JP2003506446A - パクリタキセルｃ−４メチルカーボネート類縁体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、１０−デアセチルバッカチンＩＩＩから、Ｒed−Ａlを用いる１０−デアセチルバッカチンのＣ−４位のアセテートの選択的還元により、パクリタキセルＣ−４メチルカーボネート類縁体を合成する方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 （発明の簡単な説明） 本発明は、１０−デアセチルバッカチンＩＩＩからのパクリタキセルＣ−４メ
チルカーボネート類縁体の合成に関する。

【０００２】 （背景技術と発明の概要） 本発明は、１０−デアセチルバッカチン（１０−ＤＡＢ）から出発する、式：

【化９】 で示される、パクリタキセルのＣ−４メチルカーボネート類縁体の合成および新
規抗腫瘍剤の製造に用いる中間体に関する。

【０００３】 式１の化合物は、４つの遠位部位腫瘍モデル、すなわち、Ｍ１０９ネズミ肺癌
腫；ＨＣＴ／pk ヒト結腸癌腫異種移植片（多種薬物抵抗性の腫瘍モデル）；Ｌ
２９８７ヒト肺癌腫異種移植片；およびＨＯＣ７９，臨床由来Ｔaxol（登録商標
）非反応性の卵巣癌腫異種移植片において、パクリタキセルより優れている。チ
ューブリン重合アッセイにおいて、化合物１の効力は、パクリタキセルの約２倍
である。式１の化合物の結晶は、代表的なタキサンビヒクル中、パクリタキセル
に比し、適度に高い溶解性を示し、従って、一般にパクリタキセルの投与の場合
より、用量当りのクレモフアー（cremophor）の少ない投与の可能性を示す。

【０００４】 以前、パクリタキセルのＣ−４メチルカーボネート類縁体（１）のオリジナル
合成には、下記反応式１に示されるように、シリルエーテルとしてＣ−２'およ
びＣ−７ヒドロキシル基の保護；Ｃ−２ベンゾエートおよびＣ−４アセテートの
加水分解；環状カーボネートとしてＣ−１およびＣ−２ヒドロキシル基の保護；
Ｃ−４メチルカーボネートの形成；該カーボネートの部分選択的開放によるＣ−
２ベンゾエートの設置；および保護基の脱離による化合物１の製造が必要であっ
た。

【０００５】 反応式１（従来技術）：パクリタキセルからの合成

【化１０】

【化１１】

【０００６】 条件： （ｉ）ＴＢＤＭＳＣl、イミダゾール、ＤＭＦ、４ｈ、９０％； （ii）ジイソプロピルジクロロシラン、イミダゾール、１２ｈ、ＭeＯＨ反応
抑制、８０％、ＩＰＡより晶出； （iii）トリトン（Ｔriton）−Ｂ、ＤＣＭ、−７０℃→０℃、４ｈ、クロマト
グラフィー、４０〜５０％； （iv）カルボニルジイミダゾール、ＴＨＦ、還流、４ｈ、クロマトグラフィー
、７５％； （ｖ）ＬＨＭＤＳ、ＣlＣＯＯＭe、ＴＨＦ、−７８℃→０℃、クロマトグラフ
ィー、８５％； （vi）ＰhＬi、−７８℃、ＴＨＦ、４５分、クロマトグラフィー、８５％； （vii）ＴＥＡ・３ＨＦ、ＴＨＦ、周囲温度、クロマトグラフィー、８０％。

【０００７】 しかしながら、このオリジナル合成は、小バッチ（＜２０ｇ）の製造には適す
るが、以下に示す理由（ａ）〜（ｄ）から、大きなＧＬＰおよびＧＭＰバッチの
化合物１を製造するのにスケール調整（scalable）できない。 （ａ）化合物４のトリトンＢ加水分解は、クロマトグラフィー精製後に、化合
物５を収率４０％で得る。この反応改善の試みは、うまくいかなかった。さらに
、種々の下記不純物９〜１２を同定するが、これらを結晶化またはクロマトグラ
フィーで除去するのが困難であった。

【０００８】 不純物

【化１２】

【化１３】

【０００９】 （ｂ）化合物６の環状カーボネートの合成は、５〜１０％の上記Ｎ−アシル不
純物１４を生むが、これを結晶化で除去するのが困難であった。 （ｃ）フェニルリチウムの化合物７による処理で、約１０％の上記Ｃ−１０デ
アセテート１５が生成し、この化合物は目的物と共に晶出した。 （ｄ）ほとんどの中間体の精製に、カラムクロマトグラフィーの追加工程が必
要であった。

【００１０】 化合物１の製造の合成ルートは、以前から開示されている［ＷＯ９４／１４７
８７；Ｃhenらの「Ｊ．Ｏrg．Ｃhem．」（５９（２１）、６１５６−６１５８頁
、１９９４年），“Ｃ−４位を変性した新規パクリタキセル（Ｔaxol）類縁体の
第１合成”；Ｃhenらの「Ｂioorg．Ｍed．Ｃhem．Ｌett．」（５（２２）、２４
７１−２４７６頁、１９９５年）），“新規Ｃ−４パクリタキセル（Ｔaxol、登
録商標）類縁体：効力ある抗腫瘍剤”参照］。しかしながら、これらの方法のい
ずれにも、１０−ＤＡＢから出発して、式１の化合物を製造する開示はない。さ
らに、本発明の合成は、Ｃ−１０アセチル化の前に、Ｒed−Ａlを用い１０−Ｄ
ＡＢのＣ−４位のアセテート基を還元脱離する方法を付与する。Ｃ−１０脱アセ
チル化副生成物が回避される。

【００１１】 （発明の詳細な説明） これらの欠点を解消する努力の結果、化合物１のより有利な合成を開発した。
この新規な合成は、容易に入手しうるパクリタキセル先駆物質１０−デアセチル
バッカチン（“１０−ＤＡＢ”）１６からの化合物１の合成を供給し、かつ下記
反応式２で詳細に記載される。

【００１２】 この新規方法において、１０−ＤＡＢのＣ−４カーボネート類縁体２１は、化
合物１の合成の基本中間体と見なされる。この新規合成の基本反応は、Ｒed−Ａ
lを用いるＣ−４アセテートの化学選択的（chemoselective）還元である。Ｕ.Ｓ
.特許Ｎo.５２７４１２４（Ｈolton）およびＵ.Ｓ.特許出願Ｎo.０７／９９５４
４３にそれぞれ記載の、β−ラクタムルートまたはオキサゾールベースカップリ
ング化学によって、Ｃ−１３のパクリタキセル・フェニルイソセリン側鎖を付加
することにより、式１の化合物を得る。

【００１３】 反応式２：１０−ＤＡＢからの合成 工程Ｉ：ジイソプロピルメトキシシリルエーテルとしてＣ−７、Ｃ−１０およ
びＣ−１３ヒドロキシル基の保護

【化１４】

【００１４】 工程ＩＩ：ジメチルシリルエーテルとしてＣ−１ヒドロキシル基の保護

【化１５】

【００１５】 工程ＩＩＩ：Ｃ−４アセテートの還元性脱離

【化１６】

【００１６】 工程ＩＶ：Ｃ−４メチルカーボネートの製造

【化１７】

【００１７】 工程Ｖ：シリルエーテルの脱保護

【化１８】

【００１８】 工程ＶＩ：シリルエーテルとしてＣ−７ヒドロキシルの選択的保護

【化１９】

【００１９】 工程ＶＩＩ：化学選択的Ｃ−１０アセチル化

【化２０】

【００２０】 工程ＶＩＩＩ：側鎖を付加にするカップリング反応

【化２１】

【００２１】 工程ＩＸ：最終脱保護、化合物１の製造

【化２２】

【００２２】 オキサゾール酸による一方のカップリングおよびその化合物１への変換

【化２３】

【００２３】 本発明の新規合成の使用は有利であるが、それは、出発化合物としてパクリタ
キセル自体よりも１０−ＤＡＢを用いる方が費用がかなり安くなるからである。
さらに、本発明の新規合成の化学は、側鎖を変性したＣ−４カーボネートシリー
ズにおける新しい抗腫瘍剤のスケールアップや合成を受け入れることができる。

【００２４】 次に実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する。かかる実施例は、本発
明の例示を目的とするもので、本発明の技術的範囲または精神の限定と解釈すべ
きでない。特許請求の範囲によって規定される、本発明の精神および技術的範囲
に属する、他の具体例が存在しうることも理解すべきである。

【００２５】 実施例 バッカチン誘導体１７の合成

【化２４】 無水Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（５００ml）中の１０−デアセ
チルバッカチン（１６）（４７.４ｇ、８７ミリモル）の溶液に、周囲温度でイ
ミダゾール（４７g、６９１ミリモル）を加える。透明溶液が見られるまで、溶
液を１０〜１５分間撹拌する。反応混合物に、ジイソプロピルジクロロシラン（
５８ml、３２２ミリモル）を滴下する。反応混合物を周囲温度で１６ｈ（時間）
撹拌する。

【００２６】 追加量のジイソプロピルジクロロシラン（６ml）を溶液に加え、反応液を６０
分間撹拌する。この時点のＨＰＬＣにより、反応の終了が認められる。混合物に
メタノール（３６ml）を加え、溶液を６０分間撹拌する。反応を停止し、ｔ−ブ
チルメチルケトン（ＴＢＭＥ）（５００ml）と水（２００ml）の混合物で希釈す
る。各層を分離し、有機相を塩水（２５０ml）で洗い、乾燥（硫酸ナトリウム）
し、蒸発して化合物１７（９１g、収率＞１００％）を白色非晶質化合物で得、
これを精製せずに次工程に用いる。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_５０Ｈ_８４Ｏ_１３Ｓi_３として） 計算値９７７、実測値９７７

【００２７】 （２）バッカチン誘導体１８の合成

【化２５】 ＤＭＦ（５００ml）中のバッカチン誘導体１７（９０g、９２ミリモル）の溶
液に、０℃でイミダゾール（２２g、３２０ミリモル）を加える。ジメチルクロ
ロシラン（３５ml、３２０ミリモル）を０℃で滴下する。この時点で、化合物の
沈殿が見られる。

【００２８】 反応混合物（スラリー）を０℃で０.５ｈ撹拌する。固体を濾別し、冷ＤＭＦ
（１５０ml×３）で洗う。風乾後、固体をＴＢＭＥ（７００ml）に再溶解し、溶
液を水（２００ml×３）、塩水（２５０ml）で洗い、乾燥（硫酸ナトリウム）す
る。溶液をショートシリカパッドで濾過する。溶媒を減圧除去して、化合物１８
を収率７７％（７０g）で得る。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_５０Ｈ_９０Ｏ_１３Ｓi_４として） 計算値１０３５、実測値１０３５

【００２９】 （３）バッカチン誘導体１９の合成

【化２６】 トルエン（６８０ml）中の化合物１８（６６.３g、６４ミリモル）の撹拌溶液
に−３４℃にて、Ｒed−Ａl（水素化ナトリウム・ビス（２−メトキシエトキシ
）アルミニウム／トルエンの６５重量％溶液、５０ml、１６０ミリモル）を１０
分にわたって滴下する。反応混合物を−２５℃まで加温し、１.５ｈ撹拌する。
反応混合物に内部温度を−２０〜−２５℃に保持しながら、メタノール（６２ml
）を滴下する。

【００３０】 溶液をＴＢＭＥ（５００ml）で希釈した後、１Ｎ水酸化ナトリウム溶液（６０
ml）および塩水（６０ml）を加える。溶液を３０分間撹拌する。混合物にセライ
ト（Ｃelite）（１２g）を加え、１０分間撹拌し、セライトパッドで濾過する。
各層を分離する。有機層を水、塩水で洗い、乾燥（硫酸ナトリウム）する。次に
、溶液をショートシリカパッドに通した後、溶媒を除去する。白色固体の化合物
を、収率９７％（６２g）で得る。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_５０Ｈ_８８Ｏ_１２Ｓi_４として） 計算値９９３、実測値９９３

【００３１】 （４）バッカチン誘導体２０の合成

【化２７】 アルゴン雰囲気下、無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（６００ml）中の化合
物１９（６２g、６２ミリモル）の溶液に、−６０℃にて、ＬＨＭＤＳ（リチウ
ム・ビス（トリメチルシリル）アミド）（ＴＨＦ中１Ｍ溶液、１２５ml、１２５
ミリモル）を滴下する。溶液を１５分間撹拌した後、クロロギ酸メチル（９ml、
１１６ミリモル）を加え；溶液の内部温度を−６０℃に維持する。

【００３２】 反応液を０℃までゆっくりと加温し、混合物を３ｈ撹拌する。反応の終了後、
飽和塩化アンモニウム（３００ml）を加える。反応混合物をＴＢＭＥ（１００ml
）で抽出する。有機層を飽和塩化アンモニウム（２００ml）、水（２００ml）、
塩水（２００ml）で洗い、乾燥（硫酸ナトリウム）し、蒸発して化合物２０を油
状物で得る（６７g、＞１００％）。この粗物質を精製せずに、次工程に用いる
。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_５２Ｈ_９０Ｏ_１４Ｓi_４として） 計算値１０５１、実測値１０５１

【００３３】 （５）バッカチン誘導体２１の合成

【化２８】 乾燥ＴＨＦ（２６０ml）中のバッカチン誘導体２０（６２g、５９ミリモル）
の溶液に、周囲温度でトリエチルアミン・フッ化水素酸複合体（５６ml、３４４
ミリモル）を加える。

【００３４】 反応液を３ｈ撹拌する。反応混合物を酢酸エチル（３５０ml）で希釈し、水（
２００ml）、塩水（２００ml）で洗い、乾燥（硫酸ナトリウム）し、蒸発して化
合物２１（４３g、粗収率＞１００％）を得る。この粗化合物を温酢酸エチル（
３５０ml）とヘキサン（５０ml）の混合物にスラリー化して、収率９１％で純化
合物２１を得る。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_２９Ｈ_３６Ｏ_１１として） 計算値５６０、実測値５６０

【００３５】 （６）バッカチン誘導体２２の合成

【化２９】 バッカチン２１（３２g、５７ミリモル）とイミダゾール（ＤＭＦ（２２０ml
）中、１１.７g、１７２ミリモル）の撹拌溶液に−６５℃にて、アルゴン下ジイ
ソプロピルジクロロシラン（２６.８ml）を加える。反応混合物の温度を−６０
℃に維持し、混合物を２ｈ撹拌する。反応の終了後（ＨＰＬＣ）、イミダゾール
／メタノール溶液（メタノール３５mlにイミダゾール１１.７gを溶解）を加え、
溶液を０℃で３０分間撹拌する。

【００３６】 混合物をＴＢＭＥ（５００ml）で抽出する。有機相を水（１５０ml×４）で洗
い、乾燥（硫酸ナトリウム）し、蒸発して粗化合物２２（４５g）を得る。粗物
質をさらにアセトニトリル（１５０ml）に溶解し、溶液をヘキサン（１００ml×
３）で洗う。アセトニトリルの除去により、純化合物２２を白色固体で得る（３
４g、収率８４％）。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_３６Ｈ_５２Ｏ_１２Ｓiとして） 計算値７０４、実測値７０４

【００３７】 （７）バッカチン誘導体２３の合成

【化３０】 ＤＭＦ（２００ml）中のバッカチン誘導体２２（３３.２g、４７ミリモル）の
溶液に、−４３℃にてＬＨＭＤＳ（６１.２ml、６１.２ミリモル）を滴下する。
反応液を１５分間撹拌した後、無水酢酸（５.８ml、６３ミリモル）を加える。
反応液を−４０℃で３０分間撹拌する。酢酸（３.６ml）を加え、冷却浴を取除
く。

【００３８】 反応混合物をＴＢＭＥ（３００ml）で抽出する。有機層を分離し、水（１５０
ml×３）、塩水（１５０ml）で洗い、乾燥（硫酸ナトリウム）し、蒸発して粗生
成物を得る。この化合物の精製を、ＴＨＦ／ヘプタン（１：６）混合物からの結
晶化で行なう。４０ｇの投入量で、２１ｇの結晶化バッカチン誘導体２３を得る
（収率６０％）。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_３８Ｈ_５４Ｏ_１３Ｓiとして） 計算値７４６、実測値７４６

【００３９】 （８）パクリタキセル誘導体２５の合成

【化３１】 アルゴン雰囲気下、ＴＨＦ（６５ml）中のバッカチン誘導体２４（１９g、２
５.５ミリモル）の撹拌溶液に−５５℃にて、ＬＨＭＤＳ（ＴＨＦ中１Ｍ溶液、
３２ml）を加える。溶液を−３７℃で１０分間撹拌後、反応混合物に、β−ラク
タム２４（１０.４g、３０.６ミリモル）／ＴＨＦ（２５ml）の溶液を加える。

【００４０】 反応混合物を０℃に加温し、６０分間撹拌する。反応の終了後（ＨＰＬＣで確
認）、pＨ７のリン酸塩緩衝剤（１７ml）を加えた後、重炭酸ナトリウムの２０
％溶液（５４ml）を加える。反応混合物を酢酸エチルで抽出する。有機層を水、
塩水で洗い、乾燥（無水硫酸マグネシウム）して、粗カップリング生成物を得る
。化合物を結晶化（ヘプタン／ＩＰＡ（４：６）の混合物から）で精製して、２
１.８ｇの純生成物の化合物２５（７７％）を得る。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_５７Ｈ_７２ＮＯ_１７Ｓiとして） 計算値１０７１、実測値１０７１

【００４１】 化合物（１）の製造

【化３２】 パクリタキセル誘導体２５／酢酸の溶液（６９ml）に、周囲温度でトリフルオ
ロ酢酸／酢酸の溶液（１２０mlの水および６９mlの酢酸に２３.４gのトリフルオ
ロ酢酸を溶解して調製した１ミリモル溶液、３９ml）を加える。反応混合物を１
７ｈ撹拌し、４０％酢酸ナトリウム水溶液（６当量）で反応を抑える。反応液を
２０分間撹拌した後、ジクロロメタン（２００ml）および水（５０ml）を加える
。

【００４２】 二相混合物を２０分間撹拌してから、有機層を分離する。有機層を水（１００
ml×３）で洗い、乾燥（硫酸マグネシウム）し、蒸発して６.９gの粗生成物を得
る。粗物質のエタノール／ヘプタン（１：１）からの結晶化で、４.２g（７６％
）の標記化合物を得る。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_４７Ｈ_５１ＮＯ_１５として） 計算値８６９、実測値８６９ 元素分析（Ｃ_４７Ｈ_５１ＮＯ_１５として） 計算値：Ｃ６４.８９、Ｈ５.９１、Ｎ１.６１ 実測値：Ｃ６４.７９、Ｈ５.８２、Ｎ１.５４

【００４３】 オキサゾール中間体経由の他のカップリング操作：パクリタキセル誘導体２７
の製造 トルエン（１３０ml）中のバッカチン誘導体２３（１３.２g、１７.６ミリモ
ル）の溶液に、周囲温度で４−ジメチルアミノピリジン（３.２４g、２６ミリモ
ル）、オキサゾール酸２６（５.６７g、２１.２ミリモル）および１,３−ジシク
ロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）（５.４７g、２６ミリモル）を加える。

【００４４】 反応混合物（スラリー）を３ｈ撹拌した後、酢酸（２.１ml）を加え、さらに
４５分間撹拌する。混合物を酢酸エチル（２００ml）で希釈し、塩水、０.１Ｎ
塩酸、重炭酸ナトリウムで洗い、乾燥（硫酸マグネシウム）し、蒸発して粗化合
物２７を得る。２５％水性イソプロパノールからの結晶化で精製を行なう。１８
ｇの投入量で、１５.８ｇの純生成物を得る（収率８６％）。 ＥＳＩＬＲＭＳ Ｍ^＋（Ｃ_５４Ｈ_６５ＮＯ_１５Ｓiとして） 計算値９９６、実測値９９６

【００４５】 化合物２７の化合物１への変換： 酢酸（１２３ml）中のオキサゾール化合物２７（１４.４g、１４.４ミリモル
）の溶液に、周囲温度でトリフルオロ酢酸／酢酸の溶液（７.２mlのトリフルオ
ロ酢酸／２９mlの酢酸）および水（２８ml）を加える。反応混合物を１８ｈ撹拌
後、酢酸ナトリウム（８.３g）および水（３０ml）を加える。

【００４６】 溶液を５分間撹拌してから、ジクロロメタン（１４０ml）および水（９５ml）
を加える。有機層を分離し、水（１５０ml）で洗い、フラスコに移す。撹拌溶液
にトリエチルアミン（２５ml）を加え、その間、反応液の内部温度を２０〜２５
℃に保持する。反応混合物を４５分間撹拌する。硫酸（２１ml）および水（２０
９ml）を加え、有機層を分離し、水、塩水で洗い、乾燥（硫酸マグネシウム）し
、蒸発して１２.２gの標記化合物を得る（収率９７％）。上述の結晶化で精製を
行なう。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ， ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4C048 TT08 XX02 4H049 VN01 VP01 VP04 VQ03 VQ24 VR22 VR42

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １０−デアセチルバッカチンからパクリタキセルのＣ−４メ
   チルカーボネート類縁体を合成する方法であって、 （ａ）１０−デアセチルバッカチンから、還元剤を用いてＣ−４アセテートの
   還元性脱離を行った後、Ｃ−４ヒドロキシル基にメチルカーボネートを付加する
   ことにより、１０−デアセチルバッカチンのＣ−４メチルカーボネート類縁体を
   製造し； （ｂ）Ｃ−７ヒドロキシル基をジアルキルジアルキルオキシシラン保護基で選
   択的に保護し； （ｃ）Ｃ−１０ヒドロキシル基をアセチル化し； （ｄ）Ｃ−１３ヒドロキシル基にパクリタキセル側鎖をカップリング反応させ
   ；次いで （ｅ）上記Ｃ−７のシリルエーテル保護基を脱保護する 工程から成ることを特徴とする合成法。
2. 【請求項２】 製造工程（ａ）が、 （ｉ）１０−デアセチルバッカチンのＣ−７、Ｃ−１０およびＣ−１３ヒドロ
   キシル基を、ジアルキルジアルキルオキシシラン保護基で保護し； （ii）Ｃ−１ヒドロキシル基をジメチルシリルエーテルとして、ジアルキルク
   ロロシリル保護基で保護し； （iii）Ｃ−アセテート基を還元剤で化学選択的に還元し； （iv）Ｃ−４ヒドロキシル基にメチルカーボネート基を付加し；次いで （ｖ）Ｃ−１、Ｃ−７、Ｃ−１０およびＣ−１３の保護ヒドロキシル基を脱保
   護して、式： 【化１】 のＣ−４メチルカーボネート−１０−デアセチルバッカチンを形成する 工程からなる請求項１に記載の合成法。
3. 【請求項３】 還元剤がＲed−Ａlである請求項２に記載の合成法。
4. 【請求項４】 ジアルキルジクロロシラン保護基がジイソプロピルシリルジ
   クロリドである請求項３に記載の合成法。
5. 【請求項５】 式： 【化２】 で示される化合物。
6. 【請求項６】 式： 【化３】 で示される化合物。
7. 【請求項７】 式： 【化４】 で示される化合物。
8. 【請求項８】 式： 【化５】 で示される化合物。
9. 【請求項９】 式： 【化６】 で示される化合物。
10. 【請求項１０】 式： 【化７】 で示される化合物。
11. 【請求項１１】 式： 【化８】 で示される化合物。