JP2004536448A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2004536448A5
JP2004536448A5 JP2002583702A JP2002583702A JP2004536448A5 JP 2004536448 A5 JP2004536448 A5 JP 2004536448A5 JP 2002583702 A JP2002583702 A JP 2002583702A JP 2002583702 A JP2002583702 A JP 2002583702A JP 2004536448 A5 JP2004536448 A5 JP 2004536448A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
perfluoroketone
carbon atoms
reactive gas
contacting
dielectric material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002583702A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004536448A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/841,376 external-priority patent/US6540930B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2004536448A publication Critical patent/JP2004536448A/ja
Publication of JP2004536448A5 publication Critical patent/JP2004536448A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (9)

  1. 4〜7個の炭素原子を有するペルフルオロケトンを含む反応性ガスに堆積物を接触させることを含む、蒸気反応器から堆積物を除去する方法。
  2. 4〜7個の炭素原子を有するペルフルオロケトンを含むガスに誘電体材料または金属材料を接触させることを含む、蒸気反応器中で誘電体材料または金属材料をエッチングする方法。
  3. 前記反応性ガスが酸素をさらに含む、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記反応性ガスがプラズマである、請求項1又は2に記載の方法。
  5. 前記ペルフルオロケトンが5〜7個の炭素原子を有する、請求項1又は2に記載の方法。
  6. 前記ペルフルオロケトンが、CF3CF2C(O)CF2CF3、CF3C(O)CF(CF32、CF3CF2C(O)CF(CF32、CF3(CF22C(O)CF(CF32、(CF32CFC(O)CF(CF32、ペルフルオロシクロペンタノン、ペルフルオロシクロヘキサノン、およびそれらの混合物からなる群より選択される、請求項1又は2に記載の方法。
  7. 前記誘電体材料または金属材料がシリコン系材料を含む、請求項に記載の方法。
  8. 前記ペルフルオロケトンが約10未満の地球温暖化係数を有する、請求項1又は2に記載の方法。
  9. 4〜7個の炭素原子を有するペルフルオロケトンを含む反応性ガスに材料を接触させることを含む、蒸気反応器中で材料をドーピングする方法。
JP2002583702A 2001-04-24 2002-03-14 蒸気反応器用のクリーニングガス、エッチングガス、およびドーピングガスとしてのペルフルオロケトンの使用 Pending JP2004536448A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/841,376 US6540930B2 (en) 2001-04-24 2001-04-24 Use of perfluoroketones as vapor reactor cleaning, etching, and doping gases
PCT/US2002/007509 WO2002086192A1 (en) 2001-04-24 2002-03-14 Use of perfluoroketones as vapor reactor cleaning, etching, and doping gases

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004536448A JP2004536448A (ja) 2004-12-02
JP2004536448A5 true JP2004536448A5 (ja) 2005-12-22

Family

ID=25284710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002583702A Pending JP2004536448A (ja) 2001-04-24 2002-03-14 蒸気反応器用のクリーニングガス、エッチングガス、およびドーピングガスとしてのペルフルオロケトンの使用

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6540930B2 (ja)
EP (1) EP1383939B1 (ja)
JP (1) JP2004536448A (ja)
KR (1) KR20030092096A (ja)
CN (1) CN1276124C (ja)
AT (1) ATE310838T1 (ja)
DE (1) DE60207544T2 (ja)
WO (1) WO2002086192A1 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6837250B2 (en) * 2002-02-27 2005-01-04 Air Products And Chemicals, Inc. CVD chamber cleaning using mixed PFCs from capture/recycle
DE10255988A1 (de) * 2002-11-30 2004-06-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer
TWI230094B (en) * 2003-01-14 2005-04-01 Desiccant Technology Corp Method for exhaust treatment of perfluoro compounds
US20050011859A1 (en) * 2003-07-15 2005-01-20 Bing Ji Unsaturated oxygenated fluorocarbons for selective aniostropic etch applications
US20060093756A1 (en) * 2004-11-03 2006-05-04 Nagarajan Rajagopalan High-power dielectric seasoning for stable wafer-to-wafer thickness uniformity of dielectric CVD films
US8791254B2 (en) * 2006-05-19 2014-07-29 3M Innovative Properties Company Cyclic hydrofluoroether compounds and processes for their preparation and use
US8193397B2 (en) * 2006-12-06 2012-06-05 3M Innovative Properties Company Hydrofluoroether compounds and processes for their preparation and use
US20100263885A1 (en) * 2009-04-21 2010-10-21 3M Innovative Properties Company Protection systems and methods for electronic devices
MX2011013039A (es) 2009-06-12 2012-02-21 Abb Technology Ag Medio de aislamiento dielectrico.
DE202009009305U1 (de) 2009-06-17 2009-11-05 Ormazabal Gmbh Schalteinrichtung für Mittel-, Hoch- oder Höchstspannung mit einem Füllmedium
CN102741987B (zh) 2010-02-01 2016-03-02 中央硝子株式会社 干蚀刻剂以及使用其的干蚀刻方法
JP5434970B2 (ja) 2010-07-12 2014-03-05 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング剤
RU2460717C2 (ru) * 2010-12-06 2012-09-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский научный центр "Прикладная химия" Способ получения перфторэтилизопропилкетона в реакторе идеального вытеснения
EP2652752B1 (en) * 2010-12-14 2015-09-30 ABB Technology AG Dielectric insulation medium
RU2553678C2 (ru) 2010-12-14 2015-06-20 Абб Рисерч Лтд Диэлектрическая изоляционная среда
CA2821158A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 Abb Technology Ag Dielectric insulation medium
FR2975820B1 (fr) * 2011-05-24 2013-07-05 Schneider Electric Ind Sas Melange de decafluoro-2-methylbutan-3-one et d'un gaz vecteur comme milieu d'isolation electrique et/ou d'extinction des arcs electriques en moyenne tension
JP2013030531A (ja) 2011-07-27 2013-02-07 Central Glass Co Ltd ドライエッチング剤
JP5953681B2 (ja) 2011-09-09 2016-07-20 イビデン株式会社 プリント配線板の製造方法
RU2494086C2 (ru) * 2011-10-10 2013-09-27 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) Способ получения перфторэтилизопропилкетона
WO2013087700A1 (en) 2011-12-13 2013-06-20 Abb Technology Ag Sealed and gas insulated high voltage converter environment for offshore platforms
US20160284523A1 (en) * 2013-03-28 2016-09-29 The Chemours Company Fc, Llc Hydrofluoroolefin Etching Gas Mixtures
TWI612182B (zh) 2013-09-09 2018-01-21 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 用蝕刻氣體蝕刻半導體結構的方法
JP2017022327A (ja) * 2015-07-15 2017-01-26 東京エレクトロン株式会社 自然酸化膜除去方法及び自然酸化膜除去装置
EP3421105A4 (en) * 2016-02-26 2019-10-30 Sinochem Lantian Co., Ltd. COMPOSITION COMPRISING A KETONE CONTAINING FLUORINE
CN106542981B (zh) * 2016-09-23 2022-05-20 天津市长芦化工新材料有限公司 全氟九碳酮的制备方法
CN106554262B (zh) * 2016-09-23 2022-05-20 天津市长芦化工新材料有限公司 全氟九碳酮及其应用
WO2018159368A1 (ja) 2017-02-28 2018-09-07 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング剤、ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2521594C2 (de) 1975-05-15 1984-03-15 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur Herstellung perfluorierter Ketone
JPH082893B2 (ja) 1991-04-16 1996-01-17 信越化学工業株式会社 パーフルオロ環状ケトン及びその製造法
JPH06163476A (ja) 1992-11-18 1994-06-10 Sony Corp ドライエッチング方法
US5466877A (en) 1994-03-15 1995-11-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for converting perfluorinated esters to perfluorinated acyl fluorides and/or ketones
US5925611A (en) * 1995-01-20 1999-07-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Cleaning process and composition
JP2904723B2 (ja) 1995-04-21 1999-06-14 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス
JPH1027781A (ja) 1996-07-10 1998-01-27 Daikin Ind Ltd エッチングガスおよびクリーニングガス
JP3141325B2 (ja) 1999-01-14 2001-03-05 工業技術院長 溶剤およびそれを用いる物品表面の清浄化方法
ES2230125T5 (es) 1999-07-20 2016-10-04 3M Innovative Properties Company Uso de cetonas fluoradas en composiciones extintoras de incendios
US6394107B1 (en) * 2001-04-24 2002-05-28 3M Innovative Properties Company Use of fluorinated ketones as wet cleaning agents for vapor reactors and vapor reactor components

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004536448A5 (ja)
ATE310838T1 (de) Verwendung von perfluorketonen als reinigungs-, ätz- und dotierungsgase für gasphasenreaktoren
JP2005507954A5 (ja)
WO2003077287A3 (en) Etching methods for a magnetic memory cell stack
CA2411174A1 (en) A process and apparatus for plasma activated deposition in a vacuum
JP2006293361A5 (ja)
EP0813233A3 (en) Method of etching a dielectric layer using a plasma generated from a mixture of fluorhydrocarbon gas, NH3-generating gas, and carbon-oxygen containing gas
EP1284305A3 (en) Copper film vapor phase deposition method and apparatus
TW200618104A (en) Post-etch treatment to remove residues
WO2004048257A3 (en) Method for forming carbon nanotubes
KR900001875A (ko) 금속에 의한 작은 관통구 충전 방법 및 그 방법을 실행시키기 위한 cvd장치
RU2007146762A (ru) Очистка материалов обработкой плазмой на основе водорода
JP2006148095A5 (ja)
TW200718802A (en) Method of using NF3 for removing surface deposits
JPH06507210A (ja) 炭素質材料上に窒化チタンを形成するための表面処理および蒸着方法
MY139113A (en) Methods of etching photoresist on substrates
WO1998036449A1 (fr) Gaz d'attaque et de nettoyage
CN109755123A (zh) 等离子体蚀刻方法
JP2005064302A5 (ja)
JPH10140151A (ja) ドライエッチング用ガス
EP1187170A3 (en) Plasma resistant quartz glass jig
Wang et al. Reaction mechanisms in both a CHF3/O2/Ar and CHF3/H2/Ar radio frequency plasma environment
JP2007530788A5 (ja)
CN109136842A (zh) 石墨烯薄膜及其制备方法
TW376329B (en) Adsorbent and method for removal of moisture from gaseous HCl