JP2003520542A - フラクタル及び空間充填伝送線、共振器、フィルター並びに受動ネットワーク用エレメント - Google Patents

フラクタル及び空間充填伝送線、共振器、フィルター並びに受動ネットワーク用エレメント

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Abstract

(57)【要約】 高周波電磁回路、特に、平坦なないし疑似平坦な基板につくられた高周波電磁回路に関し、回路が誘電体の頂部における金属ないし超伝導フィルムにパターン化されている高周波電磁回路に関する。前記構成の特性ストリップないしスロットの如くの回路の一部分が新規な空間充填幾何学形に成形されていて、回路部品の大きさを著しく減少できるようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (技術分野) 本発明は、高周波電磁回路、特に、平坦なないし疑似平坦な基板につくられた
高周波電磁回路に関し、回路が、当業者には良く知られた構成(例えば、マイク
ロストリップ、ストリップライン、コプラナー、平行板ないしスロットライン構
成)での誘電体の頂部における金属ないし超伝導フィルムにパターン化されてい
る高周波電磁回路に関する。前記構成の特性ストリップないしスロットの如くの
回路の一部分が新規な空間充填幾何学形に成形されていて、回路部品の大きさを
著しく減少できるようにしている。小型伝送線、コンデンサ、インダクター、フ
ィルター、及び、発振器がこのようにして製造できる。
【0002】 本発明は好ましくは、遠隔通信分野、より具体的には、高周波電磁回路に好適
に適用されるものである。
【0003】 (背景技術) プレーナー回路を利用した用途は沢山あって、回路寸法が減少できる恩恵を受
けている。このことは、例えば装備品の重量や嵩が厳しく限られている航空宇宙
の分野や、モバイル通信システムには当てはまるところである。このような減少
は、基板(誘電体や金属、または、それを覆う超伝導体)のコストが高価である場
合には望ましいことである。
【0004】 本発明は、フィルターや発振器の如くの共振器を含む回路に重点を置く、プレ
ーナー電磁回路の小型化技法に関する。後述するように、これらの技法は、回路
の全体の機能がフィルターの機能ではないけれども、プレーナー回路の構成部品
の大きさを減少するのに利用することもできる。基板の空間を効率的に利用でき
るように前記回路と部品をパターン化する新規な幾何学的形状が提供されている
【0005】 図18は、プレーナーマイクロ波及びRF回路で利用されている標準的な2ポ
ート型マイクロストリップ共振器(従来例)のレイアウトを示している。これはま
た、入力ポートと出力ポートとの間での信号伝送が、開回路型マイクロストリッ
プラインの半波共振に近い周波数においてのみ行われることから、最も簡単な形
でのマイクロ波プレーナーフィルターである。より高度なフィルター設計では、
複数の共振線を結合しており、このほかに、GL Matthaei、L. Young、EMT Jones
マイクロ波フィルター、インピーダンス整合ネットワーク及び結合構造において
説明されている。Artec House、Dedham、MA 1980.例えば、図20は、いくつか
の共振線をそれらの端部を介して結合することにより構成したマルチポール・プ
レーナーフィルターを示している(従来例)。空間効率のもっと良いフィルターの
レイアウトもあるが、この図は、フィルターにおける共振器の数とプレーナー基
板においてそれが占める表面との間に相容れない条件があることを示している。
更に、フィルターにおける共振器の数がその周波数とその帯域幅におけるリップ
ルを選択的に決定づけるから、このkざうは、フィルターの大きさを減らすため
に変えられるようなパラメータではない。本発明は、基板の空間が効率的に利用
できるように、結合線共振器(coupled-line resonator)を備えたフィルターにお
ける共振器(沢山あるフィルターの位相幾何学の中でも図18と図20に示した
如くのもの)を効率的に折り畳んだり(fold)、巻き込んだり(coil)するいくつか
の幾何学形状を提供している。これにより、婦ラーナーフィルターに遙かな数の
共振器を利用できるようになる。既に公表されている報告において、フィルター
において共振線を折り畳む試みが報告されており、その中でも明確な一例に、E.
G. CrystalとS. Frankelによる「Hairpin-Line and Hybrid Hairpin-Line/Half-W
ave Parallel-Coupled-Line Filters(ヘアピン・ラインとハイブリッド型ヘアピ
ン・ライン/半波平行結合ラインフィルター)」、IEEE Trans on Microw. Theor.
and Tech. Vol. 20, No. 11, 1972年11月刊、pp. 719-728(図31)に開示され
ているものがある。これらは必然的に、ライン共振器が半分に折り畳まれている
典型的な半波平行結合線フィルター(half-wave parallel-coupled-line filters
)である。しかしながら、そこで使われている折畳み法は、装置の大きさを減少
させるには最効率的なものではない。それどころか、ここで紹介する本発明での
大体の成形法では、複数のラインセグメントを新規な空間充填幾何学形状(space
-filling geometries)に配置している。
【0006】 従来から説明されている小型化法を改良する必要性の一例として、技術文献に
ヘアピン型フィルターの元の設計を何らか変えることが既に提案されている。例
えば、G.L, Mattaei、N.O. Frenzi、R.J. Forse及びS.M. Rohlfingらによる「Hai
rpin-Comb Filters for HTS and Other Narrow-Band Applications(HTSのための
ヘアピン-コーム型フィルターとその他の狭帯域用途)」、IEEE Trans on Microw.
Theor. and Tech. Vol. 45、No. 8、1997年8月刊、pp. 1226-1231では、図3
2.1に示す変形ヘアピン型共振器を利用しており、そこでは、共振気の大きさ
は、その両端間に直線スロットを介して容量結合を導入することで変えている。
本発明の真髄に従えば、直線結合スロットを、本明細書にて開示するより複雑な
回旋幾何学日間することにより前記共振気の大きさを更に減少する方法が提案さ
れている。さらなる減少も、U字形ストリップを本発明の前記幾何学形状に置換
することにより達せられるであろう。
【0007】 フィルターの大きさを減少するもう一つの公知の技法では、フィルターの共振
器における標準的なラインの代わりに低速波伝送線(slow-wave transmission li
ne)ないしその他の関係のある低速波案内構造体を利用したものがある。これで
フィルターに使われているライン共振器の長さを減少している。低速波ラインの
従来例は、J.S. HongとM.J. Lancasterによる「Superconducting Filters Using
Slow Wave Transmission Lines(低速波伝送線を利用する超伝導フィルター)」、M
icrowave and Optical Technology Letters, Vol. 9, No. 4, July 1995, pp 20
7-210(図22)で開示されている梯子型ライン(ladder line)があり、そこでは、
典型的なマイクロストリップラインのソリッドストリップ導体が梯子形構造体に
置き換わっている。これは、標準的なマイクロストリップラインでの伝播速度に
比して、梯子形ラインでの伝播速度が著しく減少している。このような速度減少
は、二本の長い平行ストリップ(梯子におけるハンドルバー)の高インダクタンス
と、それら(梯子のステップ)を連結している複数の平行ストリップがもたらす高
容量によるものである。
【0008】 本発明に含まれている幾何学的形状は、低速波伝送線と案内構造体を作製した
り、従来の低速波ラインのトポロジーの伝播速度(従って、寸法)を更に減少する
のに利用することができる。例えば、図22に示した直線状段階形ストリップを
、伝播速度を更に減少するために本発明のより複雑な回旋幾何学的形状と置換す
ることもできる。
【0009】 更にもう一つの従来のフィルター小型化法では、いろいろな文献の中でも、S.
L. FiedziuszkoとJ.A. Curtisにより米国特許第5,172,084号に開示されている如
くのデュアルとデジェネレート(dual and degenerate)共振モードを利用してい
る。この特許は、マイクロストリップリング型共振器からなる共振構造体の基づ
いたものである。デュアルモードに対応するよりコンパクトな共振器は、本発明
で提案する幾何学形状を利用することにより構築できる。
【0010】 全てのプレーナーフィルターは、フィルターの通過域内で電磁共振をする構造
体を結合することによっては作製できない。例えば「Narrowband Lumped-Element
Microstrip Filters Using Capacitively-Loaded Inductors(容量負荷型インダ
クターを利用した狭帯域幅集中素子型マイクロストリップフィルター)」(1995 MT
T-Sシンポジウム・ダイジェスト。Orlando, Florida, May 1995. pp 379-382, V
ol. 2)においてD. Zhang, G-C Liang, CF Shin, RS Withersらは、通過域周波数
が利用した共振器の共振周波数を下回るフィルターを公表している。これらのフ
ィルターは、共振器を実現したり、共振器の間での結合をなすためにはリアクタ
ンスが必要である。これらのリアクタンスは、本発明の幾何学を利用することで
より小さくすることもできる。例えば、Zhangらによる前記論稿では共振器に交
互配置(interdigitated)のコンデンサを利用している。かかるコンデンサは、二
つのストリップを分離している蛇行形状のスロットからなる。これらの共振器の
大きさの減少は、前記の蛇行形状を、本発明が開示するより複雑な回旋幾何学形
状と置換すれば達成できる。これは、プレーナー回路におけるリアクタンス部品
の小型化に前記幾何学形状が適用できる非常に特異な一例に過ぎないのである。
本発明は、プレーナーリアクタンスを必要とするものであれば如何様にも適用で
きるものである。これには、あらゆるフィルター(前述した種々のフィルター以
外に)や、DCブロック、RFチョーク、コンデンサ、インダクタンスまたは共
振器を利用するその他の回路などが含まれるものである。
【0011】 本発明で利用するいくつかの特定の幾何学形状は、19世紀の終り頃に数学的
に説明されているものである。カントル、ペアノ、ヒルバート、フォンコッホ、
シェルピンスキー(Waclaw Sierpinski)らの如くの数学者が、本発明で示すいく
つかの設計を示唆するいくつかの曲線と構造を説明している。ごく最近に至って
は、マンデルブロー(B.B. Mandelbrot、「The Fractal Geometry of Nature(自然
のフラクタル幾何学)」、W.H. Freeman & Co.、ニューヨーク、1982)が、フラク
タルなる用語を作り出して、その他のたくさんの相似幾何学の例を紹介している
。いずれにしても、数学の立場から曲線を調査しているが、エンジニアリングで
実用的に使われるようなことは皆無である。
【0012】 いくつかのフラクタル形状を設計する最も普遍的な方法は、反復関数系(IF
S、Iterated Function System)幾何学アルゴリズム(時には、マルティ縮小コピ
ー機(MRCM、Multy Reduction Copy Machine)による方法がある。いくつかの
例では、IFSないしMRCMアルゴリズムのネットワークも利用されている(
それに伴うアルゴリズムは、この場合ではNMRCMとよばれている)。
【0013】 前記のアルゴリズムはハッチンソン演算子に基づいている。ハッチンソン演算
子は、線形変換の集合であって、平坦な構造体の場合での線形変換は数学的に下
記のように表される。
【0014】
【数1】
【0015】 但し、(xn−1、yn−1)は、入力集合An−1の点の座標であり、(x
)は出力集合Aの点であり、(x、y)は翻訳変換を表し、rとsとは
、倍率に対応する実数を表し、φとΨとは回転変換を表す。ハッチンソン演算子
の各線形変換は、パラメータr、s、φ、Ψと(x、y)への翻訳とでと口調
付けられている。ハッチンソン演算子はその線形変換の集合により特徴付けられ
ている。
【0016】 IFSアルゴリズムは、第1段において特有なハッチンソン演算子を点A0の
入力集合に適用して点A1の出力集合を得、点ANの集合が得られるまで同じハ
ッチンソン演算子を出力に対して複数回N(複数段)適用する反復法である。厳密
に言えば、フラクタル形状を生成するためには、IFSアルゴリズムを無限回(
N(()、適用しなければならず、また、設計者としても、IFSアルゴリズムと
特徴付けるハッチンソン演算子を構成する線形変換を適切に選択する必要がある
。もっと複雑な方法では、各段でいくつかのハッチンソン演算子を適用し、また
、点のいくつかの初期集合を利用する(例えば、図1と図3とにそれぞれ示した
ヒルバート曲線とSZ曲線をと生成するために)。この場合、NMRCなる用語
が、この方法を表すものとして使われる。IFS(MRCM)法とNMRCM法と
は、フラクタル数学の分野の熟知者には良く知られている所であり、フラクタル
構造を生成するののそれらを利用することについては、1992年にSpringer-Verla
gから出版されている、H.O. Peitgen、H.Jurgens、D. SaupeらによるChaos and
Fractals(カオスとフラクタル)において詳細に説明されている。
【0017】 言うまでもないことではあるが、精密なフラクタル構造ないし曲線は、数学的
な抽象概念であり、無限数の反復が必要となるから物理的に実現することはでき
ない。本発明においては、特許請求している電磁装置のいくつかの部分を成形す
るのに利用する特徴的な曲線と構造の一部を、前記IFSアルゴリズムとNMR
CMアルゴリズムとを有限段数Nにわたって利用することで生成している。
【0018】 本発明で説明する如くの高度に回旋状の幾何学的曲線と構造とを特徴付けるの
に、寸法(D)を屡々利用している。寸法についてはたくさんの異なった数学的定
義があるが(例えば、前掲の「カオスとフラクタル」を参照のこと)、本願明細書で
は設計のファミリーを特徴付けるのにボックス・カウンティング寸法(box-counti
ng dimension)(数学理論の熟知者には良く知られている)を利用している。
【0019】 共振器を構築するのにフラクタル幾何学を最初に利用したものは国際出願公開
公報WO97/06578号に開示されている。それによれば、従来のコンデンサと共にイ
ンダクターとしてフラクタル形状のヘリカルないしスパイラルコイルを利用して
共振器を形成している。当業者には判るように、本発明は下記のいくつかの理由
により、前掲国際出願公開公報に開示されている特定の例とは実質的に異なって
いる。
【0020】 (a) 本発明では、前記国際出願公開公報には開示されていない沢山のネットワ
ーク用エレメント(コンデンサ、伝送線、フィルター、共振器、インダクター、
抵抗器)の説明が含まれている。 (b) 本発明では、共振器を構築するのに集中インダクターや集中コンデンサを
利用しなくても良い分布伝送線とその他の分布構造からなる分布共振器とフィル
ターの構造を説明している。
【0021】 (c) これは従来開示された発明にはない、フラクタル及び空間充填曲線に基
づくプレーナーコンデンサが本願明細書で説明されている。 (d) 集中インダクターとコンデンサと出共振器が構成されている本発明の場合
では、インダクターは、非交差曲線により、また、前掲の国際出願公開公報で説
明されているのとほぼ異なった幾何学(後述するように、空間充填曲線やヒルバ
ート、ペアノ及びSZ曲線)を利用してプレーナー状に形成している。
【0022】 (e) 本発明において「フラクタル」なる用語が使われている場合にあっては、前
掲の国際出願公開公報に開示されているのとは異なったやり方で使われている。
特に、ここではフラクタル寸法については異なった定義(ハウスドルフ(Haussdo
rf)及びボックス・カウンティング寸法)を用いていると共に、異なった構造のフ
ラクタル曲線を利用している。本発明で利用している曲線(ヒルバート及びSZ
曲線の如く)では、前掲の国際出願公開公報には開示されていないNMRCMア
ルゴリズムの如くの異なった構築機構が必要である。
【0023】 ここでの設計は、例えばM. IshidaとR. Millらによる「The electrical impeda
nce of a continuously scaled fractal transmission line(連続変倍フラクタ
ル伝送線の電気インピーダンス)」(J. Phys. D:Appl. Phs. 30 (1997), pp1157-1
163)に開示されている如くの他の研究成果と混同すべきではない。このような理
論的な科学研究では、フラクタル特性インピーダンス(本発明で紹介する伝送線
のフラクタル様幾何学ではない)を特徴付ける概念的な伝送線の理論的挙動を解
析しているもので、かかる研究は抽象的なもので、伝送線の物理的構造を説明し
てはおらず、また、かかる仮想装置を利用することについても説明していないの
は言うまでもない。
【0024】 回旋状プレーナーコンデンサにより負荷がかけられたコプラナー低速線(co-pl
anar slow-line)については、1999年にインド国ニューデリーで開催された国際
シンポジウムNew Age Intの論稿集におけるAdvances in Superconductivity. Ne
w Materials, Critical Current and Devices(超伝導の前進。新しい材料、臨界
電流、装置)で、M.J. Lancaster、F. Hauang、A. Porch、J.S. Hong、D. Hungら
の「Superconducting Filters Using Slow-Wave Transmission Lines(低速波伝送
線を利用した超伝導フィルター)」で既に公開されており、これは本発明において
説明する低速線コプラナー構造体の一つの特定のケースと見ることができる。言
うまでもないことではあるが、当業者には、本発明における設計は、これまで開
示されたことのない、低速線の大きさを更に減少させるのに利用できる異なった
曲線と幾何学形状(ヒルバート曲線やSZ曲線の如く)に基づいたものであること
は容易に理解されよう。
【0025】 (発明の開示) 本発明のキーポイントは、プレーナー回路(伝送線、コンデンサ、抵抗器、イ
ンダクター、共振器、フィルターなど)の一部を空間充填曲線(以後、SFC)、
即ち、物理的長さからして大きいが、曲線が含まれる面積からして小さい曲線と
して成形することにある。詳述すれば、本願明細書では空間充填曲線を下記の如
く定義づけている。即ち、少なくとも10個のセグメントからなり、それぞれの
セグメントが隣接するセグメントと角度をなすように、即ち、隣接するセグメン
トの対がより大きい直線セグメントを画成しないように、これらのセグメントが
つながった曲線を意味する。斯かる空間充填曲線は、平坦な意志湾曲した表面に
被着することができ、隣接するセグメント間が角度をなしていることから、曲線
の物理的長さは、前記空間充填曲線として同一面積(表面)に被着できる直線ライ
ンの物理的長さよりも常に長い。また、斯かるSFCの設計がどのようなもので
あろうとも、始点と終点以外ではそれはそれ自身と交わることはない(即ち、曲
線全体が、閉曲線、即ち、ループとして構成されるが、その曲線の一部分が閉ル
ープになることはない)。このSFC幾何学形状を適用して前記プレーナー回路
を成形するに当たっては、前記セグメントとしては動作自由空間波長の10分の
1よりも小さくなるようにすべきである。
【0026】 成形手順と曲線幾何学とに応じて、位相幾何学的寸法よりも大きいハウスドル
フ寸法(ハウスドルフ寸法の詳細な説明については、前掲「カオスとフラクタル」
を参照のこと)を特徴付けるように空間充填曲線を設計しても良い。即ち、古典
的なユークリッド幾何学からして、曲線は常に一次元的なオブジェクトであると
理解するのが通常である。しかし、曲線が高度に回旋状となって、その物理的長
さが非常に大きい場合、その曲線は当該曲線を支えている表面の一部を充たそう
とする傾向がある。その場合、ハウスドルフ寸法がその曲線(または、ボックス・
カウンティング・アルゴリズムによりその曲線の少なくとも近似)にわたって算出
でき、かくて単位よりも大きい数が得られる。このような理論的な無限曲線は物
理的には構築することはできないが、SFC設計で近似化することはできる。図
1と図3とに示した曲線は、寸法D≒2を特徴付ける理想的な無限曲線に近似す
る前記SFCの一例である。
【0027】 前記SFC曲線のいくつかの例は「フラクタル」曲線と呼ばれている(例えば、
マンデルブローの前掲The Fractal Geometry of Nature(自然のフラクタル幾何
学)を参照のこと)。フラクタルなる用語は、一般に自己相似特性を特徴付ける幾
何学形状の前ファミリー(ドットの集合、曲線の集合、表面の集合などを含む)を
指して言うものであって、幾何学的オブジェクトの各部分は別の倍率での全体の
レプリカであることを指して言うものである。厳密には、フラクタル曲線は、無
限長を有する理想的な数学的抽象概念であり、そのために、真のフラクタル曲線
は実地で物理的に構築することはできない。良くても、一部のフラクタル形状に
、他の非フラクタルオブジェクト、例えば前述の空間充填曲線か、または、マル
チレベル構造体(PCT/ES99/00296)を利用して近似させることができるのみである
。本明細書では、便宜上、理想フラクタル形状にほぼ近似するSFCは全て「フ
ラクタル空間充填曲線(FSFC)」と称する。
【0028】 回路構成部品の物理形状にSFC曲線、フラクタル曲線ないしFSFC曲線を
利用する有利な点は二倍である。 (a) 動作周波数ないし波長が特定の一定値にあるとすると、また、回路構成部
品の特性(インダクターのインダクタンス、コンデンサの容量、抵抗器の抵抗、
伝送線の電気長など)も定まっているとすると、当該回路構成部品の大きさを従
来例に比して小さくすることができる。 (b) 構成部品の物理的大きさが一定だとすると、その構成部品は、従来例より
も低周波(長波長)で動作する。
【0029】 本発明の方法で回路部品の寸法を減少すれば、他の著しい利点が得られる。即
ち、寸法の減少により前記ネットワーク用エレメントを製造するに当たり超伝導
材が費用効率がよい。即ち、伝送線、共振器、フィルターなどを作製するに当た
り超伝導材を利用すれば、挿入損失が減り、斯かる装置のQが増加する。遠隔通
信システムの送受信機での共振器やフィルターのQを増加させると、いくつかの
面で改良された性能が達成される。即ち、S/N比が良くなり(即ち、テレコムシ
ステムの品質)、隣接するチャンネル間の周波数間隔を減らすことができる。隣
接するチャンネル間の周波数間隔が減少できれば、利用可能なスペクトラムを効
率的に利用できることになり、テレコム操作者がネットワークの能力を上げるこ
とができる(セルラー電話システムのユーザーの高密度化、情報レートの高速化
、データ、音声ないしビデオ信号送受信での情報レートの高速化と高トラフィッ
ク密度化)。
【0030】 (発明を実施するための最良の形態) 図1は、空間充填曲線のいくつかの特定例(1.2−1.7)を示している。曲線
(1.2)は13セグメントから、また、曲線(1.3)は52セグメント、曲線(1.
4)は208セグメント、曲線(1.5)は832セグメント、曲線(1.6)は33
28セグメント、曲線(1.7)は13312セグメントからそれぞれ成り立って
いる。これらの曲線は、NMRCMアルゴリズムで構築でき、該当文献で説明さ
れている理想ヒルバート曲線の形状に近似している。
【0031】 図2は、従来の伝送線(従来技術)のいくつかの形状を示すもので、特有の導電
ストリップ(2.6)を備えたマイクロストリップ線(2.1)、ストリップライン(
2.2)、コプラナー線(2.3)、平行板線(2.4)、及び、二つの導電ないし超伝
導ストリップの間にあるスロット(2.12)でと口調付けられるスロット線(2.
5)を示している。右カラムにおいては、SFC(1.4)に基づくSFC伝送線の
いくつかの実施の形態が示されている(マイクロストリップ(2.7)、ストリップ
ライン(2.8)、コプラナー線(2.9)、平行板(2.10)、スロット線(2.11)
)。
【0032】 図3は、SZ曲線として知られている空間充填曲線の集合を示す。この曲線は
、いくつかの数学関係の論文で説明されているように曲線に基づいて二つの点の
集合からNMRCM法で構築することができる。尚、曲線(3.2)、(3.3)、(
3.4)は、10個以上の接続した直線セグメントで構築されている。
【0033】 図4は、ZZ曲線と呼ばれている空間充填曲線の集合を示す。これらの曲線は
、特有のIFSアルゴリズムで構築することができる。尚、曲線(4.2)、(4.
3)、(4.4)、(4.5)は、10個以上の接続した直線セグメントで構築されて
いる。
【0034】 図5は、ペアノ曲線に基づく空間充填曲線の集合を示す。これらの曲線は、文
献に開示されている特有のIFSアルゴリズムで構築することができる。尚、曲
線(5.2)、(5.3)、(5.4)は、10個以上の接続した直線セグメントで構築
されている。
【0035】 図6は、ペアノ曲線に基づく空間充填曲線の集合を示す。数学の熟知者には明
らかなように、これらの曲線は、図5の曲線を構築するに当たり利用した特有の
IFSアルゴリズムを僅かばかり修正することにより構築することができる。尚
、曲線(6.2)、(6.3)、(6.4)は、10個以上の接続した直線セグメントで
構築されている。
【0036】 図7は、ミンコフスキー曲線に基づく空間充填曲線の集合を示す。これらの曲
線は、特有のIFSアルゴリズムで構築することができる。尚、曲線(7.2)、(
7.3)、(7.4)、(7.5)は、10個以上の接続した直線セグメントで構築され
ている。
【0037】 図8は、図7の曲線の如くのいくつかの空間充填曲線を連接することにより構
築したループ曲線の二例を示す。数学に熟知者には明らかなように、図1から図
9にかけて説明した特定の例の如くその他の空間充填曲線に同様な技法が適用で
きるものである。
【0038】 図9は、ヒルバートZZ曲線と呼ばれている空間充填曲線のいくつかの特定の
例を示す。これらの曲線は、空間充填曲線として定義付けられるのは明らかであ
り、簡易IFS(またはMRCM)アルゴリズムで構築することはできない。
【0039】 図10は、本発明の真髄によるSFC曲線の特定の例の特定の用途を示す。ヒ
ルバート曲線(1.5)が、マイクロ波伝送線の特性ストリップを成形するのに使
われている。この曲線の二つの先端は伝送線の入力(10.2)と出力(10.3)を
形成しており、例えば(10.4)、(10.6)の如くの他のストリップに接続する
こともできる。本発明の真髄と範囲によれば、ヒルバート曲線(1.5)に基づい
た前記ストリップは、従来例(図形(2.1〜2.5)において説明した従来公知の
送電線の形状を成形するのに利用できる。当業者には明らかなように、ヒルバー
ト曲線はここでは特定の例として示しされているが、本発明の真髄と範囲にあっ
てはその他の空間充填曲線を利用することもできる。
【0040】 図11は、SFC伝送線の特定の実施の形態を示す。伝送線は、短絡回路(1
1.3)か、開回路(11.7)の何れかで終端している。このようにして1ポート
型装置ができるのではあるが、その装置は、当業者には明らかな世に動作周波数
によっては、共振器、コンデンサまたはインダクターとして動作する。当業者に
は明らかなように、ここではヒルバート曲線を特定の例として示しているが、本
発明の真髄と範囲にあってはその他の空間充填曲線を利用することもできる。
【0041】 図12は、特定のケース(1.5)に基づく四個のヒルバート曲線を直列接続す
ることで形成したSFC伝送線の特定の実施の形態を示しており、当該曲線が、
本発明の真髄と範囲により従来例(図形(2.1)、(2.2)、(2.3)、(2.4)、(
2.5))で説明した公知の伝送線の構成のスロットないしストリップを形成する
。当業者には明らかなように、伝送線の有効電気長を増減するのに前記の四個の
代わりに別の数の接続した曲線を利用できるのは言うまでもない。図12の実施
の形態は、図11に示したのと同様に終端させても良い。
【0042】 図13は、SFCを利用して従来の伝送線(13.2)をロードしているところ
を示す。図11に示した全ての実施に形態は線をロードするのに利用でき、言う
までもないことではあるが、例えば図1から図9に示した如くのその他のSFC
曲線。図13における図形は、本発明において従来例(図形(2.1)、(2.2)、(
2.3)、(2.4)、(2.5))で説明した公知の伝送線の構成に適用した特有のス
トリップないしスロットを示している。これにより得られる装置は、例えば低速
波線、共振器、またはフィルターとして利用することができる。
【0043】 図14は、図13の実施の形態の変形例であって、従来の送電線にいくつかの
容量ギャップ(14.1)を設けている。
【0044】 図15は、図14の実施の形態の変形例であって、前記ギャップの容量を別の
導電ストリップ((15.1)、(15.2)、(15.3))を設けることにより増加さ
せている。
【0045】 図16は、プレーナーコンデンサの物理的構成を示す。この構成は、ギャップ
ないしスロット(16.3)で分離されている二つの金属ないし超伝導板(16.1)
、(16.2)からなり、前記ギャップは、SFC曲線として成形されている。こ
こではヒルバート曲線(1.5)の特定の例を示しているが、当業者には、本発明
の真髄と範囲によればその他のSFC(例えば、図1から図9にかけて示したも
のの如く)も利用できるのは明らかであろう。
【0046】 図16は、プレーナー回路において交互配置型コンデンサの代わりに利用でき
るプレーナーSFC容量の実施の形態を示す。斯かるSFC容量は、例えば、ス
ロットで区画分離されている二つのコプラナー金属ないし超伝導ストリップで構
成されており、前記したスロットはSFC曲線として成形されている。当業者に
は、この新規な装置の容量は、例えばSFCスロットの幅または長さを調節する
ことにより(例えばセグメントをもっと増やすか、または、曲線の前部または一
部の大きさを変えるとかで)制御できるのは明らかであろう。
【0047】 プレーナー回路では、二つの金属ないし超伝導パッチないしストリップの間で
の容量結合度を大きくするのに従来の交互配置型容量が広く使われている。一般
にこの構造では、前記二つのパッチ内リストリップを区画するのに蛇行状スロッ
トを利用するのが通常である。これらのストリップないしパッチは屡々、誘電体
基板に装着される。当業者には、本発明で開示しているSFCスロットを有する
設計に、同じ従来の製造法が適用できるのは明らかであろう。本願で特許請求し
ている新規なSFC構成を利用すれば、SFC形状スロットうぃりようすること
でより大きい容量が達せられる利点がある。この容量の用途は、共振器、DCブ
ロック、或はその他のリアクタンス素子野市部を形成するプレーナー回路に沢山
ある。本発明の真髄にあっては、その他のSFC、FSFC、フラクタル、ヒル
バート、SZ、ZZ、ヒルバートZZ、ペアノ、ミンコフスキー、ないしシェル
ピンスキー曲線を利用することにより容量増加を達成することができる。
【0048】 図17は、図16のプレーナーコンデンサの容量を増加させる方法の一例を示
している。ギャップ(16.3)の長さを、いくつかのSFC曲線を接続すること
により増やしている。
【0049】 図18(従来例)は、共振素子が直線状の半波マイクロストリップ伝送線(18.
3)であり、入出力ポートが容量ギャップ(18.1)、(18.2)と共振線のエッ
ジにおいて接続されている2ポート型共振器を示す。
【0050】 図19は、図1におけるのと類似の2ポート型共振器を示しているが、ここで
はマイクロストリップ線をSFCパターン(1.5)に従って折り畳んでいる。図
10において示したように、これで、共振線の長さをプレーナー基板の小さい表
面において効率的に詰め込むことができる。入出力ポートは共振線のエッジにお
いて容量ギャップで結合されている。
【0051】 図19は、図1のヒルバート曲線にならって線を折り畳んだマイクロストリッ
プ線型共振器の一例を示す。本発明の真髄によれば、この他にSFC、FSFC
、フラクタル、コッホ、SZ、ZZ、ヒルバートZZ、ペアノ、ミンコウスキー
、ないし、シェルピンスキー曲線を利用することができるのは明らかである(図
1、図3、図4、図5、図6、図7、図8、図9の例を参照のこと)。斯かる折
畳み幾何学形状は、共振線の長さを効率的に詰め込んでいる。
【0052】 当業者には、マイクロストリップや、ストリップライン、コプラナーないし平
行板型伝送線などのストリップの形を定めるのに、前記した幾何学形状が利用で
きるのは明らかであろう。斯かるストリップは、例えば、従来公知の製造方法で
誘電体基板の表面に金属ないし超伝導材を蒸着することにより構築できる。選ぶ
構成(ストリップライン、マイクロストリップ、平行板など)にもよるが、伝送線
には、図2の説明によりその他の金属ないし超伝導ストリップないし接地面が備
わっていても良いのは明らかである。また、入力(19.1)と出力(19.2)ギャ
ップは、従来の共振機構性において利用されているのと同じやり方で共振器に対
するソースと負荷の結合度を制御するのに使われている。
【0053】 別の好ましい実施の形態では、図10の図面で説明したようにギャップ容量を
利用する代わりに、共振器を入出力伝送線に直接連結している。これによる主た
る利点の一つとしては、基板空間を節約できることにある。この節約は、電子装
置の嵩と重量とが問題になるような用途、または、基板が高価である場合に特に
有用である。
【0054】 もう一つの好ましい実施の形態では、従来のMMIC作製の鋳造法を利用して
MMIC基板に共振器を形成している。この場合、共振器は、複層構造体に含ま
せて、この共振器の層には含まれていない回路と接続するか、または、電磁的に
結合しても良い。
【0055】 当業者なら、前述したSFC畳み込み線の如くのいくつかの構造を利用して、
当該構造を電磁的に結合させてフィルターを作製することが容易に想到できるで
あろう。この電磁結合は、容量スロットギャップ、誘導結合、またはその他の方
法で実現できる。また、前記フィルターにおけるSFC畳み込み線は、必ずしも
フィルターの通過域内の周波数で共振するものでなくても良い。
【0056】 図20(従来例)は、いくつかのエッジ連結型半波直線マイクロストリップライ
ン共振器からなるマイクロストリップフィルターを示す。
【0057】 図21は、図19に示したのと同様にいくつかの共振器のエッジを容量結合す
ることにより構成したフィルターを示す。
【0058】 図22(従来例)は、梯子形低速波ラインの詳細図である。ソリッドストリップ
を利用する代わりに、このラインでは、細い梯子形パターンを利用しており、そ
の特徴は自由空間波長よりも遙かに小さい。これが伝送線での伝播速度を減少し
ている。
【0059】 図23は、図22におけるのと同様な梯子形低速波ラインの詳細図であるが、
二本の平行ハンドル状ストリップの間にある直線状の段状ストリップを、コッホ
曲線に基づくSFC曲線を描くストリップと置換している。
【0060】 二本の長い平行狭ストリップ(23.4)を連結するコッホSFC形状ストリッ
プ(23.3)は、SFC形状の代わりに直線状ストリップを利用した従来構造で
達成しているものに比して、構造体の単位長さあたりの容量を増加させることが
できる。単位長さあたりの容量の著しい増加は、二本の狭平行ストリップの影響
により支配される構造体の単位長さあたりのインダクタンスに少しも変化をもた
らさないで達成できるのである。このように容量が増加できることから、構造体
に沿って伝播する電磁信号の伝播速度が減少する。本発明の真髄にあっては、こ
の容量の増加は、構造体の全幅やその二本の狭平行ストリップの幅を著しく変え
ることのないその他のSFC、FSFC、フラクタル、ヒルバート、SZ、ZZ
、ヒルバートZZ、ペアノ、ミンコウスキー、ないしシェルピンスキー曲線を利
用することによっても達成できる。
【0061】 直線状伝送線共振器(図20に示したものの如く)を備えたフィルターでは、こ
の種のラインは利用できるばかりではなくて、図19、図21に示した共振器も
、SFC、FSFC、フラクタル、ヒルバート、SZ、ZZ、ヒルバートZZ、
ペアノ、ミンコウスキー、ないしシェルピンスキー曲線の特徴を備えた低速波ラ
インで構成でき、それにより一定の共振周波数あたりのその大きさを更に小さく
することができる。
【0062】 図24は、SFC曲線の基づくいくつかのスロットを金属ストリップに刻設し
た低速波伝送線の別の例を示す。
【0063】 図25は、導電ストリップ(25.2)(金属ないし超伝導部分はベタ黒で示す)
からなる低速波伝送線の別の例を示しており、このストリップは、シェルピンス
キー・カーペットとして知られているフラクタルに基づくIFSアルゴリズムに
ならって生成したフラクタル様モティブでエッチングしてある。ストリップの自
己インダクタンスがこのようにして増加するが、容量は、フラクタル様形状が空
間充填特性(フラクタル寸法)を有していることから、他の古典的な機構に比して
高値に保持されている。伝送線の電気長は増大しているので、前記低速波伝送線
を減少したスペースに詰め込むことができる。
【0064】 図26は、コプラナー伝送線にSFC曲線を利用した別の例を示す。コプラナ
ー線の特性中心ストリップ(26.3)は、伝送線の両側にある二つの容量ギャッ
プ(26.2)、(26.4)により接地ストリップ(26.1)、(26.5)から隔離さ
れており、前記ギャップがSFC曲線(この場合ではヒルバート曲線)のならって
成形されている。このようにして低速波伝送線が形成されているのではあるが、
この伝送線の長さは従来のコプラナー伝送線に比して減少している。
【0065】 図27は、導電ストリップ(27.2)(金属ないし超伝導部をベタ黒で示す)低
速波案内構造体(slow-wave guided structure)を示しており、斯かるストリップ
は、シェルピンスキー・カーペットとして知られているフラクタルに基づくIF
Sアルゴリズムにならって生成したフラクタル様モティブでエッチングしてある
。ストリップの自己インダクタンスがこのようにして増加するが、容量は、フラ
クタル様形状が空間充填特性(フラクタル寸法)を有していることから、他の古典
的な機構に比して高値に保持されている。伝送線の電気長は増大しているので、
前記低速波伝送線を減少したスペースに詰め込むことができる。
【0066】 図28は、中央ストリップにスロットが形成されている低速波案内構造体の別
の例を示しており、ここでのスロットはシェルピンスキー・カーペットに基づく
フラクタル構造として成形されている。
【0067】 図29は、金属ストリップの中心部を除去し、いくつかの直線段部(29.3)
を、カントール集合の如くのものよりもフラクタル寸法の小さい点のフラクタル
分布に従って形成されている低速波案内構造体のまた別の例を示すものであり、
前記フラクタル分布で段部(29.3)に間の間隔が定まるようにしている。
【0068】 図30は、図29に示した低速波構造体ではあるが、カントール集合に基づく
フラクタル階段が、低速波案内構造体の中心ストリップにおいてスロット化され
ている低速波構造体の相補形を示す。
【0069】 共振器に沿った減速素子(velocity-reducing features)の配置については、必
ずしも周期構造でなくても良い。図27では、シェルピンスキー・カーペット金
属ないし超伝導案内構造体(guiding structure)を利用した変形例を示している
。ここで、共振器のエッジの沿った平行な狭ストリップは、構造体に沿って高イ
ンダクタンスと低伝播速度とが得られるように維持されている。その他の非周期
構造体については図19と図30にも示すが、そこではストリップ(29.3)、(
29.2)の位置について、単位長さあたりの容量を更に増加させ、伝播速度を更
に減少させるために、フラクタル様分布を選んでいる。
【0070】 図31(従来例)は、ヘアピン型フィルターを示す。それは、ライン共振器を折
り畳んだ並列接続型直線ラインフィルターを発展させたものである。
【0071】 図32は、マイクロストリップ線の大きさを減らすためにそのエッジに容量負
荷を利用した二つのヘアピン型共振器を示す。共振器(32.1)は、斯かる容量
を実現するために結合線を利用しており、また、共振器(32.2)は、直線状ス
ロット容量を有する共振器を示している。
【0072】 図33は、容量結合度を最大化するために、SFC形状のスロットで形成した
容量を有するヘアピン型共振器を示す。
【0073】 図34は、図33を発展させたものを示しており、そこでは容量のスロットを
成形するのにSFC幾何学形状を利用しているばかりではなくて、コンデンサの
電極を接続するマイクロストリップを成形するにしてもそれを利用している。
【0074】 図35は、二つの隣接する容量ギャップ(35.4)と並列接続されている中央
誘導(inducting)ストリップ(35.2)で形成した平行一次共振器を示す。当業者
には、この共振器はフィルターの一部として、或は、フィルターとして利用でき
るのは明らかであろう。
【0075】 図36は、プレーナーインダクター(36.1)と直列接続したプレーナーコン
デンサ(36.2)で形成した直列一次共振器を示しており、前記コンデンサは例
えば図16に示した如く形成されており、また、前記導電ストリップはSFC曲
線として成形されている。当業者には、この共振器はフィルターの一部として、
或は、フィルターとして利用できるのは明らかであろう。
【0076】 図37は、SFCコンデンサ(37.2)と並列接続した誘導ストリップ(37.
1)からなる並列プレーナー共振器の別の実施の形態を示す。この共振器の入力
ポートと出力ポートは、(37.2)と(37.3)である。当業者には、この共振器
はフィルターの一部として、或は、フィルターとして利用できるのは明らかであ
ろうし、また、二段以上の一次共振器を利用できるのも明らかであろう。
【0077】 図38は、SFC形状のギャップと、SFCストリップで形成した並列接続の
インダクターとを有するプレーナーSFCコンデンサからなる並列プレーナー共
振器の一例を示す。
【0078】 図36、図37、図38は、SFC曲線を利用したいくつかの集中共振器及び
疑似集中共振器を示している。図16に示したSFCによるコンデンサが、所望
の共振周波数を達成するために長さが調節できる金属ないし超伝導ストリップ(
36.1、37.1)に直列接続または並列接続されている。前記SFCコンデン
サと利用した斯かる金属ないし超伝導ストリップは、所望によっては、図36と
図38に示した如くのSFC曲線として成形しても良い。好ましい実施の形態で
は、この共振構造体は、マイクロストリップの特性ストリップ、ストリップライ
ンまたは並列板回路として同一平面に集積化することができる。別の実施の形態
では、前記共振構造体は、例えば表面実装装置(SMD)としてパッケージ化した
独立型部品として利用できる。当業者には、斯かる独立型部品派別の実施の形態
では、当該共振器を回路と同一平面に装着するか、または、フリップ・チップ実
装でなされているように別の平面に装着することによりプレーナー回路に近接接
続して利用できることは明らかであろう。
【0079】 図39は、フラクタルパターン(シェルピンスキー・カーペット、(39.1))
、フラクタルパターン(39.2)の平面反復、フラクタルパターン(39.3)の二
次元反復によりそれぞれ形成されたプレーナー、二次元、マイクロストリップパ
ッチ型共振器の三例を示している。図(39.1)はまた、そのデュアル共振モー
ドの利点を利用したこれらの共振器の考えられる用途の一例を示している。
【0080】 図40は、コッホ曲線に基づく閉空間充填曲線として成形したマイクロストリ
ップループ型共振器を示している。マイクロストリップないしストリップライン
リング共振器におけるが如く、この共振器の縮重(degenerate)モードは、プレー
ナーフィルターにおいて利用することができる。
【0081】 図41は、フラクタルコッホ曲線(41.1)に基づく空間充填ペリメータのマ
イクロストリップパッチを示す。この構造体の共振周波数を更に減少するには、
SFCペリメータのある穴を図(41.2)に示すようにパッチの内側に設けるこ
とができる。
【0082】 図39と図41とは、小型共振器を構築するためのSFC及びフラクタルによ
る構造体の別の実施の形態をそれぞれ示すものである。マイクロストリップない
しストリップラインパッチ型共振器は、図2を参照しながら説明したマイクロス
トリップとストリップライン伝送線のストリップと同じようにパターン化された
ソリッドな平坦アイランド様金属ないし超伝導構造体である。ここに、SFC及
びフラクタルの基づく構造体で斯かるパッチ型共振器の共振周波数を減少させる
新規な方法を説明する。好ましい実施の形態では、パッチのペリメータをSFC
ないしFSFC曲線(41.1)として成形する。所望によっては、SFCないし
FSFCペリメータ(41.2)のある中心穴を利用して、共振周波数を更に減少
しても良い。別の実施の形態では、シェルピンスキー・カーペットの如くのフラ
クタル表面パターンに基づく構造体を利用して、共振周波数を減少させても良い
(図39)。
【0083】 当業者には明らかなように、ここで開示したフラクタル及びSFCパッチ型共
振器(図39と図41)は、マルチモード態様で動作させることもできる。即ち、
最小限の共振構造体を有する多極フィルターを実現するために同一周波数で共振
する幾つかの縮重モードを利用することができる。この幾つかの縮重モードを連
結するには、パッチの幾何学形状を僅かだけ摂動させる(必ずしもこれに限られ
ないが、例えばコーナーの切削、切欠きないし小さいストリップの追加など)こ
とよりなる従来の技法を適用する。
【0084】 また、マルチモード共振器は、当業者には既に良く知られているように適当な
対称性を持たせた伝送線ループで構成することができる。例えば図8、図15、
図41に示した如くのSFC及びFSFCループを利用して、マルチモード小型
共振器を構築することができる。縮重モード間の結合は、前述の技法を利用する
ことで行える。
【0085】 別の好ましい実施の形態においては、SFC、フラクタルないしFSFC曲線
として成形した抵抗材製ストリップを誘電体基板上に蒸着することでSFC、フ
ラクタルないしFSFCネットワークを構成している。このような実施の形態に
おいては、前記曲線は閉ループを形成しないが、曲線の二つの先端が抵抗器の端
子を形成している。当業者には知られているように、金属ボンドを前記先端に付
けて、入力と出力の接続点を形成することができる。この抵抗器は、その他の回
路部品と共に従来公知の構成(例えばSMD部品)にパッケージ化しても良いし、
または、電気ないしマイクロ波回路に集積化しても良い。本発明で説明したSF
C及びその他の幾何学形状を利用すれば、抵抗値を増加させると共に、部品の寄
生リアクタンスを従来に比して小さく抑えることができる一方で、部品の大きさ
を劇的に減少できる利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 空間充填曲線の数例を示す。
【図2】 従来の伝送線の構成の数例とSFC伝送線の実施の形態の数例を
示す。
【図3】 SZ曲線として知られている空間充填曲線の集合を示す。
【図4】 ZZ曲線として知られている空間充填曲線の集合を示す。
【図5】 ペアノ曲線に基づく空間充填曲線の集合を示す。
【図6】 ペアノ曲線に基づく空間充填曲線の集合を示す。
【図7】 ミンコウスキー曲線に基づく空間充填曲線の集合を示す。
【図8】 図7に示した曲線の如くの幾つかの空間充填曲線を接続して構成
したループ曲線の二例を示す。
【図9】 ヒルバートZZ曲線として知られている空間充填曲線の集合の数
例を示す。
【図10】 本発明の真髄によるSFC曲線の例の用途を示す。
【図11】 SFC伝送線の特定の実施の形態を示す。
【図12】 SFC伝送線を四本のヒルバート曲線を直列接続して形成した
実施の形態を示す。
【図13】 従来の伝送線に負荷をかけるためにSFCを利用した例を示す
【図14】 従来の伝送線に幾つかの容量ギャップを設けた、図13の実施
の形態の変形例を示す。
【図15】 ギャップの容量を導電ストリップを増やすことで増加させた、
図14の実施の形態の変形例を示す。
【図16】 プレーナーコンデンサの物理構成を示す。
【図17】 図16のプレーナーコンデンサの容量を増加させる方法の一例
を示す。
【図18】 共振素子が直線状の半波マイクロストリップ伝送線で、入力ポ
ートと出力ポートとを共振線のエッジにおいて容量ギャップを結合した2ポート
型共振器を示す。
【図19】 図1と類似ではあるが、マイクロストリップラインをSFCパ
ターンに従って折り畳んだ2ポート型共振器を示す。
【図20】 幾つかのエッジ連結型半波直線マイク留守トリップライン共振
器からなるマイクロストリップフィルターを示す。
【図21】 図19に示した如くの幾つかの共振器のエッジを容量結合する
ことにより形成したフィルターを示す。
【図22】 梯子型低速波ラインの詳細図。
【図23】 図22に示したのと類似ではあるが、二本の平行ハンドル状ス
トリップの間にある直線状階段形ストリップを、コッホフラクタル曲線に基づく
SFC曲線のストリップに置換した梯子形低波ラインの詳細図。
【図24】 金属ストリップにSFC曲線に基づくスロットを形成した低波
伝送線の別の例を示す。
【図25】 シェルピンスキー・カーペットとして知られているフラクタル
に基づいてIFSアルゴリズムにならって生成したフラクタル様モティブでエッ
チングで形成した導電ストリップからなる低速波伝送線の別の例を示す。
【図26】 コプラナー伝送線におけるSFC曲線の用途の一例を示す。
【図27】 シェルピンスキー・カーペットとして知られているフラクタル
に基づいてIFSアルゴリズムにならって生成したフラクタル様モティブでエッ
チングで形成した導電ストリップからなる低速波案内構造体を示す。
【図28】 シェルピンスキー・カーペットに基づくフラクタル構造体とし
て成形したスロットが中央ストリップに形成されている低速波案内構造体の別の
例を示す。
【図29】 金属ストリップの中心部を除去し、いくつかの直線段部を、カ
ントール集合の如くのものよりもフラクタル寸法の小さい点のフラクタル分布に
従って形成されていると共に、前記フラクタル分布で段部に間の間隔が定まるよ
うにしている低速波案内構造体のまた別の例を示す。
【図30】 図29に示した低速波構造体ではあるが、カントール集合に基
づくフラクタル階段が、低速波案内構造体の中心ストリップにおいてスロット化
されている低速波構造体の相補形を示す。
【図31】 ヘアピン型フィルターを示す。これはライン共振器を折り畳ん
だ並列接続直線ラインフィルターを発展させたものである。
【図32】 マイクロストリップ線の大きさを減らすために、そのエッジに
容量負荷を用いた二種のヘアピン型共振器を示す。
【図33】 容量結合度を最大化するためにSFC形スロットで形成した容
量を有するヘアピン型共振器。
【図34】 容量のスロットを成形するばかりではなくて、コンデンサの電
極を接続するマイクロストリップを成形するにしてもSFC幾何学形状を利用し
ている、図33を発展させたものを示す。
【図35】 二つの隣接する容量ギャップ19.4と並列接続されている中
央誘導ストリップで形成した平行一次共振器を示す。当業者には、この共振器は
フィルターの一部として、或は、フィルターとして利用できるのは明らかであろ
う。
【図36】 プレーナーインダクターと直列接続したプレーナーコンデンサ
で形成し、前記コンデンサは例えば図16に示した如く形成されており、また、
前記導電ストリップはSFC曲線として成形された直列一次共振器を示す。当業
者には、この共振器はフィルターの一部として、或は、フィルターとして利用で
きるのは明らかであろう。
【図37】 SFCコンデンサと並列接続した誘導ストリップからなる並列
プレーナー共振器の別の実施の形態を示す。当業者には、この共振器はフィルタ
ーの一部として、或は、フィルターとして利用できるのは明らかであろうし、ま
た、二段以上の一次共振器を利用できるのも明らかであろう。
【図38】 SFC形状のギャップと、SFCストリップで形成した並列接
続のインダクターとを有するプレーナーSFCコンデンサからなる並列プレーナ
ー共振器の一例を示す。
【図39】 フラクタルパターン、フラクタルパターンの平面反復、フラク
タルパターンの二次元反復によりそれぞれ形成されたプレーナー、二次元、マイ
クロストリップパッチ型共振器の三例を示している。
【図40】 コッホ曲線に基づく閉空間充填曲線として成形したマイクロス
トリップループ型共振器を示している。
【図41】 フラクタルコッホ曲線に基づく空間充填ペリメータのマイクロ
ストリップパッチを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZW ),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU, TJ,TM),AE,AL,AM,AT,AU,AZ, BA,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,C R,CU,CZ,DE,DK,DM,EE,ES,FI ,GB,GD,GE,GH,GM,HR,HU,ID, IL,IN,IS,JP,KE,KG,KP,KR,K Z,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,MA ,MD,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ, PL,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI,S K,SL,TJ,TM,TR,TT,TZ,UA,UG ,US,UZ,VN,YU,ZA,ZW (72)発明者 フアン・マヌエル・オキャラハン・カステ ーリャ スペイン、エ−08029バルセロナ、ホセッ プ・タラデリャス15−41番 (72)発明者 エドゥアール・ジャン・ルイ・ロザン スペイン、エ−08029バルセロナ、ロレト 13ベ番−エントロ3 (72)発明者 ジャン・カルロス・コリャド・ゴメス スペイン、エ−08905オスピタレット・ デ・リョブレガート、ハルディン44−11番 (72)発明者 ヌリア・ドゥッフォ・ウベダ スペイン、エ−08006バルセロナ、フェラ ン・バルス・イ・タベルネル8−42番 Fターム(参考) 5J006 HB01 HB02 HB03 HB12 HB13 HB16 JA01 5J014 CA02

Claims (50)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 構成部品のうちの少なくとも一つが、少なくとも10個のつ
    ながったセグメントからなる空間充填曲線(以後、SFC)として成形されている
    ものであって、前記SFCのそれぞれのセグメントは、動作自由空間波長の10
    分の1よりも短く、かつ、隣接するつながったセグメントが他の直線セグメント
    を画成しないように表面に配置されており、前記セグメントはどれも、所望に応
    じて曲線の先端を省き、互いに交わることもなく、また、隣接するセグメントの
    対がなすコーナー画商網に応じて丸められているか、または、円滑になっている
    ことよりなる電磁波伝送線。
  2. 【請求項2】 構成部品のうちの少なくとも一つがフラクタル曲線として成
    形されているものであって、前記フラクタル曲線は、反復関数系(IFS)、マル
    チ縮小複写機(MRCM)またはネットワークド・マルチ縮小複写機(NMRCM)
    にならって形成されており、前記IFS、MRCM及びNMRCMアルゴリズム
    が、有限線形変換の特有な集合からなり、前記変換が、回転、翻訳、倍率、スキ
    ュー、鏡映の中から選ばれたものであり、前記変換の集合は、最初に、少なくと
    も一つの曲線からなる点A0の集合に適用して点A1の集合を得、次に、得られ
    た集合A1に適用して集合A2を得、これを動作波長の10分の1よりも大きい
    物理長さのフラクタル曲線を得るのに必要だ段数だけ集合Anが得られるまで繰
    り返すことよりなる電磁波伝送線。
  3. 【請求項3】 構成部品のうちの少なくとも一つがフラクタル空間充填曲線
    (FSFC)として成形されているものであって、前記FSFCは1よりも大きい
    ボックス・カウンティング寸法を有する曲線であり、前記ボックス・カウンティン
    グ寸法が、対数の対数グラフの直線部の勾配としてFSFCに渡り普通のように
    算出され、前記直線部が、対数の対数グラフの水平軸上の1オクターブの倍率以
    上の直線セグメントを意味することよりなる電磁波伝送線。
  4. 【請求項4】 構成部品のうちの少なくとも一つがヒルバート曲線か、また
    は、ペアノ曲線として成形されてなる電磁波伝送線。
  5. 【請求項5】 構成部品のうちの少なくとも一つがSZ曲線、ZZ曲線、ド
    ラゴン曲線、または、シェピンスキー曲線として成形されてなる電磁波伝送線。
  6. 【請求項6】 構成部品のうちの少なくとも一つが、コッホ曲線、ミンコウ
    スキー曲線、または、シェピンスキー曲線として成形されてなる電磁波伝送線。
  7. 【請求項7】 構成部品のうちの少なくとも一つが、請求項1、2、3、4
    、5、または、6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート
    曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバー
    トZZ曲線、ミンコウスキー曲線、シェピンスキー曲線として成形されてなる低
    速波伝送線または電磁波案内構造体。
  8. 【請求項8】 請求項1、2、3、4、5、または、6の記載のSFC曲線
    、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲
    線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミンコウスキー曲線、ま
    たは、シェピンスキー曲線の周期反復で形成した低速波伝送線または電磁波案内
    構造体。
  9. 【請求項9】 (a) 金属または超伝導接地面と、 (b) 前記接地面に平行な金属または超伝導ストリップと、 (c) 前記ストリップと前記接地面との間に所望に応じて設けられる誘電材製ス
    ラブの集合とからなり、 前記ストリップの少なくとも一部分が、請求項1、2、3、4、5、または、
    6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペアノ曲
    線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミ
    ンコウスキー曲線、または、シェピンスキー曲線として成形されてなるマイクロ
    ストリップ伝送線。
  10. 【請求項10】 (a) 二本の平行な金属または超伝導接地面と、 (b) 前記接地面の間に設けた金属または超伝導ストリップと、 (c) 前記ストリップと前記接地面との間に所望に応じて設けられる誘電材製
    スラブの集合とからなり、 前記ストリップの少なくとも一部分が、請求項1、2、3、4、5、または、
    6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペアノ曲
    線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミ
    ンコウスキー曲線、または、シェピンスキー曲線として成形されてなるストリッ
    プライン伝送線。
  11. 【請求項11】 (a) 同一平面に臨む、二本の平行な金属または超伝導接
    地ストリップと、 (b) 前記接地ストリップと同一平面に臨み、前記接地ストリップの間に配置さ
    れた金属または超伝導中央ストリップと、 (c) 前記接地ストリップと前記中央ストリップとを支える、所望に応じて設
    けられる誘電材製スラブの集合とからなり、 前記中央ストリップの少なくとも一部分が、請求項1、2、3、4、5、また
    は、6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペア
    ノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線
    、ミンコウスキー曲線、または、シェピンスキー曲線として成形されてなるコプ
    ラナー伝送線。
  12. 【請求項12】 (a) 金属ないし超伝導シールドと、 (b) 前記シールド内に設けた中央金属ないし超伝導ストリップないしワイヤと
    、 (c) 前記シールド内に所望に応じて設けられる誘電材とからなり、 前記中央ストリップないしワイヤの少なくとも一部分が、請求項1、2、3、
    4、5、または、6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバー
    ト曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバ
    ートZZ曲線、ミンコウスキー曲線、または、シェピンスキー曲線として成形さ
    れてなる同軸伝送線。
  13. 【請求項13】 (a) 二本の平行な金属ないし超伝導ストリップ、ワイヤ
    、または、板と、 (b) 前記ストリップ、ワイヤまたは板の間に所望に応じて配置する誘電材と
    からなり、 前記中央ストリップの少なくとも一部分が、請求項1、2、3、4、5、また
    は、6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペア
    ノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線
    、ミンコウスキー曲線、または、シェピンスキー曲線として成形されてなる平行
    板型伝送線。
  14. 【請求項14】 (a) 誘電材製スラブと、 (b) 前記スラブにえっちんくで形成され、前記スラブよりも誘電透過率(diele
    ctric permitivity)の大きい誘電体ストリップとからなり、 前記ストリップの少なくとも一部分が、請求項1、2、3、4、5、または、
    6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペアノ曲
    線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミ
    ンコウスキー曲線、または、シェピンスキー曲線として成形されてなる誘電体導
    波管。
  15. 【請求項15】 同一面に臨む二本の金属ないし超伝導ストリップからなり
    、前記ストリップが、請求項1、2、3、4、5、または、6に記載のSFC曲
    線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ
    曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミンコウスキー曲線、
    または、シェピンスキー曲線として成形されたスロットないしギャップにより区
    画されてなるスロットライン伝送線。
  16. 【請求項16】 請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11
    、12、13、または、14に記載の伝送線からなり、前記伝送線がその一端に
    開回路を有しており、前記伝送線の電気長が動作案内波長の4分の1よりも小さ
    いことよりなる分布コンデンサ。
  17. 【請求項17】 請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11
    、12、13、または、14に記載の伝送線からなり、前記伝送線がその一端に
    短絡回路を有しており、前記伝送線の電気長が、動作案内波長の4分の1の奇数
    よりも大きいことよりなるコンデンサ。
  18. 【請求項18】 二つのコプラナー金属ないし超伝導板からなり、該板の間
    の境界の少なくとも一部が、請求項1、2、または、3に記載のSFC曲線、F
    SFCまたはフラクタル曲線として成形されたギャップであることよりなるコン
    デンサ。
  19. 【請求項19】 二つのコプラナー金属ないし超伝導板からなり、該板の間
    の境界の少なくとも一部が、ヒルバート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線
    、ドラゴン曲線、ヒルバートZZ曲線、コッホ曲線、ミンコウスキー曲線、また
    は、シェルピンスキー曲線として成形さたギャップであることよりなるコンデン
    サ。
  20. 【請求項20】 請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11
    、12、13、または、14に記載の伝送線からなり、該伝送線がその一端に短
    絡回路を有しており、また、その伝送線の電気長が動作案内波長の4分の1より
    も小さいことよりなる分布インダクター。
  21. 【請求項21】 請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11
    、12、13、または、14に記載の伝送線からなり、該伝送線がその一端に開
    回路を有しており、また、その伝送線の電気長が動作案内波長の4分の1の奇数
    よりも大きいことよりなる分布インダクター。
  22. 【請求項22】 請求項1、2、または、3に記載のSFC曲線、FSFC
    またはフラクタル曲線として成形された金属ないし超伝導ストリップからなり、
    該ストリップは、マイクロストリップ、ストリップライン、コプラナー伝送線、
    または、SFCコンデンサの特有ストリップからなる平面に設けられてなる分布
    インダクター。
  23. 【請求項23】 ヒルバート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラ
    ゴン曲線、ヒルバートZZ曲線、コッホ曲線、ミンコウスキー曲線、または、シ
    ェルピンスキー曲線として成形された金属ないし超伝導ストリップからなり、該
    ストリップは、マイクロストリップ、ストリップライン、コプラナー伝送線、ま
    たは、SFCコンデンサの特有ストリップからなる平面に設けられてなる分布イ
    ンダクター。
  24. 【請求項24】 請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11
    、12、13、または、14に記載の伝送線からなり、その端部が短絡されてい
    るか、開放されているか、または、リアクタンス負荷に接続されてなり、接続部
    が前記伝送線に沿う一カ所に臨んでいることよりなる単ポート型分布電磁波共振
    器。
  25. 【請求項25】 請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11
    、12、13、または、14に記載の伝送線からなり、該伝送線が、その長さ方
    向に沿って一対の箇所にて入出力ポートと接続されていることよりなる2ポート
    型分布電磁波共振器。
  26. 【請求項26】 請求項24または25に記載の分布共振器からなり、概況
    新規が、その共振器の第1共振周波数よりも低い周波数で動作することよりなる
    リアクタンス素子。
  27. 【請求項27】 請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11
    、12、13、または、14に記載の伝送線のチェーンからなり、互いに隣接す
    る伝送線が直列接続されてなる分布電磁波共振器。
  28. 【請求項28】 請求項16または17と20、21、22、または23二
    期債の少なくとも一つの分布コンデンサと分布インダクターとからなる電磁波共
    振器。
  29. 【請求項29】 請求項24、25、27または28に記載の少なくとも一
    つの共振器からなる電磁波フィルター。
  30. 【請求項30】 請求項26に記載の少なくとも一つのリアクタンス素子か
    らなる電磁波フィルター。
  31. 【請求項31】 請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11
    、12、13、または、14に記載の伝送線として実現した伝送線と少なくとも
    一つのスタブからなり、前記スタブが前記伝送線の一カ所で並列接続されてなる
    マイクロ波フィルター。
  32. 【請求項32】 請求項16または17に記載の伝送線と少なくとも一つの
    分布コンデンサとからなるマイクロ波フィルター。
  33. 【請求項33】 請求項20または21に記載の伝送線と少なくとも一つの
    分布コンデンサとからなるマイクロ波フィルター。
  34. 【請求項34】 構成部品の少なくとも一つが、請求項1、2、3、4、5
    、または、6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線
    、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZ
    Z曲線、ミンコウスキー曲線またはシェピンスキー曲線として成形されてなるパ
    ッチ型共振器。
  35. 【請求項35】 そのペリメーターの少なくとも一部分が、請求項1、2、
    3、4、5、または、6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒル
    バート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒ
    ルバートZZ曲線、ミンコウスキー曲線またはシェピンスキー曲線として成形さ
    れてなるパッチ型マイクロストリップまたはストリップラインパッチ型共振器。
  36. 【請求項36】 内側及び外側ペリメーターを有し、前記両ペリメーターの
    少なくとも一部分が、請求項1、2、3、4、5、または、6に記載のSFC曲
    線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ
    曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミンコウスキー曲線ま
    たはシェピンスキー曲線として成形されてなるパッチ型マイクロストリップまた
    はストリップラインパッチ型共振器。
  37. 【請求項37】 請求項1、2、3、4、5、または、6に記載のSFC曲
    線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ
    曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミンコウスキー曲線ま
    たはシェピンスキー曲線として成形されてなるスロットを有するパッチ型共振器
  38. 【請求項38】 請求項1、2、3、4、5、または、6に記載のSFC曲
    線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ
    曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミンコウスキー曲線ま
    たはシェピンスキー曲線の反復により形成されたパッチ型共振器。
  39. 【請求項39】 請求項1、2、3、4、5、または、6に記載のSFC曲
    線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ
    曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミンコウスキー曲線ま
    たはシェピンスキー曲線の平面反復で形成されるパッチ型共振器。
  40. 【請求項40】 構成部品のうちの少なくとも一つが、請求項1、2、3、
    4、5、または、6に記載のSFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバー
    ト曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバ
    ートZZ曲線、ミンコウスキー曲線またはシェピンスキー曲線として成形されて
    なるプレーナー共振器。
  41. 【請求項41】 請求項34、35、36、38、39、または、40に記
    載の共振器からなる1ポート型分布電磁波共振器。
  42. 【請求項42】 請求項34、35、36、38、または、40に記載の共
    振器からなる2ポート型分布電磁波共振器。
  43. 【請求項43】 請求項41または42に記載の分布共振器からなり、前記
    共振器がその共振器の第1共振周波数よりも低い周波数で動作することよりなる
    リアクタンス素子。
  44. 【請求項44】 請求項41または42に記載の少なくとも一つの共振器か
    らなる電磁波フィルター。
  45. 【請求項45】 少なくとも一つの請求項43のリアクタンス素子からなる
    電磁波フィルター。
  46. 【請求項46】 請求項34、35、36、38、または、40に記載の少
    なくとも一つの共振器からなり、パッチの少なくとも一部分を除去、スロット化
    、または、電磁的の変形して幾つかの縮重共振モードを結合してなるマルチモー
    ドパッチ型共振器。
  47. 【請求項47】 金属ないし超伝導ストリップからなり、前記ストリップの
    少なくとも一部分が、SFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒルバート曲線
    、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZ
    Z曲線、ミンコウスキー曲線またはシェピンスキー曲線として成形されており、
    また、ループの少なくとも一部分を除去、スロット化、または、電磁的の変形し
    て幾つかの縮重共振モードを結合してなるマルチモードループ型共振器。
  48. 【請求項48】 金属ないし超伝導面にスロット形ループが設けられてなり
    、スロットの少なくとも一部が、SFC曲線、フラクタル曲線、FSFC、ヒル
    バート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒ
    ルバートZZ曲線、ミンコウスキー曲線またはシェピンスキー曲線として成形さ
    れており、また、ループの少なくとも一部分を除去、スロット化、または、電磁
    的の変形して幾つかの縮重共振モードを結合してなるマルチモードループ型共振
    器。
  49. 【請求項49】 少なくとも一つの誘電基板と、抵抗材からなるストリップ
    とからなり、前記ストリップが請求項1、2、または、3に記載のSFC曲線、
    FSFC、またはフラクタル曲線として成形されてなる抵抗器。
  50. 【請求項50】 少なくとも一つの誘電基板と、抵抗材からなるストリップ
    とからなり、前記ストリップがヒルバート曲線、ペアノ曲線、SZ曲線、ZZ曲
    線、ドラゴン曲線、コッホ曲線、ヒルバートZZ曲線、ミンコウスキー曲線また
    はシェピンスキー曲線として成形されてなる抵抗器。
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