JP2003510462A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 基材（２）を反応室（１）に加え、上記反応室（１）を炭素含有気体で置換し、基材（２）を一定温度まで加熱することにより、炭素が気相から基材（２）上で分離し且つそこにナノチューブを形成する接触ＣＶＤ法によって基材（２）上にナノチューブ層を生成する方法であって、基材（２）を誘導加熱することを特徴とする、方法。
【請求項２】 反応室（１）内に配置された金属または黒鉛のような電気伝導性材料のプレートによって構成されている基材取入れ口（６）に基材（２）を置き、この金属プレートの誘導加熱、場合によっては更に基材（２）の金属断片の誘導加熱により基材（２）を加熱する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】 ナノチューブ層を備えるようになる表面に金属積層を有する基材（２）を用いる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】 全体が金属または合金からなっている基材（２）を用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】 ガラス、セラミック、ケイ素、セルメット（Ｃｅｒｍｅｔ）、炭素などの非金属材料からなっている基材（２）を用い、反応室（１）を炭素含有気体で置換する前に、ナノチューブ層を備えるようになる基材（２）の表面に金属含有触媒をコーティングする、請求項２に記載の方法。
【請求項６】 触媒としてフェロセンのような有機遷移金属錯体を用いる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】 フェロセンをアセトン溶液に溶解し、このアセトン溶液をナノチューブ層を備えるようになる基材（２）の表面にコーティングする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】 炭素含有気体としてアセチレンを用いる、請求項１−７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】 内部に基材取入れ口（６）と、反応室（１）の気体を取入れまたは排出することができる気体入口（４）および気体出口（５）があり、反応室（１）全体の基材（２）上にナノチューブ層を生成する装置であって、交流電圧、特に高周波交流電圧で駆動可能なコイル（７）であって、その巻線が反応室（１）の外側にあり、且つ基材取入れ口（６）の領域でこれを取り巻いているコイルによって特徴付けられる、上記装置。
【請求項１０】 基材取入れ口（６）が、金属または黒鉛などのような電気伝導性材料のプレートにより構成されている、請求項９に記載の装置。