JP2016190780A - カーボンナノチューブ製造用基材およびカーボンナノチューブ製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 結晶化ガラス基材
3 触媒金属薄膜層
4 溶出防止膜層
Claims (12)
- カーボンナノチューブの成長用基材として用いられるカーボンナノチューブ製造用基材であって、
結晶化ガラス基材の表面に触媒金属薄膜層を備えて成るカーボンナノチューブ製造用基材。 - 前記結晶化ガラス基材は、アルカリ金属酸化物を含み、
前記結晶化ガラス基材表面と前記触媒金属薄膜層との間にアルカリ金属イオンの溶出を防止する溶出防止膜層をさらに備える、請求項1に記載のカーボンナノチューブ製造用基材。 - 前記溶出防止膜層が、SiO2、ZrO2、SnO2、TiO2、TiN、Al2O3の群から選択される少なくとも1種の材料を含むことを特徴とする、請求項2に記載のカーボンナノチューブ製造用基材。
- 前記溶出防止膜層が、結晶性金属化合物を含むことを特徴とする、請求項2または3に記載のカーボンナノチューブ製造用基材。
- 前記溶出防止膜層が、質量%でSiO2を60〜96%、Al2O3を4〜40%含有する組成を有することを特徴とする、請求項2〜4の何れか1項に記載のカーボンナノチューブ製造用基材。
- 前記溶出防止膜層の厚さが、50〜800nmであり、
前記結晶化ガラス基材は、主面の表面積が、15000mm2以上である板状を成し、
前記結晶化ガラス基材の厚さが、0.2〜5.0mmであることを特徴とする、請求項2〜5の何れか1項に記載のカーボンナノチューブ製造用基材。 - 前記結晶化ガラス基材の30〜380℃における熱膨張係数が−1〜12×10−7/℃であり、且つ
前記結晶化ガラス基材の30〜750℃における熱膨張係数が−1〜15×10−7/℃であることを特徴とする、請求項1〜6の何れか1項に記載のカーボンナノチューブ製造用基材。 - 前記結晶化ガラス基材が、組成として質量%で、SiO2 55〜75%、Al2O3 20.5〜27%、Li2O 2%以上、TiO2 1.5〜3%、TiO2+ZrO2 3.8〜5%、SnO2 0.1〜0.5%、V2O5 0〜1%を含有することを特徴とする、請求項1〜7の何れか1項に記載のカーボンナノチューブ製造用基材。
- 前記触媒金属薄膜層が、Fe、Co、Ni、Pt、Mo、Pdの群から選択される少なくとも1種の金属を含むことを特徴とする、請求項1〜8の何れか1項に記載のカーボンナノチューブ製造用基材。
- カーボンナノチューブの成長用基材として用いられるカーボンナノチューブ製造用基材であって、
アルカリ金属酸化物を含む結晶化ガラス基材の表面にアルカリ金属イオンの溶出を防止する溶出防止膜層を設けて成るカーボンナノチューブ製造用基材。 - 結晶化ガラス基材に触媒金属薄膜層を形成して成長用基材を得る触媒膜形成ステップと、
600℃超の温度雰囲気下で前記成長用基材上に炭素原料を含むガスを流通させてカーボンナノチューブを成長させる成長ステップとを備えることを特徴とする、カーボンナノチューブの製造方法。 - 前記結晶化ガラス基材は、組成としてアルカリ金属酸化物を含み、
前記結晶化ガラス基材表面に前記アルカリ金属酸化物の溶出防止膜層を形成する溶出防止膜形成ステップをさらに含み、
前記溶出膜形成ステップの後に前記触媒膜形成ステップを行うことを特徴とする、請求項11に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
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