサのセンサ素子のアレイ上に画像が投射されると、各センサ素子は、該投射さ
れた画像の1つの画素、即ちピクセルを表す電気信号を出力する。
のような光感知要素と、該光感知要素により発生された電気信号を増幅する増幅
器要素とを有している。上記センサ素子には、該センサ素子を機能させるために
電源電圧と制御信号とが供給されねばならない。更に、上記センサ素子の出力信
号は信号処理装置に供給されねばならない。この目的のため、当該画素マトリク
スの表面上には導体トラックが延在し、これらトラックは上記センサ素子の各入
力端又は出力端に接続されている。上記トラックは金属からなり、従って光に対
して透過的でなく、その結果、これらトラックは、当該センサ素子の光を受光す
るのに有効に利用可能な表面面積を減少させることに繋がる。
する接続トラックの数が減少されるような能動画像センサを提供することにある
。これにより得られる主要な利点は、各センサ素子の有効受光表面面積の改善で
ある。
る追加の利点に応じ、所望のように使用することができる多数の変形例を提供す
る。以下、これら変形例を図面を参照して詳細に説明するが、該図面において同
一又は同等の構成要素には同一の符号が付してある。
ている。センサ素子10は光センサ20、即ち光感知素子を有し、該センサは出
力端22において当該光センサ20により受光された光Lに対応する電気信号を
供給する。光センサ20の上記電気出力端22は増幅器回路30の入力端31に
接続され、該増幅器回路30は入力端31で入力された上記光センサ20の電気
出力信号に基づく増幅された信号を供給する出力端32を有している。
なく、“オフ状態”又は“非活性状態”と呼ぶ第1状態にある。電源電圧が存在
する画像センサの動作中においては、個々のセンサ素子は読み出されるべく周期
的に選択される。即ち、その場合、個々のセンサ素子は更なる処理のための出力
信号を出力する。このようなセンサ素子の動作状態は、“選択状態”と呼ぶ。連
続する選択状態の間においては、上記光センサは受光された光の量の積分に対応
する電気信号を蓄積するよう動作し、この間において該センサ素子は出力端45
においては出力信号を供給しない。このようなセンサ素子の動作状態は、“積分
状態”と呼ぶ。光センサ20は上記積分に先立ちリセットされ、読み出しの間に
供給される出力信号が、専ら、先行する積分期間の間に受光された光の量に対応
するのを保証するようにする。このような動作状態は、“リセット状態”と呼ぶ
。
。更に、センサ素子の満足のゆく動作には少なくとも2つの電源電圧が必要であ
る。
子、即ち図1に示すように、第1電源入力端子41、第2電源入力端子42、選
択信号入力端子43及びリセット信号入力端子44を有している。センサ素子1
0は、信号出力端子45も有している。2つの電源入力端子41及び42は、光
センサ20及び増幅器30に正しい電源電圧を供給するよう働く。選択信号入力
端子43及びリセット信号入力端子44は、前記3つの動作状態を設定するため
に、選択信号及びリセット信号を各々入力するよう働く。
の入力及び出力のための対応する数の導体トラックを設けねばならず、これは前
述したような問題を有する。
号が用いられる。即ち、従来の状況では前記選択信号及びリセット信号は共に2
つの信号値を取り得、これらは“活性信号値”及び“非活性信号値”と各々称す
る。
達成される。その場合、前記選択信号の信号値は何の影響も有さない。
号値を持つ選択信号が供給されることにより達成される。
つ場合に積分状態となる。
おいても決して同時に活性信号値を有することはないとの認識に基づいている。
本発明の重要な態様によれば、1つの制御入力端子を介して供給されるべき制御
信号により所望の動作状態を達成することが可能であり、該供給される制御信号
の意味は、異なった、取り得る信号値により決定される。この1つの制御入力端
子は、“共通のリセット/選択信号入力端子”と呼ぶ。
第1スイッチS1を介して光センサ20のリセット入力端21に接続されている
。第2電源入力端子42は、光センサ20に直接接続されると共に、第2スイッ
チS2を介して増幅器30に接続されている。2つのスイッチS1及びS2は、
当該センサ素子11の共通制御入力端子51に接続された制御入力端を有してい
る。
該センサ素子11の動作状態を規定する。
幅器30は必要な電源電圧を入力しないので、当該センサ素子は出力信号を出力
しないが、光センサ20は生きている。従って、センサ素子11は積分状態とな
る。
いように選択される。これにより、光センサ20はリセットされる。これが、第
1スイッチS1がリセットスイッチとも呼ばれ、該第2信号値がリセット信号と
も呼ばれる所以である。
チS1は導通状態にはされない。結果として、増幅器30は電源に正しく接続さ
れて、光センサ20により供給される信号を増幅し、該信号を出力端子45に受
け渡す。言い換えると、当該センサ素子は選択状態となる。従って、第2スイッ
チS2は選択スイッチとも呼ばれ、該第3信号値は選択信号と呼ばれる。
源ライン内の可制御選択スイッチS2を制御することにより達成される。図2B
は本発明によるセンサ素子の第2実施例12を示し、該素子は可制御選択スイッ
チS3が増幅器30の出力端32と当該センサ素子12の出力端子45との間に
含まれている点で図2Aに示した第1実施例11とは相違している。しかしなが
ら、この変形例の動作は図2Aを参照して述べて動作と同一である。
ある実施化構成を示す一方、図2E及び2Fは図2Bを参照して述べた第2実施
例12の2つの可能性のある実施化構成を示している。
ランジスタとして構成され、ゲートは、図示の全ての4つの構成において光感知
ダイオードとして表された光センサ20の出力端に接続されている。従って、セ
ンサ素子11、12の出力信号は、光センサ20の出力電圧に比例した強度の電
流である。更に、可制御リセットスイッチS1及び当てはまる可制御選択スイッ
チS2又はS3は、図示の全ての4つの構成において単一のMOSトランジスタ
として構成され、従って合計で3個以下のMOSトランジスタしか必要としない
。
ンは出力端子45に接続され、該増幅トランジスタ30のゲートは光感知ダイオ
ード20の陽極に接続されている。増幅トランジスタ30のソースは選択トラン
ジスタS2のドレインに接続され、該トランジスタ20のソースは第2電源入力
端子VDDに接続されている。光感知ダイオード20の陽極は更にリセットトラ
ンジスタS1のドレインに接続され、該トランジスタS1のソースは第1電源入
力端子VSSに接続されている。リセットトランジスタS1及び選択トランジス
タS2のゲートは、共に、制御入力端子51に接続されている。上記光感知ダイ
オードの陰極は第2電源入力端子VDDに結合されている。
の構成は図2Cのものと等価であるが、ここではPチャンネルMOSFETが使用され
ている。
0のゲートと、リセットトランジスタS1ソースとに接続されている。該リセッ
トトランジスタS1のドレインは第1電源電圧VSSに接続されている。増幅ト
ランジスタ30のソースは第2電源電圧VDDに接続される一方、該増幅トラン
ジスタ30のドレインは選択トランジスタS3のソースに接続され、該トランジ
スタS3のドレインは当該センサ素子12の出力端子45に接続されている。選
択トランジスタS3のゲート及びリセットトランジスタS1のゲートは、共に、
リセット/選択信号入力端子51に接続されている。
の構成は図2Eのものと等価であるが、ここではPチャンネルトランジスタが使
用されている。
入力端子41に供給される第1電源電圧VSSのレベルは、第2電源入力端子4
2に供給される第2電源電圧VDDのレベルよりも低い。
非導通状態である(積分状態)。
り低いレベルの制御信号が制御入力端子51に供給され、従って選択トランジス
タS2は導通するが、該レベルは第1電源電圧VSSよりも高いので、リセット
トランジスタS1は依然として非導通状態である。この場合、出力端子45にお
ける出力信号は光感知ダイオード20の陽極の電圧により完全に規定される。
制御信号が制御入力端子51に供給されるので、リセットトランジスタS1及び
選択トランジスタS2は、共に、導通状態となる。
る全ての他のセンサ素子のリセットと同時に生じる。これは、このライン上に位
置するセンサ素子の全リセット入力端子を1つの共通の導体トラックにより制御
することができるという利点が得られるからである。しかしながら、マトリクス
アーキテクチャに対しては、当該マトリクスのピクセルを個々にリセットするこ
とができるようにしたいという要望がある。これは、ピクセル当たりの積分時間
を適応化することを可能にし、これがピクセルのダイナミックレンジの大幅な増
加を可能にする。その場合、ピクセル毎の積分時間を依然として同一に維持する
ことが可能であるので、ピクセルを通常のライン毎の順序以外の順序でアドレス
指定することも可能となる。
ンサは既知である。このような例は、1979年の固体回路に関するIEEEジ
ャーナル第32巻、第2号の第285〜288頁におけるOrley Yadid-Pecht他
による論文“区域的な電子シャッタを備えるCMOS能動画素センサのスタート
ラッカ”に記載されている。しかしながら、引用した該文献に記載された装置に
おいては、追加の選択ライン、即ちリセット-選択ラインが必要である。従って
、この既知の装置は、2つの電源ラインと、合計で4つの信号ライン、即ち出力
ライン、読出/選択ライン、リセット信号ライン及びリセット/選択ライン、と
を必要とする。本発明は、斯様な追加のリセット-選択ラインが必要とされない
ようなセンサ素子を提案し、従って、この点に関し本発明は、機能は同一に留め
たまま、センサマトリクス上に延在する接続トラックの数を低減も提供する。
ることにより、所望の機能を維持したまま、センサマトリクス表面上に延在する
電気ラインの数を低減することが可能であるという認識に基づいている。
イン上の選択信号により同時に選択されている場合にのみ、リセット信号に応答
してリセットされる。本発明によるセンサ素子は、この目的のため、リセット信
号と選択信号とに対してAND機能を実行する手段を有している。この目的のた
めには別個のAND要素を設けることもできるが、代わりに、当該センサ素子自
身の論理構造が該AND機能を含むようにすることも可能である。
記の引用した文献のものと較べて低減された数の接続部との組合せで上記機能を
提供する。画像センサ20は第2電源入力端子42に直接接続されている。第1
可制御選択スイッチS2が増幅器30と第1電源入力端子41との間に接続され
ている。可制御リセットスイッチS1と第2可制御選択スイッチS2’との直列
接続が、画像センサ20と第1電源入力端子41との間に含まれている。2つの
選択スイッチS2及びS2’の制御入力端は、共に、選択信号を入力する選択入
力端子61に接続されている。リセットスイッチS1の制御入力端は、リセット
信号を入力するためのリセット入力端子62に接続されている。
選択信号が非活性値を有する場合、スイッチS2及びS2’は非導通状態であり
、当該センサ素子13は積分状態となる。この場合、リセット入力端子62に供
給されるリセット信号の値は無関係となる。
子62で入力される信号が非活性値を有する場合、増幅器30は第1選択スイッ
チS2により電源入力端子41における電源電圧に接続される一方、センサ20
と電源入力端子41との間の接続は非導通状態のリセットスイッチS1により切
断される。この場合、画像センサ20の出力端22において発生される電気信号
は、増幅器30により増幅された形で当該センサ素子13の出力端子45に供給
される。即ち、当該センサ素子は選択状態となる。
で入力される信号も活性値を有する場合は、画像センサ20は2つのスイッチS
1及びS2’を介して電源入力端子41に接続され、該画像センサ20はリセッ
トされる。
列に接続された2つのスイッチS1及びS2’により提供され、一方のスイッチ
S1はリセット信号により作動され、他方のスイッチS2’は選択信号により作
動される。
続され、第2選択スイッチS2’が第1電源入力端子41に接続されている。他
の実施例においては、これら2つのスイッチの順序は逆にすることができ、その
場合、リセットスイッチS1は電源入力端子41に接続され、第2選択スイッチ
S2’が画像センサ20に接続される。
1電源入力端子41に接続されている。他の実施例においては、これら2つの選
択スイッチは、その制御入力端が選択入力端子61に接続された単一の選択スイ
ッチに統合することができ、その場合、一方のスイッチ端子は電源入力端子41
に接続され、他方のスイッチ端子は増幅器30とリセットスイッチS1との両者
に接続される。
41に接続されることにより、読み出し用として選択される。この目的のため、
選択スイッチS2は電源入力端子41と増幅器30の電源接続端子との間に結合
されている。他の例として、増幅器30は電源入力端子41に直接接続されるよ
うにし、図2Bを参照して説明した図2Aの実施例の代替例と同様に、選択スイ
ッチS2を増幅器30の出力端32とセンサ素子13の出力端子45との間の選
択スイッチS3に置換することもできる。
ソースフォロア構成の単一MOSトランジスタの形態で実現され、従って、出力
信号は光感知構造20の両端間電圧に比例した電圧となるであろう。増幅トラン
ジスタ30のソースは、当該センサ素子13の出力端子45に接続されている。
増幅トランジスタ30のドレインは、選択スイッチングトランジスタS2のソー
スに接続され、該トランジスタS2のドレインは第1電源入力端子41に接続さ
れている。ここでも、光センサ20は光感知ダイオードとして示され、該ダイオ
ードの陽極は増幅トランジスタ30のゲートと、リセットトランジスタS1のソ
ースとに接続されている。該リセットトランジスタS1のドレインは第2選択ト
ランジスタS2’のソースに接続され、該トランジスタS2’のドレインは第1
電源入力端子41に接続されている。リセットトランジスタS1のゲートはリセ
ット入力端子62に接続されている。選択トランジスタS2及びS2’のゲート
は選択入力端子61に接続されている。
これら選択信号及びリセット信号の非活性値はハイに対応する。
ランジスタに基づく構成も可能であることは当業者にとり自明であろう。
インにおける選択信号により選択される場合にのみ電源電圧が供給される。この
場合、本発明は部分的には、センサ素子は選択されていない場合、如何なる電源
電圧も必要としないという認識に基づいている。この目的のため、本発明による
センサ素子は選択ライン上の選択信号の活性値が同時に電源信号としても使用さ
れるような論理構造を有している。
た機能を、引用文献と比較して低減された数の接続ラインとの組合せで提供する
。このセンサ素子14は、選択入力端子71、リセット入力端子72及び単一電
源入力端子73のみを有している。画像センサ20は直接電源入力端子73に接
続されている。増幅器30は、電源電圧を入力するために上記選択入力端子71
に接続されている。可制御リセットスイッチS1が画像センサ20と選択入力端
子71との間に接続され、該スイッチの制御入力端はリセット信号を入力するた
めにリセット入力端子72に接続されている。増幅器30の出力端32と当該セ
ンサ素子14の出力端子45との間には可制御選択スイッチS3が存在し、該ス
イッチの制御入力端は選択信号を入力するために選択入力端子71に接続されて
いる。
れる選択信号が非活性値を有する場合、スイッチS3は非導通状態であるので、
増幅器30は出力端子45から遮断され、従って電源を受けることがない。この
場合、当該センサ素子14は積分状態である。その場合、リセット入力端子72
において入力されるリセット信号の値は重要ではない。
力端子72で入力される信号が非活性値を有する場合、増幅器30は上記選択信
号の活性値を当該増幅器の電源電圧として入力し、スイッチS3は導通して増幅
器30の出力信号を当該センサ素子14の出力端子45に供給し、センサ20と
選択入力端子71との間の接続は非導通状態のリセットスイッチS1により遮断
される。この場合、画像センサ20の出力端22における電気信号は増幅器30
により増幅された形で当該センサ素子14の出力端子45に供給される。即ち、
センサ素子14は選択状態となる。
ト入力端子72において入力される信号の値も活性状態である場合、画像センサ
20はリセットスイッチS1を介して選択入力端子71における選択信号の活性
値に接続され、該画像センサ20はリセットされる。
示しているが、当業者にとりNチャンネルトランジスタに基づく等価の設計も可
能であることは自明であろう。
陽極は電源接続端子(GND)73に接続され、陰極は増幅トランジスタ30の
ゲートとリセットトランジスタS1のソースとに接続されている。該リセットト
ランジスタS1のドレインは選択入力端子71に接続され、該リセットトランジ
スタS1のゲートはリセット入力端子72に接続されている。増幅トランジスタ
30のソースは選択トランジスタS3のドレインに接続され、該選択トランジス
タS3のソースは出力端子45に接続されている。選択トランジスタS3のゲー
トは選択入力端子71に接続されている。増幅トランジスタ30のドレインは、
選択入力端子71に結合されている。
分状態になる。
2における信号レベルがローの場合、当該センサ素子14は選択状態になる。
2における信号レベルもハイの場合、センサ20はリセットされる。
することができる。図4Bに示す実施例においては、増幅トランジスタ30のド
レインと選択入力端子71との間に第2選択トランジスタS3’が含まれ、該ト
ランジスタS3’のゲートが選択入力端子71に接続されているので、この第2
選択トランジスタS3’の動作は第1選択トランジスタS3の動作と同様である
。該第2選択トランジスタS3’は、上記選択入力端子における信号のフォトダ
イオード20に対するクロストークが低減されるという付加的な利点を提供する
。
13;14並びに電源電圧及び信号の伝達のために該アレイの表面上に延在する
多数の導体ラインを有する画像センサを提供する。各センサ素子は光センサ20
と増幅器30とを有する。
る。
センサと関連された第1スイッチS1と、増幅器と関連された第2スイッチS2
;S3とを有し、両スイッチは共通制御信号により制御される。
ンとの間に接続された第1スイッチS1と第2スイッチS2’との直列接続を有
する。第4実施例14においては、選択信号が同時に増幅器用の電源としても使
用される。
、これら実施例の種々の変形例が添付請求項に記載した本発明の範囲から逸脱す
ることなく可能であることは自明であろう。かくして、例えば図2Aを参照して
述べた実施例において、リセットスイッチがセンサと電源接続端子の一方との間
に設けられ、選択スイッチングが増幅器と上記と同一の電源接続端子との間に設
けられるようにすることができる。
要図である。
概要図である。
概要図である。
概要図である。
Claims (31)
- 【請求項1】 センサ素子において、 光信号を電気信号に変換する光感知要素と、 前記光感知要素により供給される前記電気信号を増幅する増幅器要素と、 前記増幅器要素の出力端に結合されて、該増幅器要素により供給される増幅さ
れた信号を外部に通過させる出力端子と、 第1電源電圧を入力する第1電源接続端子と、 第2電源電圧を入力する第2電源接続端子と、 合成された選択/リセット信号を入力する制御接続端子と、 前記制御接続端子に結合された手段であって、第1信号値を持つ前記合成され
た選択/リセット信号の入力に応答して当該センサ素子を積分状態にし、第2信
号値を持つ前記合成された選択/リセット信号の入力に応答して前記光感知要素
をリセットし、第3信号値を持つ前記合成された選択/リセット信号の入力に応
答して当該センサ素子を選択状態にするように構成された手段と、 を有していることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項2】 請求項1に記載のセンサ素子において、 前記光感知要素のリセット端子と前記第1電源接続端子との間に接続された第
1可制御スイッチと、 前記増幅器要素に結合された第2可制御スイッチと、 を有し、前記第1可制御スイッチの制御入力端と前記第2可制御スイッチの制御
入力端とが前記制御接続端子に接続されていることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項3】 請求項2に記載のセンサ素子において、前記第2可制御スイ
ッチが前記増幅器要素と電源接続端子との間に接続され、この電源接続端子が好
ましくは前記第2電源接続端子であることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項4】 請求項3に記載のセンサ素子において、 前記増幅器要素はドレインが前記出力端子に結合されたMOSFETであり、 前記第2可制御スイッチはドレインが前記増幅器要素のソースに結合され、ソ
ースが前記第2電源接続端子に結合され、ゲートが前記制御接続端子に結合され
たMOSFETであり、 前記第1可制御スイッチはソースが前記第1電源接続端子に結合され、ゲート
が前記制御接続端子に結合されたMOSFETである、 ことを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項5】 請求項4に記載のセンサ素子において、前記光感知要素が光
感知ダイオードであり、該ダイオードが前記増幅トランジスタのゲートと前記第
1可制御スイッチングトランジスタのドレインとに接続されていることを特徴と
するセンサ素子。 - 【請求項6】 請求項2に記載のセンサ素子において、前記第2可制御スイ
ッチが前記増幅器要素の出力端と前記出力端子との間に接続されていることを特
徴とするセンサ素子。 - 【請求項7】 請求項6に記載のセンサ素子において、 前記増幅器要素はソースが前記第2電源接続端子に結合されたMOSFETであり、 前記第2可制御スイッチはソースが前記増幅器要素のドレインに結合され、ド
レインが前記出力端子に結合され、ゲートが前記制御接続端子に結合されたMOSF
ETであり、 前記第1可制御スイッチはドレインが前記第1電源接続端子に結合され、ゲー
トが前記制御接続端子に結合されたMOSFETである、 ことを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項8】 請求項7に記載のセンサ素子において、前記光感知要素が光
感知ダイオードであり、該ダイオードが前記増幅トランジスタのゲートと前記第
1可制御スイッチングトランジスタのソースとに接続されていることを特徴とす
るセンサ素子。 - 【請求項9】 アレイに配置された複数の請求項1ないし8の何れか一項に
記載されたセンサ素子を有し、該センサ素子のアレイの表面上に、 1つのラインに位置する前記センサ素子における前記出力端子に接合された出
力ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記第1電源接続端子に結
合された第1電源ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記第2電源接続端子に結
合された第2電源ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記制御接続端子に結合さ
れた共通の選択/リセットラインと、 が延在していることを特徴とする画像センサ。 - 【請求項10】 センサ素子において、 光信号を電気信号に変換する光感知要素と、 前記光感知要素により供給される前記電気信号を増幅する増幅器要素と、 前記増幅器要素の出力端に結合されて、該増幅器要素により供給される増幅さ
れた信号を外部に通過させる出力端子と、 第1電源電圧を入力する第1電源接続端子と、 第2電源電圧を入力する第2電源接続端子と、 選択信号を入力する第1制御接続端子と、 リセット信号を入力する第2制御接続端子と、 前記2つの制御接続端子に結合された手段であって、第1信号値を持つ前記選
択信号の入力に応答して当該センサ素子を積分状態にし、第2信号値を持つ前記
選択信号及び第1信号値を持つ前記リセット信号の入力に応答して当該センサ素
子を選択状態にし、第2信号値を持つ前記選択信号及び第2信号値を持つ前記リ
セット信号の入力に応答して前記光感知要素をリセットするように構成された手
段と、 を有していることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項11】 請求項10に記載のセンサ素子において、前記光感知要素
のリセット端子と前記第1電源接続端子との間に接続された第1可制御スイッチ
と第2可制御スイッチとの直列接続を有し、前記第1可制御スイッチの制御入力
端が前記第2制御接続端子に結合され、前記第2可制御スイッチの制御入力端が
前記第1制御接続端子に結合されていることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項12】 請求項11に記載のセンサ素子において、 前記増幅器要素はソースが前記出力端子に結合され、ドレインが前記第1電源
接続端子に結合されたMOSFETであり、 前記第1可制御スイッチはゲートが前記第2制御接続端子に結合されたMOSFET
であり、 前記第2可制御スイッチはソースが前記第1可制御スイッチのドレインに結合
され、ドレインが前記第1電源接続端子に結合され、ゲートが前記第1制御接続
端子に結合されたMOSFETである、 ことを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項13】 請求項12に記載のセンサ素子において、前記光感知要素
が光感知ダイオードであり、該ダイオードが前記増幅トランジスタのゲートと前
記第1可制御スイッチングトランジスタのソースとに接続されていることを特徴
とするセンサ素子。 - 【請求項14】 請求項11に記載のセンサ素子において、 前記増幅器要素はソースが前記出力端子に結合され、ドレインが前記第1電源
接続端子に結合されたMOSFETであり、 前記第2可制御スイッチはゲートが前記第1制御接続端子に結合されたMOSFET
であり、 前記第1可制御スイッチはソースが前記第2可制御スイッチのドレインに結合
され、ドレインが前記第1電源接続端子に結合され、ゲートが前記第2制御接続
端子に結合されたMOSFETである、 ことを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項15】 請求項14に記載のセンサ素子において、前記光感知要素
が光感知ダイオードであり、該ダイオードが前記増幅トランジスタのゲートと前
記第2可制御スイッチングトランジスタのソースとに接続されていることを特徴
とするセンサ素子。 - 【請求項16】 請求項11に記載のセンサ素子において、 前記増幅器要素はソースが前記出力端子に結合されたMOSFETであり、 前記第1可制御スイッチはゲートが前記第2制御接続端子に結合されたMOSFET
であり、 前記第2可制御スイッチはソースが前記第1可制御スイッチのドレインと前記
増幅トランジスタのドレインとに結合され、ドレインが前記第1電源接続端子に
結合され、ゲートが前記第1制御接続端子に結合されたMOSFETである、 ことを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項17】 請求項16に記載のセンサ素子において、前記光感知要素
が光感知ダイオードであり、該ダイオードが前記増幅トランジスタのゲートと前
記第1可制御スイッチングトランジスタのソースとに接続されていることを特徴
とするセンサ素子。 - 【請求項18】 請求項11ないし15の何れか一項に記載のセンサ素子に
おいて、第3可制御スイッチを更に有し、該第3可制御スイッチが前記増幅器要
素と前記第1電源接続端子との間に接続されていることを特徴とするセンサ素子
。 - 【請求項19】 請求項18に記載のセンサ素子において、前記第3可制御
スイッチはソースが前記増幅トランジスタのドレインに結合され、ドレインが前
記第1電源接続端子に結合され、ゲートが前記第1制御接続端子に結合されたMO
SFETであることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項20】 請求項11ないし15の何れか一項に記載のセンサ素子に
おいて、第3可制御スイッチを更に有し、該第3可制御スイッチが前記増幅器要
素の出力端と前記出力端子との間に接続されていることを特徴とするセンサ素子
。 - 【請求項21】 請求項20に記載のセンサ素子において、前記第3可制御
スイッチはドレインが前記増幅トランジスタのソースに結合され、ソースが前記
出力端子に結合され、ゲートが前記第1制御接続端子に結合されたMOSFETである
ことを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項22】 アレイに配置された複数の請求項10ないし21の何れか
一項に記載されたセンサ素子を有し、該センサ素子のアレイの表面上に、 1つのラインに位置する前記センサ素子における前記出力端子に接合された出
力ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記第1電源接続端子に結
合された第1電源ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記第2電源接続端子に結
合された第2電源ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記第1制御接続端子に結
合された選択ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記第2制御接続端子に結
合されたリセットラインと、 が延在していることを特徴とする画像センサ。 - 【請求項23】 センサ素子において、 光信号を電気信号に変換する光感知要素と、 前記光感知要素により供給される前記電気信号を増幅する増幅器要素と、 前記増幅器要素の出力端に結合されて、該増幅器要素により供給される増幅さ
れた信号を外部に通過させる出力端子と、 電源電圧を入力する電源接続端子と、 選択信号を入力する第1制御接続端子と、 リセット信号を入力する第2制御接続端子と、 前記2つの制御接続端子に結合された手段であって、第1信号値を持つ前記選
択信号の入力に応答して当該センサ素子を積分状態にし、第2信号値を持つ前記
選択信号及び第1信号値を持つ前記リセット信号の入力に応答して当該センサ素
子を選択状態にし、第2信号値を持つ前記選択信号及び第2信号値を持つ前記リ
セット信号の入力に応答して前記光感知要素をリセットするように構成された手
段と、 を有していることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項24】 請求項23に記載のセンサ素子において、前記光感知要素
のリセット端子と前記第1制御接続端子との間に結合された第1可制御スイッチ
を有し、該第1可制御スイッチの制御入力端が前記第2制御接続端子に結合され
、前記増幅器要素の電源入力端が前記第1制御接続端子に結合されていることを
特徴とするセンサ素子。 - 【請求項25】 請求項24に記載のセンサ素子において、 前記増幅器要素はソースが前記出力端子に結合され、ドレインが前記第1制御
接続端子に結合されたMOSFETであり、 前記第1可制御スイッチはゲートが前記第2制御接続端子に結合され、ドレイ
ンが前記第1制御接続端子に結合されたMOSFETである、 ことを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項26】 請求項25に記載のセンサ素子において、前記光感知要素
が光感知ダイオードであり、該ダイオードが前記増幅トランジスタのゲートと前
記第1可制御スイッチングトランジスタのソースとに接続されていることを特徴
とするセンサ素子。 - 【請求項27】 請求項24ないし26の何れか一項に記載のセンサ素子に
おいて、前記増幅器要素の出力端と前記出力端子との間に第2可制御スイッチを
有していることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項28】 請求項27に記載のセンサ素子において、前記第2可制御
スイッチはソースが前記出力端子に結合され、ドレインが前記増幅器要素の出力
端に結合され、ゲートが前記第1制御接続端子に結合されたMOSFETであることを
特徴とするセンサ素子。 - 【請求項29】 請求項24ないし28の何れか一項に記載のセンサ素子に
おいて、前記増幅器要素の電源入力端と前記第1制御接続端子との間に接続され
た第3可制御スイッチを有していることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項30】 請求項29に記載のセンサ素子において、前記第3可制御
スイッチはソースが前記増幅器要素の電源入力端に結合され、ドレインが前記第
1制御接続端子に結合され、ゲートが前記第1制御接続端子に結合されたMOSFET
であることを特徴とするセンサ素子。 - 【請求項31】 アレイに配置された複数の請求項23ないし30の何れか
一項に記載されたセンサ素子を有し、該センサ素子のアレイの表面上に、 1つのラインに位置する前記センサ素子における前記出力端子に接合された出
力ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記電源接続端子に結合さ
れた電源ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記第1制御接続端子に結
合された共通の選択/電源ラインと、 1つのライン上に位置する前記センサ素子における前記第2制御接続端子に結
合されたリセットラインと、 が延在していることを特徴とする画像センサ。
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