JP2003505849A - 有機エレクトロルミネセンス装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネセンス装置

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JP2003505849A JP2001512652A JP2001512652A JP2003505849A JP 2003505849 A JP2003505849 A JP 2003505849A JP 2001512652 A JP2001512652 A JP 2001512652A JP 2001512652 A JP2001512652 A JP 2001512652A JP 2003505849 A JP2003505849 A JP 2003505849A
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ピーター ジー ホフストラ
アレクセイ クラスノフ
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ラクセル テクノロジーズ インク
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、装置からの全反射率を減らす光干渉部材を有する新規の有機エレクトロルミネセンス装置を提供する。本発明は、アノードとエレクトロルミネセンス層とカソードとを有する電流駆動式有機ディスプレイに特に適しており、そこでは、少なくとも１つの光干渉部材が該２層の間に置かれており、その結果、該ディスプレイを励磁するために必要な電気回路の一部を形成する。該光干渉部材は、少なくとも一部の該ディスプレイに入射する周辺光の弱め合う光学的干渉を引き起こす厚さを有するように選択される。加うるに、該光干渉部材の材料は、該アノード、該カソード、および該エレクトロルミネセンス層に関係した該光干渉部材の位置に応じて、該エレクトロルミネセンス層の最も高い被占有分子軌道または最も低い未占有分子軌道に対し互換性のある仕事関数を有するように選択される。材料を適切に選択することで、本装置を通る適当な電流の流れを確実にすることができ、その結果、該有機エレクトロルミネセンス層の電気的破壊の恐れを減らし、また、本装置の全エネルギー効率を改善する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、一般にエレクトロルミネセンス装置に関し、より詳細には、周辺光
からの反射率を減らす薄膜光干渉層を有する有機エレクトロルミネセンス装置に
関する。
【０００２】 （従来技術） エレクトロルミネセンス装置（ＥＬＤ）は、周知のものであり、一般に、数層
の相異なる材料から作られる。これらの層は、通常、透明な前部電極層とエレク
トロルミネセンス層と裏側電極層とから成る。これらの電極間に電圧を印加する
と、エレクトロルミネセンス層が活性になり、そこを通過する電気エネルギーの
一部を光に変換する。その後、この光は、放出される光に対し透明な前部電極を
介して放出されるが、そこで、その光は装置の利用者の目に見えるものとなる。
【０００３】 エレクトロルミネセンス装置は、特にコンピュータディスプレイとして有用で
ある可能性があり、コンピュータ、ならびに信頼性の高さ、軽量、および低消費
電力のような特徴が重要となる軍用、航空電子工学、および航空宇宙のようなそ
の他要求の厳しい用途で使用される電子装置用の高品質ディスプレイとして一般
に認識されている。エレクトロルミネセンスディスプレイは、それらがブラウン
管（”ＣＲＴ”）および液晶ディスプレイ（”ＬＣＤ”）のような他のディスプ
レイよりも優れたある種の利益を与えるので、自動車、パーソナルコンピュータ
、およびその他消費財産業において、それらの品質が認められている。
【０００４】 エレクトロルミネセンスディスプレイの１つの特徴は、層の間に薄膜を追加し
て、ディスプレイの特性を変えられることである。エレクトロルミネセンスディ
スプレイで薄膜を使用して、信号対反射された周辺光の比（”ＳＲＡ”）および
コントラスト比（”ＣＲ”）のような選択されたディスプレイ特性を改善するこ
とが知られている。更に明確にするために、信号対反射された周辺光の比は以下
のように定義することができる。
【数１】 ＳＲＡ＝Ｌem／（Ｒ×Ｌamb） 尚、上式中、 ＳＲＡ＝信号対反射された周辺光の比 Ｌem＝装置の放出輝度 Ｒ＝装置の反射率 Ｌamb＝周辺照度、すなわちディスプレイに入射した周辺光 とし、 更に、ピクセル形成された装置では、コントラスト比を以下のように定義するこ
とができる。
【数２】 ＣＲ＝（Ｌon＋Ｒ×Ｌamb）／（Ｌoff＋Ｒ×Ｌamb） 尚、上式中、 ＣＲ＝コントラスト比 Ｌon＝活性または「オン」ピクセルの放出輝度 Ｌoff＝不活性または「オフ」ピクセルの放出輝度 Ｒ＝装置の反射率 Ｌamb＝周辺照度すなわちディスプレイに入射した周辺光 である。
【０００５】 エレクトロルミネセンス装置におけるコントラスト比を改善するために使用で
きる薄膜層の１つの特定のタイプは、米国特許第５，０４９，７８０号［Dobrow
olski］で教示されるようなエレクトロルミネセンス装置の一つ以上の層の間に
置かれた実質的に透明な光干渉層である。当業者に明らかになるように、エレク
トロルミネセンス装置のコントラスト比に対する改善は、一般に望ましいもので
あり、不十分なコントラストとグレアが深刻な結果をもたらすことがある航空電
子工学および軍用の用途において特に重要である。弱め合う干渉の原理を使用す
ると、光干渉層では、二つ以上の位相が異なる電磁波の重ね合わせにより周辺光
の振幅を減少させるが、これらの電磁波は、薄膜層の界面における反射および／
または透過により発生する可能性がある。適切な層の厚さを選択することにより
、対象の電磁波長における光の弱め合う干渉（通常、ディスプレイから反射され
た可視周辺光波）は、例外的なコントラスト比および／または信号対反射された
周辺光の比を生じる可能性がある。
【０００６】 Dobrowolskiは、全般的に電圧駆動式無機エレクトロルミネセンス装置を対象
にしたものであり、同装置では、エレクトロルミネセンス層が無機材料から形成
されており、また、同装置は、通常、無機エレクトロルミネセンス層の電気的破
壊を減らすために一つ以上の追加の透明誘電体層を必要とする。そのような無機
エレクトロルミネセンス装置は、通常、電圧で駆動され、装置内での電荷の蓄積
を減らすために交流（”ａｃ”）を用いて電力供給を受ける。Dobrowolskiでは
、全般的に、透明誘電体層の無い直流（”ｄｃ”）エレクトロルミネセンス装置
の使用を意図しているが、そのような無機装置は、依然として電圧で駆動され、
また、一般的には、エレクトロルミネセンス層の電気的破壊が発生し易い。
【０００７】 電圧駆動式無機エレクトロルミネセンス装置に比べ、ある種の効果（色彩の改
善、必要な駆動電圧を減らすために電流の流れに対する障害を減らすことなど）
が得られる最近の電流駆動式有機エレクトロルミネセンス装置の出現で、現在、
これらの有機装置のコントラスト比および／または信号対周辺光の比を改善する
必要性が存在しており、更に、従来技術ではこの必要性に取り組むための好適な
光干渉エレクトロルミネセンス装置を教示していないということが分かる。
【０００８】 （発明の開示） したがって、本発明の目的は、従来技術における不都合の少なくとも１つを未
然に防ぐか軽減する新規の有機エレクトロルミネセンス装置を提供することであ
る。
【０００９】 本発明の一実施態様では、本装置の前のビューアに対し画像を表示し、アノー
ド層と、カソード層を含み、該アノード層および該カソード層の少なくとも一方
が、放出されるエレクトロルミネセンス光の少なくとも一部分に対し実質的に透
明であり、該アノード層と該カソード層との間に配置された少なくとも１つの有
機エレクトロルミネセンス層を含み、該エレクトロルミネセンス層が、該エレク
トロルミネセンス層の最も高い被占有分子軌道から電子を引き出すために必要な
エネルギー量である第１エネルギー特性と、該エレクトロルミネセンス層の最も
低い未占有分子軌道から電子を引き出すために必要なエネルギー量である第２エ
ネルギー特性とを有し、該２層の間に配置されており、光干渉部材が該アノード
と該エレクトロルミネセンス層との間に在る場合、該第１エネルギー特性に実質
的に等しい仕事関数を有し、また、該光干渉部材が該カソードと該エレクトロル
ミネセンス層との間に在る場合、該第２エネルギー特性に実質的に等しい仕事関
数を有する、少なくとも１つの該光干渉部材を含み、該光干渉部材が、該ビュー
アへ向かう該エレクトロルミネセンス装置による周辺光の反射率が減るように該
エレクトロルミネセンス装置のスペクトル反射率が変更されるような厚さおよび
材料のものであることを特徴とする、該光干渉エレクトロルミネセンス装置が提
供される。
【００１０】 本発明の別の実施態様では、選択されたスペクトルの光を放出し、アノード層
とカソード層とを含むエレクトロルミネセンス装置が提供され、同装置において
、該アノード層および該カソード層の一方は、該エレクトロルミネセンス装置に
より放出される該選択されたスペクトルの少なくとも一部分に対し実質的に透明
である。本エレクトロルミネセンス装置は、該アノード層と該カソード層との間
に有機エレクトロルミネセンス層を更に含み、該エレクトロルミネセンス層は、
該アノード層に関わる最も高い被占有分子軌道を有し、また、該カソード層に関
わる最も低い未占有分子軌道を有する。本装置は、選択された仕事関数を有して
おり該透明層を介して反射される周辺光を減らすように動作可能である光干渉部
材を更に含み、該光干渉部材は、該エレクトロルミネセンス層と、該アノード層
および該カソード層の一方との間に在り、同装置において、該選択された仕事関
数と、それぞれの分子軌道から電子を引き出すために必要なエネルギーレベルと
の差はゼロに近くなる。
【００１１】 本発明の別の実施態様では、 アノード層を基板上に蒸着するステップと、 有機エレクトロルミネセンス層を該アノード上に蒸着するが、該エレクトロル
ミネセンス層がアノードサイドに関連する第１エネルギー特性とカソードサイド
に関連する第２エネルギー特性とを有するものである、ステップと、 光干渉部材を該エレクトロルミネセンス層上に蒸着するが、該光干渉部材がビ
ューアへ向かう周辺光の反射率を減らすためのものであり、該光干渉部材が該第
２エネルギー特性に実質的に等しい仕事関数を有するものである、ステップと、 カソード層を該光干渉部材上に蒸着するステップと、 装置を密封するステップとを含むことを特徴とする、 該装置の前の該ビューアに対し画像を表示するエレクトロルミネセンス装置を
製造する方法が提供される。
【００１２】 本発明の別の実施態様では、 アノード層を基板上に蒸着するステップと、 光干渉部材を該アノード上に蒸着するが、該光干渉部材がビューアへ向かう周
辺光の反射率を減らすためのものであり、該光干渉部材が仕事関数を有する、ス
テップと、 有機エレクトロルミネセンス層を該干渉部材上に蒸着するが、該エレクトロル
ミネセンス層が該エレクトロルミネセンス層から電子を引き出すために必要なエ
ネルギー量であるエネルギー特性を有しており、該エネルギー特性が該仕事関数
に実質的に等しいものである、ステップと、 カソード層を該エレクトロルミネセンス層上に蒸着するステップと、 装置を密封するステップとを含むことを特徴とする、 該装置の前の該ビューアに対し画像を表示する該エレクトロルミネセンス装置
を組み立てる方法が提供される。
【００１３】 本発明の別の実施態様では、 アノードとカソードとの間の有機エレクトロルミネセンス層から光を放出する
が、前記エレクトロルミネセンス層が前記アノードに関わる第１エネルギー特性
と、前記カソードに関わる第２エネルギー特性とを有する、ステップと、 前記エレクトロルミネセンス層へ向かって入射する周辺光を受光するステップ
と、 光干渉部材の入射面において前記周辺光から弱め合う干渉を形成するが、前記
光干渉部材が、選択された仕事関数を有しており、また、前記エレクトロルミネ
センス層と、前記アノードおよび前記カソードの一方との間に配置されており、
前記仕事関数とそれぞれのエネルギー特性との差がゼロに近くなる、ステップと
を含むことを特徴とする、 ビューアに対し画像を表示する方法が提供される。
【００１４】 少なくとも１つの光干渉部材の材料を適切に選択することで、本装置を通る適
当な電流の流れを確実にしており、その結果、該有機エレクトロルミネセンス層
の電気的破壊の恐れを減らし、本装置の全エネルギー効率を改善する一方、それ
でもビューアへ向かう反射率を減らしている。
【００１５】 （発明を実施するための最良の形態） ここで図１を参照すると、本発明の第１実施態様によるエレクトロルミネセン
ス装置が全体として１０で示される。装置１０は、エレクトロルミネセンス透過
アノード１２と、アノード１２の後に配置されたエレクトロルミネセンス層１４
と、エレクトロルミネセンス層１４の後に配置された光干渉部材１６と、干渉部
材１６の後に配置されたカソード１８とを含む。装置１０は、装置１０に定電流
を押し流すことができるように、アノード１２およびカソード１８を経由して電
流源２０に接続される。
【００１６】 エレクトロルミネセンス透過アノード１２は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ
）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ）のような放出されたエレクトロルミネセンス光の
少なくとも一部分に対し透明な何らかの導電性材料である。本実施態様において
、アノード１２は、好適には約１５００オングストローム（１５００Å）の厚さ
を有する一層のインジウムスズ酸化物である。
【００１７】 また、エレクトロルミネセンス透過アノード１２は様々な厚さを有するものに
することが可能であり、例えば、約１０００オングストローム（１０００Å）乃
至約３０００オングストローム（３０００Å）、または約１２００オングストロ
ーム（１２００Å）乃至約２０００オングストローム（２０００Å）の範囲に入
るものにすることができることは理解することができる。
【００１８】 エレクトロルミネセンス層１４は、層１４の最も低い未占有分子軌道（”ｌｕ
ｍｏ”）から電子が離脱するときに光の光子が放出され、そこでそれらの電子が
層１４の最も高い被占有分子軌道（”ｈｏｍｏ”）の正孔と結合する、トリス（
８−キノリノラートアルミニウム）（Ａｌｑ３）またはポリ（ｎ−ビニルカルボ
ザーレ）（ＰＶＣZ）のような有機エレクトロルミネセンス材料である。したが
って、エレクトロルミネセンス層１４を通る電流の流れは、光の放出を引き起こ
すことができる。本実施態様において、層１４は、好適にはトリス（８−キノリ
ノラートアルミニウム）から作製されるものであり、好適には約１０００オング
ストローム（１０００Å）の厚さを有するが、当業者ならば、この層の他の適切
な厚さを選択することができるであろう。トリス（８−キノリノラートアルミニ
ウム）の電気特性を熟知している者に知られているように、最も高い被占有分子
軌道から電子を引き出すために必要なエネルギー、ＥHOMOは、約５．４電子ボル
トであり、これは、層１４の表面から電子を引き出すために必要なエネルギー、
すなわち層１４の仕事関数としても説明することができる。更にまた、トリス（
８−キノリノラートアルミニウム）の最も低い未占有分子軌道から電子を引き出
すために必要なエネルギーは、約３．０電子ボルトであり、これは、ＥLUMOと呼
ぶことができる。故に、トリス（８−キノリノラートアルミニウム）のＥHOMOと
ＥLUMOとの差は、約２．４電子ボルトになる。本発明の他の実施態様では、ＥHO MO とＥLUMOとの差が、約１．５電子ボルト乃至約３．０電子ボルトの範囲に入り
、その範囲が可視光のスペクトルにわたるものとなるように、他の有機材料を選
択することは可能である（換言すると、材料の選択、またはドーパントを用いて
の材料の変更による）。
【００１９】 本実施態様において、光干渉部材１６は、半吸収性層１６ａと透明層１６ｂと
を含む。半吸収性層１６ａは、部分的に反射性であり、部分的に吸収性であり、
更に可視スペクトルの光について部分的に透過性であり、また、本実施態様にお
いて、約１８５オングストローム（１８５Å）の厚さを有するマグネシウム銀（
Ｍｇ：Ａｇ）から作製される。他の好適な材料は、ＩｎｃｏｎｅｌTM、ニッケル
（Ｎｉ）、チタン、または好適な有機材料を含むものにすることができ、そのよ
うな層の適切な厚さは、当業者が決定することができる。材料の消衰係数とその
厚さは、予め選択した波長における層１６ａからの反射が光干渉を無視して好適
には少なくとも約３５％になり、残りの光エネルギーが透過または吸収されて熱
の形態で散逸されるように選択すべきである。同様に、予め選択した波長におけ
る層１６ａの透過は、光干渉を無視して、好適には少なくとも約３５％になる。
【００２０】 層１６ａの消衰係数とその厚さが、予め選択した波長における層１６ａの透過
が光干渉を無視して約３０乃至約４０％になるように選択可能であることは理解
することができる。全体的に見て、層１６ａを透過させる光の量は、当業者によ
り理解されるように、２つ通過した後、層１６ａの反射面において適切な弱め合
う干渉を実現できるように、本来、層１６ａから反射される光の量に実質的に等
しくなるはずである。
【００２１】 実質的に透明な導電性層１６ｂは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から作製
されており、約８４０オングストローム（８４０Å）の厚さを有する。当業者が
気付くように、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）と同様に他の好適な材料および層の厚さを
使用することができる。層１６ｂの材料の消衰係数とその厚さは、予め選択した
波長における層１６ｂの透過が、光干渉を無視して、約８０％よりも大きいが好
適には少なくとも約９０％になるように選択される。当業者に知られているよう
に、層１６ｂに対する予め選択した波長が、層１６ａを選択するために使用され
る予め選択した波長と実質的に等しくなることが一般的に好ましい。
【００２２】 結果として得られる装置１０が可視光スペクトル全体にわたって所望の光干渉
特性を有するものにすることができるので、約５５０ナノメートル（５５０ｎｍ
）、すなわち可視光スペクトルの中心の波長が、層１２および１４、ならびに部
材１６の適切な厚さと材料を決定する目的で使用される、現在好ましい予め選択
される波長である。当業者により理解されるように、この波長の選択に対する二
次的な利益により、赤外線を含む可視スペクトルの外側の電磁エネルギーを反射
する装置がもたらされ、その結果、ディスプレイの加熱を減らすことができる。
しかし、所望されるように他の波長を選択可能であることに当業者は気付くであ
ろう。
【００２３】 光干渉部材１６もまた、その仕事関数ΦOIM、すなわち部材１６の表面から電
子を引き出すために必要なエネルギー量の観点から定量化可能である。本実施態
様において、正電荷すなわち正孔は、電流源２０からアノード１２を通ってエレ
クトロルミネセンス１４の中へ流れ、そこで、それらの正孔は、電流源２０から
カソード１８、光干渉部材１６を通ってエレクトロルミネセンス１４層の中へ流
れる電子と結合する。したがって、層１４の最も低い未占有分子軌道の中への電
子の注入を容易にするために、部材１６用に選択される材料は、絶対値で表した
ＥLUMOとΦOIMとの差Ｘがゼロに近くなるものとする。この式は、数学的に以下
のように表すことができる。
【数３】 Ｘ＝｜ΦOIM−ＥLUMO｜ 尚、上式中、 ｌｉｍ Ｘ→０ とする。
【００２４】 差Ｘがゼロに近くなるようにするためには、Ｘが約０．０乃至約１．５電子ボ
ルト（ｅＶ）の範囲に入り得るものであると考えられる。また、差Ｘを約０．１
乃至約１．３電子ボルトの範囲に入り得るものにすることができると考えられる
。より好適には、差Ｘを約０．６乃至約１．０電子ボルトの範囲に入れるべきで
あると考えられる。層１６ａがマグネシウム銀から作製され、かつ層１６ｂがイ
ンジウムスズ酸化物から作製される本実施態様では、部材１６の全仕事関数ΦOI M は、約３．６電子ボルトである。ＥLUMOが約３．０電子ボルトであるので、差
Ｘは約０．６電子ボルトになる。
【００２５】 カソード１８は、約５００オングストローム（５００Å）の厚さを有するマグ
ネシウム銀であり、本実施態様では反射性である。他の実施態様では、カソード
１８は約２５０オングストローム（２５０Å）乃至約２０００オングストローム
（２０００Å）の厚さを有するものにすることができると考えられる。しかし、
他の好適な導電性材料と厚さを使用可能であることに当業者は気付くであろう。
【００２６】 部材１６の厚さおよび材料ならびにそのコンポーネントが、少なくとも部分的
に、アノード１２、エレクトロルミネセンス層１４、ならびにカソード１８の厚
さおよび／または材料を検討する作業で決定可能であることは、ここで明らかに
なるであろう。
【００２７】 装置１０は、当業界で知られている技術を使用して製造することができる。前
述の実施態様において、アノード１２は、ガラス基板上に真空蒸着され、それに
続く層も真空蒸着法を使用してその上に形成される。装置１０の全体は、その後
、当業界で知られている技術を使用して密封される。他の好適な基板および装置
１０を製造する手段は、当業者が気付くであろう。例えば、基板はプラスチック
にすることができる。更にまた、エレクトロルミネセンス層１４がポリ（ｎ−ビ
ニルカルボザーレ：n-vinyl carbozale）である場合、その場合にはスピンコー
ティングが、層１４の適切な製造技術になり得る。
【００２８】 ここで装置１０の動作について論ずる。以下が説明を目的とした簡略化モデル
であること、および装置１０の動作中に起こる他の物理現象が、この議論を目的
として、その動作に対し無視し得る影響を有するものであると仮定されることは
、当業者に十分に理解されるであろう。電流源２０が「オン」であると、その結
果、正孔がアノード１２を経由してエレクトロルミネセンス層１４の中へ押し流
される。これらの正孔は、そのとき、カソード１８と光干渉部材１６とを経由し
て電流源２０から層１４の中へ供給された電子と結合する。絶対値で表したＥLU MO とΦOIMとの差がゼロに近くなるという事実により、装置１０を通る電流の流
れに対する障害が減り、層１４の破壊を防止または抑制する。層１４における正
孔と電子の再結合により、矢印Ｌemによって示されるように、光はアノード１２
の前部または外側面を通りビューアへ向かって放出される。
【００２９】 同時に、矢印Ｌambによって示されるように、周辺光は装置１０に入射して、
アノード１２とエレクトロルミネセンス層１４とを通過する。半吸収層１６ａに
入射した周辺光Ｌambは、部分的に反射され、部分的に吸収され、部分的に透過
される。半吸収層１６ａを透過した光は、透明層１６ｂを通過し、そこでカソー
ド１８で反射して透明層１６ｂを経て戻り、その箇所では、この反射された光は
、層１６ａから部分的に反射された光と１８０度位相がずれて反転しており、故
に、これらの２つの反射光は、弱め合うように干渉して、実質的に互いに打ち消
し合う。他にこれらの２つの反射光に見出されたエネルギーは、半吸収層１６ａ
とカソード１８により吸収され、その光はそこで比較的小さな熱量として散逸さ
れる。その結果、装置１０からビューアへ向かって戻る反射された光（Ｌref）
は減る。本実施態様では、反射された光（Ｌref）は、光干渉部材１６無しで組
み立てられたエレクトロルミネセンス装置に比べ、約９０％だけ減っている。
【００３０】 本発明の他の実施態様では、絶対値で表したＥLUMOとΦOIMとの差がゼロに近
くなるような前述の許容できるパラメータと範囲内であるにもかかわらず、光干
渉部材１６について様々な材料、厚さ、および消衰係数を選択することにより、
更に、装置１０の他の層に対する選択された適切な厚さと材料により、反射され
た光（Ｌref）を約９９．５％も減らすことができると考えられる。しかし、許
容できる範囲内でも、ＥLUMOとΦOIMとのエネルギーレベルの高い方の差により
、反射光の減少を実現できるが、それは、装置１０を通る電流の流れの電気的効
率を減らすことにもなる可能性がある。
【００３１】 本発明の他の実施態様では、好適に変更された光干渉部材１６を装置１０の他
の層と直列に配置することができる。ここで図２を参照すると、本発明の第２実
施態様によるエレクトロルミネセンス装置が全体として１０ａで示されている。
図１で示したコンポーネントと同様のコンポーネントは、同様の参照番号を用い
て示してある。装置１０ａは、エレクトロルミネセンス透過アノード１２と、ア
ノード１２の後に配置された光干渉部材１６’と、干渉部材１６’の後に配置さ
れたエレクトロルミネセンス層１４と、エレクトロルミネセンス層１４の後に配
置されたカソード１８とを含む。装置１０ａは、装置１０ａつまり層１４に定電
流を押し流すことができるように、アノード１２およびカソード１８を経由して
電流源２０に接続される。
【００３２】 エレクトロルミネセンス透過アノード１２は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ
）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ）のような放出されるエレクトロルミネセンス光の
少なくとも一部分に対し透明な何らかの導電性材料である。本実施態様において
、アノード１２は、好適には約１５００オングストローム（１５００Å）の厚さ
を有する一層のインジウムスズ酸化物である。
【００３３】 エレクトロルミネセンス透過アノード１２が、様々な厚さを有するものにする
ことが可能であり、また、例えば、約１０００オングストローム（１０００Å）
乃至約３０００オングストローム（３０００Å）、または約１２００オングスト
ローム（１２００Å）乃至約２０００オングストローム（２０００Å）の範囲に
入るものにすることができることは理解することができる。
【００３４】 エレクトロルミネセンス層１４は、層１４の最も低い未占有分子軌道（”ｌｕ
ｍｏ”）から電子が離脱するときに光の光子が放出され、そこでそれらの電子が
層１４の最も高い被占有分子軌道（”ｈｏｍｏ”）の正孔と結合する、トリス（
８−キノリノラートアルミニウム）（Ａｌｑ３）またはポリ（ｎ−ビニルカルボ
ザーレ）（ＰＶＣZ）のような有機エレクトロルミネセンス材料である。したが
って、エレクトロルミネセンス層１４を通る電流の流れは、光の放出を引き起こ
すことができる。本実施態様において、層１４は、好適にはトリス（８−キノリ
ノラートアルミニウム）から作製されるものであり、好適には約１０００オング
ストローム（１０００Å）の厚さを有するが、当業者ならば、この層の他の適切
な厚さを選択することが可能であろう。トリス（８−キノリノラートアルミニウ
ム）の電気特性を熟知している者に知られているように、最も高い被占有分子軌
道から電子を引き出すために必要なエネルギー、ＥHOMOは、約５．４電子ボルト
であり、これは、層１４の表面から電子を引き出すために必要なエネルギー、す
なわち層１４の仕事関数としても説明することができる。更にまた、トリス（８
−キノリノラートアルミニウム）の最も低い未占有分子軌道から電子を引き出す
ために必要なエネルギーは、約３．０電子ボルトであり、これは、ＥLUMOと呼ぶ
ことができる。故に、トリス（８−キノリノラートアルミニウム）のＥHOMOとＥ LUMO との差は、約２．４電子ボルトになる。本発明の他の実施態様では、ＥHOMO とＥLUMOとの差が、約１．５電子ボルト乃至約３．０電子ボルトの範囲に入り、
その範囲が可視光のスペクトルにわたるものとなるように、他の有機材料を選択
することは可能である（換言すると、材料の選択、またはドーパントを用いての
材料の変更による）。
【００３５】 本実施態様において、光干渉部材１６’は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）
から作製されており約７４５オングストローム（７４５Å）の厚さを有する実質
的に透明な導電性層１６ｃを含む。亜鉛酸化物（ＺｎＯ）または好適な有機材料
のように、当業者が気付くように、他の好適な材料を使用することができる。層
１６ｃのインジウムスズ酸化物は、それが（その化学量論を制御することにより
）５５０ナノメートル（５５０ｎｍ）の光の波長で４分の１波長スタックとして
振る舞うように変更され、また、層１６ｃの透過が、約８０％よりも大きく、好
適には少なくとも約９０％になるように選択される。しかし、所望されるように
他の波長を選択することが可能であることに当業者は気付くであろう。
【００３６】 以前に論じたように、光干渉部材１６’は、仕事関数ΦOIMの観点からも相当
に重要である。本実施態様において、正孔は、電流源２０からアノード１２およ
び光干渉部材１６’を通りエレクトロルミネセンス層１４の中へ流れ、そこで、
それらの正孔は、電流源２０からカソード１８を通りエレクトロルミネセンス層
１４の中へ流れる電子と結合する。したがって、エレクトロルミネセンス層１４
の最も高い被占有分子軌道からの電子の引き出しを容易にするために、部材１６
’用に選択される材料は、絶対値で表したＥHOMOとΦOIMとの差Ｙがゼロに近く
なるものとする。この式は、数学的に以下のように表すことができる。
【数４】 Ｙ＝｜ΦOIM−ＥHOMO｜ 尚、上式中、 ｌｉｍ Ｙ→０ とする。
【００３７】 ＥHOMOとΦOIMとの差がゼロに近くなるようにするためには、差Ｙが約０．０
乃至約１．５電子ボルト（ｅＶ）の範囲に入ればよいと考えられる。差Ｙは、約
０．１乃至約１．３電子ボルトの範囲に入れることができると考えられる。より
好適には、差Ｙは、約０．４乃至約１．０電子ボルトの範囲に入ると考えられる
。本実施態様では、層１６ａは、マグネシウム銀から作製されており、層１６ｂ
はインジウムスズ酸化物から作製されており、部材１６の全仕事関数ΦOIMは、
約５．０電子ボルトである。ＥHOMOが約５．４電子ボルトであるので、差Ｙは約
０．４電子ボルト（ｅＶ）である。
【００３８】 カソード１８は、約５００オングストローム（５００Å）の厚さを有するマグ
ネシウム銀であり、本実施態様では反射性である。他の実施態様では、カソード
１８は、約２５０オングストローム（２５０Å）乃至約２０００オングストロー
ム（２０００Å）の厚さを有するものにすることができると考えられる。しかし
、他の好適な導電性材料および厚さを使用できることに当業者は気付くであろう
。
【００３９】 部材１６’の厚さおよび材料ならびにそのコンポーネントが、少なくとも部分
的に、アノード１２、エレクトロルミネセンス層１４、ならびにカソード１８の
厚さおよび／または材料を検討する作業で決定可能であることは、ここで明らか
になるであろう。
【００４０】 装置１０ａは、当業界で知られている技術を使用して製造することができる。
前述の実施態様において、アノード１２は、ガラス基板上に真空蒸着され、それ
に続く層も真空蒸着法を使用してその上に形成される。装置１０ａの全体は、そ
の後、当業界で知られている技術を使用して密封される。他の好適な基板および
装置１０ａを製造する手段は、当業者が気付くであろう。例えば、基板はプラス
チックにすることができる。更にまた、エレクトロルミネセンス層１４がポリ（
ｎ−ビニルカルボザーレ：n-vinyl carbozale）である場合、その場合にはスピ
ンコーティングが、層１４の適切な製造技術になり得る。
【００４１】 ここで装置１０ａの動作について論ずる。以下が説明を目的とした簡略化モデ
ルであること、および装置１０ａの動作中に起こる他の物理現象が、その動作に
対し無視し得る影響を有するものであると仮定されることは、当業者に十分に理
解されるであろう。電流源２０が「オン」であると、その結果、正孔すなわち正
の電荷がアノード１２および光干渉部材１６を経由してエレクトロルミネセンス
層１４の中へ押し流される。これらの正の電荷は、そのとき、カソード１８を経
由して電流源２０から層１４の中へ供給された電子と結合する。ＥHOMOとΦOIM
との差がゼロに近くなるので、装置１０ａを通る電流の流れに対する障害が減り
、層１４の破壊を防止または抑制する。層１４における電子と正孔の再結合によ
り、矢印Ｌemによって示されるように、光はアノード１２の前部の面を通りビュ
ーアへ向かって放出される。
【００４２】 同時に、矢印Ｌambによって示されるように、周辺光は装置１０ａに入射して
、アノード１２を通過し、透明層１６ｃに入射する。層１６ｃに入射した周辺光
Ｌambの約半分は反射されるが、残りは透過される。層１６ｃを透過した光は、
エレクトロルミネセンス層１４の表面で反射して層１６ｃを経て戻る。層１６ｃ
の４分の１波長の厚さのため、層１４からのこの反射された光は、層１６ｃから
の反射された光と１８０度位相がずれて反転しており、故に、これらの２つの反
射光は、弱め合うように干渉して、実質的に互いに打ち消し合う。他にこれらの
２つの反射光に見出されたエネルギーは、層１６ｃを透過させる。その結果、装
置１０からビューアへ向かって戻る反射された光（Ｌref）が減る。本実施態様
では、反射された光（Ｌref）は、層１６’無しのエレクトロルミネセンス装置
に比べ、約０．５％乃至約２％の範囲だけ減っていると考えられる。
【００４３】 本発明の種々の特徴とコンポーネントとの特定の組合せのみをここで論じたが
、開示された特徴およびコンポーネントの所望のサブセットならびに／またはこ
れらの特徴およびコンポーネントの代替の組合せが所望されるように利用可能で
あることは、当業者に明らかになるであろう。例えば、ここで論じた実施態様は
、装置からの反射率を更に減らすために、エレクトロルミネセンス装置の相異な
る層の間に配置され、したがって互いに分離された複数の光干渉部材を提供する
ように組み合わせることができる。例えば、層１６’および層１６は、層１４の
それぞれの側面上に含めることができる。
【００４４】 その上、各光干渉部材は、様々な結果を実現するために、透明層か、あるいは
透明層と半吸収層との組合せにすることが可能であり、これらの様々なタイプの
光干渉部材を、装置全体にわたって異なる位置に置けることも明らかになるであ
ろう。例えば、光干渉部材の仕事関数と、最も高い被占有分子軌道、および／ま
たは最も低い未占有分子軌道から電子を引き出すために必要とされるエネルギー
との差を適切になるようにゼロに近くすることにより、透明層を半吸収層無しで
有機エレクトロルミネセンス層とカソードとの間で使用できるようにすること、
更に同様に、透明層と半吸収層との組合せを、アノードとエレクトロルミネセン
ス層との間に使用できるようにすることが意図される。
【００４５】 本発明はコンピュータディスプレイに好適なものになり得る。例えば、ピクセ
ル形成された有機エレクトロルミネセンスコンピュータディスプレイが形成可能
であり、そこでは、アノードが、有機エレクトロルミネセンスコンピュータディ
スプレイの前部層を構成するためのほぼ平行かつ相隔てられた複数のアノードを
含み、カソードがそれらのアノードにほぼ垂直である多数の相隔てられたカソー
ドを含む。アノードおよびカソードはピクセル形成される他に、様々な方法でパ
ターン形成を受けて装置１０の利用者にとって容認可能な様々なパターンを作成
可能であることが更に理解されるであろう。そのようなディスプレイがピクセル
形成されるか、あるいはパターン形成を受ける場合、個々のピクセルまたはパタ
ーンは、パルスＤＣのような知られている技術を使用し、および／または周期的
に極性が反転する「リフレッシュ」パルスを加えて蓄積電荷を減らして作動させ
ることができることは十分に理解されるであろう。本装置はまた、ノート型コン
ピュータで見出せるようなアクティブマトリクスを有するハイブリッドディスプ
レイにすることもできる。
【００４６】 加うるに、本発明は、カラー有機エレクトロルミネセンス装置で使用できるよ
うに好適に変更することができる。当業者に知られているように、そのようなマ
ルチカラー、すなわちフルカラー装置は、積層された透明有機エレクトロルミネ
センス層から形成することができる。光干渉部材が、これらの積層された層の中
の２つの間に在る場合、その仕事関数とアノードに最も近いエレクトロルミネセ
ンス層の最も低い未占有分子軌道から電子を引き出すために必要なエネルギーレ
ベルとの差がゼロに近くなること、および仕事関数とカソードに最も近いエレク
トロルミネセンス層の最も高い被占有分子軌道から電子を引き出すために必要な
エネルギーレベルとの差もゼロに近くなることは、明らかになるであろう。より
好適には、光干渉部材の仕事関数は、周りのエレクトロルミネセンス層の最も低
い未占有分子軌道の平均になるはずである。
【００４７】 またマルチカラー化すなわちフルカラー化装置は、パターン形成された赤−緑
−青の有機物層を介しても（換言すると、固有のカラー特性を有する材料を選択
することによるか、あるいは層に対しパターンを適切にドーピングすることによ
っても）提供することができる。他のカラー化技術で、ホワイトエミッタと適切
なフィルタの使用を含むようにすることができる。本発明の教示内容がこれらお
よびその他のカラー装置に対応するように変更できることは明らかになるであろ
う。
【００４８】 本発明は、液晶ディスプレイ用のバックライトとしても使用することができる
。カソードとエレクトロルミネセンス層との間の電子輸送層、および／またはア
ノードとエレクトロルミネセンス層との間の正孔輸送層を有する有機エレクトロ
ルミネセンス装置に対し本発明を好適に変更し得ることも理解されるであろう。
この実施態様では、光干渉部材は、したがって輸送層とエレクトロルミネセンス
層との間に置くことが可能であるか、あるいは、エレクトロルミネセンス層と光
干渉部材との間に輸送層を置くことが可能である。本発明のこの実施態様では、
それでも、仕事関数とエレクトロルミネセンス層のそれぞれのアノードサイドお
よび／またはカソードサイドに関連するエネルギーレベルとの差がゼロに近づき
、その時装置全体を通る電流を容易にするような仕事関数を有するように光干渉
部材が選択されることは明らかになるであろう。また、適切な輸送層を光干渉部
材に組み込み得ることも意図される。
【００４９】 その上、本明細書における実施態様では、前部アノードと後部カソードに言及
しているが、少なくとも前部層が放出されたエレクトロルミネセンス光の少なく
とも一部分に対し透明である限りは、本発明が前部カソードと後部アノードを有
する装置に対し好適なものになり得ることは明らかになるであろう。
【００５０】 本発明は、装置からの全反射率を減らす光干渉部材を有する新規の有機エレク
トロルミネセンス装置を提供する。光干渉部材は、少なくとも一部のディスプレ
イに入射した周辺光の弱め合う光学的干渉を引き起こす厚さを有するように選択
される。加うるに、光干渉部材の材料は、電流の流れの方向とエレクトロルミネ
センス層に関係した光干渉部材の位置とに応じて、仕事関数と、エレクトロルミ
ネセンス層の最も高い被占有分子軌道または最も低い未占有分子軌道から電子を
引き出すために必要なエネルギーレベルとの差がゼロに近くなるような仕事関数
を有するように選択される。光干渉部材用の材料を適切に選択することにより、
装置を通る適当な電流の流れを改善し、その結果、有機エレクトロルミネセンス
層の電気的破壊の恐れを減らし、装置の全エネルギー効率を改善する。最後に、
半吸収性層と透明層とが組み合せられて光干渉部材を形成する実施態様において
、そのとき、そのような光干渉部材を装置の裏側の電極と接触して置くことで、
吸収性フィルムに比べ、実際に赤外線周辺サインの反射率を増大させることが可
能であり、その結果、ディスプレイの加熱を減らし、エレクトロルミネセンス層
に対する損傷の恐れを減らしている。
【００５１】 好ましくかつ具体的に例示した実施態様を参照して本発明を説明したが、本発
明の精神および範囲から逸脱することなく、これらの好ましい例示された実施態
様に対し様々な変更を為し得ることは、当業者により勿論理解されるであろう。
【００５２】 ここで参照した公開、特許、および特許出願の全ては、１つ１つの公開、特許
、または特許出願が、そっくりそのまま引用して援用されるように具体的に個々
に示される場合と同じ程度で、そっくりそのまま引用して援用される。
【図面の簡単な説明】
添付図面を参照して本発明の実施態様を説明する。
【図１】 本発明の第１実施態様による光干渉有機エレクトロルミネセンス
装置の一部分を通して見た断面の概略図である。
【図２】 本発明の第２実施態様による光干渉有機エレクトロルミネセンス
ディスプレイの一部分を通して見た断面の概略図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１月２９日（２００２．１．２９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】 電圧駆動式無機エレクトロルミネセンス装置に比べ、ある種の効果（色彩の改
善、必要な駆動電圧を減らすために電流の流れに対する障害を減らすことなど）
が得られる最近の電流駆動式有機エレクトロルミネセンス装置の出現で、現在、
これらの有機装置のコントラスト比および／または信号対周辺光の比を改善する
必要性が存在しており、更に、従来技術ではこの必要性に取り組むための好適な
光干渉エレクトロルミネセンス装置を教示していないということが分かる。 光学的干渉を使用せずに、コントラストが改善された有機エレクトロルミネセ
ンス装置を提供することが知られている。例えば、ジー・パルタサラティ（G. P
arthasrathy）他著「有機半導体装置用の金属フリー・カソード（A metal-free
cathode for organic semiconductor devices）」（アプライド・フィジックス
・レターズ（Applied Physics Letters）１９９８年４月２７日、第７２巻、第
１７号２１３８−２１４０頁）(“Parthasrathy”)では、電気的に活性で透明な
有機エレクトロルミネセンス装置（ＴＯＬＥＤ）のある範囲で使用するための一
種類の低反射率高透明度の非金属カソードを教示している。したがって、当初は
、ParthasrathyがＴＯＬＥＤを対象とするのみであるが、有機エレクトロルミネ
センス装置（ＯＬＥＤ）と呼ばれる更に広範な種類のエレクトロルミネセンス装
置に対し適用することができず、そこでは、カソードまたは電極の一方が、通常
、不透明かつ／または反射性である。別の言葉で表すと、Parthasrathyは、一般
に、透明な有機発光装置に関するものであり、そこでは装置のアノードおよびカ
ソードが共に透明であるので、ビューアは直接装置中を見ることができる。した
がって、ＴＯＬＥＤの透明な性質に因り、周辺光の反射光は、不透明ＯＬＥＤに
おけるよりも一般に発生が少ない。いずれにしても、Parthasrathyでは、低出力
高周波でスパッタされたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の膜でキャップした銅
フタロシアニン（ＣｕＰｃ）から成るメタルフリーの透明カソードを教示する。
ＣｕＰｃにより、下に在る有機エレクトロルミネセンス層に対する損傷を防止す
る主要な利益が与えられる。 Parthasrathyの二次的な利益は、カソードの反射率が、従来ＴＯＬＥＤで使用
されていた透明金属カソードと比べて、多少減っていることである。しかし、い
ずれにしても、Parthasrathyにおける図３で示されるように、ＣｕＰｃに因り減
らされたどんなに制限された反射量も、周辺光の吸収に因り起こっており、そう
でない状況においては反射されていたはずの光エネルギーが別の形態のエネルギ
ーとして、但し通常は熱として、ＣｕＰｃ層により吸収および散逸される。した
がって、Parthasrathyでは、高透明度および低反射率を実現する非金属カソード
を備えたＴＯＬＥＤ装置を教示しており、そこで実現される低反射率は、主に透
過率の増大を介して実現されると共に、反射光の二次的減少が光エネルギーの吸
収を介して実現される。Parthasrathyは、透明な装置に関してのみ意図されたも
のであるので、そこでの教示内容は、不透明装置における反射率の減少を意図す
るものではない。したがって、Parthasrathyの教示内容は、不透明ＯＬＥＤにお
ける周辺光の減少には役に立たない。 コントラストを向上させた特徴を備えた別の有機エレクトロルミネセンス装置
は、特開平０８−２２２３７４号において教示されており、出光興産株式会社（
“Idemitsu”）に対し譲渡されている。Idemitsuは、少なくとも一方が透明また
は半透明である１対の電極の間の有機エミッタ層と共に、光吸収／散乱層を有す
る有機エレクトロルミネセンス要素を教示している。Idemitsuでは、反射率を減
らした有機エレクトロルミネセンス要素を教示しているが、反射率の減少は、Pa
rthasrathyと同様、吸収／散乱を介して実現される。本発明の発明者等は、吸収
／散乱がある種の状況において利益を提供することがあるが、他の技術を使用し
た反射率の減少が更に大きな反射率の減少を達成し、かつ／または別の状況にお
いてさらに新たな利益が得られると判断している。 別の有機エレクトロルミネセンス発光装置は、ＴＤＫ株式会社（“ＴＤＫ”）
に譲渡された欧州特許出願第０８３８９７６号で教示されている。より詳細には
、ＴＤＫでは、異なる材料を用いて作製される点を除いて、Parthasrathyで教示
されたＴＯＬＥＤに類似した別のＴＯＬＥＤ構造を教示している。Parthasrathy
に関し以前に論じたように、そのようなＴＯＬＥＤ装置は、それらの透明な性質
に因り、周辺光の反射率に関し、有する困難が少ないものと見なされることが多
い。したがって、ＴＤＫは、具体的に１つの特定構造のＴＯＬＥＤを対象にして
いるだけであり、不透明有機エレクトロルミネセンス装置での反射率の減少を教
示しておらず、単に教示された構造のタイプに因るだけで、それからの反射率を
減らすための具体的な教示内容を伴わずに、不透明エレクトロルミネセンス装置
より優れた反射率を減らすことを実現しているだけである。 以上明らかにした従来技術の構成要素とは対照的に、ケンブリッジ・ディスプ
レイ・コーポレーション（Cambridge Display Corporation）（“Cambridge”）
に譲渡された国際特許出願公開第９７／３８４５２号では、円形偏光子の使用を
介して反射率を減らされた不透明エレクトロルミネセンスディスプレイ装置を教
示している。偏光技術は周知であり、「透過光から一平面内の光を除く全ての振
動を吸収し、その結果自然光が偏光として現れる．．．装置の一種（a device .
.. that absorbs all vibrations from transmitted light except those withi
n a single plane, so that the natural light emerges as polarized light.
）」として説明することができる（「アカデミック・プレス・ディクショナリ・
オブ・サイエンス・テクノロジー（Academic Press Dictionary of Science Tec
hnology）(c)」（１９９６年アカデミック・プレス・インク（Academic Press I
nc.）刊、http://www.academicpress.com/inscight/03261998/polarizl.htmより
抜粋）。特に、Cambridgeでは、有機発光装置の表示面の前部に配置されるよう
な円形偏光子の使用を教示している。偏光子は周辺光の反射率を減らすことがで
きるとして認識されているが、それらは、装置のエレクトロルミネセンス層から
放出された望ましくない量の光を吸収することも知られている。要約すれば、偏
光子の使用は、吸収の特殊化された一形態にすぎない。しかし、その上、Cambri
geにとっての不都合は、偏光子を通常は発光装置の実際の製作過程に対し独立し
たプロセスを使用して製作する必要があり、また、偏光子を装置と別々に組み立
てる必要があるので、製作過程および結果として得られる装置の全コストが増大
することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】 （発明の開示） したがって、本発明の目的は、従来技術における不都合の少なくとも１つを未
然に防ぐか軽減する新規の光干渉有機エレクトロルミネセンス装置及び方法を提
供することである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ， ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 装置の前のビューアに対し画像を表示する有機エレクトロル
    ミネセンス装置であって、 アノード層と、 カソード層を含み、前記アノード層および前記カソード層の少なくとも一方が
    前記前にあり、かつエレクトロルミネセンス光に対し実質的に透明であり、 前記カソード層と前記アノード層との間に配置された有機エレクトロルミネセ
    ンス層を含み、前記エレクトロルミネセンス層が、アノードサイドに関連する最
    も高い被占有分子軌道と、カソードサイドに関連する最も低い未占有分子軌道と
    を有し、 前記ビューアへ向かう周辺光の反射率を減らす光干渉部材を含み、前記光干渉
    部材が前記アノード層と前記カソード層との間に配置されており、前記光干渉部
    材が仕事関数を有しており、前記光干渉部材が前記アノードサイドに在る場合、
    前記仕事関数と、前記最も高い被占有分子軌道から電子を除去するために必要な
    第１エネルギーレベルとの第１差がゼロに近づき、更に、前記光干渉部材が前記
    カソードサイドに在る場合、前記仕事関数と、前記最も低い未占有分子軌道から
    電子を除去するために必要な第２エネルギーレベルとの第２差がゼロに近くなる
    ことを特徴とする、 エレクトロルミネセンス装置。
  2. 【請求項２】 前記第１差が、約ゼロ電子ボルト乃至約１．５電子ボルトで
    あることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記第１差が、約０．１電子ボルト乃至約１．３電子ボルト
    であることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記第１差が、約０．４電子ボルト乃至約１電子ボルトであ
    ることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  5. 【請求項５】 前記第１エネルギーレベルが、約５．４電子ボルトであり、
    また、前記仕事関数が約５．０電子ボルトであることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  6. 【請求項６】 前記仕事関数と前記第２エネルギー特性との前記第２差が、
    約ゼロ電子ボルト乃至約１．５電子ボルトであることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記第２差が、約０．１電子ボルト乃至約１．３電子ボルト
    であることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  8. 【請求項８】 前記第２差が、約０．６電子ボルト乃至約１電子ボルトであ
    ることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  9. 【請求項９】 前記第２エネルギーレベルが約３．０電子ボルトであり、ま
    た、前記仕事関数が約３．６電子ボルトであることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 前記有機エレクトロルミネセンス層が、トリス（８−キノ
    リノラートアルミニウム）であることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 前記有機エレクトロルミネセンス層が、ポリ（ｎ−ビニル
    カルボザーレ）であることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 前記光干渉部材が、前記エレクトロルミネセンス層と前記
    カソードとの間に在ることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記光干渉部材が、半吸収性層と透明層とを含むことを特
    徴とする、 請求項１に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 前記半吸収性層が、マグネシウム銀であり、また、前記透
    明層がインジウムスズ酸化物であり、前記光干渉部材が３．６電子ボルトの仕事
    関数を有することを特徴とする、 請求項１３に記載の装置。
  15. 【請求項１５】 前記光干渉部材が、前記アノードと前記エレクトロルミネ
    センス層との間に在ることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記光干渉部材が、透明層を含むことを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 前記透明層が、インジウムスズ酸化物から作製されること
    を特徴とする、 請求項１６に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 前記アノード層と前記カソード層との間に配置され、かつ
    前記光干渉部材から分離された少なくとも１つの追加光干渉部材を更に含むこと
    を特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 前記カソード層と前記アノード層との間に配置された少な
    くとも１つの追加有機エレクトロルミネセンス層を更に含むことを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  20. 【請求項２０】 前記光干渉部材が、２つの前記エレクトロルミネセンス層
    の間に在ることを特徴とする、 請求項１９に記載の装置。
  21. 【請求項２１】 前記装置が、パターン形成された有機エレクトロルミネセ
    ンスコンピュータディスプレイであることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  22. 【請求項２２】 前記装置がピクセル形成されており、前記アノードが複数
    のほぼ平行なアノードを含み、また、前記カソードが、前記複数のほぼ平行なア
    ノードのそれぞれにほぼ垂直である複数のカソードを含むことを特徴とする、 請求項２１に記載の装置。
  23. 【請求項２３】 前記装置が、エレクトロルミネセンスカラーディスプレイ
    であることを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  24. 【請求項２４】 前記カソード層と前記エレクトロルミネセンス層との間に
    電子輸送層を更に含むことを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  25. 【請求項２５】 前記アノード層と前記エレクトロルミネセンス層との間に
    正孔輸送層を更に含むことを特徴とする、 請求項１に記載の装置。
  26. 【請求項２６】 前記正孔輸送層が、前記光干渉部材に組み込まれることを
    特徴とする、 請求項２５に記載の装置。
  27. 【請求項２７】 装置の前のビューアに対し画像を表示するエレクトロルミ
    ネセンス装置であって、 アノード層と、 カソード層を含み、該アノード層および該カソード層の少なくとも一方が、放
    出されるエレクトロルミネセンス光の少なくとも一部分に対し実質的に透明であ
    り、 前記アノード層と前記カソード層との間に配置された少なくとも１つの有機エ
    レクトロルミネセンス層を含み、前記エレクトロルミネセンス層が、前記エレク
    トロルミネセンス層の最も高い被占有分子軌道から電子を引き出すために必要な
    エネルギー量である第１エネルギー特性と、前記エレクトロルミネセンス層の最
    も低い未占有分子軌道から電子を引き出すために必要なエネルギー量である第２
    エネルギー特性とを有し、 ２つの前記層の間に配置されており、光干渉部材が前記アノードと前記エレク
    トロルミネセンス層との間に在る場合、前記第１エネルギー特性に実質的に等し
    い仕事関数を有し、前記光干渉部材が前記カソードと前記エレクトロルミネセン
    ス層との間に在る場合、前記第２エネルギー特性に実質的に等しい仕事関数を有
    する少なくとも１つの前記光干渉部材を含み、前記光干渉部材が、前記エレクト
    ロルミネセンス装置による前記ビューアへ向かう周辺光の反射率が減るように前
    記エレクトロルミネセンス装置のスペクトル反射率が変更されるような厚さと材
    料のものであることを特徴とする、 光干渉エレクトロルミネセンス装置。
  28. 【請求項２８】 選択されたスペクトルで光を放出するエレクトロルミネセ
    ンス装置であって、 アノード層と、 カソード層を含み、前記アノード層および前記カソード層の一方が、エレクト
    ロルミネセンス装置により放出される前記選択されたスペクトルの少なくとも一
    部分に対し実質的に透明であり、 前記アノード層と前記カソード層との間の有機エレクトロルミネセンス層を含
    み、前記エレクトロルミネセンス層が、前記アノード層に関わる最も高い被占有
    分子軌道を有しており、また、前記カソード層に関わる最も低い未占有分子軌道
    を有し、 選択された仕事関数を有しており、かつ前記透明層を介して反射される周辺光
    を減らすように動作可能な光干渉部材を含み、前記光干渉部材が、前記エレクト
    ロルミネセンス層と、前記アノード層および前記カソード層の一方との間に在り
    、同部材において、前記選択された仕事関数と、それぞれの分子軌道から電子を
    引き出すために必要なエネルギーレベルとの差がゼロに近くなることを特徴とす
    る、 エレクトロルミネセンス装置。
  29. 【請求項２９】 アノード層を基板上に蒸着するステップと、 有機エレクトロルミネセンス層を前記アノード層上に蒸着するが、前記エレク
    トロルミネセンス層がアノードサイドに関連する第１エネルギー特性とカソード
    サイドに関連する第２エネルギー特性とを有するものである、ステップと、 光干渉部材を前記エレクトロルミネセンス層上に蒸着するが、前記光干渉部材
    がビューアへ向かう周辺光の反射率を減らすためのものであり、前記光干渉部材
    が前記第２エネルギー特性に実質的に等しい仕事関数を有するものである、ステ
    ップと、 カソード層を前記光干渉部材上に蒸着するステップと、 装置を密封するステップとを含むことを特徴とする、 前記装置の前のビューアに対し画像を表示する前記エレクトロルミネセンス装
    置を製造する方法。
  30. 【請求項３０】 アノード層を基板上に蒸着するステップと、 光干渉部材を前記アノード層上に蒸着するが、前記光干渉部材がビューアへ向
    かう周辺光の反射率を減らすためのものであり、前記光干渉部材が仕事関数を有
    する、ステップと、 有機エレクトロルミネセンス層を前記干渉部材上に蒸着するが、前記エレクト
    ロルミネセンス層が、前記エレクトロルミネセンス層から電子を引き出すために
    必要なエネルギー量であるエネルギー特性を有しており、前記エネルギー特性が
    前記仕事関数に実質的に等しい、ステップと、 カソード層を前記エレクトロルミネセンス層上に蒸着するステップと、 装置を密封するステップとを含むことを特徴とする、 前記装置の前のビューアに対し画像を表示する前記エレクトロルミネセンス装
    置を組み立てる方法。
  31. 【請求項３１】 アノードとカソードとの間の有機エレクトロルミネセンス
    層から光を放出するが、前記エレクトロルミネセンス層が、前記アノードに関わ
    る第１エネルギー特性と、前記カソードに関わる第２エネルギー特性とを有する
    、ステップと、 前記エレクトロルミネセンス層へ向かって入射する周辺光を受光するステップ
    と、 光干渉部材の入射面において前記周辺光から弱め合う干渉を形成するが、前記
    光干渉部材が、選択された仕事関数を有しており、前記エレクトロルミネセンス
    層と、前記アノードおよび前記カソードの一方との間に配置されており、前記仕
    事関数とそれぞれのエネルギー特性との差がゼロに近くなる、ステップとを含む
    ことを特徴とする、 ビューアに対し画像を表示する方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004152751A (ja) * 2002-10-08 2004-05-27 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2004164890A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 発光素子およびこれを用いた表示装置
JPWO2003096758A1 (ja) * 2002-05-10 2005-09-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
JP2007134345A (ja) * 2006-12-28 2007-05-31 Canon Inc 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6411019B1 (en) * 1999-07-27 2002-06-25 Luxell Technologies Inc. Organic electroluminescent device
TW585895B (en) * 1999-09-02 2004-05-01 Nippon Steel Chemical Co Organic EL material
JP2001279429A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US6846437B2 (en) * 2000-11-28 2005-01-25 Astaris, Llc Ammonium polyphosphate solutions containing multi-functional phosphonate corrosion inhibitors
US6841932B2 (en) 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
US7288887B2 (en) 2001-03-08 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Devices with multiple organic-metal mixed layers
CA2352390A1 (en) * 2001-07-04 2003-01-04 Luxell Technologies Inc. Contrast enhancement apparatus
US20030007736A1 (en) * 2001-07-04 2003-01-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical transmission module and optical transceiver
US6750609B2 (en) 2001-08-22 2004-06-15 Xerox Corporation OLEDs having light absorbing electrode
US7071613B2 (en) * 2001-10-10 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US6861810B2 (en) 2001-10-23 2005-03-01 Fpd Systems Organic electroluminescent display device driving method and apparatus
US7961682B2 (en) 2002-04-11 2011-06-14 Qualcomm Incorporated Handoff between base stations of different protocol revisions in a CDMA system
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
AU2003229422A1 (en) * 2002-05-03 2003-11-17 Luxell Technologies Inc. Contrast enhanced oleds
CA2419121A1 (en) * 2002-05-03 2003-11-03 Luxell Technologies, Inc. Dark layer for an electroluminescent device
WO2003094253A2 (en) * 2002-05-03 2003-11-13 Luxell Technologies Inc. Dark layer for an electroluminescent device
CA2422895A1 (en) * 2002-05-06 2003-11-06 Luxell Technologies Inc. Electroluminescent device
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
AU2003236752A1 (en) * 2002-06-11 2003-12-22 Hofstra, Peter, G. Oled display with contrast enhancing interference members
JP4216008B2 (ja) 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
US7045955B2 (en) * 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
JP4186101B2 (ja) * 2002-09-04 2008-11-26 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP4371297B2 (ja) * 2002-10-02 2009-11-25 パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイ
CA2411683A1 (en) * 2002-11-13 2004-05-13 Luxell Technologies Inc. Oled with contrast enhancement features
KR100879474B1 (ko) * 2002-12-05 2009-01-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 소자
KR100879475B1 (ko) * 2002-12-05 2009-01-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 소자
US6936960B2 (en) * 2003-01-10 2005-08-30 Eastman Kodak Company OLED displays having improved contrast
KR100952273B1 (ko) * 2003-03-18 2010-04-12 사천홍시현시기건유한공사 유기 ｅｌ 소자 및 그의 제조 방법
JP2006526274A (ja) * 2003-04-23 2006-11-16 ツェン−ホン ルー 埋込み電荷注入電極を有する発光デバイス
US20040256978A1 (en) * 2003-05-27 2004-12-23 Gang Yu Array comprising organic electronic devices with a black lattice and process for forming the same
US7045954B2 (en) * 2003-06-17 2006-05-16 City University Of Hong Kong Organic light-emitting device with reduction of ambient-light-reflection by disposing a multilayer structure over a semi-transparent cathode
US20050052119A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Gang Yu Organic electronic device having low background luminescence
JP4497881B2 (ja) * 2003-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
JP4428979B2 (ja) * 2003-09-30 2010-03-10 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
GB0401613D0 (en) * 2004-01-26 2004-02-25 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitting diode
TWI231723B (en) * 2004-04-16 2005-04-21 Ind Tech Res Inst Organic electroluminescence display device
CN100508240C (zh) * 2004-05-25 2009-07-01 新加坡科技研究局 高对比度电致发光装置的复合光学破坏电极
KR100579194B1 (ko) * 2004-05-28 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법
JP4858169B2 (ja) * 2004-07-23 2012-01-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7449830B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
TWI233319B (en) * 2004-08-10 2005-05-21 Ind Tech Res Inst Full-color organic electroluminescence device and display panel using the same
CA2577342A1 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 National Research Council Of Canada High performance light-emitting devices
KR100601381B1 (ko) * 2004-11-29 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
US20060138946A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Jian Wang Electrical device with a low reflectivity layer
US7554112B1 (en) 2005-03-10 2009-06-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device and processes for forming and using the same
JP2006260853A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 照明装置
US7777407B2 (en) 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
CN100369288C (zh) * 2005-05-11 2008-02-13 友达光电股份有限公司 有机电激发光显示元件
US7728517B2 (en) 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
US7811679B2 (en) 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7943244B2 (en) 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US20070138637A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Shiva Prakash Electronic device having low background luminescence, a black layer, or any combination thereof
US7687989B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-30 Global Oled Technology Llc Emissive displays having improved contrast
KR101472963B1 (ko) * 2007-04-04 2014-12-15 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 발광장치 구조체 및 그 제조방법
TW200919758A (en) * 2007-10-22 2009-05-01 Univ Nat Taiwan An organic light emitting diode display device with energy-recycling capability
FR2925746B1 (fr) * 2007-12-21 2010-01-01 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage comportant des filtres colores et des elements photoemissifs alignes electroniquement
TWI372575B (en) * 2008-03-04 2012-09-11 Chimei Innolux Corp Organic light-emitting diode display device
GB2460822A (en) * 2008-06-03 2009-12-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
US8643000B2 (en) * 2008-11-18 2014-02-04 E I Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device with low-reflectance electrode
KR101084239B1 (ko) * 2009-12-08 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
FR2962853A1 (fr) 2010-07-13 2012-01-20 Commissariat Energie Atomique Diode electroluminescente organique et ecran a faible reflectivite.
CN103137882A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR101951223B1 (ko) 2012-10-26 2019-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
CN104183720A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置、显示屏及其终端
CN104183748A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置、显示屏及其终端
CN104183749A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 倒置有机电致发光装置、显示屏及其终端
CN104183711A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置、显示屏及其终端
CN104183714A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置及制备方法、显示屏及其终端
KR102132464B1 (ko) * 2013-06-07 2020-07-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102080131B1 (ko) 2013-06-17 2020-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102084715B1 (ko) 2013-06-18 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102090713B1 (ko) 2013-06-25 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널의 제조 방법
CN107195797B (zh) * 2017-06-28 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000035028A1 (en) * 1998-12-08 2000-06-15 Cambridge Display Technology Ltd. Display devices

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI60333C (fi) * 1980-04-24 1981-12-10 Lohja Ab Oy Elektroluminens-aotergivningskomponent
CA1302547C (en) 1988-12-02 1992-06-02 Jerzy A. Dobrowolski Optical interference electroluminescent device having low reflectance
US5049760A (en) * 1990-11-06 1991-09-17 Motorola, Inc. High speed complementary flipflop
EP0553950A3 (en) * 1992-01-07 1994-11-23 Toshiba Kk Organic electroluminescent device
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP3274527B2 (ja) * 1992-09-22 2002-04-15 株式会社日立製作所 有機発光素子とその基板
US5804919A (en) * 1994-07-20 1998-09-08 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Resonant microcavity display
JP3551475B2 (ja) * 1994-06-25 2004-08-04 凸版印刷株式会社 薄膜型ｅｌ素子
JP3249297B2 (ja) * 1994-07-14 2002-01-21 三洋電機株式会社 有機電界発光素子
US5846506A (en) * 1994-10-07 1998-12-08 Degussa Aktiengesellschaft Precipitated silicas
JP2931229B2 (ja) * 1995-02-13 1999-08-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
IL122911A0 (en) * 1995-08-11 1998-08-16 Minnesota Mining & Mfg Electroluminescent lamp using multilayer optical film
JPH09204981A (ja) 1996-01-26 1997-08-05 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機ｅｌ素子
WO1997038452A1 (en) 1996-04-10 1997-10-16 Cambridge Display Technology Limited High contrast electroluminescent displays
JPH1079297A (ja) * 1996-07-09 1998-03-24 Sony Corp 電界発光素子
JPH10125469A (ja) 1996-10-24 1998-05-15 Tdk Corp 有機ｅｌ発光素子
JP3472432B2 (ja) * 1997-03-28 2003-12-02 シャープ株式会社 表示装置用反射防止膜及びその製造方法、並びにｅｌ素子
US6667494B1 (en) * 1997-08-19 2003-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor display device
JPH11167373A (ja) * 1997-10-01 1999-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置およびその駆動方法
US6133693A (en) * 1998-07-30 2000-10-17 Alliedsignal Inc. Interconnects and electrodes for high luminance emissive displays
US6366017B1 (en) * 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
US6411019B1 (en) * 1999-07-27 2002-06-25 Luxell Technologies Inc. Organic electroluminescent device
KR100329571B1 (ko) * 2000-03-27 2002-03-23 김순택 유기 전자 발광소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000035028A1 (en) * 1998-12-08 2000-06-15 Cambridge Display Technology Ltd. Display devices
JP2002532830A (ja) * 1998-12-08 2002-10-02 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド ディスプレイデバイス

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2003096758A1 (ja) * 2002-05-10 2005-09-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
US7242140B2 (en) 2002-05-10 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same
US7710027B2 (en) 2002-05-10 2010-05-04 Seiko Epson Corporation Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same
JP2004152751A (ja) * 2002-10-08 2004-05-27 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP4580160B2 (ja) * 2002-10-08 2010-11-10 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2004164890A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 発光素子およびこれを用いた表示装置
JP2007134345A (ja) * 2006-12-28 2007-05-31 Canon Inc 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ

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